KR960001894A - 레지스트 패턴의 형성방법과 그 방법에 쓰이는 산성 수용성 재료 조성물 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 title claims abstract 15
- 239000002195 soluble material Substances 0.000 title claims abstract 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims abstract 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims 7
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 5
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical group OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 4
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical group 0.000 claims 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims 4
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- WTQZSMDDRMKJRI-UHFFFAOYSA-N 4-diazoniophenolate Chemical group [O-]C1=CC=C([N+]#N)C=C1 WTQZSMDDRMKJRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 claims 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03F7/11—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having cover layers or intermediate layers, e.g. subbing layers
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/091—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/094—Multilayer resist systems, e.g. planarising layers
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- G—PHYSICS
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- Structural Engineering (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
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Abstract
레지스트 패턴을 형성하는 방법은 고해상도와 넓은 초점 여유와 좋은 구성 및 높은 감도를 갖는다.
알칼리 현상액으로 현상되며 빛을 받자마자 화학적 변화를 일으키는 형태의 레지스트막(2)은 반도체 기판(1)에 형성된다.
산성막은 레지스트막(2)위에 산성 수용성 재료로 부터 형성되며, 막의 두께가 1㎛일 때, 그 빛에 노출되기 전과 노출되는 동안에 최소한 70%의 투과도를 갖는다.
그 빛(5)은 선택적으로 레지스트막(2)을 향하여 조사(照射)되어 레지스트막 (2) 상(像)을 형성한다.
알칼리 현상액으로 레지스트막(2)을 현상하여 레지스트 패턴(7)을 형성한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도 내지 제3도는 본 발명에 따른 레지스트 패턴(resist pattern)의 제조방법의 제1 내지 3단계를 나타낸 반도체 소자의 단면도.
제4도는 레지스트 패턴을 형성하는 종래의 방법에서 현상시간과 레지스트 잔류막과의 관계를 도시한 관계도.
제5도는 본 발명에 따른 레지스트 패턴을 형성하는 방법에서 현상시간과 레지스트 잔류막과의 관계를 도시한 관계도.
Claims (13)
- 알칼리 현상액으로 현상되고 빛을 받자마자 화학적 변화를 일을키는 형태의 레지스트막(resist film)(2)을 반도체 기판(1)위에 형성하는 단계; 막의 두께가 1㎛일 때, 상기 빛에 노출되기 전과 노출되는 동안에 최소한 70%의 투과도를 갖으며 산성 수용성 재료인 산성막(3)을 상기 레지스트막(2)위에 형성하는 단계; 상기 레지스트막(2)을 향하여 상기 빛(5)을 선택적으로 조사(照射)하여 상기 레지스트막 (2)에 상(像)이 형성되게 하는 단계; 및 알칼리 현상액으로 상기 레지스트막(2)을 현상하여 레지스트 패턴(7)을 형성하는 단계로 이루어진 레지스트 패턴(a Resist Pattern)의 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 빛을 조사(照射)한 후, 상기 현상을 하기 전, 상기 산성막(3)을 제거하는 단계를 부가하는 레지스트 패턴의 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 산성막(3)을 형성하기 전에 상기 레지스트막(2)을 베이킹(baking)하는 단계를 부가하는 레지스트 패턴의 형성방법.
- 제3항에 있어서, 상기 빛을 조사(照射)하기 전에 상기 레지스트막(2)과 상기 산성막(3)을 베이킹하는 단계를 부가하는 레지스트 패턴의 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 빛을 조사(照射)하기 전에 상기 레지스트막(2)과 상기 산성막(3)을 베이킹하는 단계를 부가하는 레지스트 패턴의 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 레지스트막(2)은 퀴논 디아지드(quinone diazide)영역을 포함하는 감광성 에이전트(photosensitive agent)와 노볼락 수지(novolacresin)로 이루어진 레지스트 패턴의 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 산성(3)막의 두께는 500Å 내지 2000Å인 레지스트 패턴의 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 수용성 재료는 카르복실산(carboxylic acid)과 술폰산 (sulfonicacid)같은 산성그룹(group)을 포함하는 수지로 이루어진 레지스트 패턴의 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 수용성 재료는 카르복실 산이나 술폰 산 같은 산성 저분자 유기 화합물과 수용성 수지로 이루어진 레지스트 패턴의 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 산성막(3)이 상기 레지스트막(2)에 남아 있을 때, 상기 빛은 상기 레지스트막(2)을 향하여 조사(照射)되는 레지스트 패턴의 형성방법.
- 알칼리 현상액으로 현상되고 빛을 받자마자 화학적 변화를 일으키는 형태의 레지스트막(2)을 반도체 기판(1)위에 형성하는 단계; 막의 두께가 1㎛일 때, 상기 빛에 노출되기 전과 노출되는 동안에 최소한 70%의 투과도를 갖고 산성 수용성 재료인 산성막(3)을 상기 레지스트막(2)위에 형성하는 단계; 상기 산성막(3)을 제거하는 단계; 상기 레지스트막(2)을 향하여 상기 빛(5)을 선택적으로 조사(照射)하여 상기 레지스트막(2)에 상(像)이 형성되게 하는 단계; 및 알칼리 현상액으로 상기 레지스트막(2)을 현상하여 레지스트 패턴(7)을 형성하는 단계로 이루어진 레지스트 패턴의 형성방법.
- 알칼리 현상액으로 현상되고 빛을 받자마자 화학 변화를 일으키는 형태의 레지스트막(2) 상에 코팅(coating)된 산성 수용성 재료 조성물에 있어서, 카를복실 산과 술폰 산 같은 산성그룹을 포함하는 수지와 물로 구성되는 것을 특징으로 하는 상기 산성 수용성 재료 조성물.
- 알칼리 현상액에 현상되고 빛을 받자마자 화학 변화를 일으키는 형태의 레지스트막(2)에 코팅되는 산성수용성 재료 조성물에 있어서, 카르복실 산과 술폰 산 같은 산성 저분자 유기 화합물과 물 및 수용성 수지로 구성되는 것을 특징으로 하는 상기 산성 수용성 재료 조성물.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6143131A JPH086256A (ja) | 1994-06-24 | 1994-06-24 | レジストパターンの形成方法および該方法に用いられる酸性の水溶性材料組成物 |
JP94-143131 | 1994-06-24 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR960001894A true KR960001894A (ko) | 1996-01-26 |
KR0160921B1 KR0160921B1 (ko) | 1998-12-15 |
Family
ID=15331642
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019950005875A KR0160921B1 (ko) | 1994-06-24 | 1995-03-20 | 레지스트 패턴의 형성방법 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5648199A (ko) |
JP (1) | JPH086256A (ko) |
KR (1) | KR0160921B1 (ko) |
DE (1) | DE4443934A1 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100388396B1 (ko) * | 1999-03-12 | 2003-06-25 | 루센트 테크놀러지스 인크 | 에너지 민감성 레지스트 물질 및 에너지 민감성 레지스트물질을 사용하는 디바이스 제조 방법 |
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JP2002148820A (ja) * | 2000-11-15 | 2002-05-22 | Clariant (Japan) Kk | パターン形成方法及びこの方法に使用される処理剤 |
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JP2007206229A (ja) * | 2006-01-31 | 2007-08-16 | Renesas Technology Corp | レジストパターン形成方法および半導体装置の製造方法 |
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JP5898985B2 (ja) | 2011-05-11 | 2016-04-06 | 東京応化工業株式会社 | レジストパターン形成方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPH01106049A (ja) * | 1987-10-20 | 1989-04-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パターン形成方法 |
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-
1994
- 1994-06-24 JP JP6143131A patent/JPH086256A/ja not_active Withdrawn
- 1994-12-09 DE DE4443934A patent/DE4443934A1/de not_active Withdrawn
-
1995
- 1995-03-20 KR KR1019950005875A patent/KR0160921B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1995-11-21 US US08/561,598 patent/US5648199A/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE4443934A1 (de) | 1996-01-11 |
US5648199A (en) | 1997-07-15 |
JPH086256A (ja) | 1996-01-12 |
KR0160921B1 (ko) | 1998-12-15 |
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A201 | Request for examination | ||
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