KR970012784A - 노말/테스트 겸용 본딩 패드를 가진 반도체 메모리 장치 - Google Patents

노말/테스트 겸용 본딩 패드를 가진 반도체 메모리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR970012784A
KR970012784A KR1019950026275A KR19950026275A KR970012784A KR 970012784 A KR970012784 A KR 970012784A KR 1019950026275 A KR1019950026275 A KR 1019950026275A KR 19950026275 A KR19950026275 A KR 19950026275A KR 970012784 A KR970012784 A KR 970012784A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
test
bonding pad
pad
bonding
normal mode
Prior art date
Application number
KR1019950026275A
Other languages
English (en)
Inventor
강경우
Original Assignee
김광호
삼성전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김광호, 삼성전자 주식회사 filed Critical 김광호
Priority to KR1019950026275A priority Critical patent/KR970012784A/ko
Publication of KR970012784A publication Critical patent/KR970012784A/ko

Links

Landscapes

  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
  • Dram (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 메모리 장치에 관한 것으로서, 특히 반도체 메모리 장치에 있어서, 노말모드에서는 데이타 입출력 패드로 사용되고 테스트 모드에서는 특정 테스트용 패드로 겸용 사용되는 적어도 하나 이상의 제1본딩패드; 노말모드 및 테스트모드를 선택하기 위한 바이어스 신호가 인가되는 적어도 하나 이상의 제2본딩패드; 적어도 하나 이상의 제2본딩패드 중 대응하는 제2본딩패드에 인가되는 바이어스신호에 응답하여 대응하는 제1본딩패드와 데이타 입출력 버퍼를 노말모드에서는 연결하고 테스트 모드에서는 분리하기 위한 적어도 하나 이상의 제1분리회로부; 및 적어도 하나 이상의 제2본딩패드 중 대응하는 제2본딩패드에 인가되는 바이어스신호에 응답하여 대응하는 제1본딩 패드와 테스트 대상이 되는 내부 회로부를 노말모드에서는 분리하고 테스트 모드에서는 연결하기 위한 적어도 하나 이상의 제2분리회로부를 구비한 것을 특징으로 한다.
따라서, 본 발명에서는 본딩 패드를 노말/테스트 겸용으로 사용할 수 있어서 본딩 패드의 수를 감축할 수 있다.

Description

노말/테스트 겸용 본딩 패드를 가진 반도체 메모리 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명에 의한 노말/테스트 겸용 본딩 패드를 가진 반도체 메모리 장치의 회로 구성을 나타낸 회로도.

Claims (3)

  1. 일정 데이타를 리드/라이트 하기 위해 복수의 메모리셀 어레이 및 주변회로부를 가지며, 외부의 제어신호를 받아 들이거나 다수의 데이타를 입출력할 수 있는 복수의 본딩 패드들을 가지는 반도체 메모리 장치에 있어서, 노말모드에서는 데이타 입출력 패드로 사용되고 테스트 모드에서는 특정 테스트용 패드로 겸용 사용되는 적어도 하나 이상의 제1본딩패드; 노말모드 및 테스트모드를 선택하기 위한 바이어스 신호가 인가되는 적어도 하나 이상의 제2본딩패드; 상기 적어도 하나 이상의 제2본딩패드 중 대응하는 제2본딩패드에 인가되는 바이어스신호에 응답하여 대응하는 제1본딩 패드와 데이타 입출력 버퍼를 노말모드에서는 연결하고 테스트 모드에서는 분리하기 위한 적어도 하나 이상의 제1분리회로부; 및 상기 적어도 하나 이상의 제2본딩패드 중 대응하는 제2본딩패드에 인가되는 바이어스신호에 응답하여 대응하는 제1본딩 패드와 테스트 대상이 되는 내부 회로부를 노말모드에서는 분리하고 테스트 모드에서는 연결하기 위한 적어도 하나 이상의 제2분리회로부를 구비한 것을 특징으로 하는 노말/테스트 겸용 본딩 패드를 가진 반도체 메모리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제2분리회로부는 테스트 대상이 되는 내부회로부와 제1본딩 패드 사이에 연결된 스위치 트랜지스터; 게이트가 접지되고 스우치 트랜지스터의 게이트와 제1본딩 패드의 사이에 소오스/드레인이 연결된 입력 보호 트랜지스터; 및 상기 스위치 트랜지스터의 게이트와 제2본딩 패드 사이에 연결된 저항을 구비한 것을 특징으로 하는 노말/테스트 겸용 본딩 패드를 가진 반도체 메모리 장치.
  3. 반도체 칩의 중앙에 배치된 복수의 본딩 패드들을 가지는 반도체 메모리 장치에 있어서, 노말모드에서는 데이타 입출력 패드로 사용되고 테스트 모드에서는 특정 테스트용 패드로 겸용 사용되는 적어도 하나 이상의 제1본딩패드; 노말모드 및 테스트모드를 선택하기 위한 바이어스 신호가 인가되는 적어도 하나 이상의 제2본딩패드; 상기 적어도 하나 이상의 제2본딩패드 중 대응하는 제2본딩패드에 인가되는 바이어스신호에 응답하여 대응하는 제1본딩 패드와 데이타 입출력 버퍼를 노말모드에서는 연결하고 테스트 모드에서는 분리하기 위한 적어도 하나 이상의 제1분리회로부; 및 상기 적어도 하나 이상의 제2본딩패드 중 대응하는 제2본딩패드에 인가되는 바이어스신호에 응답하여 대응하는 제1본딩 패드와 테스트 대상이 되는 내부 회로부를 노말모드에서는 분리하고 테스트 모드에서는 연결하기 위한 적어도 하나 이상의 제2분리회로부를 구비한 것을 특징으로 하는 노말/테스트 겸용 본딩 패드를 가진 반도체 메모리 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950026275A 1995-08-24 1995-08-24 노말/테스트 겸용 본딩 패드를 가진 반도체 메모리 장치 KR970012784A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950026275A KR970012784A (ko) 1995-08-24 1995-08-24 노말/테스트 겸용 본딩 패드를 가진 반도체 메모리 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950026275A KR970012784A (ko) 1995-08-24 1995-08-24 노말/테스트 겸용 본딩 패드를 가진 반도체 메모리 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR970012784A true KR970012784A (ko) 1997-03-29

Family

ID=66596062

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950026275A KR970012784A (ko) 1995-08-24 1995-08-24 노말/테스트 겸용 본딩 패드를 가진 반도체 메모리 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR970012784A (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100532391B1 (ko) * 1998-08-27 2006-01-27 삼성전자주식회사 패드수를 최소화하는 테스트 모드선택회로
KR100557225B1 (ko) * 2004-11-04 2006-03-07 삼성전자주식회사 반도체 메모리 장치의 데이터 입/출력 방법 및 이를 위한반도체 메모리 장치
KR100900921B1 (ko) * 2001-09-14 2009-06-03 후지쯔 마이크로일렉트로닉스 가부시키가이샤 반도체 장치

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100532391B1 (ko) * 1998-08-27 2006-01-27 삼성전자주식회사 패드수를 최소화하는 테스트 모드선택회로
KR100900921B1 (ko) * 2001-09-14 2009-06-03 후지쯔 마이크로일렉트로닉스 가부시키가이샤 반도체 장치
KR100557225B1 (ko) * 2004-11-04 2006-03-07 삼성전자주식회사 반도체 메모리 장치의 데이터 입/출력 방법 및 이를 위한반도체 메모리 장치

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR860009431A (ko) Ic평가회로 소자들과 평가회로 소자 검사수단을 갖는 반도체 집적회로
US4808844A (en) Semiconductor device
US20050242827A1 (en) Contact pad arrangement on a die
KR890001076A (ko) 게이트어레이 및 메모리를 갖는 반도체 집적회로 장치
US5933029A (en) Semiconductor integrated circuit device comprising a bias circuit, a driver circuit, and a receiver circuit
US6216240B1 (en) Merged memory and logic (MML) integrated circuits including memory test controlling circuits and methods
KR930022382A (ko) 반도체 메모리칩의 병렬테스트 회로
KR930006736A (ko) 반도체 기억장치
KR880011797A (ko) 반도체 기억장치
EP0041844B1 (en) Semiconductor integrated circuit devices
JPH06195968A (ja) 集積半導体メモリ装置
KR970051456A (ko) Dq 채널 수를 감소시킬 수 있는 반도체 메모리장치
KR910006241B1 (ko) 복수 테스트모드 선택회로
KR970012784A (ko) 노말/테스트 겸용 본딩 패드를 가진 반도체 메모리 장치
KR880004483A (ko) 데이타 버스 리세트 회로를 구비한 반도체 기억장치
KR960012401A (ko) 반도체 집적장치
KR950001862A (ko) 반도체 집적 회로 장치
CA2079696C (en) Semiconductor integrated circuit device with fault detecting function
KR930024022A (ko) 반도체 기억 장치
TW374176B (en) Input/output circuit of high-speed semiconductor memory device requiring less time for testing
JP3199883B2 (ja) 半導体集積回路
KR0146186B1 (ko) 멀티 칩 패키지 추진시 집적 회로 테스트 장치
JP2820062B2 (ja) 半導体集積回路及びこの回路が実装されたプリント基板
JPS6074467A (ja) Mos型集積回路
KR940017197A (ko) 입력 버퍼(Buffer)

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination