KR970028876A - 위치검출장치 - Google Patents

위치검출장치 Download PDF

Info

Publication number
KR970028876A
KR970028876A KR1019960053576A KR19960053576A KR970028876A KR 970028876 A KR970028876 A KR 970028876A KR 1019960053576 A KR1019960053576 A KR 1019960053576A KR 19960053576 A KR19960053576 A KR 19960053576A KR 970028876 A KR970028876 A KR 970028876A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
signal
detection
mark
position detection
optical system
Prior art date
Application number
KR1019960053576A
Other languages
English (en)
Inventor
나오마사 시라이시
Original Assignee
오노 시게오
니콘 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP7292313A external-priority patent/JPH09134863A/ja
Priority claimed from JP8193049A external-priority patent/JPH1038514A/ja
Application filed by 오노 시게오, 니콘 가부시키가이샤 filed Critical 오노 시게오
Publication of KR970028876A publication Critical patent/KR970028876A/ko

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7092Signal processing
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
    • G03F9/7046Strategy, e.g. mark, sensor or wavelength selection
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7088Alignment mark detection, e.g. TTR, TTL, off-axis detection, array detector, video detection

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)

Abstract

시트형상의 레이저빔에 대해서 검출대상의 웨이퍼마크를 계측방향으로 주사하고 그것에 웨이퍼마크에서 발생하는 회절광을 광전변환하므로서 그것의 웨이퍼마크의 X좌표의 관련로서의 마크검출신호 f(X)를 얻는다. 마크검출신호 f(X)에 대해서 수치필타 c(X)를 콘보루션(convolution) 연산해서 구한 강조신호 g(X)에 의거해서 양쪽의 엣지부의 슬라이스레벨(S1,Sr)을 구하고 이를 슬라이스레벨(S1,Sr)과 마크검출신호 f(X) 또는 강조신호 g(X)와의 교점의 좌표 X1, Xr의 평균치를 그것의 웨이퍼마크의 검출위치로 한다.
이에 따라 凹凸의 층차량이 매우 작은 위치검출마크 또는 凹凸의 층차량이 적고 또한 계측방향으로 비대칭으로된 위치검출마크를 사용하는 경우라도 고정밀도로 그것의 위치를 검출한다.
또 예를 들면, 시트형상의 레이저빔에 대하여 검출대상의 웨이퍼마크를 계측방향으로 주사하고 그것의 웨이퍼마크에서 발생하는 회절광을 광전변환 하므로서 그것의 웨이퍼마크의 X좌표의 관수로서의 마크검출신호 f(X)를 얻는다. 미리 별도의 웨이퍼마크에 대해서 검출된 마크검출신호의 변화(엣지)를 강조해서 기준신호 g(X)를 구해두고 기준신호 g(X)와 마크검출신호 f(X)와의 상호상관관수 h(X)를 구하고, 이 상호관수 h(X)의 값이 최대치를 취할때의 X좌표 X1을 마크위치로 한다.
이로 인해, 凹凸의 층차량의 매우 작은 위치검출마크, 또는 凹凸의 층차량이 작고 또한 계측방향으로 비대칭으로 된 위치검출마크를 사용하는 경우라도 고정밀도로 그 위치를 검출한다.

Description

위치검출장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 의한 위치검출장치의 제1의 실시예로서의 얼라이멘트센서를 도시하는 구성도.

Claims (12)

  1. 처리대상의 기판(W)위의 위치검출마크(13X,15X)에 조명광을 조사하여 상기 위치검출마크로부터 되돌림광(BL,CL)을 수광해서 이 되돌림광의 강도에 대응하는 검출신호(SA,DSA)를 출력하는 검출광학계(11.11A)와, 이 검출광학계에서 출력되는 검출신호에 의거해서 상기 위치검출마크의 위치를 검출하는 신호처리계(31,62)를 갖춘 위치검출장치에 있어서, 상기 검출광학계에서 출력되는 검출신호의 변화를 강조하는 신호강조계(30,61.63)를 설치하고 상기 신호처리계(31,62)는 신호강조계(30,61)에 의해 변화가 강조된 신호를 사용해서 상기 위치검출마크의 위치를 검출하는 것을 특징으로 하는 위치검출장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 신호처리계(31,62)는 상기 신호강조계(30,61,63)에 의해 변화가 강조된 신호에 의거해서 슬라이스레벨(S1,Sr)을 결정하고, 이 결정된 슬라이스레벨에서 상기 검출광학계(11,11A)에서 출력되는 검출신호를 슬라이스해서 상기 위치검출마크의 위치를 검출하는 것을 특징으로 하는 위치검출장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 신호처리계(31,62)는 상기 신호강조계에 의해 변화가 강조된 신호 g(X)에 의거해서 슬라이스레벨(S1,Sr)을 결정하고, 이 결정된 슬라이스레벨에서 상기 신호강조계(30,61,63)에 의해 변화가 강조된 신호 g(X)를 슬라이스해서 상기 위치검출마크의 위치를 검출하는 것을 특징으로 하는 위치검출장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 신호강조계(30,61,63)는 상기 검출광학계에서 출력되는 검출신호내의 소정의 제1의 위치(XO)에 대응하는 신호를 A배하고(A는 양의 실수), 상기 검출신호내의 상기 위치검출마크의 계측방향의 전후에 상기 제1의 위치에서 각각 소정 간격만큼 떨어진 제2 및 제3(Xm,Xp)의 위치에 대응하는 신호를 B배하고(B는 음의 실수), 상기한 A배된 1개의 신호와 B배된 2개의 신호를 가산하는 처리를 하는 것을 특징으로 하는 위치검출장치.
  5. 제1항, 제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 신호강조계(30,61,63)는 상기 검출광학계에서 출력되는 검출신호내의 소정의 주파수성분 이상의 신호의 강도를 강화하는 처리를 하는 것을 특징으로 하는 위치검출장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 검출광학계(27)는 상기 기판위의 위치검출마크(13X)의 근처에 조명광(AL)을 집광하도록 조사하고, 상기 위치검출마크(13X)와 조명광이 상대적으로 주사된 때에 상기 위치검출마크에서 발생하는 되돌림광(BL,CL)을 검출하는 것을 특징으로 하는 위치검출장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 검출광학계(11A)는 상기 기판위의 위치검출마크(15X)의 상을 형성하는 결상광학계(48,50,53)을 갖추고, 상기 위치검출마크의 상의 촬상신호(DSA)를 상기 검출신호(DS)로서 출력하는 것을 특징으로 하는 위치검출장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 결상광학계 중의 위치검출마크(15X)에 대한 퓨리에 변환면의 근처에 위상차필터를 설치하고, 상기 검출광학계를 위상차현미경형의 광학계로 한 것을 특징으로 하는 위치검출장치.
  9. 처리대상의 기판위의 위치검출마크에 조명광을 조사하고 상기 위치검출마크로부터의 되돌림광을 수광하고, 이 돌림광의 강도에 대응하는 검출신호를 출력하는 검출광학계를 구비하고, 이 검출광학계에서 출력되는 검출신호에 의거해서 상기 위치검출마크의 위치를 검출하는 위치검출장치에 있어서, 상기 검출신호에 비해서 변화가 강조된 소정의 강조기준신호를 기억하는 기억계(33,64)와, 상기 검출신호와 상기 기억계에서 독출된 상기 강조기준신호를 상대적으로 가로로 어긋내면서 상관관수를 산출하고, 이 상관관수가 소정의 값을 취할 때의 상기 2개의 신호의 상대적인 가로로 어긋난량을 구하는 신호처리계(31,62)를 설치하고, 이 신호처리계에 의해 구해진 상기 상대적인 가로 어긋난량에 의거해서 상기 위치검출마크의 위치를 검출하는 것을 특징으로 하는 위치검출장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 검출광학계를 거쳐서 복수의 위치검출마크에 대해서 차례로 얻어지는 검출신호의 평균신호를 구하고, 이 평균신호의 변화를 강조하는 신호강조계(32,63)을 설치하고, 상기 기준신호로서 상기 신호강조계에 의해 변화가 강조된 신호를 사용하는 것을 특징으로 하는 위치검출장치.
  11. 제10항에 있어서, 상기 신호강조계(32,63)는 상기 평균신호의 변화를 강조함과 동시에 이 변화를 강조된 신호를 계측방향에 대해서 대칭인 형상으로 하는 것을 특징으로 하는 위치검출장치.
  12. 제10항에 있어서, 상기 신호강조계(32,63)는 상기 평균신호의 소정의 제1의 위치에 대응하는 신호를 A배하고(A는 양의 실수), 상기 평균신호의 상기 제1의 위치에 대해서 계측방향의 전후에 각각 소정간격만큼 떨어진 제2 및 제3의 위치에 대응하는 신호를 B배하고(B는 음의 실수), 상기 A배된 신호와 상기 B배된 2개의 신호를 가산하여 상기 평균신호의 변화를 강조하는 것을 특징으로 하는 위치검출장치.
    ※ 참고사항:최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960053576A 1995-11-10 1996-11-08 위치검출장치 KR970028876A (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7292313A JPH09134863A (ja) 1995-11-10 1995-11-10 位置検出装置
JP95-292313 1995-11-10
JP96-193049 1996-07-23
JP8193049A JPH1038514A (ja) 1996-07-23 1996-07-23 位置検出装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR970028876A true KR970028876A (ko) 1997-06-24

Family

ID=27326712

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019960053576A KR970028876A (ko) 1995-11-10 1996-11-08 위치검출장치

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6108089A (ko)
KR (1) KR970028876A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100890478B1 (ko) * 2006-09-11 2009-03-26 캐논 가부시끼가이샤 마크위치 검출장치

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU2300099A (en) * 1998-02-09 1999-08-23 Nikon Corporation Method of adjusting position detector
JP2000021738A (ja) * 1998-06-26 2000-01-21 Nikon Corp 位置検出装置及び該装置を用いた位置検出方法
US6718227B1 (en) * 1999-12-16 2004-04-06 Texas Instruments Incorporated System and method for determining a position error in a wafer handling device
US6626513B2 (en) 2001-07-18 2003-09-30 Lexmark International, Inc. Ink detection circuit and sensor for an ink jet printer
JP2005030963A (ja) * 2003-07-08 2005-02-03 Canon Inc 位置検出方法
CN100463108C (zh) 2004-04-23 2009-02-18 尼康股份有限公司 测量方法、测量装置、曝光方法及曝光装置
GB0625123D0 (en) * 2006-12-18 2007-01-24 Renishaw Plc Phase contrast encoding
JP4307482B2 (ja) * 2006-12-19 2009-08-05 キヤノン株式会社 位置計測装置、露光装置、およびデバイス製造方法
US8045859B2 (en) * 2008-05-02 2011-10-25 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy High-speed underwater data transmission system and method
JP5037468B2 (ja) * 2008-09-30 2012-09-26 富士フイルム株式会社 ドット位置測定方法及び装置並びにプログラム
JP5500871B2 (ja) 2009-05-29 2014-05-21 株式会社日立ハイテクノロジーズ テンプレートマッチング用テンプレート作成方法、及びテンプレート作成装置
KR102215545B1 (ko) 2012-10-26 2021-02-16 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피에서 기판의 위치 결정
US10488176B2 (en) * 2016-06-17 2019-11-26 Corning Incorporated Edge registration for interferometry
CN115546215B (zh) * 2022-12-01 2023-03-14 全芯智造技术有限公司 用于晶体管线宽的测量结果的评估方法、设备和介质

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5140366A (en) * 1987-05-29 1992-08-18 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus with a function for controlling alignment by use of latent images
JP2773147B2 (ja) * 1988-08-19 1998-07-09 株式会社ニコン 露光装置の位置合わせ装置及び方法
JP2897355B2 (ja) * 1990-07-05 1999-05-31 株式会社ニコン アライメント方法,露光装置,並びに位置検出方法及び装置
US5253040A (en) * 1990-11-09 1993-10-12 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Projection aligner

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100890478B1 (ko) * 2006-09-11 2009-03-26 캐논 가부시끼가이샤 마크위치 검출장치

Also Published As

Publication number Publication date
US6108089A (en) 2000-08-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR970028876A (ko) 위치검출장치
US8115806B2 (en) Image forming method and microscope device
KR100914567B1 (ko) 패턴 검사 방법 및 패턴 검사 장치
JP4988223B2 (ja) 欠陥検査装置およびその方法
US8131058B2 (en) Method and apparatus for visual inspection
US4818110A (en) Method and apparatus of using a two beam interference microscope for inspection of integrated circuits and the like
KR101275711B1 (ko) 반복적 패턴을 갖는 대상을 평가하기 위한 방법 및 시스템
JP2000009444A (ja) 表面形状計測装置
CN115793412A (zh) 一种非成像半导体套刻误差测量装置及方法
JP2008185582A (ja) 位相シフト量測定装置及び透過率測定装置
KR920004087B1 (ko) 와이어링(wiring) 패턴 검출 방법 및 장치
JPH01299402A (ja) アライメント方法
JPH09166552A (ja) 表面検査装置
JP3812489B2 (ja) 表面実装型電子部品の実装異常の検出方法
US6637656B2 (en) Optical reading apparatus and optical reading method
CN114137713B (zh) 无标记厚样本的实时定量相位成像方法和***
JP2913855B2 (ja) 半導体装置のアライメント誤差解析装置
JPH04289409A (ja) 基板の検査方法
JP2008203182A (ja) エッジ検出装置
JPS6021792Y2 (ja) 欠陥検出装置
JP2024017229A (ja) 検査システムおよび検査方法
JPH09218163A (ja) 異物検査装置における信号処理方法
JPH0129401B2 (ko)
KR20230159406A (ko) 이물 검사 장치 및 이물 검사 방법
RU2143108C1 (ru) Дистанционный лазерный способ обнаружения нефтяной пленки на поверхности воды

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application