KR970029077A - 보존된 어드레싱을 이용하는 메모리 장치 및 이를 이용한 시스템 및 방법 - Google Patents
보존된 어드레싱을 이용하는 메모리 장치 및 이를 이용한 시스템 및 방법 Download PDFInfo
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Abstract
메모리 서브시스템(20)은 제1메모리 뱅크(200a)를 포함하며, 상기 제1메모리 뱅크는 메모리 셀 어레이(201a), 어레이(201a)의 행을 선택하는 행 디코더(202a), 및 어레이(201b)의 적어도 한 열을 선택하는 열 디코더(204a)를 갖는다. 메모리 서브시스템(20)은 또한 제2메모리 뱅크(200b)를 포함하며, 상기 제2메모리 뱅크는 메모리 셀 어레이(201b), 어레이(201b)의 행을 선택하는 행 디코더(202b), 및 어레이(201b)의 적어도 한 열을 선택하는 열 디코더를 포함한다. 어드레스 제어 회로(205,206,207)는 제1뱅크(200a)의 행 디코더 (202a) 및 제2뱅크(200b)의 열 디코더(204b)에 제1세트의 어드레스 비트를 제공하기 위해 포함된다. 어드레스 제어 회로(205,206,207)는 또한 제1뱅크 (200a)의 열 디코더(204a)와 제2뱅크(200b)의 행 디코더(204b)에 제2세트의 어드레스 비트를 제공한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 원리에 따라 어드레싱 보존을 갖는 다중 뱅크 메모리 서브시스템의 기능적 블록도,
제3도는 제2도의 다중 뱅크 메모리 시스템에 의해 실행되는 (판독)동작의 예를 설명하는 타이밍도.
Claims (22)
- 메모리 서브시스템에 있어서; 메모리 셀 어레이, 상기 어레이의 행을 선택하는 행 디코더, 및 상기 어레이의 적어도 한 열을 선택하는 열 디코더를 포함하는 제1메모리 뱅크; 메모리 셀 어레이; 상기 어레이의 행을 선택하는 행 디코더; 및 상기 어레이의 적어도 한 열을 1선택하는 열 디코더를 포함하는 제2메모리 뱅크; 제1세트의 어드레스 비트를 상기 제1뱅크의 상기 행 디코더와 상기 제2뱅크의 상기 열 디코더에 제공하고 제2세트의 어드레스 비트를 상기 제1뱅크의 상기 열 디코더와 상기 제2뱅크의 상기 행 디코더에 제공하는 어드레스 제어 회로를 구비하는 것을 특징으로 하는 메모리 서브시스템.
- 제1항에 있어서, 상기 어드레스 제어 회로는 어드레스 변환기를 구비하는 것을 특징으로 하는 메모리 서브시스템.
- 제2항에 있어서, 상기 어드레스 변환기는 변환 예상 버퍼를 구비하는 것을 특징으로 하는 메모리 서브시스템.
- 제1항에 있어서, 상기 메모리 셀 어레이는 동적 랜덤 액세스 메모리 셀 어레이를 구비하는 것을 특징으로 하는 서브시스템.
- 제1항에 있어서, 상기 메모리 셀 어레이는 정적 랜던 액세스 메모리 셀 어레이를 구비하는 것을 특징으로 하는 서브시스템.
- 메모리 장치에 있어서; 메모리 셀 어레이, 행 어드레스에 응답하여 상기 어레이내 셀의 행을 선택하는 행 디코더, 및 열 어드레스에 응답하여 선택된 행을 따라 적어도 한 셀에 액세스하는 행 디코더를 각각 포함하는 다수의 메모리 뱅크; 및 어드레스 제어 회로로서; 제1 및 제2세트의 어드레스 비트를 수신하고; 상기 제1세트의 어드레스 비트를 상기 뱅크중 선택된 제1뱅크의 상기 행 디코더에 제공하고 상기 제2세트의 어드레스 비트를 상기 제1뱅크의 상기 어레이내의 적어도 하나에 선택된 셀에 액세스하기 위해 상기 제1뱅크의 상기 열 디코더에 제공하며; 상기 제1세트의 어드레스 비트를 상기 뱅크중 선택된 제2뱅크의 상기 열 디코더에 제공하고 상기 제2세트의 어드레스 비트를 상기 제2뱅크의 상기 어레이내의 적어도 하나의 선택된 셀에 액세스하기 위해 상기 제2선택된 뱅크의 상기 행 디코더에 제공하도록 동작하는, 상기 어드레스 제어 회로를 구비하는 것을 특징으로 하는 메모리 장치.
- 제6항에 있어서, 상기 어드레스 제어 회로는 전환 예상 버퍼를 구비하는 것을 특징으로 하는 메모리 장치.
- 제6항에 있어서, 상기 어드레스 제어 회로는; 상기 제1 및 제2세트의 어드레스 비트를 수신하여 조정하는 어드레스 변환기; 상기 어드레스 변환기를 상기 메모리 뱅크 각각의 상기 행 디코더에 인터페이스하는 행 어드레스 버퍼; 및 상기 어드레스 변환기를 상기 메모리 뱅크 각각의 상기 열 디코더에 인터페이스하는 열 어드레스 버퍼를 구비하는 것을 특징으로 하는 메모리 장치.
- 제6항에 있어서, 상기 어드레스 제어 회로는 상기 어드레스 비트 세트를 상기 제1 및 제2뱅크의 순차 액세스를 달성하도록 상기 제1 및 제2뱅크의 상기 행 및 열 디코더로 제공하는 것을 특징으로 하는 메모리 장치.
- 제9항에 있어서, 상기 제1 및 제2메모리 뱅크는 동적 회로를 포함하고, 상기 제1뱅크는 상기 제2뱅크로의 액세스중에 턴-오프되는 것을 특징으로 하는 메모리 장치.
- 제6항에 있어서, 상기 메모리 장치는 입력/출력 회로를 더 구비하고, 상기 입력/출력 회로는 행 어드레스 스트로브에 응답하여 상기 제1시트의 어드레스 비트를 입력하고 열 어드레스 스트로브에 응답하여 상기 제2세트의 어드레스 비트를 입력하는 것을 특징으로 하는 메모리 장치.
- 제6항에 있어서, 상기 메모리 장치는 입력/출력 회로를 더 구비하고, 상기 입력/출력 회로는 외부 장치에 의해 상기 제1뱅크의 상기 적어도 한 셀과 상기 제2뱅크의 상기 적어도 한 셀의 순차 액세스를 가능하게 하는 것을 특징으로 하는 메모리 장치.
- 제6항에 있어서, 상기 메모리 장치는 입력/출력 회로를 더 구비하고, 상기 입력/출력 회로는 외부 장치에 의해 상기 제1뱅크의 상기 적어도 한 셀과 상기 제2뱅크의 상기 적어도 한 셀의 병렬 액세스를 가능하게 하는 것을 특징으로 하는 메모리 장치.
- 프로세스 시스템에 있어서; 버스; 상기 버스에 연결된 프로세서; 상기 버스에 연결된 코어 로직; 및 상기 버스에 연결된 메모리를 구비하며, 상기 메모리는; 상기 버스를 통하여 상기 코어 로직으로부터 제1 및 제2세트의 어드레스 비트를 수신하도록 동작하는 입력/출력 회로; 메모리 셀의 다수의 행 및 열 어레이; 및 상기 제1세트의 어드레스 비트에 응답하여 상기 어레이중 선택된 제1어레이의 행과 상기 어레이 중 선택된 제2어레이의 적어도 한 열을 선택하고, 상기 제2세트의 어드레스 비트에 응답하여 상기 제1어레이의 적어도 한 열과 상기 제2어레이의 한 행을 선택하는 어드레스 회로를 구비하는 것을 특징으로 하는 프로세스 시스템.
- 제14항에 있어서, 상기 입력/출력 회로는 상기 코어 로직으로부터 수신된 행 어드레스 스트로브에 응답하여 상기 제1세트의 어드레스 비트를 래치-인하고, 상기 코어 로직으로부터 수신된 열 어드레스 스트로브에 응답하여 상기 제2세트의 어드레스 비트를 래치-인하는 것을 특징으로 하는 프로세스 시스템.
- 제14항에 있어서, 상기 제1세트의 어드레스 비트는 상기 코어 로직에 의해 발생된 상기 제1메모리 뱅크에 대한 행 어드레스를 구비하고, 상기 제2세트의 어드레스 비트는 상기 코어 로직에 의해 발생된 상기 제1뱅크에 대한 열 어드레스를 구비하는 것을 특징으로 하는 프로세스 메모리.
- 제14항에 있어서, 상기 어드레스 회로는; 상기 제1어레이의 행을 선택하는 제1행 디코더; 상기 제2어레이의 행을 선택하는 제2행 디코더; 상기 제1어레이의 적어도 한 열을 선택하는 제1열 디코더; 상기 제2어레이의 적어도 한 열을 선택하는 제2열 디코더; 및 상기 제1세트의 어드레스 비트를 상기 제1행 디코더와 상기 제2열 디코더로 보내고, 상기 제2세트의 어드레스 비트를 상기 제2행 디코더와 상기 제1열 디코더로 보내도록 동작하는 어드레스 변환기를 구비하는 것을 특징으로 하는 프로세스 시스템.
- 제14항에 있어서, 상기 어레이는 동적 랜덤 액세스 메모리 셀의 어레이를 구비하는 것을 특징으로 하는 프로세스 시스템.
- 제14항에 있어서, 상기 프로세서는 중앙 처리 장치를 구비하는 것을 특징으로 하는 프로세스 시스템.
- 메모리 셀의 행 및 열 어레이와 관련 어드레스 회로를 각각 포함하는 제1 및 제2메모리 뱅크를 포함하는 메모리 서브시스템의 데이터에 액세스하는 방법에 있어서; 제1세트의 어드레스 비트를 사용하여 제1뱅크 어레이의 행으로 어드레스하는 단계; 제2세트의 어드레스 비트를 사용하여 제1뱅크 어레이의 열로 어드레스 하는 단계; 제1뱅크 어레이의 선택된 행 및 선택된 열의 교차점에서 메모리 셀에 액세스하는 단계; 제2세트의 어드레스 비트를 사용하여 제2뱅크의 어레이의 행으로 어드레스하는 단계; 제1세트의 어드레스 비트를 사용하여 제2뱅크 어레이의 열로 어드레스 하는 단계; 제2뱅크 어레이의 선택된 행 및 선택된 열의 교차점에서 메모리 셀에 액세스하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 메모리 서브시스템 데이터 액세스 방법.
- 제20항에 있어서, 상기 방법은 상기 제1뱅크 어레이의 메모리 셀에 액세스하는 상기 단계 후, 제1뱅크의 어드레싱 회로를 활성해제하는 단계를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 메모리 서브시스템 데이터 액세스 방법.
- 제20항에 있어서, 상기 제1뱅크 어레이의 메모리 셀에 액세스하는 단계와 상기 제2뱅크 어레이의 메모리 셀에 액세스하는 단계는 연속하여 실행되는 것을 특징으로 하는 메모리 서브시스템 데이터 액세스 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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