KR960005135B1 - Wide-band electric wave absorber - Google Patents
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Abstract
Description
제 1 도는 본 발명에 의한 기본 전파흡수체의 구성을 나타내는 단면도.1 is a cross-sectional view showing the configuration of a basic radio wave absorber according to the present invention.
제 2 도는 본 발명의 가장 특성이 양호한 높이의 경우의 특성의 중심부를 확대한 스미스도포.2 is a Smith coating which enlarges the center of the characteristic at the height of the most favorable characteristic of this invention.
제 3 도는 본 발명에 의한 전파흡수의 매질정수를 고려한 개념도.3 is a conceptual diagram considering the medium constant of radio wave absorption according to the present invention.
제 4 도는 분포선로상의 문제를 설명하기 위한 도면.4 is a diagram for explaining a problem on a distribution line.
제5(a)도는 본 발명의 원리를 설명하기 위한 도면.Figure 5 (a) is a view for explaining the principle of the present invention.
제5(b)도는 본 발명의 원리를 설명하기 위한 도면.Figure 5 (b) is a view for explaining the principle of the present invention.
제5(c)도는 본 발명의 원리를 설명하기 위한 도면.Figure 5 (c) is a view for explaining the principle of the present invention.
제 6 도는 본 발명의 실시예 1의 핀형 광대역 전파습수체의 구성을 나타내는 단면도.6 is a cross-sectional view showing the configuration of the pin-type wideband wave dampener of Embodiment 1 of the present invention.
제 7 도는 본 발명의 실시예 1의 페라이트 표면에서 들여다 본 정규화임피던스를 임피던스를 나타내는 도면.7 is a diagram showing impedance of normalized impedance viewed from the ferrite surface of Example 1 of the present invention.
제8(a)도는 본 발명의 실시예 2의 격자형 광대역 전파흡수체의 구성을 나타내는 사시도.Fig. 8 (a) is a perspective view showing the structure of the lattice-shaped broadband wave absorber of the second embodiment of the present invention.
제8(b)도는 제8(a)도의 A-A'선 단면도.8 (b) is a cross-sectional view along the line A-A 'in FIG. 8 (a).
제 9 도는 본 발명의 실시예 2의 페라이트 표면에서 들여다 본 정규화임피던스를 나타내는 도면.9 is a view showing normalized impedance viewed from the ferrite surface of Example 2 of the present invention.
제10도는 본 발명의 실시예 3의 다른 핀형 광대역 전파흡수체의 구성을 나타내는 단면도.Fig. 10 is a sectional view showing the structure of another fin-type wideband absorber of the third embodiment of the present invention.
제11도는 본 발명의 실시예 3의 페라이트 표면에서 본 정규화임피던스를 나타내는 도면.11 shows normalized impedance seen from the ferrite surface of Example 3 of the present invention.
제12(a)도는 본 발명의 실시예 4의 다른 핀형 광대역 전파흡수체의 구성을 나타내는 사시도.12 (a) is a perspective view showing the structure of another pin-type wideband wave absorber of the fourth embodiment of the present invention.
제12(b)도는 제12(a)도의 A-A'선 단면도.FIG. 12 (b) is a cross-sectional view taken along the line A-A 'of FIG. 12 (a).
제13도는 본 발명의 실시예 4의 페라이트표면에서 들여다 본 정규화임피던스를 나타내는 도면.13 is a diagram showing normalized impedance viewed from a ferrite surface of Example 4 of the present invention.
제14(a)도는 본 발명의 실시예 5의 핀형 광대역 전파흡수체의 구성을 나타내는 단면도.FIG. 14 (a) is a cross-sectional view showing the configuration of a pin-type broadband wave absorber according to a fifth embodiment of the present invention. FIG.
제14(b)도는 본 발명의 실시예 5의 선단테이퍼형 2단광대역 전파흡수체의 규격화임피던스를 나타내는 도면.FIG. 14 (b) shows the normalized impedance of the tip tapered two-stage wide band radio absorber of the fifth embodiment of the present invention; FIG.
(S=20mm, tm1=12.8mm, tms=8.4mm, tmt=1.2mm, h1=4.8mm, ht=45mm, P=5)(S = 20mm, t m1 = 12.8mm, t ms = 8.4mm, t mt = 1.2mm, h 1 = 4.8mm, h t = 45mm, P = 5)
제14(c)도는 본 발명의 실시예 5의 반사량을 나타내는 도면.FIG. 14 (c) is a diagram showing a reflection amount of Example 5 of the present invention; FIG.
제15(a)도는 본 발명의 실시예 5의 또다른 선단페이퍼형 2단 광대역 전파흡수체의 규격화임피던스를 나타내는 도면.FIG. 15 (a) is a diagram showing the normalized impedance of another tip paper type two-stage wide band wave absorber according to a fifth embodiment of the present invention; FIG.
(S=20mm, tm1=14.8mm, tms=2mm, tmt=0.6mm, h1=4.8mm, ht=32mm, P=3)(S = 20mm, t m1 = 14.8mm, t ms = 2mm, t mt = 0.6mm, h 1 = 4.8mm, h t = 32mm, P = 3)
제15(b)도는 본 발명의 실시예 5의 또다른 선단테이퍼형 2단광대역 전파흡수체의 반사량을 나타내는 도면.FIG. 15 (b) is a diagram showing a reflection amount of another tip tapered two-stage wide band radio absorber according to a fifth embodiment of the present invention; FIG.
제16(a)도 제16(b)도는 본 발명 실시예 6의 선단테이펴형 3단 광대역 전파흡수체의 구성을 나타내는 단면도.16 (a) and 16 (b) are sectional views showing the structure of a three-stage wide band radio wave absorber according to a sixth embodiment of the present invention.
제16(c)도는 본 발명 실시예 6의 선단테이퍼형 3단 광대역 전파흡수체의 규격화임피던스를 나타내는 도면.FIG. 16 (c) is a diagram showing standardized impedance of the tip tapered three-stage broadband wave absorber according to the sixth embodiment of the present invention. FIG.
(S=20mm, tm1=14.8mm, tms=1.4mm, tmt=0.26mm, h1=4.8mm, ht=18mm, P=20)(S = 20mm, t m1 = 14.8mm, t ms = 1.4mm, t mt = 0.26mm, h 1 = 4.8mm, h t = 18mm, P = 20)
제16(d)도는 본 발명의 실시예 6의 반사량을 나타내는 도면.16 (d) is a diagram showing a reflection amount of Example 6 of the present invention.
제17도는 본 발명의 실시예 5 및 6의 테이퍼 부분을 나타내는 도면.17 shows the tapered portions of Embodiments 5 and 6 of the present invention.
제18도는 본 발명의 실시예 6인 제16(a)도를 양편파용으로 구성한 변형예를 나타내는 도면.FIG. 18 is a diagram showing a modification in which FIG. 16 (a) according to the sixth embodiment of the present invention is configured for both polarized waves. FIG.
제19도는 종래의 타일형 페라이트전파흡수체의 전파반사량을 나타내는 도면.19 is a diagram showing the amount of radio wave reflection of a conventional tile-type ferrite wave absorber.
제20도는 본 발명의 응용예의 구성을 나타내는 단면도.20 is a sectional view showing a configuration of an application example of the present invention.
제21도는 본 발명의 다른 응용예의 구성을 나타내는 단면도.Fig. 21 is a sectional view showing the construction of another application example of the present invention.
제22(a)도는 시료측정에 사용되는 스트립 선로의 구성을 나타내는 단면도.Fig. 22 (a) is a cross-sectional view showing the structure of a strip line used for sample measurement.
제22(b)도는 제22(a)도의 횡단면도.Figure 22 (b) is a cross sectional view of Figure 22 (a).
제23도는 기본적인 페라이트타일형전파흡수체의 단면도.23 is a cross-sectional view of a basic ferrite tile type radio absorber.
제24도는 제 1 도에 나타내는 전파흡수체의 특성을 나타내는 도면.FIG. 24 is a diagram showing the characteristics of the radio wave absorber shown in FIG.
제25도는 광대역화한 페라이트-유전체 전파흡수체의 예를 나타내는 단면도.Fig. 25 is a sectional view showing an example of a widened ferrite-dielectric wave absorber.
제26(a)도는 광대역화한 핀형 페라이트전파흡수체의 다른예를 나타내는 사시도제26(b)도는 제26(a)도의 단면도.Fig. 26 (a) is a perspective view showing another example of a widened fin-type ferrite wave absorber; Fig. 26 (b) is a cross-sectional view of Fig. 26 (a).
제27도는 광대역화한 수평, 수직 양편파용 페라이트전파흡수체의 다른예를 나타내는 사시도.Fig. 27 is a perspective view showing another example of a widened horizontal and vertical polarized wave ferrite wave absorber.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings
M : 금속도체판 F : 페라이트자성체M: Metal conductor plate F: Ferrite magnetic body
S : 페라이트자성체의 간격 h : 페라이트자성체의 전체높이S: spacing of ferrite magnets h: total height of ferrite magnets
ht-hn: 페라이트자성체의 각부의 높이 tm: 페라이트자성체의 두께h t -h n : Height of each part of ferrite magnetic material t m : Thickness of ferrite magnetic material
tm1-mn: 페라이트자성체의 각부의 두께t m1 - mn : thickness of each part of ferrite magnet
tms: 페라이트자성체의 테이퍼부의 가장 두꺼운 부분의 두께t ms : thickness of the thickest part of the tapered part of the ferrite material
tmt: 페라이트자성체의 테이퍼부의 가장 얇은 부분의 두께t mt : thickness of the thinnest part of the tapered portion of the ferrite magnetic material
h :t: 페라이트자성체의 테이퍼부의 높이h: t : height of the tapered portion of the ferrite magnetic material
본 발명은 광대역전파흡수체에 관한 것이며, 특히 페라이트자성체로 이루어지는 전파흡수체의 초광대역화에 관한 것이다. 이 초광대역전파흡수체는 전자기기로부터 방사되는 전자파를 측정하기 위한 전파암실이나, 건물로부터의 TV전파의 방사를 막기 위한 벽재로서 널리 사용되는 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a broadband radio wave absorber, and more particularly, to ultra-wide bandization of a radio wave absorber composed of a ferrite magnetic material. This ultra-wide band wave absorber is widely used as a radio darkroom for measuring electromagnetic waves emitted from electronic devices and as a wall material for preventing radiation of TV waves from buildings.
종래의 단일 자성체층으로 이루어지는 전파흡수체를 광대역화하는 방법으로서, 예를들면 티알상의 페라이트(자성체)를, 전파흡수판으로부터 공기층으로 띄워서(실제로는 발포우레탄 판 등을 사용한다.) 배치하는 방법이 제안되어 있다.As a method of widening a radio wave absorber composed of a conventional single magnetic layer, for example, a method of arranging a ferrite (magnetic material) in a thial phase from the wave absorber plate to the air layer (actually, a polyurethane urethane plate or the like) is used. It is proposed.
예를 들어, 7mm의 NiZn계 소결페라이트 타일을 반사판으로부터 8~15mm의 공기층을 사이에 두고 배치하면 30~1000MHz의 전파에 대하여, 반사감쇠량 20dB 이하의 광대역전파흡수체가 얻어진다. 또, 마찬가지로 단일 자성체층으로 이루어지는 광대역전파흡수체로서, 후술하는 핀형 및 라티스격자형의 광대역전파흡수체가 본 발명에 의하여 제안되어 있다.For example, when a 7 mm NiZn-based sintered ferrite tile is disposed from a reflecting plate with an air layer of 8 to 15 mm interposed therebetween, a broadband wave absorber having a reflection attenuation of 20 dB or less is obtained for radio waves of 30 to 1000 MHz. Similarly, as the broadband wave absorber composed of a single magnetic layer, a pin-shaped and lattice lattice-shaped broadband wave absorber described later is proposed by the present invention.
이들의 특성은, 예를들면 격자형의 광대역전파흡수체에 있어서는 폭 6.6mm, 높이 19.1mm의 NiZn계 소결페라이트를 격자상으로 구성함으로써, 30~870MHz의 전파에 대하여 반사감쇠량 20dB 이하의 광대역의 전파흡수체가 얻어진다.These characteristics are, for example, in a lattice-shaped wideband wave absorber, having a width of 6.6 mm and a height of 19.1 mm of NiZn-based sintered ferrite in a lattice shape, thereby spreading broadband with a reflection attenuation of 20 dB or less for a radio wave of 30 to 870 MHz. An absorber is obtained.
제23도는 금속도전 판 M으로 타일상의 소결페라이트 F의 뒤에 붙인 가장 기본적인 페라이트 전파흡수체의 단면도이다.FIG. 23 is a cross-sectional view of the most basic ferrite wave absorber attached to the sintered ferrite F on the tile with the metal conductive plate M. FIG.
제23도에서 페라이트 흡수체의 표면에 있어서의 반사계수를 S라하면, 흡수체의 전력흡수계수 αp는In FIG. 23, when the reflection coefficient on the surface of the ferrite absorber is S, the power absorption coefficient α p of the absorber is
αp=1-│S│2…………………………………………………………………(1)α p = 1-│S│ 2 . … … … … … … … … … … … … … … … … … … … … … … … … (One)
로 나타내 진다. 따라서 │S│가 작을수록 좋은 전파흡수체라 할 수 있다. 통상 전파흡수체의 양호도를 나타내는 기준으로서It is represented by Therefore, the smaller the | S│, the better the radio absorber. Usually, as a criterion indicating the goodness of the radio wave absorber
│S│ ≤0.1 ……………………………………………………………………(2)│S│ ≤0.1... … … … … … … … … … … … … … … … … … … … … … … … … … (2)
즉, 반사감쇠량(-20log│(S)[dB])이 20dB이하, 전파흡수계수 ≥0.99를 채용하고 있다.That is, the reflection attenuation amount (-20 log | (S) [dB]) is 20 dB or less, and a radio wave absorption coefficient?
제23도에서 나타내는 전파흡수체의 특성을 횡축에 주파수 f, 종축에 반사계수The characteristic of the wave absorber shown in FIG. 23 is the frequency f on the horizontal axis and the reflection coefficient on the vertical axis.
│S│의 크기로 나타내면, 전형적으로는 제24도와 같이 된다. 이경우, │S│=0.1이 되는 하한주파수(주파수의 낮은 쪽)를 fL상한주파수(주파수의 높은 쪽)를 fH로 높으면, 그림으로부터 │S│≤0.1을 만족하는 주파수대역폭 B는In terms of the size of | S |, it is typically as shown in FIG. In this case, │S│ = 0.1 is a lower limit frequency (lower frequency) f L to the upper limit frequency is high (higher frequency) as f H, the frequency bandwidth B satisfying │S│≤0.1 from the figure that
B= fH- fL………………………………………………………………(3)B = f H -f L ... … … … … … … … … … … … … … … … … … … … … … … … (3)
으로 나타낼 수 있다. 따라서, 주파수대역폭 B에 관하여 연구되고 있으며, 예를들면 (가) 하한주파수 fL이 30MHz가 되도록 하는 경우, 사용해야 하는 페라이트의 소결형으로서 NiZn계나 MnZn계의 것이다. 그렇게 하면 일반적으로 상한주파수 fH가 300MHz~400MHz로 되어 버린다.It can be represented as Therefore, the frequency bandwidth B has been studied. For example, (a) When the lower limit frequency f L is set to 30 MHz, the sintered type of ferrite to be used is NiZn or MnZn. In this case, the upper limit frequency f H generally becomes 300 MHz to 400 MHz.
(나) 하한주파수 fL가 90MHz가 되도록 하는 경우, 사용해야 하는 페라이트는 역시 소결형이며, 이 경우 상한주파수는 fH는 350~520MHz이다.(B) When the lower limit frequency f L is 90 MHz, the ferrite to be used is also sintered, in which case the upper limit frequency f H is 350 to 520 MHz.
하나의 응용으로서, 앞에 기술한 전자기기로부터의 방사전자파를 측정하기 위한 전파암실용벽재의 경우는 fL=30MHz에서 fH가 우선은 적어도 fH=1000MHz가 요구되고 있으나, (가)의 것으로서는 특성이 불충분하다.As an application, in the case of a radio darkroom wall material for measuring radiated electromagnetic waves from the above-mentioned electronic equipment, at f L = 30 MHz and f H is required at least f H = 1000 MHz, but Has insufficient properties.
또, 건물로부터의 TV전파의 반사를 막기 위한 벽재의 경우는 fL=90MHz에서 fH=800MHz의 것이 요구되지만, (나)의 것으로는 특겅이 불충분하다. 따라서, 제23도의 형식의 것을 다음과 같이 개량하는 것이 지금까지 제안되어 있다. 하나는, 광대역화의 예로서, 제25도에서 나타내는 바와 같이 페라이트 F와 금속판 M사이에 공기층, 유전체 또는 손실유전체 D를 삽입한 것이다. 이 경우는 fL=30MHz, fH=1000MHz가 겨우 얻어진다.In the case of a wall material for preventing the reflection of the radio wave from the TV building is f = H, but it is desired in the 800MHz L f = 90MHz, as in (B) is insufficient teukgeong. Therefore, the improvement of the thing of the form of FIG. 23 as follows is proposed until now. One example of widening is to insert an air layer, a dielectric, or a lossy dielectric D between ferrite F and metal plate M, as shown in FIG. In this case, f L = 30 MHz and f H = 1000 MHz are only obtained.
나아가서, 또하나의 광대역화의 예로서 제26(a)도, 제26(b)도 및 제27도에서 나타내는 바와 같은 전파흡수체가 본 발명자에 의하여 제안되어 있다(일본국 특허 출원공개 평 4-53299호 참조). 즉, 양쪽의 자성체는 타일상의 균일한 것이 아니라 주기적인 공극부를 가지며, 또한 두께 tm보다도 높이 h가 큰 특징을 가진 소결페라이트 F를 금속도전 반사체 M의 위에 간격 S로 배치한 것이다.Furthermore, the present invention proposes a radio wave absorber as shown in FIGS. 26 (a), 26 (b) and 27 as another example of widening (Japanese Patent Application Laid-Open No. 4-). 53299). In other words, the magnetic bodies on both sides are not uniform on the tile but have periodic gaps, and the sintered ferrite F, which has a characteristic of having a height h greater than the thickness t m , is arranged at intervals S on the metal conductive reflector M.
편의상, 제26(a)도, 제26(b)도의 전파흡수체를 핀형전파흡수체, 제27도의 것을 격자(라티스)형전파흡수체라고 부르면, 격자형전파흡수체는 양전파용이고, 핀형전파흡수체는 격자형 전파흡수체로부터 종 또는 횡으로 높인 페라이트를 생략한 것으로서 수평면파 또는 수직편파의 단일편파용이지만, 양자 모두 기본적인 동작에는 변함이 없다. 또, 이와 같은 전파흡수체는 제26(a)도, 제26(b)도의 것은 fH=2400MHz, 제27도의 것은 fH=700~800MHz이다.For convenience, when the wave absorbers of FIGS. 26 (a) and 26 (b) are referred to as pin-shaped wave absorbers and those of FIG. 27 are lattice-type wave absorbers, the lattice-type wave absorbers are for positive waves and the pin-shaped wave absorbers Is omitted for ferrites vertically or laterally raised from the lattice wave absorber and is for a single polarization of horizontal or vertical polarization, but the basic operation remains unchanged. In addition, this radio wave absorber such as the first 26 (a) also, claim 26 (b) degrees is H f = 2400MHz, it is 27 degrees, the f H = 700 ~ 800MHz.
금후, 전자기기의 동작주파수가 높아져서, 그에 의하여 발생하는 방사전파는 보다 높은 주파수가 될 것이며, 요구되는 fH는 필연적으로 높아지지 않을 수 없을 것으로 판단된다.In the future, it is determined that the operating frequency of the electronic device becomes high, and the radio wave generated thereby will be higher frequency, and the required f H will inevitably be increased.
그러나, 근년 EMI(lectro-agneticnterference)에 대한 관심이 높아져서 전파흡수체를 보다 광대역화 하는 것이 요망되고 있다.In recent years, however, lectro- agnetic With increasing interest in interference, it is desired to make the wave absorber wider.
볼 발명은 이와 같은 요구에 부응하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 공극부와 페라이트부가 반사판상에서 연속적으로 반복되는 구조를 가진 전파흡수체에 의하여 광대역전파흡수체를 제공하는데에 있다.The present invention is to meet such a demand, and an object of the present invention is to provide a broadband wave absorber by a wave absorber having a structure in which the void portion and the ferrite portion are continuously repeated on the reflecting plate.
본 발명의 상전기 및 기타의 목적과 특징은 본 명세서 및 첨부도면에 의하여 명확하게 설명된다.The object and other objects and features of the present invention are clearly described by the specification and the accompanying drawings.
상기의 목적을 달성하기 위하여, 본 반사판상에서 자성체기를 간격 S의 격자상으로 연속 배치하는 광대역 전파흡수체로서 각각의 자성체기의 두께 tm은 반사판으로부터 전파 도래 방향으로 순차 감소하는 계단상이거나, 최종의 계단은 자성체상으로 하여 전파 도래방향으로 잰 자성체기의 전체의 높이를 h라 할때, h를 반사판으로부터 전파 도래방향으로 소정의 수로 분할하여 각각의 높이를 h1,h2,h3,…,ht로 한다. 각 높이에 대응하는 부분의 자성체의 두께가 tm1,tm2,tm3,…,tmt인 때,In order to achieve the above object, a wideband radio wave absorber for continuously arranging magnetic bodies on a lattice of an interval S on the reflector, wherein the thickness t m of each magnetic body is a stepped shape that decreases sequentially from the reflecting plate in the direction of radio wave arrival. When the stairs are made of magnetic material and the height of the whole magnetic body measured in the direction of propagation is h, the h is divided into a predetermined number in the direction of propagation from the reflecting plate and each height is h 1 , h 2 , h 3 ,. , h t . The thickness of the magnetic material of the portion corresponding to each height is t m1 , t m2 , t m3,. when, t mt ,
h=h1＋h2＋h3＋…＋ht h = h 1 + h 2 + h 3 +... + H t
h＞tm1,tm2,tm3,…,tmt h> t m1 , t m2 , t m3 ,... , t mt
이고, 또한 간격 S가And the interval S
S≥tm1 S≥t m1
의 관계를 만족시키는 것을 특징으로 한다.It is characterized by satisfying the relationship.
상기한 특징에 의하면, 전파 흡수체의 높이 h가 비교적 높으므로, 그 높이의 범위내를 구분하여 각각의 높이와 실효유전율, 실효투자율을 변화시킴으로써, 광대역인 입력임피던스 특성을 보다 용이하게 얻을 수 있다.According to the above feature, since the height h of the radio wave absorber is relatively high, the broadband input impedance characteristic can be more easily obtained by changing the respective heights, effective dielectric constants, and effective permeability rates by dividing within the height range.
또, 전파흡수체에 공극부를 가지게 함으로써, 예를 들면 반사판을 금망 또는 작은 구멍을 가지는 금속판등으로 구성하므로써 전파암실용의 전파흡수체 벽재로 사용할 때 실내의 조명, 환기를 하기 쉬울 뿐만 아니라 대전력의 강제공냉에 견디는 벽재로 할 수 있으며, 금형에 의한 제작도 비교적 용이하다.In addition, by providing the air absorber with air gaps, for example, the reflector is made of a metal mesh with a metal mesh or a small hole, so that it is not only easy to illuminate and ventilate the room when used as a radio absorber wall material for a radio darkroom, but also enforces high power. It can be used as a wall material to withstand air cooling, and it is relatively easy to manufacture by a metal mold | die.
이하, 본 발명의 실시에를 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
실시예를 설명하기 위한 모든 도면에 있어서 동일한 기능을 가지는 것은 동일한 부호를 붙여 반복 설명을 생략한다.In all the drawings for describing an embodiment, those having the same function are denoted by the same reference numerals and repeated description thereof will be omitted.
본 발명의 광대역전파흡수체는 자성체와 공극부가 금속도전반사체상에서, 연속적을 반복하는 구조의 전파흡수체에 대하여 성립하지만, 주로 제26(a)도 및 제26(b)도(또는 제27(c)도)의 전파흡수체의 특성을 사용한 실시예를 설명하며, 또한 이하에 설명하는 본 발명의 실시예의 실험적 특성은 모두 제22(a)도 및 제22(b)도에 나타내는 스트립선로를 이용하여, TEM파에 의한 실험결과를 나타낸다. 또한 제22(a)도 및 제22(b)도에 있어서, 11은 입력코넥터, 12는 외부도체 평판, 13은 내부도체평판, 14는 금속도전반사체, 15는 측정시료(전파흡수체)이다. 이 스트립선로의 특성임피던스는 50오옴(Ω)이다.Although the wideband wave absorber of the present invention holds for a wave absorber having a structure in which a magnetic body and a void portion are continuously repeated on a metal conductive reflector, the 26th (a) and 26 (b) degrees (or the 27th (c)) are mainly used. Examples using the characteristics of the radio wave absorber of Fig.), And the experimental characteristics of the embodiment of the present invention described below, all using the strip line shown in Figs. 22 (a) and 22 (b), The test result by TEM wave is shown. In FIGS. 22 (a) and 22 (b), 11 is an input connector, 12 is an outer conductor plate, 13 is an inner conductor plate, 14 is a metal conductive reflector, and 15 is a measurement sample (wave absorber). The characteristic impedance of this strip line is 50 ohms.
[실시예 1]Example 1
제 1 도는 본 발명에 의한 기본 전파흡수체의 구성을 나타내는 단면도이며, 전술한 제26(a)도 또는 제26(b)도의 전파흡수체를 설명의 편의상 필요한 부호를 붙여 다시 나타낸 것이다. 또, 제 1 도는 전파흡수체 표면(a-a')으로부터 반사판 M방향을 들여다본 입력임피던스와 주파수의 관계를, 나타낸 것으로, t=7.5mm, S=20mm로 하여, h=5~25mm까지 5mm 스텝으로 변화시켜서 가장 특성이 좋은 것을 제 2 도에 나타내었다.1 is a cross-sectional view showing the configuration of a basic radio wave absorber according to the present invention, and the radio wave absorber shown in FIG. 26 (a) or 26 (b) is shown again with the necessary reference for convenience of explanation. FIG. 1 shows the relationship between the input impedance and the frequency viewed from the surface of the wave absorber a-a 'to the reflector M direction, with t = 7.5 mm and S = 20 mm, with 5 mm to h = 5 to 25 mm. It is shown in FIG. 2 that the best characteristic was changed by step.
사용한 자성재료는, 직류시의 투자율 2200인 NiZn계 소결페라이트 F이며, 이 경우에 반사감쇠량 20dB이하로 되는 범위에서 가장 광대역으로 되는 것이 제 2 도로서 정재파비(SWR : Standing Wave Ratio)=1.2의 원내에 있는 것이 사용 주파수대역이다. 이 주파수대역은 50MHz~2400MHz로 광대역이지만, 이는 수직 또는 수평편파에 대해서만 사용할 수 있다.The magnetic material used is NiZn-based sintered ferrite F having a permeability of 2200 at direct current, and in this case, the most wide band in the range of the reflection attenuation of 20 dB or less is shown in FIG. 2 as standing wave ratio (SWR) = 1.2. It is frequency band used in circle. This frequency band is broadband from 50MHz to 2400MHz, but it can only be used for vertical or horizontal polarization.
제 3 도는 본 발명의 전파흡수체를 개념적으로 나타낸 그림으로서 공간에 서로 다른 매질이 층을 이루어 존재하는 것으로 하고 있다. 이 때 각 매질은 각각 비투자율이 μr1~μrn, 비유전율이 εr1~εrn을 가지며, 각각의 두께가 d1~dn인 것이 반사판 M으로부터 전파도래방향으로 중첩되어 있다.3 is a conceptual diagram illustrating the radio wave absorber of the present invention, in which different media are present in a layer. At this time, each medium has a relative permeability of μ r1 to μ rn , a relative dielectric constant of ε r1 to ε rn , and a thickness of each of d 1 to d n overlaps with each other in the direction of propagation from the reflecting plate M.
여기서, 평면파를 문제로 하고 있는 경우에는 이와같은 공간내에 있는 매질의 문제도 그 동작은 분포정수회로상의 전압 전류의 전파상태로 근사할 수 있으므로, 분포선로성의 문제로 취급해도 좋은 것으로 알려져 있다.In the case where the plane wave is a problem, the problem of the medium in such a space can be approximated to the propagation state of the voltage and current on the distribution constant circuit, and therefore, it is known that it may be treated as a problem of the distribution line.
분포선로상의 하나의 문제로서, 제 4 도에 나타내는 바와같이 특성 임피던스 Zc1선로에 부하임피던스 Zd0를 접속해서, 부하로부터의 거리 d₁만큼 떨어진 점(a-a')로부터 부하측을 들여다 본 임피던스를 Zd1이라하면, 입력이임피던스 Zd1은As a matter of distribution lines, a fourth diagram of described as the characteristic impedance by connecting a load impedance Z d0 to Z c1 line, this impedance into the load side from the off points (a-a ') by a distance d₁ from the load on If Z d1 , the input impedance Z d1 is
으로 표현된다. 여기서 γ1은 선로의 전파정수, Zc1은 선로의 특성임피던스이다. Zc0가 반사판과 같이 단락상태에 있는 경우에는, Zdo=0이므로,It is expressed as Where γ 1 is the propagation constant of the track and Z c1 is the characteristic impedance of the track. When Z c0 is short-circuited like a reflector, Z do = 0,
로 된다. 실제로 제 2 도에 나타낸 특성은 위 (5)식에 있어서의 d₁을 변화시킨 경우와 등가이며, 그 모양을 제5(a)도에 제 1 도의 일부와 대응시켜서 나타내고 있다.It becomes Actually, the characteristic shown in FIG. 2 is equivalent to the case where d 'in Formula (5) is changed, and the shape is shown corresponding to a part of FIG. 1 in FIG. 5 (a).
또, 제5(b)도에 나타내는 바와같이 제5(a)도에 나타내는 구성의 다음에 특성이 다른 선로(두께가 다른 페라이트층)을 접속하고 b-b'으로부터 반사판 M방향을 본 때의 입력임피던스 Zd2는 (4)식과 마찬가지로In addition, as shown in FIG. 5 (b), after the structure shown in FIG. 5 (a) is connected to a line (ferrite layer having different thickness) with different characteristics, the reflection plate M direction is viewed from b-b '. Input impedance Z d2 is like Equation (4).
이 되며, 마찬가지로 해서 제5(c)도에 나타내는 바와같이 더우기 선로를 겹쳐서 접속하고, c-c면으로부터 반사판 M방향을 본 때의 입력 임피던스는 Zd3는Similarly, as shown in Fig. 5 (c), the line is overlapped with each other, and the input impedance when the reflecting plate M direction is seen from the cc plane is Z d3 .
로 된다.It becomes
이하, 마찬가지로 다단으로 몇 단을 접속한 때에도 점차로 그 전달까지의 입력임피던스 Zdr-1을 나타내는 식을 (4)식에 대입해가면 구해진다.Similarly, even when several stages are connected in multiple stages, it is calculated | required by substituting the formula (4) which shows the input impedance Z dr-1 until the transmission gradually.
즉, n단 접속한 때의 입력임피던스 Zdn은,That is, the input impedance Z dn when n-stage connection is made,
로 된다.It becomes
여기서, Zdn은 n단째의 입력임피던스, Zdn-1은 n단째의 바로 전단 n-1에서의 입력임피던스, Zcn은 n단째의 선로의 특성임피던스, γn은 n단째의 선로의 전파정수, dn은 n단째의 선로의 길이이다.Where Z dn is the input impedance of the nth stage, Z dn-1 is the input impedance of the nth stage immediately preceding n-1, Z cn is the characteristic impedance of the nth stage, γ n is the propagation constant of the nth stage , d n is the length of the n-th line.
지금, (5)식을 (6)식에 대입해서Now, substituting equation (5) into equation (6)
(9)식을 (7)식에 대입하면Substituting equation (9) into equation (7)
이 얻어지지만, 이상의 (5)식, (9)식, 및 (10)식이 제5(a)도, 제5(b)도 및 제5(c)도의 입력임피던스에 대응한다.The above formulas (5), (9), and (10) correspond to the input impedances of the fifth (a), fifth (b), and fifth (c) diagrams.
전파흡수체의 경우, 제 3 도에 나타내는 바와같이, 반사판 M상에 있는 특정의 매질에 있어, 그 매질이 가지는 비투자율을 μr, 비유전율을 εr이라하면In the case of a radio wave absorber, as shown in FIG. 3, in a specific medium on the reflector M, the relative permeability of the medium is μ r and the relative dielectric constant is ε r .
로 놓을 수 있으므로, 분포정수선로로 취급하기 위하여 (5)식, (11)식, (12)식을 대입해서Since it can be set to (5), (11), (12),
이 얻어져, 이하 마찬가지의 방법으로, 2단, 3단의 경우도Is obtained, and also in the case of two stages, three stages by the same method below
으로 순차 단수가 증가하여도, 정규화임피던스는 모두 매질의 고유임피던스 η와 그 길이 d 및 전파정수 γ로 표현된다.Even if the number of sequential stages increases, the normalized impedances are all expressed by the intrinsic impedance η, the length d, and the propagation constant γ of the medium.
따라서 본 발명은 임의의 단수에 있어서도 가장 광대역이 되도록 각단의 매질의 비투자율 μd 전율 εr과 길이의 조합을 선택하는 것이 된다.Therefore, the present invention provides a specific permeability μ d of the media of each stage so as to provide the widest bandwidth in any stage. The combination of the electric power ε r and the length is selected.
일반적으로, 자성체의 비투자율 μr, 비유전율 εr은In general, the relative permeability of the magnetic material μ r , the relative dielectric constant ε r is
로 표현할 수 있으며, 또한 주파수 분산특성을 가지고 잇다.It can be expressed as, and also has a frequency dispersion characteristic.
따라서, 매질의 정수를 어느 정도 변화시킬 수 있는가를 검토해둘 필요가 있다. NiZn계 소결페라이트의 비투자율은 μr은 직류시의 값에서 μr1=10~2,500 정도의 값이 얻어지며, μr2의 값도 μr1이 크면 커지고, 작으면 작아지는 것이 일반적이다. 그러나, 제 1 도와 같이 공극부를 가지게 함으로써, 동도면의 a-a'의 점으로부터 반사판 M방향을 본 때의 비투자율 μr은 자성체를 충진시킨 때의 비투자율로부터, 그 두께와 높이에 따라 외관상의 유전율(실효유전율)이 변화한다. 이것은 μr2에 관해서도 마찬가지이다. 물론, 같은 높이의 경우에는 두께 t가 얇아짐에 따라 낮아지고, 두께 t가 간격 S와 같은(t=S)때에는 2,500으로 되어 최고치를 나타낸다.Therefore, it is necessary to examine how much the constant of the medium can be changed. The relative permeability of the NiZn-based sintered ferrite has a value of μ r1 = 10 to 2,500 from the value of μ r in direct current, and the value of μ r2 is also large when the μ r1 is large and small when it is small. However, by having the air gap as shown in the first diagram, the specific permeability μ r when the reflecting plate M direction is seen from the point a-a 'of the same drawing is apparent from the specific permeability when the magnetic material is filled, depending on its thickness and height. The dielectric constant (effective dielectric constant) of is changed. This also applies to μ r2 . Of course, the same height is lowered as the thickness t becomes thinner, and when the thickness t is equal to the interval S (t = S), it becomes 2,500 to represent the highest value.
또, 외관상의 비유전율(실효유전율)도 마찬가지이며, tm=S인 때가 최고로서 약 15, 간격 S를 20mm로 한 때 t=6.5mm에서 약 εr1=1.2까지 저하시킬 수 있다. 단, 이것을 격자상으로 조합시킨 제27도에 나타낸 구조와 같이하면, 두께와 높이가 같은 조건이라도, 비투자율에 대해서는 거의 제26(a)도, 제26(b)도의 경우와 달라지지 않지만 실효비유전율 εr1=4.0이 된다. 또, 페라이트간에 도전재료를 개재시킴으로서 실효비유전율은 대폭 증가시킬 수 있다.In addition, the apparent dielectric constant (effective dielectric constant) is also the same. When t m = S, the maximum can be reduced from t = 6.5 mm to about ε r1 = 1.2 when the interval S is 20 mm. However, in the case of the structure shown in FIG. 27 in which this is combined in a lattice form, even if the conditions are the same in thickness and height, the specific permeability is almost the same as in the case of FIG. 26 (a) and FIG. 26 (b). The relative dielectric constant ε r1 = 4.0. In addition, the effective dielectric constant can be greatly increased by interposing the conductive material between the ferrites.
나아가서, NiZn계 소결페라이트의 비유전율 εr에 대해서는 εr1의 값은 주파수에 대하여 거의 일정하다고 보아도 좋으며 εr2의 값은 대단히 적은 것이 보통이다. 본 발명의 요지는 바로 이 점에 있으며, 공격부와 자성체부가 규칙적으로 배치됨으로써, 페라이트 타일 등의 자성체층의 유전율이 약 15로 비교적 높은 값인데 대하여 소망의 값으로 조정해서 이용하는 것에 있다.Furthermore, for the relative dielectric constant ε r of the NiZn-based sintered ferrite, it may be considered that the value of ε r1 is almost constant with respect to the frequency, and the value of ε r2 is usually very small. The gist of the present invention lies at this point, and the attack portion and the magnetic body portion are arranged regularly so that the dielectric constant of the magnetic layer such as ferrite tile is about 15, which is relatively high, and is adjusted to a desired value.
제 6 도는 본 발명의 실시예 1의 핀형 광대역전파흡수체의 구성을 나타내는 단면도이다. 본 실시예 1의 핀형 광대역전파흡수체는 도면에 나타내는 바와 같이 반사판 M으로부터 각각 높이 h1,2, 두께 tm1, tm2의 소결페라이트 F를 2단 접속시킨 구성으로 되어 있다. 상기 소결페라이트 F로서는 직류시의 비투자율 1,500의 NiZn계 재료를 사용한다. tm1=9.5mm, tm2=6.5mm, h1=7mm, h2=12mm, S=20mm의 경우의 페라이트 표면에 있어서 정규화 임피던스를 제 7 도에 나타낸다.6 is a cross-sectional view showing the configuration of the fin type broadband wave absorber of the first embodiment of the present invention. As shown in the drawing, the fin-type broadband wave absorber of the first embodiment has a configuration in which two sintered ferrites F having a height h 1 , 2 , thickness t m1 , and t m2 are connected to each other from the reflecting plate M. As the sintered ferrite F, a NiZn-based material having a specific permeability of 1,500 in direct current is used. The normalized impedance in the ferrite surface in the case of t m1 = 9.5 mm, t m2 = 6.5 mm, h 1 = 7 mm, h 2 = 12 mm and S = 20 mm is shown in FIG.
본 실시예 1에 의하면, 제 7 도에 나타내는 바와같이 30MHz~3,000MHz의 주파수에 걸쳐 SWR 1.2이하(전력흡수도 99% 이상)이다.According to the first embodiment, as shown in FIG. 7, the SWR is 1.2 or less (power absorption is 99% or more) over a frequency of 30 MHz to 3,000 MHz.
[실시예 2]Example 2
제8(a)도는 본 발명의 실시예 2의 격자형 광대역전파흡수체의 구성을 나타내는 사시도이며, 제8(b)도는 제9(a)도의 A-A'선 단면도이다. 본 실시예 2의 격자형 광대역전파흡수체는 제8(a)도 및 제8(b)도에 나타내는 바와 같이 반사판 M으로부터 각각 높이 h1,2, h3, 두께 tm1, tm2, tm3의 소결페라이트 F를 3단으로 접속시킨 구성으로 되어 있다.FIG. 8 (a) is a perspective view showing the structure of the lattice type broadband wave absorber of the second embodiment of the present invention, and FIG. 8 (b) is a cross-sectional view taken along the line A-A 'in FIG. 9 (a). As shown in Figs. 8 (a) and 8 (b), the lattice wideband wave absorbers of the second embodiment have heights h 1 , 2 , h 3 , thickness t m1 , t m2 , and t m3 from the reflecting plate M, respectively. The sintered ferrite F is connected in three stages.
그리고, 상기한 소결페라이트 F로서는 직류시의 비투자율 1,500의 NiZn계 재료를 사용하였다. h1=4mm, tm1=10mm, h2=5mm, tm2=6.5mm, h3=5mm, tm3=4.5mm, 간격 S=20mm인 때의 페라이트 표면에 있어서 정규화 임피던스를 제 9 도에 나타낸다.As the sintered ferrite F, a NiZn-based material having a specific permeability of 1,500 at the time of direct current was used. The normalized impedance on the ferrite surface at h 1 = 4 mm, t m1 = 10 mm, h 2 = 5 mm, t m2 = 6.5 mm, h 3 = 5 mm, t m3 = 4.5 mm and the spacing S = 20 mm is shown in FIG. Indicates.
본 실시예 2에 의하면, 제 9 도에 나타내는 바와같이 SWR 1.2이내에 30MHz~2,600MHz의 주파수까지 정합시킬 수 있다.According to the second embodiment, as shown in FIG. 9, matching can be made up to frequencies of 30 MHz to 2,600 MHz within SWR 1.2.
[실시예 3]Example 3
제10도는 본 발명의 실시예 3의 다른 핀형 광대역전파흡수체의 구성을 나타내는 단면도이다. 본 실시예 3의 핀형 광대역전파흡수체는 제10도에 나타내는 바와같이 반사판 M으로부터 각각 높이 h1, h2, h3, 두께 tm1, tm2, tm3의 소결페라이트 F를 3단으로 접속시킨 구성으로 되어 있다. 그리고, 상기 소결페라이트 F로서는 직류시의 비투자율 1,500의 NiZn계 재료를 사용하였다. h1=6mm, tm1=8mm, h2=6mm, tm2=7mm, h3=5mm, tm3=6.5mm, 간격 S=20mm인 때의 페라이트 표면에 있어서의 정규화 임피던스를 제11도에 나타낸다.10 is a cross-sectional view showing the configuration of another pin-type wideband wave absorber of the third embodiment of the present invention. As shown in FIG. 10, in the fin type broadband wave absorber of the third embodiment, sintered ferrites F having heights h 1 , h 2 , h 3 , thickness t m1 , t m2 , and t m3 are connected in three stages from the reflecting plate M, respectively. It is composed. As the sintered ferrite F, a NiZn-based material having a specific permeability of 1,500 in direct current was used. The normalized impedance on the ferrite surface at h 1 = 6 mm, t m1 = 8 mm, h 2 = 6 mm, t m2 = 7 mm, h 3 = 5 mm, t m3 = 6.5 mm and the spacing S = 20 mm is shown in FIG. Indicates.
본 실시예 3에 의하면, 제11도에 나타내는 바와같이 주파수 30MHz~3000MHz까지 반사량 -20dB 이하의 흡수특성이 얻어진다.According to the third embodiment, as shown in FIG. 11, absorption characteristics with a reflection amount of -20 dB or less are obtained up to a frequency of 30 MHz to 3000 MHz.
[실시예 4]Example 4
제12(a)도는 본 발명의 실시예 4의 또 다른 핀형 광대역전파흡수체의 구성을 나타내는 사시도이며, 제12(b)도는 제12(a)도의 A-A'선에 있어서의 단면도이다.FIG. 12 (a) is a perspective view which shows the structure of the further another fin-shaped broadband wave absorber of Example 4 of this invention, and FIG. 12 (b) is sectional drawing in the AA 'line of FIG. 12 (a).
본 실시예 4의 핀형 광대역전파흡수체는 상기 소결페라이트 F의 형상을 테이퍼상으로 한 것이다. 즉, 소결페라이트 F의 분할한 각부의 높이 h1,h2,h3,…,hn을 충분히 얇게하고, 각부의 두께를 전파도래방향에 따라 극히 조금씩 감소시켜가면, 극한에 있어서는 테이퍼상이된다. 그리고, 상기 소결페라이트 F로서는 직류시의 비투자율 2,500의 NiZn계 재료를 사용한다. tm1=10mm, tm2=4mm, h=20mm, 간격 S=20mm인 때의 페라이트 표면에 있어서 정규화 임피던스를 제22도에 나타낸다In the fin type broadband wave absorber of the fourth embodiment, the shape of the sintered ferrite F is tapered. In other words, the height h 1 , h 2 , h 3 ,... When h n is made sufficiently thin and the thickness of each part is reduced slightly by little along the direction of propagation, it becomes tapered in the limit. As the sintered ferrite F, a NiZn-based material having a specific permeability of 2,500 during direct current is used. Fig. 22 shows normalized impedance on the ferrite surface at t m1 = 10 mm, t m2 = 4 mm, h = 20 mm, and interval S = 20 mm.
본 발명의 실시예 4에 의하면, 제13도에 나타내는 바와 같이 30MHz~3000MHz까지 반사량 -20dB 이하의 흡수특성이 얻어졌다.According to Example 4 of the present invention, as shown in FIG. 13, absorption characteristics with a reflection amount of -20 dB or less were obtained from 30 MHz to 3000 MHz.
[실시예 5]Example 5
제14(a)도는 본 발명의 실시예 5의 2단형 선단 테이퍼형 광대역전파흡수체의 단면도로서, 제14(a)도는 금속판 M으로부터 균일한 격자층 h1이 있고, 다음의 제 2 단째의 층은 테이퍼형으로 구성된다.FIG. 14 (a) is a cross-sectional view of the two-stage tip tapered broadband wave absorber according to the fifth embodiment of the present invention, and in FIG. 14 (a), there is a uniform lattice layer h 1 from the metal plate M, and the second second layer Is tapered.
이 때의 테이퍼의 시작되는 부분은 두께 tms는 앞계단의 두께와는 다른 값을 가지도록 설계되어 있다.At the beginning of the taper, the thickness t ms is designed to have a different value than the thickness of the preceding stairs.
제14(b)도 및 제14(c)도는 본 발명의 실시예 5의 제14(a)도에 있어서 S=20mm, tm1=12.8mm, tms=8.4mm, tmt=1.2mm, h1=4.8mm, ht=45mm, (3)식에 있어서의 P=5로 제작한 2단 전파흡수체의 규격화임피던스 및 반사량을 각각 나타낸 것이다. 여기서 알 수 있는 바와같이, 주파수 30MHz~2110MHz까지 반사량 -20dB 이하의 흡수특성이 얻어짐을 알 수 있다.14 (b) and 14 (c) show S = 20mm, t m1 = 12.8mm, t ms = 8.4mm, t mt = 1.2mm, in FIG. 14 (a) of Embodiment 5 of the present invention. h 1 = 4.8mm, shows a h t = 45mm, (3) normalized impedance and the reflection amount of a two-stage radio wave absorber produced by P = 5 in the formula respectively. As can be seen here, it can be seen that absorption characteristics with a reflectance of -20 dB or less are obtained up to a frequency of 30 MHz to 2110 MHz.
또, 제15(a)도 및 제15(b)도는 본 발명의 실시예 5의 예로서, 제14(a)도에 있어서, S=20mm, tm1=14.8mm, tms=2mm, tmt=0.6mm, h1=4.8mm, ht=32mm, (3)식에 있어서의 P=3으로 제작한 테이퍼형 2단 전파흡수체의 규격화임피던스 및 반사량을 각각 나타낸 것으로 주파수 40MHz~3040MHz까지 반사량 -20dB 이하의 전파흡수특성이 얻어졌다.15 (a) and 15 (b) are examples of the fifth embodiment of the present invention. In FIG. 14 (a), S = 20 mm, t m1 = 14.8 mm, t ms = 2 mm, t mt = 0.6mm, h 1 = 4.8mm, h t = 32mm, standardized impedance and reflectance of tapered two-stage wave absorber manufactured by P = 3 in the formula (3), respectively, reflectance up to frequency 40MHz ~ 3040MHz Radio wave absorption characteristics of -20 dB or less were obtained.
[실시예 6]Example 6
제16(a)도는 및 제16(b)도는 본 발명의 실시예 6의 3단형 선단 테이퍼형 광대역전파흡수체의 단면도로서 제16(a)도는 금속판 M으로부터 계단상의 2층 h1, h2가 있고, 다음의 제 3 단째의 층이 테이퍼형으로 구성되어 있으며, 이 때의 테이퍼의 시작되는 부분은 두께 tms는 제16(a)도와 같이 바로 앞단(제 2 단)단의 두께와 같게 정하거나 제14(a)도 및 제16(b)도와 같이 바로 앞단의 두께와는 다른 값을 가지도록 설계할 수도 있다. 제16(c)도 및 제16(d)도는 본 발명의 실시예 6의 3단형 선단테이퍼형 양편파용 광대역전파흡수체인 제18도에 있어서, S=20mm, tm1=14.8mm, tms=1.4mm, tmt=0.26mm, h1=4.8mm, h2=20mm, ht=18mm, (3)식에 있어서의 P=20으로 제작한 전파흡수체의 규격화임피던스 및 반사량을 각각 나타낸 것으로, 이 전파흡수체는 상한주파수 3570MHz까지 반사량 -20dB 이하의 흡수특성이 얻어져서 초광대역 전파흡수특성이 얻어졌다.Claim 16 (a) to turn and the 16 (b) turning the second floor on the stairs from the metal plate M to turn the 16 (a) illustrates a sectional view of the third Monotype tip end tapered broadband radio wave absorber of Example 6 of the present invention, h 1, h 2 is The third layer of the next stage is formed in a tapered shape, and the starting portion of the taper at this time is defined such that the thickness t ms is equal to the thickness of the immediately preceding (second stage) stage as shown in the 16th (a). Alternatively, it may be designed to have a value different from the thickness of the front end as shown in FIGS. 14 (a) and 16 (b). 16 (c) and 16 (d) are the three-stage tip tapered wideband wave absorbers for polarization wave according to the sixth embodiment of the present invention, where S = 20mm, t m1 = 14.8mm, t ms. = 1.4 mm, t mt = 0.26 mm, h 1 = 4.8 mm, h 2 = 20 mm, h t = 18 mm, and the standardized impedance and reflectance of the radio wave absorber manufactured by P = 20 in (3), respectively. This absorber has absorption characteristics of less than -20dB of reflectance up to an upper limit of frequency of 3570MHz, resulting in ultra-wide band absorption.
실시예 5 및 실시예 6에 있어서 각각의 자성체기의 두께 tm는 반사판으로부터 전파의 도래방향을 향하여 순차적으로 감소하고, 최종의 테이퍼 부분은 tm의 두께로부터 tmt까지 다음 식에 따라 변 화하게 설계한다. 예를들어, 제14(a)도의 테이퍼부(h1S×＜h1＋h2)의 폭이 절반인 y점의좌표는 제17도에서In Examples 5 and 6, the thickness t m of each magnetic body was sequentially decreased from the reflecting plate toward the direction of radio wave propagation, and the final tapered portion changed from the thickness of t m to t mt according to the following equation. To be designed. For example, the coordinate of the point y at half the width of the tapered portion h 1 S × <h 1 + h 2 in FIG. 14 (a) is shown in FIG.
와 같다. 여기서 p는 테이퍼의 경사도를 결정하는 계수이다.Same as Where p is a coefficient that determines the inclination of the taper.
따라서, 본 발명의 초광대역전파흡수체는 종래의 페라이트 타일 전파흡수체가 제19도에서 보는 바와 같이 30MHz~370MHz에서 -20dB의 반사량을 보이는 것에 비하면 거의 10배정도 광대역화 됨을 알 수 있다.Therefore, it can be seen that the ultra-wideband wave absorber of the present invention is almost 10 times wider than the conventional ferrite tile wave absorber showing a reflection amount of -20 dB at 30 MHz to 370 MHz as shown in FIG.
이상의 설명으로부터 알 수 있는 바와 같이, 상기 본 발명의 실시예 1 내지 6에 의하면 핀형 또는 격자형 전파흡수체와 같이 규칙적으로 공극의 반복구조를 가지는 전파흡수체(소결페라이트 F)이고, 전파흡수체의 높이 h가 비교적 높으므로 그 높이의 범위내를 구분하여 각각의 높이와 실효유전율, 실효튜자율을 변화시킴으로써, 또는 최종의 계단은 테이퍼상으로 구성함으로써 광대역인 입력임피던스특성, 즉, 광대역전파흡수특성을 쉽게 얻을 수 있다.As can be seen from the above description, according to the first to sixth embodiments of the present invention, like the fin-type or lattice-type wave absorber, it is a wave absorber (sintered ferrite F) having a regularly repeating structure of voids, and the height h of the wave absorber Is relatively high, so that each of the height, effective dielectric constant, and effective tube rate can be divided and the final step can be tapered so that the input impedance characteristic of broadband can be easily obtained. You can get it.
또, 전파흡수체의 공극부를 가지므로, 예를들면, 반사판을 금속망 또는 작은 구멍이 뚫린 금속핀 등으로 구성하므로써 잔파암실용의 흡수체 벽재로 사용할때, 실내의 조명, 환기를 하기 쉽고, 대전력에도 강제공냉에 보다 견딜 수 있는 벽재로 사용할 수 있으며, 제작도 비교적 용이하고 불에 타지 않는 장점도 있다.In addition, since the air absorber has air gaps, it is easy to illuminate and ventilate the room when using it as an absorber wall material for a residual wave dark room, for example, by forming a reflector plate with a metal net or a metal hole with a small hole. It can be used as a more durable wall material for forced air cooling, and it is also relatively easy to manufacture and does not burn.
본 발명의 광대역전파흡수체는 그 단독으로의 이용은 물론 제20도에 나타내는 바와 같이, 그 전방(전파입사방향)에 유전체막 또는 저투자율 자성체막 RF를 추가해서 더욱 광대역화할 수 있다. 또, 제21도에 나타내는 바와 같이 마찬가지로 전방에 손실유전체 DL을 추가해서 사용할 수도 있다.The broadband radio wave absorber of the present invention can be further widened by using a dielectric film or a low magnetic permeability magnetic film RF in front of it (as shown in FIG. 20) as well as using it alone. In addition, as shown in FIG. 21, a lossy dielectric DL can be added and used in the front.
어떤 경우라도, 본 발명의 전파흡수체가 이미 상당히 높은 주파수까지 광대역화되어 있으므로, 부가하는 유전체막이나 자성체막의 위치, 손실유전체의 높이는 최대로도 본 발명의 전파흡수체의 최고사용주파수의 2분의 1파장 이내이므로 종래의 자성체막이나 유전체막을 부가한 흡수체에 비하여 대폭적으로 전체의 높이가 낮아진다.In any case, the radio wave absorber of the present invention has already been widened to a considerably high frequency, so that the position of the dielectric film or magnetic film to be added and the height of the lossy dielectric are at most one half of the maximum operating frequency of the radio wave absorber of the present invention. Since it is within a wavelength, compared with the conventional absorber which added the magnetic film or the dielectric film, the height of the whole is significantly reduced.
이상, 본 발명을 실시예에 의거하여 설명하였지만, 본 발명은 상술한 실시예에 한정되는 것은 아니고, 그 요지를 벗어나지 않는 범위내에서 다양하게 변경가능한 것은 말할 필요도 없다.As mentioned above, although this invention was demonstrated based on the Example, this invention is not limited to the Example mentioned above, Needless to say that it can be variously changed in the range which does not deviate from the summary.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면 핀형 또는 격자형의 전파흡수체와 같이 규칙적으로 공극부와 페라이트부의 반복구조를 가지는 전파흡수체를 그 높이의 범위내를 다단계로 구분하여, 각각의 높이의 실효유전율, 실효투자율을 변화시키고, 또한 높이방향의 일부를 데이퍼구조로 함으로써 광대역인 입력임피던스특성, 즉 초광대역에 걸친 전파흡수특성을 쉽게 얻을 수 있다.As described above, according to the present invention, an effective dielectric constant of each height is classified into a multi-stage within the range of the height of the wave absorber having a repeating structure of the gap portion and the ferrite portion, such as the fin-type or lattice wave absorber By varying the effective permeability and making a part of the height direction as a data structure, it is possible to easily obtain a wide bandwidth input impedance characteristic, that is, a radio wave absorption characteristic over an ultra wide band.
Claims (9)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930006457A KR960005135B1 (en) | 1993-04-16 | 1993-04-16 | Wide-band electric wave absorber |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930006457A KR960005135B1 (en) | 1993-04-16 | 1993-04-16 | Wide-band electric wave absorber |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960005135B1 true KR960005135B1 (en) | 1996-04-20 |
Family
ID=19354093
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019930006457A KR960005135B1 (en) | 1993-04-16 | 1993-04-16 | Wide-band electric wave absorber |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960005135B1 (en) |
-
1993
- 1993-04-16 KR KR1019930006457A patent/KR960005135B1/en not_active IP Right Cessation
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