KR960039203A - 반도체장치의 금속배선 형성방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체장치의 금속배선 형성방법에 관한 것으로, 반도체장치의 금속배선 형성을 위한 금속막 식각시 발생하는 폴리머를 완전히 제거하기 위한 것이다. 본 발명은 기판상에 금속막을 형성하는 단계와, 상기 금속막상부에 소정의 감광막패턴을 형성하는 단계, 상기 감광막패턴을 마스크로 이용하여 상기 금속막을 플라즈마식각하는 단계, F가 포함된 가스와 O2가스의 혼합가스를 이용한 플라즈마식각에 의해 상기 금속막의 식각시에 상기 금속막의 측면 및 상기 감광막패턴의 표면에 형성된 폴리머를 제거하는 단계, 상기 감광막패턴을 제거하는 단계, 및 F가 포함된 가스와 O2가스의 혼합가스를 이용한 플라즈마식각에 의해 남아있는 폴리머를 완전히 제거하는 단계로 이루어지는 반도체장치의 금속배선 형성방법을 제공한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 의한 반도체장치의 금속배선 형성방법을 도시한 공정순서도.
Claims (4)
- 기판상에 금속막을 형성하는 단계와, 상기 금속막상부에 소정의 감광막패턴을 형성하는 단계, 상기 감광막패턴을 마스크로 이용하여 상기 금속막을 플라즈마식각하는 단계, F가 포함된 가스와 O2가스와 혼합가스를 이용한 플라즈마식각에 의해 상기 금속막의 식각시에 상기 금속막의 측면 및 상기 감광막패턴의 표면에 형성된 폴리머를 제거하는 단계, 상기 감광막패턴을 제거하는 단계, 및 F가 포함된 가스와 O2가스의 혼합가스를 이용한 플라즈마식각에 의해 남아 있는 폴리머를 완전히 제거하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 금속배선 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 F가 포함된 가스로 CF4, C2F6, SF6중의 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 금속배선 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 O2가스에 대한 F가 포함된 가스의 유량비율을 전체유량의 5%∼20%로 하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 금속배선 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 플라즈마식각은 반응성이온식각(RIE)방식을 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 금속배선 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950008661A KR960039203A (ko) | 1995-04-13 | 1995-04-13 | 반도체장치의 금속배선 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950008661A KR960039203A (ko) | 1995-04-13 | 1995-04-13 | 반도체장치의 금속배선 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960039203A true KR960039203A (ko) | 1996-11-21 |
Family
ID=66553479
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950008661A KR960039203A (ko) | 1995-04-13 | 1995-04-13 | 반도체장치의 금속배선 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960039203A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100293918B1 (ko) * | 1998-05-04 | 2001-11-30 | 김영환 | 금속식각시생성된폴리머연화방법 |
-
1995
- 1995-04-13 KR KR1019950008661A patent/KR960039203A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100293918B1 (ko) * | 1998-05-04 | 2001-11-30 | 김영환 | 금속식각시생성된폴리머연화방법 |
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