KR950034414A - 반도체소자의 감광막 패턴 제조방법 - Google Patents
반도체소자의 감광막 패턴 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR950034414A KR950034414A KR1019940011004A KR19940011004A KR950034414A KR 950034414 A KR950034414 A KR 950034414A KR 1019940011004 A KR1019940011004 A KR 1019940011004A KR 19940011004 A KR19940011004 A KR 19940011004A KR 950034414 A KR950034414 A KR 950034414A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- pattern
- photoresist
- layer
- semiconductor device
- photoresist pattern
- Prior art date
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
본 발명은 반도체 소자의 감광막 패턴 제조방법에 관한것으로서, 소정의 기판상에 하측 감광막과 에스.오.지층 및 상측 감광막을 순차적으로 형성한 후, 상기 상측 감광막을 축소노광장치로 선택노광 및 현상하여 상측 감광막패턴을 형성하고, 이를 마스크로 에스.오.지층을 식각하여 에스.오.지층 패턴을 마스크로 노출되어 있는 하측 감광막을 순수 산소 플라스마로 에칭하여 언더컷이진 하측 감광막패턴을 형성하였으므로, 하측 감광막패턴의 언더컬의 깊이 만큼 패턴의 폭이 감소되어 축소노광장치의 분해능 이하로 미세패턴을 형성하여 소자의 고집적화에 유리하고, 공정이 간단하여 공정수율 및 공정단가를 절감할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 및 제1D도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 제조 공정도.
Claims (4)
- 소정의 기판상에 하측 감광막을 형성하는 공정과, 상기 하측 감광막상에 에스.오.지층을 형성하는 공정과, 상기 에스.오.지층 상에 상측 감광막을 형성하는 공정과, 상기 상측 감광막을 사진현상하여 에스.오.지층을 노출시키는 상측 감광막패턴을 형성하는 공정과, 상기 상측 감광막패턴에 의해 노출되어 있는 에스.오.지층을 제거하여 에스.오.지층 패턴을 형성하는 공정과, 상기 에스.오.지층 패턴에 의해 노출되어 있는 하측 감광막을 식각하여 언더컷이진 하측 감광막패턴을 형성하는 공정을 구비하는 반도체소자의 감광막 패턴 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 하측 감광막의 식각을 순수 산소 플라즈마로 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 감광막 패턴 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 하측 감광막의 식각을 MERIE를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 감광막 패턴 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 하측 감광막패턴을 형성한 후, 상기 에스.오.지층 패턴을 비.오.이 용액으로 습식제거하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 감광막 패턴 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940011004A KR950034414A (ko) | 1994-05-20 | 1994-05-20 | 반도체소자의 감광막 패턴 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940011004A KR950034414A (ko) | 1994-05-20 | 1994-05-20 | 반도체소자의 감광막 패턴 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950034414A true KR950034414A (ko) | 1995-12-28 |
Family
ID=66682099
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940011004A KR950034414A (ko) | 1994-05-20 | 1994-05-20 | 반도체소자의 감광막 패턴 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR950034414A (ko) |
-
1994
- 1994-05-20 KR KR1019940011004A patent/KR950034414A/ko not_active Application Discontinuation
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR960005864A (ko) | 미세패턴 형성방법 | |
| KR950024275A (ko) | 미세 레지스트 패턴형성방법 | |
| KR970018110A (ko) | 반도체장치의 패턴 형성방법 | |
| KR950034414A (ko) | 반도체소자의 감광막 패턴 제조방법 | |
| JPH02262319A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPS57183030A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| KR950014945B1 (ko) | 반도체소자의 미세패턴 형성방법 | |
| US6309804B1 (en) | Reducing contamination induced scumming, for semiconductor device, by acid treatment | |
| US6372658B1 (en) | Reducing contamination induced scumming, for semiconductor device, by ashing | |
| KR100365752B1 (ko) | 반도체소자의콘택홀형성방법 | |
| JPH08203821A (ja) | パターン形成方法 | |
| KR930001301A (ko) | 반도체 패턴 형성방법 | |
| KR970018148A (ko) | 반도체소자의 미세패턴 제조방법 | |
| KR950014983A (ko) | 사진식각방법 | |
| KR19980026093A (ko) | 반도체 장치의 미세패턴 형성방법 | |
| KR970018536A (ko) | 원통형 캐패시터를 형성하는 반도체기억장치의 제조방법 | |
| KR950021075A (ko) | 반도체장치의 콘택홀 형성방법 | |
| KR940007610A (ko) | 산화 처리를 이용한 이중감광막 미세패턴 형성방법 | |
| KR970022517A (ko) | 포토마스크 및 그 제조방법 | |
| KR960005806A (ko) | 반도체소자의 감광막패턴 제조방법 | |
| KR940004747A (ko) | 레지스트 패턴형성방법 | |
| KR950019919A (ko) | 반도체소자의 미세패턴 형성방법 | |
| KR950025913A (ko) | 반도체소자의 미세패턴 형성방법 | |
| KR950021047A (ko) | 포토레지스트의 미세패턴 형성방법 | |
| KR940015704A (ko) | 실리레이션용 감광막 패턴 형성방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E601 | Decision to refuse application |