KR960006076A - 반도체 소자의 트랜지스터 제조방법 - Google Patents
반도체 소자의 트랜지스터 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 트랜지스터 제조방법에 관한 것으로, 실리콘 기판에 실질적인 게이트 전극 길이가되는 트렌치를 형성하고, 상기 트렌치를 포함한 실리콘 기판상에 게이트 산화막 및 게이트 전극을 형성하고, DDD(double doped drain)이온주입방법으로 소오스/드레인 영역을 형성하여 쇼트 채널(short channel)을 갖는 게이트 전극 길이로 기억용량을 중대시키면서 얕은 소오스/드레인 접합을 이룰 수있는 반도체 소자의 트랜지스터 제조방법에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 및 제1B도는 본 발명에 의한 반도체 소자의 트랜지스터 제조단계를 도시한 소자의 단면도.
Claims (5)
- 반도체 소자의 트랜지스터 제조방법에 있어서, 실리콘 기판(1)상에 소정의 폭과 깊이를 갖는 트렌치(3)를 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 트렌치(3)를 포함한 실리콘 기판(1)상에 게이트 산화막(4) 및 게이트 전극(5)을 형성하되, 상기 게이트전극(5)의 폭이 트렌치(3)의 폭보다 크게하는 단계와, 상기 단계로부터 저농도불순물 영역(6A)과 고농도 불순물 영역(6B)으로된 소정깊이의 소오스/드레인 영역(6)을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 트랜지스터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 게이트 전극(5)의 폭은 상기 트렌치(3)의 폭보다 0.2~0.4㎛정도 크게 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 트랜지스터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 게이트 전극(5)은 그 채널길이가 상기 트렌치(3)의 폭에 의해 설정되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 트랜지스터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 소오스/드레인 영역(6)은 DDD 이온주입방법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 트랜지스터 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 게이트 전극(5)에 대해 실질적인 소오스/드레인 영역(6)이 얕은 접합이 되도록하기 위하여 소오스/드레인 영역(6)의 전체깊이를 고려하여 상기 트렌치(3)의 깊이를 설정하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 트랜지스터 제조방법.※참고사항:최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940016113A KR960006076A (ko) | 1994-07-06 | 1994-07-06 | 반도체 소자의 트랜지스터 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940016113A KR960006076A (ko) | 1994-07-06 | 1994-07-06 | 반도체 소자의 트랜지스터 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960006076A true KR960006076A (ko) | 1996-02-23 |
Family
ID=66688969
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940016113A KR960006076A (ko) | 1994-07-06 | 1994-07-06 | 반도체 소자의 트랜지스터 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960006076A (ko) |
-
1994
- 1994-07-06 KR KR1019940016113A patent/KR960006076A/ko not_active Application Discontinuation
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