KR960041232A - 신규한 폴리이미드 및 그의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

광범위한 유기 용제에 용해되는 동시에 내열성 및 가공성이 뛰어난 신규한 폴리이미드가 개시되어 있다. 이것들의 폴리이미드는 하기 일반식(1) 및/또는 (4)로 표시되는 반복 구조단위를 함유하여 이루어지고, 수평균 분자량이 4,000∼200,000이다.
[식중, Ar은 하기 일반식(2) 및 하기 일반식(3)으로 표시되는 2가의 기를 나타내고,
(식중, Y는 -O-, -CO-, -S-, -SO2- 또는 -C(CH3)2)-을 나타낸다.)
(식 중, R1,R2,R3,R4는 각각 탄소수 1∼4의 알킬기 또는 탄소수 1∼4의 알콕시기를 나타낸다.)]
Ra는 벤젠고리를 2∼6개 갖는 2가의 기를 나타내고 X1은 NH,NR(단, R은 탄소수 1∼4의 알킬기 또는 탄소수 1∼4의 알콕시기를 나타낸다.) 또는 S를 나타내고, Rb는 탄소수 2∼20의 알킬렌기, 에테르사슬 또는 디메틸실록산 기를 나타내고, X2는 NH,NR(단 R은 탄소수 1∼4의 알킬기 또는 탄소수 1∼4의 알콕시기를 나타낸다.)

Description

신규한 폴리이미드 및 그의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (6)

  1. 하기 일반식(1)으로 표시되는 구조 단위로 이루어지고, 수평균 분자량이 4,000∼200,000인 폴리이미드.
    [식중, Ar은 하기 일반식(2) 또는 하기 일반식(3)으로 표시되는 2가의 기를 나타내고,
    (식중, Y는 -O-, -CO-, -S-, -SO2- 또는 -C(CH3)2)-을 나타낸다.)
    (식 중, R1,R2,R3,R4는 각각 탄소수 1∼4의 알킬기 또는 탄소수 1∼4의 알콕시기를 나타낸다.) Ra는 벤젠고리를 2∼6개 갖는 2가의 기를 나타내고 X1은 NH,NR(단, R은 탄소수 1∼4의 알킬기 또는 탄소수 1∼4의 알콕시기를 나타낸다.) 또는 S를 나타낸다.]
  2. 하기 일반식(4)으로 표시되는 구조 단위로 이루어지고, 수평균 분자량이 4,000∼200,000인 폴리이미드.
    [식중, Ar은 하기 일반식(2) 또는 하기 일반식(3)으로 표시되는 2가의 기를 나타내고,
    (식중, Y는 -O-, -CO-, -S-, -SO2- 또는 -C(CH3)2)-을 나타낸다.)
    (식 중, R1,R2,R3,R4는 각각 탄소수 1∼4의 알킬기 또는 탄소수 1∼4의 알콕시기를 나타낸다.) Bb는 탄소수 2∼20의 알킬렌기, -CH2CH2(OCH2CH2)n- (단, n은 1∼8의 정수이다.)로 표시되는 에테르사슬 또는 -R′-[Si(CH3)2O]mSi(CH3)2-R′- (단, R′은 탄소수 1∼10의 알킬기 또는 -CH2OC6H4-을 나타내고, m은 1∼20의 정수이다.)로 표시되는 디메틸실록산기를 나타내고, X2는 NH,NR(단 R은 탄소수 1∼4의 일킬기 또는 탄소수 1∼4의 알콕시기를 나타낸다.)또는 X를 나타낸다.]
  3. 하기 일반식(1)으로 표시되는 구조 단위 및 하기 일반식(4)으로 표시되는 구조 단위를 임의의 비율로 함유하여 이루어지고, 수평균 분자량이 4,000∼200,000인 폴리이미드.
    [식중, Ar은 하기 일반식(2) 및 하기 일반식(3)으로 표시되는 2가의 기를 나타내고,
    (식중, Y는 -O-, -CO-, -S-, -SO2- 또는 -C(CH3)2)-을 나타낸다.)
    (식 중, R1,R2,R3,R4는 각각 탄소수 1∼4의 알킬기 또는 탄소수 1∼4의 알콕시기를 나타낸다.) Ra는 벤젠고리를 2∼6개 갖는 2가의 기를 나타내고 X1은 NH,NR(단, R은 탄소수 1∼4의 알킬기 또는 탄소수 1∼4의 알콕시기를 나타낸다.) 또는 S를 나타내고, Rb는 탄소수 2∼20의 알킬렌기, -CH2CH2(OCH2CH2)n- (단, n은 1∼8의 정수이다.)로 표시되는 에테르사슬 또는 -R′-[Si(CH3)2O]mSi(CH3)2-R- (단, R′은 탄소수 1∼10의 알킬기 또는 -CH2OC6H4-을 나타내고, m은 1∼20의 정수이다.)로 표시되는 디메틸실록산기를 나타내고, X2는 NH, NR(단 R은 탄소수 1∼4의 알킬기 또는 1∼4의 알콕시기를 나타낸다.)또는 S를 나타낸다.]
  4. 하기 일반식(6)으로 표시되는 비스말레이미드를 하기 일반식(7)으로 표시되는 화합물과, 활성수소의 존재하에서 반응시키는 것을 특징으로 하는 제1항에 따른 폴리이미드의 제조방법.
    [식중, Ar은 하기 일반식(2) 및 일반식(3)으로 표시되는 2가의 기를 나타낸다.
    (식중, Y는 -O-, -CO-, -S-, -SO2- 또는 -C(CH3)2)-을 나타낸다.)
    (식 중, R1,R2,R3,R4는 각각 탄소수 1∼4의 알킬기 또는 탄소수 1∼4의 알콕시기를 나타낸다.)]
    HX1-Ra-X1H(7)
    [식중, Ra를 벤젠고리를 2∼6개 갖는 2가의 기를 나타내고 X1은 NH,NR(단, R은 탄소수 1∼4의 알킬기 또는 탄소수 1∼4의 알콕시기를 나타낸다.) 또는 S를 나타낸다.]
  5. 하기 일반식(6)으로 표시되는 비스말레이미드를 하기 일반식(8)으로 표시되는 화합물과, 활성수소의 존재하에서 반응시키는 것을 특징으로 하는 제2항에 따른 폴리이미드의 제조방법.
    [식중, Ar은 하기 일반식(2) 및 일반식(3)으로 표시되는 2가의 기를 나타낸다.
    (식중, Y는 -O-, -CO-, -S-, -SO2- 또는 -C(CH3)2)-을 나타낸다.)
    (식 중, R1,R2,R3,R4는 각각 탄소수 1∼4의 알킬기 또는 탄소수 1∼4의 알콕시기를 나타낸다.)]
    HX2-Rb-X2H(8)
    [식중, Rb는 탄소수 2∼20의 알킬렌기, -CH2CH2(OCH2CH2)n- (단, n은 1∼8의 정수이다.)로 표시되는 에테르사슬 또는 -R′-[Si(CH3)2O]mSi(CH3)2-R- (단, R′은 탄소수 1∼10의 알킬기 또는 -CH2OC6H4-을 나타내고, m은 1∼20의 정수이다.)로 표시되는 디메틸실록산기를 나타내고, X2는 NH, NR(단 R은 탄소수 1∼4의 알킬기 또는 1∼4의 알콕시기를 나타낸다.)또는 S를 나타낸다.]
  6. 하기 일반식(6)으로 표시되는 비스말레이미드를 하기 일반식(7)으로 표시되는 화합물 및 하기 일반식(8)으로 표시되는 화합물과 활성수소의 존재하에서 반응시키는 것을 특징으로 하는 제3항에 따른 폴리이미드의 제조방법.
    [식중, Ar은 일반식(2) 및 일반식(3)으로 표시되는 2가의 기를 나타낸다.
    (식중, Y는 -O-, -CO-, -S-, -SO2- 또는 -C(CH3)2)-을 나타낸다.)
    (식 중, R1,R2,R3,R4는 각각 탄소수 1∼4의 알킬기 또는 탄소수 1∼4의 알콕시기를 나타낸다.)]
    HX1-Ra-X1H(7)
    [식중, Ra를 벤젠고리를 2∼6개 갖는 2가의 기를 나타내고 X1은 NH,NR(단, R은 탄소수 1∼4의 알킬기 또는 탄소수 1∼4의 알콕시기를 나타낸다.) 또는 S를 나타낸다.]
    HX2-Rb-X2H(8)
    [식중, Rb는 탄소수 2∼20의 알킬렌기, -CH2CH2(OCH2CH2)n- (단, n은 1∼8의 정수이다.)로 표시되는 에테르사슬 또는 -R′-[Si(CH3)2O]mSi(CH3)2-R'- (단, R′은 탄소수 1∼10의 알킬기 또는 -CH2OC6H4-을 나타내고, m은 1∼20의 정수이다.)로 표시되는 디메틸실록산기를 나타내고, X2는 NH, NR(단 R은 탄소수 1∼4의 알킬기 또는 1∼4의 알콕시기를 나타낸다.)또는 S를 나타낸다.]
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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