KR970028533A - Thick Film Gas Sensor - Google Patents

Abstract

본 발명은 다수의 적층구조를 갖는 후막형 가스센서에 관한 것으로 그 기술적인 구성은, 기판(1)상에 양측으로 저항변화 검출용 적극인 센서소자 전극(2)을 개재하여 일정두께의 후막(3)이 형성되며, 그 상측에는 절연체층(4)을 개재하여 양측에 센서소자 전극(2')이 마련된 후막(3')이 순차로 다수의 층으로 적층토록 되며, 상기 기판(1)의 하측에는 발열체 전극(5)을 개재하여 발열체(6)가 형성되는 것이다.The present invention relates to a thick film-type gas sensor having a plurality of laminated structures, the technical configuration of which is a thick film having a predetermined thickness through a sensor element electrode (2) which is an active electrode for detecting resistance change on both sides of the substrate (1). 3) is formed thereon, and the thick film 3 'having the sensor element electrodes 2' provided on both sides of the substrate 1 through the insulator layer 4 is sequentially stacked in a plurality of layers. The heating element 6 is formed on the lower side via the heating element electrode 5.

이에 따라서, 복수층으로 형성된 후막에 의해 별도의 조성이 필요 없이도 서로 다른 다종류의 특성가스를 검출할 수 있게됨은 물론, 하나의 감응체로서 가스의 선택성을 부여하여 다양한 센싱특성을 얻을 수 있게되며, 이에 따라 가스센서의 특성을 향상시킬수 있는 것이다.Accordingly, the thick film formed of a plurality of layers enables to detect different kinds of characteristic gases without the need for a separate composition, as well as to provide a variety of sensing characteristics by providing a selectivity of the gas as one sensitive body. Therefore, the characteristics of the gas sensor can be improved.

Description

후막형 가스센서Thick Film Gas Sensor

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음As this is a public information case, the full text was not included.

제2도는 본 발명에 따른 후막형 가스센서의 정단면 구성도,2 is a front cross-sectional view of a thick film gas sensor according to the present invention,

제3도는 본 발명인 후막형 가스센서의 평면 구성도3 is a plan view of the thick-film gas sensor of the present invention

Claims (1)

기판(1)상에 양측으로 저항변화 검출용 전극인 센서소자 전극(2)을 개재하여 일정두께의 후막(3)이 형성되며, 그 상측에는 절연체층(4)을 개재하여 양측에 센서소자 전극(2')이 마련된 후막(3')이 순차로 다수의 층으로 적층토록 되며, 상기 기판(1)의 하측에는 발열체 전극(5)을 개재하여 발열체(6)가 형성되는 구성으로 이루어진 것을 특징으로 하는 후막형 가스센서.On both sides of the substrate 1, a thick film 3 having a predetermined thickness is formed via a sensor element electrode 2, which is a resistance change detection electrode, on both sides of the sensor element electrode via an insulator layer 4 thereon. The thick film 3 'provided with 2' is sequentially stacked in a plurality of layers, and the heating element 6 is formed under the substrate 1 via the heating element 5. Thick film gas sensor. ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.