KR970018220A - 저유전율의 절연막 형성 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 반도체 기판상에 금속 배선을 하고 난 후 금속 배선 간의 절연물 위해 저유전율의 절연막을 형성하는 방법에 관한 것으로서, CVD 장비를 이용하여 SiH₄기반 산화물을 금속배선 위에 증착하여 저유전율의 절연막을 형성함에 있어서 상기 증착의 조건으로 SiH₄개스와 N₂O 개스의 유량비를 0.06 이상으로 하고, 온도는 섭씨 350도 이하로 하고, 고주파 전력은 250와트 이하로 하여 Si-H 결합을 증가시켜 저유전율의 SiO₂막을 증착시킴을 특징으로 한다.

본 발명에 의하면 기존의 CVD를 그대로 사용하여 SiH₄개스를 증가시키고 증착온도를 낮추어 Si-H 결합이 증가되게 하여 SiH₄기반 산화물의 유전율을 간단히 낮출 수 있게 함으로써, 반도체 장치가 고집적화 됨에 따라 배선의 간격은 작아지고 이로 인하여 절연막에 발생하는 기생 정전용량(parasitic capcetance)을 줄일 수 있다. 그리고 Si-H 결합이 많으면 내습성이 강해져 웨이퍼(wafer)를 흡습하지 않는 장점도 있다.

Description

저유전율의 절연막 형성 방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제3도는 본 발명의 일실시예를 설명하기 위해 도시한 도면.

Claims (2)

1. CVD 장비를 이용하여 SiH₄기반 산화물을 금속배선 위에 증착하여 저유전율의 절연막을 형성하는 방법에 있어서, 상기 증착의 조건으로 SiH₄개스와 N₂O 개스의 유량비를 0.06 이상으로 하고, 온도는 섭씨 350도 이하로 하고, 고주파 전력은 250와트 이하로 하여 Si-H결합을 증가시켜 저유전율의 SiO₂막을 증착시킴을 특징으로 하는 저유전율의 절연막 형성 방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 CVD 장비는 PE-CVD, ECRCVD 및 HDP 임을 특징으로 하는 저유전율의 절연막 형성 방법.

   ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.