KR970051753A - 강유전성 에미터를 적용한 음극구조체 및 이를 적용한 전자총과 음극선관 - Google Patents

Abstract

본 발명은 강유전성 에미터를 적용한 음극 구조체 및 이를 적용한 전자총 및 음극선관에 곤한 것으로서, 특히 전자 방출원으로 강유전성 음극을 적용한 음극 구조체 및 이를 적용한 전자총 및 음극선관에 관한 것이다. 본 발명의 음극 구조체는 기판과, 기판상에 형성되는 하부 전극층과, 상기 하부 전극 상에 형성되는 강유전성 에미터를 적용한 음극층과, 상기 강유전성 음극층의 위에 형성되며, 강유전성 음극층 표면으로부터의 전자 방출영역을 제공하는 상부 전극층과, 상기 전극층의 위에 형성되어 상기 상부 전극층의 전자 방출영역으로부터 방출되는 전자를 제어하는 드라이브 전극을 구비한다. 이러한 본 발명에 의하면, 강유전성 에미터를 적용한 음극층을 적용함으로써, 종래 음극선관의 제조시 애로사항이었던 배기 및 에이징 공정이 기술적으로 단순화되고, 따라서 생상원가가 낮추어 지게된다. 뿐만 아니라, 필라멘트와 같은 열원을 적용하지 않음으로 부품 단가 면에 있어서도 저렴화되고, 특히 열원에 의한 음극 구조체와 이에 인접한 요소들의 열적 변형을 억제할 수 있다. 또한 전자 방출 방법이 순간적인 펄스에 의해 이루어지므로 열전자 방출이 신속하게 이루어지고 따라서 화상이 극히 짧은 시간내에 이루어지는 속도성이 제공된다.

Description

강유전성 에미터를 적용한 음극구조체 및 이를 적용한 전자총과 음극선관

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제1도는 본 발명 음극 구조체의 개념을 보인 도면

제5도는 본 발명에 따른 음극 구조체의 제작 공정도

Claims (18)

1. 기판과, 기판 상에 형성되는 하부 전극층과, 상기 하부 전극 상에 형성되는 강유전성 에미터를 적용한 음극층과, 상기 강유전성 음극층의 위에 형성되며, 강유전성 음극층 표면으로부터의 전자 방출영역을 제공하는 상부 전극층과, 상기 전극층의 위에 형성되어 상기 상부 전극층의 전자 방출영역으로부터 방출되는 전자를 제어하는 드라이브 전극을 구비하는 것을 특징으로 하는 강유전성 에미터를 적용한 음극 구조체.
2. 제1항에 있어서, 상기 드라이브 전극은 3개가 마련되고, 각 드라이브 전극에는 전자가 통과하는 관통공을 각각 가지며, 상기 드라이브 전극에 대응하는 상기 상부 전극의 부위에는 각 관통공에 대응하는 다수의 미세공이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 강유전성 에미터를 적용한 음극 구조체.
3. 제2항에 있어서, 상기 관통공의 직경은 300마이크로 미터 이하의 값을 가진 것을 특징으로 하는 강유전성 에미터를 적용한 음극 구조체.
4. 제1항 내지 제3항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 강유전성 음극층의 소재는 PZT 또는 PLZT 인 것을 특징으로 하는 음극 구조체.
5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 강유전성 음극층의 두께가 1마이크로 미터 내지 100마이크로 미터 내의 범위인 것을 특징으로 하는 강유전성 에미터를 적용한 음극 구조체.
6. 제4항에 있어서, 상기 강유전성 음극층의 두께가 1 마이크로 미터 내지 100 마이크로 미터 내의 범위인 것을 특징으로 하는 강유전성 에미터를 적용한 음극 구조체.
7. 강유전성 에미터를 적용한 전자 방출원과, 상기 전자 방출원으로부터의 전자를 제어 및 가속하는 다수의 전극을 구비하는 전극군과, 상기 전자 방출원과 상기 전극군을 지지 고정하는 지지 수단을 구비한 전자총에 있어서, 상기 전자 방출원은, 기판과, 기판상에 형성되는 하부 전극층과, 상기 하부 전극 상에 형성되는 감유전성 음극층과, 상기 강유전성 음극층의 위에 형성되며, 강유전성 음극층 표면으로부터의 전자 방출영역을 제공하는 상부 전극층과, 상기 전극층의 위에 형성되어 상기 상부 전극층의 전자 방출영역으로부터 방출되는 전자를 제어하는 드라이브 전극을 구비하는 것을 특징으로 하는 전자총.
8. 제7항에 있어서, 상기 드라이브 전극은 3개가 마련되고, 각 드라이브 전극에는 전자가 통과하는 관통공을 각각 가지며, 상기 드라이브 전극에 대응하는 상기 상부 전극의 부위에는 각 관통공에 대응하는 다수의 미세공이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전자총.
9. 제8항에 있어서, 상기 관통공의 직경은 300마이크로 미터 이하의 값을 가지는 것을 특징으로 하는 전자총.
10. 제7항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 강유전성 음극층의 소재는 PZT 또는 PLZT인 것을 특징으로 하는 전자총.
11. 제7항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 강유전성 음극층의 두께가 1 마이크로 미터 내지 100 마이크로 미터내의 범위인 것을 특징으로 하는 전자총.
12. 제10항에 있어서, 상기 강유전성 음극층의 두께가 1 마이크로 미터 내지 100 마이크로 미터 내의 범위인 것을 특징으로 하는 전자총.
13. 전자방출원과 다수의 전극을 구비한 전자총과, 상기 전자총이 장착되는 네크부를 구비하는 펀넬과, 상기 전자총으로부터의 전자빔에 의해 화상을 실현하는 스크린을 구비한 패널을 구비하는 음극선관에 있어서, 상기 전자 방출원은, 기판과, 기판상에 형성되는 하부 전극층과, 상기 하부 전극 상에 형성되는 강유전성 에미터를 적용한 음극층과, 상기 강유전성 음극층의 위에 형성되며, 강유전성 음극층 표면으로부터의 전자 방출영역을 제공하는 상부 전극층과, 상기 전극층의 위에 형성되어 상기 상부 전극층의 전자 방출영역으로부터 방출되는 전자를 제어하는 드라이브 전극을 구비하는 것을 특징으로 하는 음극선관.
14. 제13항에 있어서, 상기 드라이브 전극은 3개가 마련되고, 각 드라이브 전극에는 전자가 통과하는 관통공을 각각 가지며, 상기 드라이브 전극에 대응하는 상기 상부 전극의 부위에는 각 관통공에 대응하는 다수의 미세공이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 음극선관.
15. 제14항에 있어서, 상기 관통공의 직경은 300마이크로 미터 이하의 값을 가지는 것을 특징으로 하는 음극선관.
16. 제13 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 강유전성 음극층의 소재는 PZT 또는 PLZT인 것을 특징으로 하는 음극선관.
17. 제13항 내지 제15항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 강유전성 음극층의 두께가 1마이크로 미터 내지 100마이크로 미터 내의 범위인 것을 특징으로 하는 음극선관.
18. 제16항에 있어서, 상기 강유전성 음극층의 두게가 1 마이크로 미터 내지 100마이크로 미터 내의 범위인 것을 특징으로 하는 음극선관.

    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.