KR970051505A - 이방성 씨(c)형 영구 자석 제조 방법 - Google Patents
이방성 씨(c)형 영구 자석 제조 방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 이방성 C형 영구 자석을 제조하기 위한 방법에 관한 것으로, 상기 방법은 Nd-Fe-B 자성 합금 분말을 금속성 튜브내에 주입시켜서 압축성형분말 자성체를 제조하는 단계와, 상기 압축분말 자성체를 세미 클로즈형 다이에 주입시킨 후 열간 성형 가공 공정에 의하여 등방성 자석을 제조하는 단계와, 상기 등방성 자석을 세미 클로즈형 다이에 주입시킨 후 다이 업세팅 공정에 의하여 이방성 C형 영구자석을 제조하는 단계로 이루어지며 이에 의해서 금형의 마모 및 파괴를 방지 시킬 수 있고 열수축에 의한 자석내의 미세 크랙 발생을 방지시킬 수 있으며 또한 결정의 자화 용이축을 가압 방향으로 용이하게 정렬시킬 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제5도(a) 내지 (c)는 본 발명에 다른 동방성 자석을 제작하기 위한 공정을 도시한 단면도.
제6도(a) 내지 (c)는 본 발명에 따른 이방성 C형 영구 자석을 제작하기 위한 공정을 도시한 단면도.
Claims (14)
- Nd-Fe-B 자성 합금 분말을 금속성 튜브내에 주입시켜서 압축 성형분말 자성체를 제조하는 단계와, 상기 미가공 자성체를 열간 성형 가공용 세미 클로즈형 다이에 주입시킨 후 열간 성형 가공(HOT-PRESSING) 공정에 의하여 등방성 자석을 제조하는 단계와, 상기 등방성 자석을 다이 업 세팅용 세미 클로즈형 다이에 주입시킨 후 다이 업 세팅(DIE-UPSETTING)공정에 의하여 자력이 향상된 이방성 C형 영구 자석을 제조하는 단계로 이루어진 것을 특징으로하는 이방성 C형 영구 자석 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 다이 업 세팅 공정에 의한 상기 등방성 자석(15)의 두께 단면 감소율은 40% 내지 70%로 수행되는 것을 특징으로 하는 이방성 C형 영구 자석 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 열간 성형 가공 공정 및 다이 업 세팅 공정은 600℃ 내지 1000℃ 온도하에서 수행되는 것을 특징으로 하는 이방성 C형 영구 자석 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 이방성 C형 영구 자석은 상기 금속성 튜브와 일체로 성형되어 있는 것을 특징으로하는 이방성 C형 영구 자석 제조 방법.
- 제4항에 있어서, 상기 튜브는 강자성 재질로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 이방성 C형 영구 자석 제조 방법.
- Nd-Fe-B 자성 합금 분말을 클로즈형 다이에 주입 시킨 후 압축 성형한 분말 자성체를 제조하는 단계와, 상기 압축분말 자성체를 열간 성형 가공용 클로즈형 다이에 주입시킨 후 열간 성형 가공(HOT-PRESSING) 공정에 의하여 등방성 자석을 형성시키는 단계와, 상기 등방성 자석을 금속성 튜브가 삽입된 다이 업 세팅용 세미 클로즈형 다이에 주입시킨 후 다이 업세팅 공정에 의하여 자력이 향상된 이방성 C형 영구 자석을 제조하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 이방성 C형 영구 자석 제조 방법.
- 제6항에 있어서, 상기 다이 업세팅 공정에 의한 상기 등방성 자석의 두께 단면 감소율은 40% 내지 70%로 수행되는 것을 특징으로 하는 이방성 C형 영구 자석 제조 방법.
- 제6항에 있어서, 상기 이방성 C형 영구 자석은 상기 금속성 튜브와 일체로 성형되는 것을 이방성 C형 영구 자석 제조 방법.
- 제8항에 있어서, 상기 금속성 튜브는 강자성 재질로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 이방성 C형 영구 자석 제조 방법.
- 제6항에 있어서, 상기 다이 업 세팅 공정은 600℃ 내지 1000℃ 온도하에서 수행되는 것을 특징으로 하는 이방성 C형 영구 자석 제조 방법.
- Nd-Fe-B 자성 합금 분말을 금속성 튜브내에 주입시켜서 압축 성형한 분말 자성체를 형성시키는 단계와, 상기 압축 분말 자성체를 튜브가 장착된 다이 업 세팅용 세미클로즈형 다이에 주입시킨 후 다이업 세팅 공정에 의하여 이방성 C형 영구 자석을 제조하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 이방성 C형 영구 자석 제조 방법.
- 제11항에 있어서, 상기 이방성 C형 영구 자석은 상기 금속성 튜브와 일체로 성형되는 것을 특징으로 하는 이방성 C형 영구 자석 제조 방법.
- 제12항에 있어서, 상기 튜브는 강자성 재질로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 이방성 C형 영구 자석 제조 방법.
- 제11항에 있어서, 상기 다이 업 세팅 공정은 600℃ 내지 1000℃온도하에서 수행되는 것을 특징으로 하는 이방성 C형 영구 자석 제조 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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KR1019950059633A KR0180598B1 (ko) | 1995-12-27 | 1995-12-27 | 이방성 씨형 영구 자석 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
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KR1019950059633A KR0180598B1 (ko) | 1995-12-27 | 1995-12-27 | 이방성 씨형 영구 자석 제조 방법 |
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1995
- 1995-12-27 KR KR1019950059633A patent/KR0180598B1/ko not_active IP Right Cessation
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