KR950030310A - 다층 금속배선 형성방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 하층금속막(1) 상에 상층금속막(2)을 접속하는 반도체 소자의 다층 금속배선 형성 방법에 있어서; 하층금속막(1) 및 층간절연막(2)을 형성하는 단계; 상기 층간절연막(2)의 소정 부위를 식각하여 이후에 형성되는 상층금속막(2)과의 접속부위인 하층금속막(1)을 오픈(open)시키는 단계; 오픈된 하층금속막(1)의 일부를 식각하는 단계; 전체구조 상부에 상층금속막(3)을 중착하는 단계; 300∼500℃의 온도에서 90∼150분간 열처리하여 상호 금속층(1,3)간의 접촉저항을 감소시키는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 다층 금속배선 형성 방법에 관한 것으로, 반도체 소자의 신뢰도 및 수율을 향상시키는 효과가 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2C도는 본 발명의 일실시예에 따른 이중금속배선(DLM)공정 단면도.
Claims (1)
- 하층금속막(1) 상에 상층금속막(2)을 접속하는 반도체 소자의 다층 금속배선 형성 방법에 있어서; 하층금속막(1) 및 층간절연막(2)을 차례로 형성하는 단계; 상기 층간절연막(2)의 소정 부위를 식각하여 이후에 형성되는 상층금속막(2)과의 접속부위인 하층금속막(1)을 오픈(open)시키는 단계; 오픈된 하층금속막(1)의 일부를 식각하는 단계; 전체구조 상부에 상층금속막(3)을 증착하는 단계; 300∼500℃의 온도에서 90∼150분간 열처리하여 상호 금속층(1,3)간의 접촉저항을 감소시키는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 다층금속배선 형성 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940006959A KR950030310A (ko) | 1994-04-01 | 1994-04-01 | 다층 금속배선 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940006959A KR950030310A (ko) | 1994-04-01 | 1994-04-01 | 다층 금속배선 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950030310A true KR950030310A (ko) | 1995-11-24 |
Family
ID=66677399
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940006959A KR950030310A (ko) | 1994-04-01 | 1994-04-01 | 다층 금속배선 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR950030310A (ko) |
-
1994
- 1994-04-01 KR KR1019940006959A patent/KR950030310A/ko not_active Application Discontinuation
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