KR970028849A - 감광성수지 조성물 및 이것을 사용한 패턴형성방법 - Google Patents

감광성수지 조성물 및 이것을 사용한 패턴형성방법 Download PDF

Info

Publication number
KR970028849A
KR970028849A KR1019960053885A KR19960053885A KR970028849A KR 970028849 A KR970028849 A KR 970028849A KR 1019960053885 A KR1019960053885 A KR 1019960053885A KR 19960053885 A KR19960053885 A KR 19960053885A KR 970028849 A KR970028849 A KR 970028849A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
resin composition
photosensitive resin
poly
carboxylic acid
organic group
Prior art date
Application number
KR1019960053885A
Other languages
English (en)
Inventor
다카오 미와
요시아키 오카베
미나 이시다
야스나리 마에카와
도시노리 히라노
Original Assignee
가나이 츠토무
히다치세사쿠쇼 가부시키가이샤
단야 다케시
히다치가세고교 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가나이 츠토무, 히다치세사쿠쇼 가부시키가이샤, 단야 다케시, 히다치가세고교 가부시키가이샤 filed Critical 가나이 츠토무
Publication of KR970028849A publication Critical patent/KR970028849A/ko

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/038Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)

Abstract

감광성수지 조성물 및 이것을 사용한 페턴형성방법에 관한 것으로서, 생성된 전구체에서 염소이온의 제거가 필요하게 되는 등 순도에 관한 문제점을 해소하기 위해, 10,000 내지 1,000,000 범위의 분자량을 갖고, 수지의 전체량에 대하여 적어도 20중량%를 갖는 폴리(카르복실산), 전자파의 조사에 의해 폴리(카르복실산)내의 카르복실기에 대하여 0.005∼0.2몰당량인 산을 발생하는 광산발생제와 폴리(카르복실산)내의 카르복실기에 대하여 0.2∼2.0몰당량인 염기성물질을 함유하는 감광성수지 조성물 및 이것을 사용한 패턴형성방법을 마련한다.
이것을 이용하는 것에 의해, 용이하게 현상가능한 감광성수지 조성물을 얻을 수가 있다.

Description

감광성수지 조성물 및 이것을 사용한 패턴형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (7)

  1. (a) 다음의 화학식(1)
    (여기서, A는 적어도 2개의 탄소원자를 갖는 유기기, n은 10∼200,000 사이의 정의 정수, R1은 적어도 1개의 탄소원자를 갖는 유기기, 수소원자 또는 할로겐원자 중의 어느 하나)로 나타내지는 10,000 내지 1,000,000범위의 분자량을 갖고, 수지의 전체량에 대하여 적어도 20중량%를 갖는 폴리(카르복실산), (b) 진자파의 조사에 의해 상기 폴리(카르복실산)내의 카르복실기에 대하여 0.005∼0.2몰당량인 산을 발생하는 광산발생제와 (c) 상기 폴리(카르복실산)내의 카르복실기에 대하여 0.2∼2.0몰당량인 염기성물질을 함유하는 것을 특징으로 하는 감광성수지 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 상기 화학식(1)은 다음의 화학식(2)
    (여기서, R2는 적어도 2개의 탄소원자를 갖는 유기기, R3은 적어도 4개의 탄소원자를 갖는 유기기)로 나타내지는 것을 특징으로 하는 감광성수지 조성물.
  3. 제1항에 있어서, 상기 광산발생제(b)는 디아조늄염, 술폰산 에스테르. 술폰산염, 니트로벤질 에스테르, 오늄염, 할로겐화물, 할로겐화 이소시아누레이트, 할로겐화 트리아진, 비스알릴술포닐디아조메탄, 디술폰으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 감광성수지 조성물.
  4. 제1항에 있어서, 상기 염기성물질(c)는 알킬아민 화합물인 것을 특징으로 하는 감광성수지 조성물.
  5. 제1항에 있어서, 상기 염기성물질(c)는 수산기를 갖는 제3급아민 화합물인 것을 특징으로 하는 감광성수지 조성물.
  6. 제1항에 있어서, 상기 염기성물질(c)는 카르복실기를 갖는 제3급아민 화합물인 것을 특징으로 하는 감광성수지 조성물.
  7. 감광성수지 조성물을 형성하도록, (a) 다음의 일반식(1)
    (여기서, A는 적어도 2개의 탄소원자를 갖는 유기기, n은 10∼200,000 사이의 정의 정수, R1은 적어도 1개의 탄소원자를 갖는 유기기, 수소원자 또는 할로겐원자 중의 어느 하나)로 나타내지는 10,000 내지 1,000,000범위의 분자량을 갖는 적어도 20중량%의 폴리(카르복실산), (b) 전자파의 조사에 의해 상기 폴리(카르복실산)내의 카르복실기에 대하여 0.005∼0.2몰당량인 산을 발생하는 광산발생체와 (c) 상기 폴리(카르복실산)내의 카르복실기에 대하여 0.2∼2.0몰당량인 염기성물질을 혼합하는 스텝, 상기 감광성수지 조성물을 기판상에 도포하는 스텝, 상기 기판을 건조하는 스텝, 포토마스크를 거쳐서 상기 기판에 전자파를 조사하는 스텝과 패턴을 현상하는 스텝을 포함하는 패턴형성방법.
    ※ 참고사항:최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960053885A 1995-11-27 1996-11-14 감광성수지 조성물 및 이것을 사용한 패턴형성방법 KR970028849A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP95-307123 1995-11-27
JP7307123A JPH09146277A (ja) 1995-11-27 1995-11-27 感光性樹脂組成物

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR970028849A true KR970028849A (ko) 1997-06-24

Family

ID=17965315

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019960053885A KR970028849A (ko) 1995-11-27 1996-11-14 감광성수지 조성물 및 이것을 사용한 패턴형성방법

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JPH09146277A (ko)
KR (1) KR970028849A (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1196029C (zh) * 1998-09-10 2005-04-06 东丽株式会社 正型放射感应性组合物
JPWO2022059621A1 (ko) * 2020-09-16 2022-03-24
CN113667303B (zh) * 2021-08-20 2023-09-29 杭州福斯特电子材料有限公司 一种树脂组合物及其应用

Also Published As

Publication number Publication date
JPH09146277A (ja) 1997-06-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR970049038A (ko) 화학적으로 증폭된 포지티브 포토레지스트
KR100745118B1 (ko) 화학 증폭형 포지티브 레지스트 조성물
KR900700923A (ko) 포토레지스트 조성물
KR960008428A (ko) 화학적으로 증폭된 방사선-민감성 조성물
KR980002109A (ko) 감광성 폴리이미드 전구체 조성물, 및 이것을 사용한 패턴 형성 방법
KR20000076477A (ko) 화학증폭형 포지티브 레지스트 조성물
KR970022547A (ko) 화학증폭 포지형 레지스트 조성물
TWI237161B (en) Positive photoresist composition for exposure to far ultraviolet ray
KR970066718A (ko) 감방사선성 수지 조성물
JP2002500255A5 (ko)
KR970076087A (ko) 포지티브형 감광성 수지조성물과 이를 이용한 전자장치
KR940022179A (ko) 방사선-민감성 혼합물, 및 콘트라스트가 개선된 릴리이프 구조의 제조방법
ATE354818T1 (de) Strahlungsempfindliche polysilazan- zusammensetzung, daraus erzeugte muster sowie ein verfahren zur veraschung eines entsprechenden beschichtungsfilms
KR970022548A (ko) 감광성 조성물
KR970002470A (ko) 포지티브형 포토레지스트 조성물
KR960037720A (ko) 가교결합된 중합체
KR20050076643A (ko) 화학 증폭형 포지티브형 레지스트용 조성물
KR20120062664A (ko) 화학 증폭형 포지티브 레지스트 조성물
PH21005A (en) Negative photoresist compositions with polyglutarimide polymer
KR970016742A (ko) 포지티브형 감방사선성 혼합물 및 릴리프 구조의 제조 방법
KR970028849A (ko) 감광성수지 조성물 및 이것을 사용한 패턴형성방법
KR970071137A (ko) 화학 증폭 포지형 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법
KR960042219A (ko) Si 함유 고분자 화합물 및 감광성 수지 조성물
JP2001318464A5 (ko)
JP2000038417A (ja) 環状ジオン重合体

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination