Claims (8)
비접촉모드에서 사용되는 전원입력 및 정보 입·출력 장치인 고주파 송·수신회로(30)와; 상기 고주파 송·수신회로(30)에 연결되고, 상기 비접촉모드시에 수신되는 고주파 송·수신회로(30)에 연결되고, 상기 비접촉모드시에 수신되는 고주파 신호를 받아 전원을 발생하는 전원발생회로(31)와; 상기 고주파 송·수신회로(30)에 연결되고, 상기 비접촉모드시에 상기 수신되는 고주파 신호를 원신호로 복조 하거나 또는 송신하려는 신호를 고주파 변조하는 변·복조회로(32)와; 접촉모드시에 사용되는 접촉식 전원입력단자(40)와; 상기 접촉모드 시에 사용되는 접촉식 입·출력단자(41)와; 상기 접촉식 입·출력단자(41)에 연결되고, 상기 접촉모드시에 정보의 입·출력 기능을 하는 입·출력회로(42)와; 카드정보를 저장하고 있는 기억장치(50)와; 제어명령을 받아 해독하고, 카드의 내부회로를 제어하는 제어회로(60)와; 접촉모드와 비접촉모드의 처리방식을 제어하는 자동모드변환수단(100)을 포함하는 것을 특징으로 하는 복합 IC카드(200).A high frequency transmission / reception circuit 30, which is a power input and information input / output device used in the contactless mode; A power generation circuit connected to the high frequency transmission / reception circuit 30, connected to the high frequency transmission / reception circuit 30 received in the non-contact mode, and generating power by receiving a high frequency signal received in the non-contact mode (31); A modulation / demodulation circuit (32) connected to the high frequency transmission / reception circuit (30), for demodulating the received high frequency signal into an original signal or performing high frequency modulation on a signal to be transmitted in the non-contact mode; A contact type power input terminal 40 used in the contact mode; A contact input / output terminal 41 used in the contact mode; An input / output circuit (42) connected to the contact input / output terminal (41) and performing input / output functions of information in the contact mode; A storage device 50 for storing card information; A control circuit 60 which receives and decodes a control command and controls an internal circuit of the card; A composite IC card (200) comprising automatic mode converting means (100) for controlling the processing mode of contact mode and non-contact mode.
제1항에 있어서, 상기 변·복조회로(32)와 상기 접촉식 입·출력회로(42)는 각각 별개의 전원으로 동작하는 것을 특징으로 하는 복합 IC 카드(200).2. The composite IC card (200) according to claim 1, wherein said modulation / demodulation circuit (32) and said contact input / output circuit (42) operate on separate power sources.
제1항에 있어서, 상기 자동모드변환수단(100)은 상기 전원발생회로(31) 또는 상기 접촉식 전원입력단자(40)로부터 전원을 입력 받아 제어회로(50)에 소정의 전원(VDD-S)을 인가하고, 상기 제어회로(60)의 모드제어 입력단자(S)에 모드선택신호를 인가하는 제어회로 전원입력수단(110)과; 접촉모드 또는 비접촉모드 시에 상기 제어회로(60)의 제1출력단자(C1)의 제어신호를 받아, 상기 전원발생회로(31)의 전원 출력 단자 또는 상기 접촉식 전원입력단자(40)가 기억장치(50)의 전원입력단자와 연결되어 상기 기억장치(50)에 전원이 인가되는 기억장치 전원선택수단(40)가 기억장치(50)의 전원입력단자와 연결되어 상기 기억장치(50)에 전원이 인가되는 기억장치 전원선택수단(120)하; 상기 제어회로(60)의 제2출력단자(C2)의 제어신호를 받아 상기 제어회로(60)의 입·출력 단작 상기 변·복조회로(32) 또는 상기 입·출력회로(42)와 연결되는 입·출력 선택수단(130)을 포함하는 것을 특징으로 하는 복합 IC 카드(200).According to claim 1, The automatic mode conversion means 100 receives the power from the power generating circuit 31 or the contact type power input terminal 40, the predetermined power (V DD- ) to the control circuit 50. S) applied to, and the control of the control mode selection signal to mode control input terminal (S) of the circuit 60 is applied to the power input circuit means (110) and; In the contact mode or the non-contact mode, the control signal of the first output terminal C1 of the control circuit 60 is received, and the power output terminal of the power generation circuit 31 or the contact power input terminal 40 is stored. A memory device power selection means 40 connected to a power input terminal of the device 50 to supply power to the memory device 50 is connected to a power input terminal of the memory device 50 to the memory device 50. A storage device power selection means 120 to which power is applied; Receiving the control signal of the second output terminal (C 2 ) of the control circuit 60 input and output of the control circuit 60 and the input and output demodulation circuit 32 or the input and output circuit 42 and Composite IC card 200, characterized in that it comprises an input / output selection means (130) connected.
제3항에 있어서, 제어회로 전원입력수단(110)은 상기 전원발생회로(31)의 전원 출력 단자에애노드 전극이 연결되고, 상기 제어회로(51)의 전원입력단자에 케소드 전극이 연결되는 제1다이오드(111)와; 상기 접촉식 전원입력단자(40)에 애노드 전극이 연결되고, 상기 제어회로(51)의 전원입력단자에 케소드 전극이 연결되는 제2다이오드(112)와; 상기 접촉식 전원입력단자(40)에 애노드 전극이 연결되고, 상기 제어회로(51)의 모드제어입력단자(S)에 케소드 전극이 연결되고, 상기 제어회로(60)를 다른 내부의 회로보다 소정의 전압만큼 낮게 동작되게 하는 제3다이오드(113)와; 상기 모드제어입력단자(S)와 접지 사이에 연결되는 풀다운 저항(114)을포함하는 것을 특징으로 하는 복합 IC 카드(200).The control circuit power input means 110 of claim 3, wherein an anode electrode is connected to a power output terminal of the power generation circuit 31, and a cathode electrode is connected to a power input terminal of the control circuit 51. A first diode 111; A second diode 112 having an anode electrode connected to the contact type power input terminal 40 and a cathode electrode connected to a power input terminal of the control circuit 51; An anode electrode is connected to the contact power input terminal 40, a cathode electrode is connected to a mode control input terminal S of the control circuit 51, and the control circuit 60 is connected to another internal circuit. A third diode 113 configured to be operated as low as a predetermined voltage; And a pull-down resistor (114) connected between the mode control input terminal (S) and ground.
제3항에 있어서, 상기 기억장치 전원선택수단(120)은 상기 전원발생회로(31)의 전원 출력 단자와 상기 기억장치(50)의 전원 입력 단자 사이에 구성되고, 상기 제1제어단자(C1)의 제어신호에 따라 온·오프 되는 제1스위치 수단(121)과; 상기 접촉식 전원입력단자(40)와 상기 기억장치(50)의 전원 입력 단자 사이에 구성되고, 상기 제1제어단자(C1)의제어신호를 받아 오프·온되는 제2스위치 수단(122)과; 상기 제1제어단자(C1)의 제어신호를 반전시켜 상기 제2스위치수단(122)에 인가하는 제1인버터(123)를 포함하는 것을 특징으로 하는 복합 IC 카드(200).4. The memory device of claim 3, wherein the memory device power selection means (120) is configured between a power output terminal of the power generation circuit (31) and a power input terminal of the storage device (50), and the first control terminal (C). A first switch means 121 that is turned on / off in accordance with the control signal of 1 ); A second switch means 122 configured between the contact type power input terminal 40 and the power input terminal of the memory device 50, and being switched on and off by receiving a control signal of the first control terminal C 1 ; and; And a first inverter (123) for inverting the control signal of the first control terminal (C 1 ) and applying it to the second switch means (122).
제5항에 있어서, 상기 제1스위치수단(121)과 상기 제2스위치 수단(122)은 트랜스미션 게이트를 사용하는 것을 특징으로 하는 복합 IC 카드(200).6. A composite IC card (200) according to claim 5, wherein said first switch means (121) and said second switch means (122) use a transmission gate.
제3항에 있어서, 상기 입·출력선택수단(130)은 상기 제2제어단자(C2)의 제어신호에 따라 상기 제어회로(60)의 입·출력 단자와 상기 변.복조회로(32)의 연결이 온·오프 되는 제3스위치 수단(131)과; 상기 제2출력단자(C2)의 제어신호에 따라 상기 제어회로(60)의 입·출력 단자와 상기 입·출 력회로(42)의 연결이 오프·온 되는 제4스위치 수단(132)과 상기 제2제어단자(C2)의 제어신호를 반전시켜 상기 제4스위치수단(132)에 인가하는 제2인버터(133)를 포함하는 것을 특징으로 하는 복합 IC 카드(200).4. The input / output selection unit (130) of claim 3, wherein the input / output selection unit (130) comprises the input / output terminals of the control circuit (60) and the modulation / demodulation circuit (32) according to the control signal of the second control terminal (C2). A third switch means (131) in which the connection of the on and off; A fourth switch means 132 in which the connection between the input / output terminal of the control circuit 60 and the input / output circuit 42 is turned off / on according to the control signal of the second output terminal C 2 ; And a second inverter (133) for inverting the control signal of the second control terminal (C 2 ) and applying it to the fourth switch means (132).
제7항에 있어서, 상기 제3스위치수단(131)과 상기 제4스위치수단(132)은 3상버퍼를 사용하는 것을 특징으로 하는 복합 IC 카드.8. The composite IC card according to claim 7, wherein the third switch means (131) and the fourth switch means (132) use a three-phase buffer.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.