KR960026332A - 반도체기판의 열처리방법 - Google Patents
반도체기판의 열처리방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR960026332A KR960026332A KR1019950042116A KR19950042116A KR960026332A KR 960026332 A KR960026332 A KR 960026332A KR 1019950042116 A KR1019950042116 A KR 1019950042116A KR 19950042116 A KR19950042116 A KR 19950042116A KR 960026332 A KR960026332 A KR 960026332A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- heat treatment
- treatment method
- temperature
- reducing gas
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/02227—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process
- H01L21/02255—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by thermal treatment
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
본 발명은, 웨이퍼 표층부분의 과도산소석출을 방지할 수 있는 개량된 반도체기판의 열처리방법을 제공하기 위한 것이다.
본 발명은, 불활성가스에서 환원성가스로 절환하는 온도를 기판표면 상태의 열화가 생기는 온도 이하로 설정하여, 노에 반입된 기판표면에 생성한 산화막이 고온열처리과정에 미치는 도중에서 활성화된 환원성분위기의 환원작용에 의해 가능한 한 제거되지 않도록 한다.
본 발명은, 반도체기판 표면에 생긴 산화막을 보호막으로서 활용할 수 있고, 노내의 분위기에 잔존히는 불순물 등의 기판내로 들어오는 것이 제어되는 표층부분의 이상한 과도 산소석출발생을 방지한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 열처리에 있어서의 온도프로화일을 나타낸 설명도, 제2도는 환원성분위기에서의 열처리시의 산화막층과 산소석출물과의 관계를 나타낸 그래프.
Claims (3)
- 반도체기판을 노내에 도입하여 환원성분위기에서 고온열처리를 행하는 반도체기판의 열처리방법에 있어서, 상기 반도체기판이 위치한 노내의 공기를 불활성가스를 도입하여 배출하는 불활성가스 도입과정과, 상기 노내의 불활성가스를 환원성가스를 도입하여 배출하는 환원성가스 도입과정 및, 상기 환원성가스의 분위기에서 상기 반도체기판의 고온열처리를 행하는 열처리과정을 갖추고, 상기 환원성가스 도입과정은 상기 반도체기판 표면의 상태열화가 생기는 온도보다도 낮은 온도에서 행해지는 것을 특징으로 하는 반도체기판의 열처리방법.
- 제1항에 있어서, 상기 온도가 800∼1100℃인 것을 특징으로 하는 반도체기판의 열처리방법.
- 상기 반도체기판의 실리콘기판이고, 상기 환원성가스가 수소, 일산화탄소 중 어느 것이어도 되며, 상기 불활성사스가(N2), 아르곤(Ar),헬륨(He),네온(Ne), 크세논(Xe), 크립톤(Kr)중 어느 것이어도 되는 것을 특징으로 하는 반도체기판의 열처리방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP94-302251 | 1994-12-06 | ||
| JP6302251A JPH08162461A (ja) | 1994-12-06 | 1994-12-06 | 半導体基板の熱処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960026332A true KR960026332A (ko) | 1996-07-22 |
Family
ID=17906771
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950042116A KR960026332A (ko) | 1994-12-06 | 1995-11-18 | 반도체기판의 열처리방법 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08162461A (ko) |
| KR (1) | KR960026332A (ko) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1061565A1 (en) | 1998-12-28 | 2000-12-20 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd | Method for thermally annealing silicon wafer and silicon wafer |
| JP2002184779A (ja) * | 2000-12-13 | 2002-06-28 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | アニールウェーハの製造方法及びアニールウェーハ |
| US7081422B2 (en) | 2000-12-13 | 2006-07-25 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Manufacturing process for annealed wafer and annealed wafer |
| JP2005223293A (ja) * | 2004-02-09 | 2005-08-18 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | シリコンウェーハの熱処理方法およびシリコンウェーハ |
-
1994
- 1994-12-06 JP JP6302251A patent/JPH08162461A/ja active Pending
-
1995
- 1995-11-18 KR KR1019950042116A patent/KR960026332A/ko active IP Right Grant
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08162461A (ja) | 1996-06-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5300187A (en) | Method of removing contaminants | |
| US7713883B2 (en) | Manufacturing method of a semiconductor device, and substrate processing apparatus | |
| US5300455A (en) | Process for producing an electrically conductive diffusion barrier at the metal/silicon interface of a MOS transistor | |
| KR950015652A (ko) | 반도체 집적회로장치의 제조방법 및 제조장치 | |
| KR960026332A (ko) | 반도체기판의 열처리방법 | |
| KR950034626A (ko) | 반도체 장치 제조 방법 | |
| US7601404B2 (en) | Method for switching decoupled plasma nitridation processes of different doses | |
| KR100194489B1 (ko) | 반도체기판의 열처리방법 | |
| JPH11135511A (ja) | シリコン半導体基板及びその製造方法 | |
| JPH06244174A (ja) | 絶縁酸化膜の形成方法 | |
| JP3264909B2 (ja) | 熱処理装置、熱処理方法及び半導体装置製造方法 | |
| JPH1041241A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3210510B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2737781B2 (ja) | 化合物半導体基板の熱処理法 | |
| JP2000164868A (ja) | ゲート膜形成方法及び半導体装置 | |
| KR0146173B1 (ko) | 반도체 소자의 산화막 제조방법 | |
| KR960019592A (ko) | 웨이퍼에서의 불순물 농도 감소 방법 | |
| JPH06342757A (ja) | レーザー処理装置 | |
| JP2002280354A (ja) | 炭素薄膜のエッチング方法及びエッチング装置 | |
| JPH06124893A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR960003762B1 (ko) | 플라즈마 어넬링에 의한 금속합금 제조방법 | |
| KR940016541A (ko) | 텅스텐 폴리사이드 게이트(tungsten polycide gate)에서 수소 분위기(in low pressure tube)에서의 열처리(annealing)를 통한 불소(fluorine) 제거 방법 | |
| JPH11111615A (ja) | 半導体膜の形成方法 | |
| KR20010109791A (ko) | 실리콘웨이퍼 내의 금속 불순물 제거 방법 | |
| KR19990060866A (ko) | 반도체 소자의 산화막 형성방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| NORF | Unpaid initial registration fee |