KR970028849A - 감광성수지 조성물 및 이것을 사용한 패턴형성방법 - Google Patents
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Abstract
감광성수지 조성물 및 이것을 사용한 페턴형성방법에 관한 것으로서, 생성된 전구체에서 염소이온의 제거가 필요하게 되는 등 순도에 관한 문제점을 해소하기 위해, 10,000 내지 1,000,000 범위의 분자량을 갖고, 수지의 전체량에 대하여 적어도 20중량%를 갖는 폴리(카르복실산), 전자파의 조사에 의해 폴리(카르복실산)내의 카르복실기에 대하여 0.005∼0.2몰당량인 산을 발생하는 광산발생제와 폴리(카르복실산)내의 카르복실기에 대하여 0.2∼2.0몰당량인 염기성물질을 함유하는 감광성수지 조성물 및 이것을 사용한 패턴형성방법을 마련한다.
이것을 이용하는 것에 의해, 용이하게 현상가능한 감광성수지 조성물을 얻을 수가 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
Claims (7)
- (a) 다음의 화학식(1)(여기서, A는 적어도 2개의 탄소원자를 갖는 유기기, n은 10∼200,000 사이의 정의 정수, R1은 적어도 1개의 탄소원자를 갖는 유기기, 수소원자 또는 할로겐원자 중의 어느 하나)로 나타내지는 10,000 내지 1,000,000범위의 분자량을 갖고, 수지의 전체량에 대하여 적어도 20중량%를 갖는 폴리(카르복실산), (b) 진자파의 조사에 의해 상기 폴리(카르복실산)내의 카르복실기에 대하여 0.005∼0.2몰당량인 산을 발생하는 광산발생제와 (c) 상기 폴리(카르복실산)내의 카르복실기에 대하여 0.2∼2.0몰당량인 염기성물질을 함유하는 것을 특징으로 하는 감광성수지 조성물.
- 제1항에 있어서, 상기 화학식(1)은 다음의 화학식(2)(여기서, R2는 적어도 2개의 탄소원자를 갖는 유기기, R3은 적어도 4개의 탄소원자를 갖는 유기기)로 나타내지는 것을 특징으로 하는 감광성수지 조성물.
- 제1항에 있어서, 상기 광산발생제(b)는 디아조늄염, 술폰산 에스테르. 술폰산염, 니트로벤질 에스테르, 오늄염, 할로겐화물, 할로겐화 이소시아누레이트, 할로겐화 트리아진, 비스알릴술포닐디아조메탄, 디술폰으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 감광성수지 조성물.
- 제1항에 있어서, 상기 염기성물질(c)는 알킬아민 화합물인 것을 특징으로 하는 감광성수지 조성물.
- 제1항에 있어서, 상기 염기성물질(c)는 수산기를 갖는 제3급아민 화합물인 것을 특징으로 하는 감광성수지 조성물.
- 제1항에 있어서, 상기 염기성물질(c)는 카르복실기를 갖는 제3급아민 화합물인 것을 특징으로 하는 감광성수지 조성물.
- 감광성수지 조성물을 형성하도록, (a) 다음의 일반식(1)(여기서, A는 적어도 2개의 탄소원자를 갖는 유기기, n은 10∼200,000 사이의 정의 정수, R1은 적어도 1개의 탄소원자를 갖는 유기기, 수소원자 또는 할로겐원자 중의 어느 하나)로 나타내지는 10,000 내지 1,000,000범위의 분자량을 갖는 적어도 20중량%의 폴리(카르복실산), (b) 전자파의 조사에 의해 상기 폴리(카르복실산)내의 카르복실기에 대하여 0.005∼0.2몰당량인 산을 발생하는 광산발생체와 (c) 상기 폴리(카르복실산)내의 카르복실기에 대하여 0.2∼2.0몰당량인 염기성물질을 혼합하는 스텝, 상기 감광성수지 조성물을 기판상에 도포하는 스텝, 상기 기판을 건조하는 스텝, 포토마스크를 거쳐서 상기 기판에 전자파를 조사하는 스텝과 패턴을 현상하는 스텝을 포함하는 패턴형성방법.※ 참고사항:최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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