KR950012616A - 반도체 장치의 식각 공정동안 불순물을 제어하기 위한 중합체 증착 방법 - Google Patents

반도체 장치의 식각 공정동안 불순물을 제어하기 위한 중합체 증착 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 가공물이 플라즈마 식각동안 자유 뷰유하는 미립 불순물과의 접촉으로부터 반도체 가공물을 보호하기 위한 방법에 관한 것이다. 플라즈마에 대한 노출시에 중합체 코우팅을 형성시킬 수 있는 기체상 재료가 사용되어, 식각 챔버벽 쪽으로 미립 불순물을 접속시키는 중합체 코우팅의 막을 형성시켜서, 상기 불순물이 가공물 표면을 오염시키는데에 이용될 수 없게 한다. 바람직한 재료는 할로겐화 탄소가스를 포함한다.

Description

반도체 장치의 식각 공정동안 불순물을 제어하기 위한 중합체 증착 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 보호성 및 점착성 할로겐화 탄소 코우팅을 나타내는 대표적 플라즈마 식각 시스템 배열의 수직 단면의 개략도.

Claims (17)

  1. (a)내부 벽에 가공물 받침대 및 플라즈마 발생 입자 잔류물이 부착된 플라즈마 식각 챔버를 제공하는 단계; (b)플리즈마 글로우 방전 조건하에 증발하는 하나 이상의 탄소 함유재료를 챔버내로 전달하는 단계; (c)플라즈마 식각 챔버내에서 플라즈마를 활성화시키는 단계; 및 (d)탄소 함유 재료를 중합시키고, 0.1㎛(1,000Å) 이상의 두께를 갖는 층으로 챔버의 내벽의 표면 코우팅을 증착시키기에 충분한 기간 동안 챔버 벽보다 높은 가공물 받침대의 온도 및 100 내지 700mTorr의 압력에서 챔버들 유지시켜서, 축적된 불순물 입자에 대해 상호 관통하는 중합체 막 네트워크를 형성시키고, 이에 의해 미립 불순물을 접속시키고, 추가의 식각 공정 사용을 위해 플라즈마 챔버 불순물을 제거하는 단계로 이루어지는, 챔버 벽에 플라즈마 발생 미립 부생성물을 보유시키기 위해 플라즈마 식각 챔버를 코우팅시키기 위한 방법.
  2. 제1항에 있어서, 탄소 함유 재료가 유기 포토레지스트임을 특징으로 하는 방법.
  3. 제1항에 있어서, 탄소 함유 재료가 알칸, 알켄 또는 할로겐화 탄소 가스임을 특징으로 하는 방법.
  4. 제3항에 있어서, 탄소 함유 재료가 트리클로로메탄(CHCl3), 테트라플루오로메탄(CF4), 디플루오로메탄(CH2F2), 트리플루오로메탄(CHF3), 테트라플루오로에틸렌(C2F4), 퍼플루오로프로판(C3F8) 및 클로로트리플루오로메탄(ClCF3)으로부터 선택된 할로겐화 탄소 가스임을 특징으로 하는 방법.
  5. (a) 플라즈마 식각 챔버를 제공하는 단계; (b)하나 이상의 식각제 가스 및 하나 이상의 탄소 함유 가스를 상기 챔버내로 전달하는 단계; (c)플라즈마 식각 챔버내에서 플라즈마를 활성화시키는 단계; 및 (d) 플라즈마 공정조건을 조절하여, 가공물의 병행 및 연속 식각 및 챔버의 내벽상의 막 형성을 수행하고, 이에 의해, 상호 관통하는 중합체 막 네트워크가 플라즈마 발생 입자 불순물을 집속시키고 감싸서 내벽 표면에 이 불순물을 보유하게 하는 단계로 이루어지는, 금속 막 가공물의 플라즈마 식각동안 플라즈마 반응 챔버의 내벽에 축적된 플라즈마 발생 미립 부생성무을 제어하기 위한 방법.
  6. 제5항에 있어서, 플라즈마 공정 조건이 챔버벽에서 식각을 감소시키고 막 증착을 증가시키도록 변화됨을 특징으로 하는 방법.
  7. 제6항에 있어서, 챔버내에 N2및 Cl2가 더 전달됨을 특징으로 하는 방법.
  8. 제6항에 있어서, 압력이 500mT로부터 300mT로 감소하고, 가공물 받침대 온도가 챔버벽의 온도 이상으로 증가하여 5℃ 이상의 온도차가 이루어짐을 특징으로 하는 방법.
  9. 제5항에 있어서, 탄소 함유 가스가 알칸, 알켄 또는 할로겐화 탄소 가스로부터 선택됨을 특징으로 하는 방법.
  10. 제5항에 있어서, 탄소 함유 가스가 트리클로로메탄(CHCl3), 테트라플루오로메탄(CF4), 디플루오로메탄(CH2F2), 트리플루오로메탄(CHF3), 테트라플루오로에틸렌(C2F4), 퍼플루오로프로판(C3F8) 및 클로로트리플루오로메탄(ClCF3)으로부터 선택된 할로겐화 탄소 가스임을 특징으로 하는 방법.
  11. 제5항에 있어서, 식각제 가스가 탄소 함유 가스임을 특징으로 하는 방법.
  12. 제5항에 있어서, 가공물 받침대의 온도가 60내지 70℃에서 유지됨을 특징으로 하는 방법.
  13. 제5항에 있어서, 상기 활성화된 플리즈마가 300W 내지 800W의 전력 밀도를 나타냄을 특징으로 하는 방법.
  14. 제5항에 있어서, 0.1㎛ 이상의 두께를 갖는 중합체 막이 상기 식각 챔버벽에 형성됨을 특징으로 하는 방법.
  15. 챔버: 중합체 막 형성 가스의 공급원 및 이러한 가스를 식각 챔버내에 유입시키기 위한 수단; 및 상기 챔버내에서 전극에 전기적으로 커플링되어 플라즈마를 발생시키기 위한 전자기 에너지원으로 이루어진, 가공물을 플라즈마 식각시키기 위한 장치로서, 트리클로로메탄(CHCl3), 테트라플루오로메탄(CF4), 디플루오로메탄(CH2F2), 트리플루오로메탄(CHF3), 테트라플루오로에틸렌(C2F4), 퍼플루오로프로판(C3F8) 및 클로로트리플루오로메탄(ClCF3),으로부터 선택된 할로겐화 탄소 가스의 플라즈마 중합에 의해 상기 챔버의 내뷰 표면상에 0.1㎛ 이상의 두께를 갖는 미립 불순물 집속 코우팅을 더 포함하는 장치.
  16. 제15항에 있어서, 미립 불순물 집속 코우팅이 하나 이상의 무기 가스의 존재하에 할로겐화 탄소 가스의 플리즈마 중합에 의해 형성됨을 특징으로 하는 장치.
  17. 제16항에 있어서, 무기 가스가 N2와 Cl2의 혼합물임을 특징으로 하는 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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