KR970052995A - 반도체소자의 트리플웰 형성방법 - Google Patents

반도체소자의 트리플웰 형성방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 필드산화(field oxidation)후에 질화막을 제거하지 않고 그대로 둔 상태에서 실드(shield) 및 웰 이온주입을 실시함으로써 래치-업(Latch-up) 특성을 개선할 수 있고 고립특성을 개선할 수 있도록 된 반도체소자의 트리플웰 형성방법에 관한 것으로, (a) 실리콘기판(11)상에 패드산화막(12)과, CVD질화막(13)을 증착한 후, 포토리소그래피 공정에 의해 상기 질화막(13)의 일정영역을 에치하고, 필드산화막(14)을 성장시키고, 고에너지 n-실드 이온주입을 수행하는 공정, (b) 포토레지스터(16)를 형성한 후, 일정영역을 구분하고 상기 n-실드 이온주입깊이까지 고에너지 p웰 이온주입을 수행하는 공정, (c) 상기 포토레지스트(16)을 제거한 후, 새로운 포토레지스트(18)을 형성한 후, 공통 p웰 및 실드 p웰을 정의하는 p웰 마스크로 상기 포토레지스트(18)을 사용하여, 중간(medium) 및 저(low) 에너지 p 웰 이온주입을 하는 공정, (d) 상기 포토레지스트(18)를 제거한 후, 새로운 포토 레지스트(21)를 형성한 후, n웰 마스크로 상기 포토레지스트(21)을 사용하여, 중간(medium) 및 저(low) 에너지 n웰 이온주입을 하고, 상기 포토레지스트(21)를 제거하고, 질화막(13)과 패드산화막(12)을 제거한 후, 어닐(anneal)공정을 포함한다.

Description

반도체소자의 트리플웰 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도 a 내지 e는 본 발명에 따른 트리플 웰 제조방법을 나타낸 종단면도.

Claims (7)

  1. (가) 실리콘기판(11)상에 패드산화막(12)과, CVD질화막(13)을 증착한 후, 포토리소그래피공정에 의해 상기 질화막(13)의 일정영역을 에치하고, 필드산화막(14)을 성장시키고, 고에너지 n-실드 이온주입을 수행하는 공정, (나) 포토레지스트(16)를 형성한 후, 일정영역을 구분하고 상기 n-실드 이온주입깊이까지 고에너지 p웰 이온주입을 수행하는 공정, (다) 상기 포토레지스트(16)를 제거한 후, 새로운 포토레지스트(18)를 형성한 후, 공통 p웰 및 실드 p웰을 정의하는 p웰 마스크로 상기 포토레지스트(18)을 사용하여, 중간(medium) 및 저(low) 에너지 p웰이온주입을 하는 공정, (라) 상기 포토레지스트(18)를 제거한 후, 새로운 포토레지스트(21)를 형성한 후, n웰 마스크로 상기 포토레지스트(21)을 사용하여, 중간(medium) 및 저(low) 에너지 n웰 이온주입을 하고, 상기 포토레지스트(21)을 제거하고, 질화막(13)과 패드산화막(12)을 제거하고, 어닐링(annealing)시키는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 트리플웰 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 고에너지 이온 주입은 0.5∼4.0 MeV 에너지범위이고, 불순물(Dose)은 1012∼1014의 범위이고, 또한 중간 에너지 이온주입은 0.1∼4.0MeV의 에너지 범위이며, 불순물은 1012∼1014의 범위인 것을 특징으로하는 반도체소자의 트리플웰 형성방법.
  3. 제1항에 있어서, 저에너지 이온주입은 불순물이 필드산화막 하면에 위치할 수 있도록 필드산화막 두께에 따라 에너지를 조절하며, 불순물은 1011-1014의 범위인 것을 특징으로 하는 반도체소자의 트리플웰 형성방법.
  4. 제1항에 있어서, 중간 및 저에너지 이온주입은 한 번만 이온주입을하여 웰을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 트리플웰 형성방법.
  5. 제1항에 있어서, 질화막의 두께는 저에너지 이온주입으로 불순물들을 필드 산화막 하면에 위치시킬 때 채널영역의 원하는 위치에 불순물들을 위치시킬 수 있도록 조절가능한 것을 특징으로 하는 반도체소자의 트리플웰 형성방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 실리콘기판(11)은 p형실리콘기판인 것을 특징으로 하는 반도체소자의 트리플웰 형성방법.
  7. 제1항에 있어서, p웰 및 n웰 마스크를 사용하여 중간 및 저에너지로 각각 p웰 및 n웰 이온주입을 한 후 문턱전압(Vt) 조절 이온주입을 하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 트리플웰 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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