KR960038980A - 반도체 메모리장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 메모리 장치에 관한 것으로서, 특히 파워 온 동작을 검출신호를 발생하는 파워 온검출수단 ; 검출신호에 응답하여 인에이블되어 로우 어드레스 스트로브 신호를 입력하여 제1소정시간 지연된 신호를 제1마스터 신호로 출력하는 제1입력버퍼 ; 검출신호를 제2소정시간 지연시켜서 제1지연된 검출신호를 발생하는 제1지연수단 ; 제1지연된 검출신호에 응답하여 인에이블되어 컬럼어드레스 스트로브 신호를 입력하여 제3소정시간 지연된 신호를 제2마스터 신호로 출력하는 제2입력버퍼 ; 제1 및 제2마스터 신호를 입력하여/CAS-before-/RAS 리프레쉬 모드를 트리거시키는 제3마스터 신호를 발생하기 리프레쉬 트리거수단을 구비하는 것을 특징으로 한다.
따라서, 본 발명에는 파워 온시 클럭 업 스큐에 의한 /CAS-before-/RAS 리프레쉬 모드의 세팅을 방지할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명에 의한 /CAS-before-/RAS 리프레쉬 모드를 가지는 반도체 메모리 장치의 일부 구성을 나타낸 블럭도, 제7도는 제4도의 /CAS 입력버퍼의 구성을 나타낸 회로도, 제8도는 제4도의 리프레쉬 트리거수단의 구성을 나타낸 회로도.
Claims (3)
- 파워 온 동작을 검출하여 검출신호를 발생하는 파워 온 검출수단 ; 상기 검출신호에 응답하여 인에이블되어 로우 어드레스 스트로브 신호를 입력하여 제1소정시간 지연된 신호를 제1마스터 신호로 출력하는 제1입력버퍼 ; 상기 검출신호를 제2소정시간 지연시켜서 제1지연된 검출신호를 발생하는 제1지연수단 ; 상기 제1지연된 검출신호에 응답하여 인에이블되어 컬럼 어드레스 스트로브 신호를 입력하여 제3소정시간 지연된 신호를 제2마스터 신호로 출력하는 제2입력버퍼 ; 상기 제1 및 제2마스터 신호를 입력하여 /CAS-before-/RAS 리프레쉬 모드를 트리거시키는 제3마스터 신호를 발생하기 리프레쉬 트리거수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 /CAS-before-/RAS 리프레쉬 모드를 가진 반도체 메모리 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 장치는 상기 제1지연된 검출신호를 제4소정 시간 지연시켜서 제2지연된검출신호를 발생시키는 제2지연수단 ; 및 상기 제2지연된 검출신호에 응답하여 인에이블되어 외부제어신호들을 입력하여 제3소정시간 지연된 신호를 내부 제어신호들로 출력하는 제3입력버퍼를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 /CAS-before-/RAS 리프레쉬 모드를 가진 반도체 메모리 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 제2소정 지연시간은 상기 제1마스터 신호가 활성화되기 전에 제2마스터신호가 활성화되는 것을 방지할 수 있을 정도의 지연시간인 것을 특징으로 하는 /CAS-before-/RAS 리프레쉬 모드를 가진 반도체 메모리 장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950009793A KR0147633B1 (ko) | 1995-04-25 | 1995-04-25 | 반도체 메모리장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950009793A KR0147633B1 (ko) | 1995-04-25 | 1995-04-25 | 반도체 메모리장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960038980A true KR960038980A (ko) | 1996-11-21 |
| KR0147633B1 KR0147633B1 (ko) | 1998-11-02 |
Family
ID=19412906
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950009793A KR0147633B1 (ko) | 1995-04-25 | 1995-04-25 | 반도체 메모리장치 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR0147633B1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100487484B1 (ko) * | 1997-06-24 | 2005-07-29 | 삼성전자주식회사 | 반도체메모리장치의리프래시제어회로 |
-
1995
- 1995-04-25 KR KR1019950009793A patent/KR0147633B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100487484B1 (ko) * | 1997-06-24 | 2005-07-29 | 삼성전자주식회사 | 반도체메모리장치의리프래시제어회로 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR0147633B1 (ko) | 1998-11-02 |
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