KR960002477A - 반도체 소자의 층간 콘택 방법 - Google Patents
반도체 소자의 층간 콘택 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR960002477A KR960002477A KR1019940012898A KR19940012898A KR960002477A KR 960002477 A KR960002477 A KR 960002477A KR 1019940012898 A KR1019940012898 A KR 1019940012898A KR 19940012898 A KR19940012898 A KR 19940012898A KR 960002477 A KR960002477 A KR 960002477A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- active region
- semiconductor device
- contact
- interlayer contact
- interlayer
- Prior art date
Links
Landscapes
- Semiconductor Memories (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
본 발명은 반도체 소자 제조시 반도체 기판(200)의 활성영역(204) 및 층간 콘택(contact)이 필요한 다층 전도막(205,220,210)의 층간 콘택방법에 있어서, 콘택을 요하는 최상층에 존재하는 전도막(210)이 반도체 기판(200)의 활성영역(204) 및 하부 다수의 전도막(205,220) 중 예정된 적어도 어느 하나(220)와 동시에 콘택되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 층간 콘택 방법에 관한 것으로, 하나의 콘택공정으로 두개 이상의 층(210,220) 및 활성영역(204)을 용이하게 콘택함으로써 콘택공정을 단순화시킬 수 있으며, 콘택의 수를 최소화시켜 오버랩 마진의 크기를 감소시킴으로써 넓은 능동영역을 확보할 수 있기 때문에 반도체 소자의 축소가 가능하여 수율을 향상시킬 수 있고 대량생산이 용이하고, 또한, 매립형 콘택을 사용하지 않음으로써 결함발생의 제어가 용이하며, 매립형 콘택의 부산물인 트랜치가 형성되지 않아 정전 유기 불량을 감소시킬 수 있는 반도체 소자의 층간 콘택 방법에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도는 에스램(SRAM) 내의 층간 콘택을 나타내는 회로도,
제2B도는 본 발명의 일실시예에 따른 층간 콘택의 단면도.
Claims (3)
- 반도체 소자 제조시 반도체 기판(200)의 활성영역(204) 및 층간 콘택(contact)이 필요한 다층 전도막(205,220,210)의 층간 콘택방법에 있어서, 콘택을 요하는 최상층에 존재하는 전도막(210)이 반도체 기판(200)의 활성영역(204) 및 하부 다수의 전도막(205,220,221) 중 예정된 적어도 어느 하나와 동시에 콘택되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 층간 콘택 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 다층 전도막(205,220,221,210)은 2층 또는 3층 전도막인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 층간 콘택 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 콘택을 요하는 최상층에 존재하는 전도막(210)은 매립형(buried) 콘택을 이용하지 않고 직접 반도체 기판(200)의 활성영역(204)에 콘택하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 층간 콘택 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019940012898A KR960002477A (ko) | 1994-06-08 | 1994-06-08 | 반도체 소자의 층간 콘택 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019940012898A KR960002477A (ko) | 1994-06-08 | 1994-06-08 | 반도체 소자의 층간 콘택 방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR960002477A true KR960002477A (ko) | 1996-01-26 |
Family
ID=66686200
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019940012898A KR960002477A (ko) | 1994-06-08 | 1994-06-08 | 반도체 소자의 층간 콘택 방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR960002477A (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0848920A1 (en) * | 1996-12-18 | 1998-06-24 | Jeong Joo Suh | Eyelash curling apparatus |
-
1994
- 1994-06-08 KR KR1019940012898A patent/KR960002477A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0848920A1 (en) * | 1996-12-18 | 1998-06-24 | Jeong Joo Suh | Eyelash curling apparatus |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR970071090A (ko) | 액티브 매트릭스 기판 및 그 제조 방법 | |
KR970060496A (ko) | 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
KR900007085A (ko) | 반도체집적회로장치 및 그 제조방법 | |
KR930009079A (ko) | 반도체 기억장치 및 그 제조방법 | |
KR960006036A (ko) | 반도체장치 및 그의 제조방법 | |
KR920010922A (ko) | 반도체기억장치 및 그 제조방법 | |
KR970072325A (ko) | 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
KR960002477A (ko) | 반도체 소자의 층간 콘택 방법 | |
KR980006115A (ko) | 전자 장치, 집적 회로 및 그의 제작 방법 | |
KR960043021A (ko) | 반도체 집적 회로 및 그 제조 방법 | |
KR940012614A (ko) | 고집적 반도체 접속장치 및 그 제조방법 | |
KR950026000A (ko) | 반도체 메모리장치 및 그 제조방법 | |
KR970052391A (ko) | 반도체 장치의 콘택홀 형성 방법 | |
KR960002678A (ko) | 다층구조 전도막의 콘택방법 | |
KR970054163A (ko) | 반도체 소자의 캐패시터 및 그 제조 방법 | |
KR960039356A (ko) | 반도체 소자의 전하저장전극 제조방법 | |
KR960001888A (ko) | 반도체소자의 콘택 제조방법 | |
KR960036070A (ko) | 반도체 메모리장치 및 그 제조방법 | |
KR950028148A (ko) | 디램소자 및 그 제조방법 | |
KR950030255A (ko) | 반도체 메모리장치의 평탄화방법 | |
KR960039288A (ko) | 반도체장치 제조방법 | |
KR950004398A (ko) | 반도체소자의 콘택제조방법 | |
KR970053545A (ko) | 반도체 소자의 다층배선구조 | |
KR950034419A (ko) | 반도체 소자 및 그 제조방법 | |
KR960002842A (ko) | 반도체소자의 전하보존전극 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E801 | Decision on dismissal of amendment | ||
E601 | Decision to refuse application |