KR950012402B1 - 함 망간 용철 제조방법 및 그 장치 - Google Patents

Abstract

내용 없음.

Description

함 망간 용철 제조방법 및 그 장치

제1도는 본 발명에 부합되는 함망간용철 제조장치의 일부단면 개략도.

제2도는 본 발명에 사용되는 분광분탄 연소장치의 단면도.

제3도는 분광분탄소연소장치에 의한 미립광석의 입도변화를 나타내는 막대그래프.

제4도는 분광분탄연소장치에서의 산소/분탄몰비에 따른 분탄연소율을 나타내는 그래프.

제5도는 용철중 망간함량에 따른 슬래그중의 산화물 농도 변화를 나타내는 그래프.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

10 : 함망간용철제조로 20 : 광석 공급장치

21 : 원료저장장치 22 : 적량공급장치

30 : 프로세스가스 순환부 32, 34 : 제1 및 제2고온싸이클론

40 : 분광공급장치 50 : 분광분탄 연소장치(버너)

본 발명은 가격이 저렴한 망간광석과 탄재를 직접 이용하여 고농도의 함망간용철을 제조하는 함망간용철의 제조방법 및 그 장치에 관한 것이다.

망간은 철강의 필수적인 원소로써 기계적 특성을 향상시키는데 중요한 역할을 한다.

현재 망간은 그 단독으로 이용되기 보다는 주로 Si-Mn 또는 Fe-Mn과 같이 합금상태로 이용되고 있다. 현재의 일반적인 제조공정은 일정한 크기 및 조성으로 사전처리된 망간광석을 주로 샤프트 형(SHAFT TYPE) 또는 전기로에서 환원을 하여 약 70% Mn의 고탄소 합금철을 제조하는 것이다.

또한 저 탄소, 망간합금철의 경우는 원료로써 고순도 규석을 망간광석과 함께 장입하여 고탄소 Mn-Si을 제조한 후 산화제로써 망간광석을 이용하여 탈탄하는 방법을 사용하고 있다.

이렇게 제조된 망간합금철은 주로 철강산업에서 망간의 첨가제로서 이용되며 보통강의 경우 1% Mn내의 정도가 되도록 첨가되지만, 향후 망간이 25%이상이 포함된 바자성강제조등에 망간합금철의 수요증가가 예상된다. 현재의 고 망간용철의 제조방법은 별도로 제조된 용선과 상온의 망간합금철을 혼합함으로써 목적하는 조성의 용철을 제조한다.

이와 같은 기존의 제조방법은 상온의 고망간합금철과 용강을 별도의 공정에서 혼합하므로 혼합에 따른 용강 온도의 저하 및 성분제어상에 문제점이 있다. 현재 망간합금철의 제조공정은 아크전기로법이 주류를 이루고 있으며 에너지는 모두 고가의 전력으로 공급된다. 함망간용철 1톤당의 소요되는 전력은 약 3500-4000Kwh정도인 것으로 알려져 있으며, 환원제로서는 고가의 탄소전극봉이나 코크스를 사용하고 있다. 또한 망간광석의 약 60% 이상이 분광의 형태로 산출되므로 전기로법으로 제조하기 위해서는 괴성화공정이라는 사전처리가 필요하다. 사전처리 공정으로는 단광법, 소결법, 소성펠릿법등이 있으며 그에 따른 부대시설 및 비용도 적지않은 실정이다. 최근 이러한 전기로법 대하여 다음과 같은 새로운 제조방법이 대한민국 공개특허공보 89-672호에 제시되어 있는데, 이 방법은 분말광석을 이용하여 용융금속을 제조하기 위하여 석탄충진층에 분말광석을 취입하여 용융금속을 제조하는 방법이다.

그러나, 이 방법은 분말광석을 취입하기 위한 안정된 높이의 석탄 충진층을 노내에 확보할 필요가 있는등의 문제점이 있다.

본 발명자는 상기한 종래 방법들의 제반 문제점을 해결하기 위하여 연구를 행하고, 그 결과에 근거하여 본 발명을 제안하게 된 것으로써, 본 발명은 괴상태의 광석은 하부의 용해로에 중력 투입하고 분광석은 용융환원로 상부에 위치된 분광분탄 연소장치를 통해 분사함으로써, 함망간용철을 효율적으로 직접 제조할 수 있는 함망간용철을 제조방법 및 그 장치를 제공하고자 하는데, 그 목적이 있다.

이하, 본 발명은 도면에 의해 상세히 설명한다.

제1도에 나타난 바와 같이, 본 발명의 함망간용철 제조장치(100)는 함망간용철제조로(10), 광석공급장치(20), 프러세스가스순환부(30), 분광공급장치(40), 및 분광, 분탄연소장치(이하, "버너"라 칭함)를 포함하여 구성된다.

상기 함망간용철제조로(10)는 광석공급장치(20)로부터 공급된 철광석과 망간광석등을 용해하여 함망간용철을 제조하는 로로서, 그 저부에는 저취용 가스를 공급하기 위한 저취용 가스공급관(11)이 구비되어 있으며, 그 상부에는 산소를 취입하기 위한 산소 취입랜스(12)가 설치되어 있다.

상기 광석공급장치(20)는 대립광석, 일반탄 및 부원료인 석회석등을 저장하는 원료저장장치(21), 이 원료저장장치(21)에 저장되어 있는 원료 및 부원료를 정량 배출하는 적량공급장치(22), 및 적량공급장치(22)에 의해 정량배출된 원료 및 부원료를 함망간용철제조로(10)에 중력 낙하시키는 원료공급관(23)을 포함하여 구성된다.

상기 프로세스가스순환부(30)는 상기 함망간용철제조로(10)에서 발생되는 프로세스가스(배가스)를 유도하는 프로세스가스 제1유도관(31), 이 유도관(31)을 통해 유도된 고온프로세스가스중의 철계 및 망간계 분광 및 석탄분진을 분리하는 제1고온싸이클론(32), 및 제2고온싸이클론(34)를 포함하며, 제1고온싸이클론(32)과 제2고온싸이클론(34)은 프로세스가스 제2유도관(33)에 의해 프로세스가스의 소통관계로 연결되어 있다.

상기와 같이 제1 및 제2 고온싸이클론(32) 및 (34)에 의해 분리된 철, 망간계 분광 및 석탄분진 등과 분리된 프로세스가스는 고온가스 수송관(36)을 통하여 배출된다.

상기 분광공급장치(40)는 분광분진유도관(35)을 통해 유입된 철, 망간계 분광 및 석탄분진등과 분광 또는 예비환원로에서 예비환원된 분광 및 분탄등을 저장하기 위한 분광저장장치(41), 상기 분광저장장치(41)에 저장된 분광, 분탄등을 일정량씩 적출하기 위한 분광적량 적출장치(41), 및 분광적량 적출장치(42)에의해 적출된 분광, 분탄등을 버너(50)에 수송하기 위한 분광수송관(30)을 포함하여 구성된다.

상기 버너(50)는, 제2도에 나타난 바와 같이, 함망간용철제조로(10)의 노벽에 제1지지대(51) 및 제2지지대(52)에 의해 지지되며, 그 내부에는 분탄분광 수송관(53)이 형성되어 있고, 이 분탄분광 수송관(53)은 분광공급장치(40)의 분광수송관(43)과 연결되어 분광분탄을 유입하는 분탄분광 유입부(54) 및 분광분탄 수송가스원에 연결되어 분광분탄을 수송하기 위한 수송가스를 도입하기 위한 수송가스 유입부(55)와 관통 연결되어 있다.

상기 분탄분광 수송관(53)의 외부에는 산소를 함망간용철제조로(10)에 공급하기 위한 산소수송관(56)이 형성되어 있고, 이 산소수송관(56)은 산소공급원과 관통연결되어 산소를 유입시키는 산소유입부(57)와 관통연결되어 있다.

상기 산소수송관(56)의 선단은 분사노즐(58)과 연결되어 있는데, 이 분사노즐(58) 내부의 일정길이 만큼 상기 분탄, 분광수송관(53)이 위치되어 있으며, 이 분사노즐(58)의 선단은 함망간용철제조로(10)의 내부에 위치하여 분탄분광 수송관(53) 및 산소수송관(56)에 의해 각각 수송된 분탄, 분광 및 산소를 함망간용철제로(10) 내부에 분사시키게 된다.

이하, 상기와 같이 구성된 본 발명의 함망간용철 제조장치를 사용하여 함망간용철을 제조하는 방법에 대하여 설명한다.

용철중의 망간농도가 목적하는 농도가 되도록 철광석과 망간광석을, 일반탄 및 부원료인 석회석등과 함께, 원료저장장치(21), 정량공급장치(22) 및 원료공급관(23)을 통해 함망간용철제조로(10)에 중력낙하시킨다.

제1고온싸이클론(32) 및 제2고온싸이클론(34)에서 수집된 철, 망간계 광석 및 석탄 분진을 분광 또는 예비환원로에서 예비환원된 분광 및 분탄과 함께 분광저장장치(41)에 저장한 다음, 분광적량 적출장치(42)에 의해 일정량씩 적출하여 분광수송관(43)을 통해 버너(50)에 공급한다.

상기 버너(50)는 합크롬용철제조로(10)의 상부에 위치하여 분광을 분사, 용해하는데, 이 버너(50)에서는 분광분탄 공급을 원활히 할 목적으로 수송가스를 사용하여, 그 수송가스로는 고온싸이클론에서 분리되는 일부의 프로세스가스, 아르곤가스, 일산화탄소가스, 이산화탄소가스, 수소가스 및, 질소가스로 이루어진 그룹 중에서 선택된 적어도 하나의 가스를 사용한다.

이하, 버너(분광분탄 연소장치)(50) 및 분광, 분탄의 분사 및 연소과정에 대하여 보다 구체적으로 설명한다.

버너(50)는 함망간용철제조로(10)의 상부에 위치하여 분광을 분사, 용해하게 되는데, 이 버너(50)는 대칭적으로 2개이상 설치하는 것이 바람직하다. 이 버너(50)의 선단부(즉, 분사노즐(58)의 선단부)에서는 산소유입부(57) 및 산소수송관(56)을 통해 유입된 산소에 의해 수송가스 유입부(55)를 통해 유입된 수송가스 즉, 공정배가스중의 CO, H₂, 또는 제1 및 제2고온싸이클론(32) 및 (34)에서 분리된 미분탄의 연소가 일어나고 이 연소에 의해 고온대(불꽃의 외부)가 생성되게 된다.

따라서, 동시에 분사되는 분광석은 이 불꽃을 통과하는 과정에서 아주 미분(미립광석)은 전체가 용해하며 비교적 입도가 큰 광석(중립광석)은 표면만이 용해하여 광석끼리 합체되어 반용융상태로 함망간용철제조로(10)의 슬라그층(S)에 낙하하게 된다.

0.71mm이하의 미립광석을 분광분사연소장치에 의하여 분사된 후의 입도변화를 나타낸 제3도에 나타낸 바와 같이, 미립광석이 분광분사연소장치의 연소대를 통과함에 따라 입도가 크게 증가하게 되는 것을 알 수 있으며, 그에 따라 취입 미분광의 재분진이 크게 억제되고 있음을 알 수 있다.

이러한 목적으로 본 발명에서 사용되는 버너(50)는 이중관 구조로 되어 있으며, 분광수송관(43)으로부터 공급되고 분탄분광 유입부(54)를 통해 유입된 분광분탄은 수송가스 유입구(55)를 통해 유입되는 수송가스에 의해 분탄분광 수송관(53)을 통해 분사노즐(58)로 수송되고, 분사노즐(58)에서 유체역학적으로 연속적으로 분사되며 이때, 외부관과 내부관 사이 즉, 산소유입부(57) 및 산소수송관(56)을 통해 분탄의 연소에 필요한 산소가 공급된다.

상기 버너(50)에는 연소에 의한 열적손상과 분광분탄의 공급에 따른 마모로부터 보호하기 위하여 그 외부 및 내부를 수냉하도록 수냉수단(도시되어 있지 않음)이 설치되어 있으며, 고온연소를 용이하게 하고 버너(50)의 선단부 즉, 분사노즐(58)의 선단부에서의 불꽃모양을 적절하게 조절하기 위하여 내부관인 분탄분광수송관(53)의 선단이 분사노즐(58)보다 더 내부쪽에 위치하도록 구성되어 있다.

그리고, 산소공급의 집중으로 고온연소열을 집중하기 위하여 분사노즐(58)의 선단부분은 중심을 향하여 좁아지도록 설계하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 버너(50)에서의 분광의 용해응집을 원활히 하기 위해서는 분사할 분광분탄량과 수송가스의 양을 적정수준으로 유지하는 것이 바람직하다. 분광분탄이 고온연소대에서 완전연소 및 용해응집하기 위해서는 버너(50) 선단부의 고온연소대를 통과하는 반응시간을 수송가스 사용량에 의해 조절할 필요가 있다.

투입분광분탄의 연소대의 통과시간은 수송가스량의 증가에 따라서 입자비행시간이 짧아지고, 연소대에서의 질소와 같은 수송가스 성분이 증가하여 연소대온도가 감소하여 분광의 용해온도 및 분탄의 착화온도가 저하하게 된다.

이러한 과다한 수송가스 이용은 미연소분탄과 미용해 응집분광의 생성 및 재분진화가 일어난다. 그러나, 분광분탄 수송가스의 양이 너무 적으면, 투입할 수 있는 분광량이 감소하고, 또한, 분광분탄이 버너(50)에서 정체되고 분탄공급이 원활하지 않아서 안정된 고온연소대의 형성이 어려워진다.

일례로서, 질소가스를 1kg의 분광분탄의 수송가스로 사용하는 경우, 안정된 고온연소대를 형성하는데 최소한 0.05Nm³이상의 수송가스가 필요하였으며, 수송가스 공급량이 0.5Nm³를 초과하면 고온연소대의 불안정과 입자의 고속비행으로 인하여 미연소분탄 및 미용해분광이 전체투입량에 8% 이상이 분진화되므로 제1고온싸이클론(32)의 조업부담 증가 및 분리효율이 급속히 감소하게 되어 전체적인 분진발생량이 크게 증가하게 된다.

따라서, 수송가스로써 질소가스를 이용하는 경우에는 안정된 고온연소대를 형성하여 분사투입원료의 연소 및 용해반응을 원활히 할 수 있도록 1kg 분광분탄당 질소 공급량을 0.05-0.5Nm³의 범위로 하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.05-0.3Nm²이다.

분광의 용해응집에 필요한 에너지는 제1 및 제2고온싸이클론(32) 및 (34)에서 분리되어 분광과 함께 버너(50)로 공급되는 미분탄을 산소 수송관(56)을 통해 공급되는 산소와 함께 연소시킴으로서 공급하게 된다.

따라서, 분광공급량을 분광의 적정수준으로 혼합하여 공급할 필요가 있는데, 혼합비가 너무 낮으면 분광을 용해하는데 필요한 에너지가 부족해져서 분광이 용해하지 않고 재분진화하며, 너무 과다하면 투입하여야 할 분광량이 감소하여 버너(50)의 조업부담의 증가와 선단부의 과도한 온도상승으로 버너(50)의 열적손상을 일으키기 쉽게 된다.

일례로서 0.71mm이하의 분광분탄을 취입하였을 때 분광/분탄의 혼합중량비가 0.2이하에서는 투입분광이 미용해되어 거의 재분진화하였고, 그 혼합비가 3.0이상에서는 버너(50)의 선단부를 수냉하였음에도 불구하고 과도하게 승온되어 버너(50)의 손상을 가져오고 버너(50)가 부착된 함망간용철제조로(10)의 노벽내화재 손상의 급격한 증가 내지는 분광취입량이 상대적으로 감소하여 소정의 망간농도의 함망간용철을 제조하는데 필요한 분광을 공급하는데 지장을 초래하므로 분광/분탄의 중량혼합비는 0.2-0.3정도로 조절하는 것이 바람직하다.

상기 버너(50)의 산소공급량이 석탄분진량에 비하여 적으면 석탄이 재분진화하거나 고온연소대의 온도가 저하하여 취입망간 광석의 용해가 진행되지 않아서 분광석의 재분진화가 일어날 우려가 있으며, 상고공급량이 너무 과다하면, 미사용 산소가 함망간용철제조로(10)에서 배가스의 2차연소에 이용되어 함크롬용철제조로(10)의 내화재를 손상하므로 수명을 단축시킬 우려가 있다.

따라서, 상기 버너(50)에의 산소공급량은 산소공급에 따른 연소대의 온도가 망간분광석의 융점보다 높게 유지할 수 있고, 용해에 필요한 열양을 공급하기 위해서는 최소한 50%의 2차연소율 이상을 유지하여야 할 필요가 있으며, 100%의 2차연소율을 초과하지 않는 범위로 조절할 필요가 있다.

일례로서, 제4도에 나타난 바와 같이, 망간광석 석탄분량의 1.0Nm³-O₂/kg/Coal(0.6의 산소/분탄의 몰비)을 공급하므로서 약 50% 이상의 2차연소율을 얻을 수 있었고, 그 이하의 산소를 공급하면 분광분탄의 재분진화가 일어나기 시작한다.

이하, 함망간용철제조로(10)에서의 최종 환원, 용해 및 가탄에 대하여 보다 구체적으로 설명한다.

상기와 같이 버너(50)에 공급된 분광석 및 원료공급장치(20)를 통하여 공급되는 괴광석 및 괴상태의 석탄은 함망간용철제조로(10)에 공급되어 슬래그층(S)에서 혼합되고, 슬래그층(S) 상부에서 산소랜스(12)에 의해서 취입되는 산소에 의해 탄재를 연소시킴으로서 로내에서 필요로 하는 에너지를 공급하여 최종 환원, 용해, 가탄이 이루어진다.

이때 발생되는 가스는 프로세스가스 순환부(30)를 통해 배기된다. 슬래그층(S)에 낙하된 반용융상태의 혼합광석은 슬래그층(S)에 부유하고 있는 탄재, 용탕중의 용존탄소 및 하부의 교반가스에 의해 슬래그층(S) 하부에 에멀젼 상태로 존재하는 금속립에 의해 최종 환원이 진행되게 되는데 이때의 과정은 다음과 같다.

천연망간광석은 화학양론적으로 대부분의 MnO₂와 Mn₂O₃및 Fe₂O₃및 백석으로 구성되어 있다. 슬래그층(S) 하부는 강환원성분위기이므로 미환원된 광석들은 용융 및 환원이 동시에 진행된다.

본 발명을 위한 기초실험에 의하면 환원성 분위기에서 망간광석중의 Fe산화물이 우선적으로 환원되어 망간 광석은 망간산화물 형태로 용해된 후 최종적으로 슬래그중의 탄소질원료 또는 용철중의 탄소질에 의해 환원되고, 맥석성분은 슬래그화된다.

슬래그에 용해된 망간산화물은 고체탄소 및 용탕 및 슬래그중 용철입자중의 용존탄소에 의해 아래의 반응으로 환원된다.

MnO+C=Mn+CO

MnO₂+2C=Mn+2CO

FeO+C=Fe+CO

일반적으로, 망간산화물의 환원속도를 증가시키고 망간산화물에 의한 내화재 손상을 억제하기 위해서는 슬래그중의 목적산화물농도(슬래그중의 망간산화물 농도+산화철농도)를 6wt%이하로 낮추는 것이 바람직하다. 이를 위해서는 슬래그층을 충분히 교반시킴으로써 슬래그중의 탄소질과 반응을 촉진시키는 것이 중요하다.

망간합금철의 경우, 그 목적에 따라 망간함량이 높을수록 바람직하다. 그러나 1562℃에서의 용철중 망간함량에 따른 슬래그중의 망간 및 철산화물의 농도변화를 나타내는 제5도에서도 알 수 있는 바와 같이, 망간함량이 60wt%이상이 되는 함망간용철을 제조하는 경우 슬래그 중의 망간함량이 비정상적으로 높아지게 된다.

따라서, 약 60wt%이하의 망간이 함유된 함망간용철을 제조하는 것이 바람직하다. 함망간용철의 망간함량이 증가하게 되면 망간분광석의 사용량도 증가하므로 그에 따른 버너의 처리부담이 증가하게 되므로 버너 설치수량을 증가시키는 것이 바람직하다. 또한 필요에 따라서는 분광분사용해장치에 분탄을 추가로 공급하는 것도 가능하다.

함망간용철 제조시 에너지원인 석탄소모량을 절약하기 위해서는 함망간용철제조로에서의 2차연소(100×(%CO₂+%H₂O)/(%CO+%H₂+%CO₂+%H₂O)를 적정수준으로 유지할 필요가 있다. 그러나 과도한 2차연소는 배가스온도를 약 2000℃ 정도까지 상승시켜 함망간용철제조로 내호재 및 노체의 수명을 크게 단축시킨다. 그러나 2차 연소율이 너무 낮으면 석탄소모량이 크게 증가하고 그에 따른 가스발생량이 크게 증가하여 투입원료의 재분진율이 증가하고, 그에 따라 버너의 부담이 증가하게 되어 망간분광석의 투입량이 감소하므로 2차연소율을 최대 60% 정도로 유지하는 것이 바람직하다.

상술한 바와 같이, 본 발명은 버너를 이용하여 분광석을 직접 이용하므로서 원료의 전처리를 생략할 수 있을 뿐만 아니라 분광석의 투입시의 재분진화의 방지 및 석탄분진을 연료로써 재활용하므로서 더스트의 발생량을 크게 저감할 수 있는 함망간용철제조 방법 및 그 장치를 제공할 수 있는 효과가 있는 것이다.

Claims (5)

1. 탄소함유물질을 열원 및 환원제로서 사용하여 망간광석과 철광석을 혼합하여 환원 및 용융시키므로서 함망간용철을 제조하는 장치에 있어서, 산소랜스(12)가 구비되어 있고 분광분탄 연소장치(50)가 부착되어 있은 함망간용철제조로(10); 대립광석, 일반탄 및 부원료등을 상기 함망간용철제조로(10)에 공급하도록 구성되는 광석 공급장치(20); 상기 함망간용철제조로(10)에서 발생되는 프로세스가스중의 철, 망간계분광 및 석탄분진을 분리한 다음, 프로세스가스를 배기하도록 구성되는 프로세스가스 순환부(30); 및 상기 프로세스가스 순환부(30)에서 수집된 철, 망간계 분광 및 석탄분진과 예비환원로에서 예비환원된 분광 및 분탄등을 상기 분광분탄 연소장치(50)에 공급하도록 구성되는 분광공급장치(40)를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 함망간용철 제조장치.
2. 탄소함유물질을 열원 및 환원제로서 사용하여 망간광석과 철광석을 혼합하여 환원 및 용융시키므로써 함망간용철을 제조하는 방법에 있어서, 분망간광석중의 대립광석, 석탄 및 부원료를 광석 공급장치(20)를 통해 함망간용철제조로(10)에 공급하고; 분망간광석중의 중, 미립 광석과 함망간용철제조의 프로세스가스중에서 포집된 미립광석과 석탄분진을 분광분탄 연소장치(50)로 공급하고; 분광분탄 연소장치(50)에 공급된 분광, 분탄을 0.05∼0.5Nm³/kg-분광, 분탄의 수송가스에 의해 수송하여 산소와 함께 함망간용철제조로(10)에 분사하고; 함망간용철제조로(10)에 공급된 대립, 중, 미립광석은 60%이하의 2차연소율 조건하에서 혼합되고, 최종환원, 용융 및 가탄되고; 그리고 상기 함망간용철제조로(10)에서 발생되는 프로세스가스 중의 철, 망간계 및 석탄분진은 프로세스가스 순환부(30)에 의해 포집되고, 상기 중, 미립광석과 혼합된 후 상기 분광분탄 연소장치(50)에 공급되어 상기 함망간용철제조로(10)에 공급되도록 구성됨을 특징으로 하는 함망간용철의 제조방법.
3. 탄소함유물질을 열원 및 환원제로서 사용하여 망간광석과 철광석을 혼합하여 환원 및 용융시키므로써 함망간용철을 제조하는 방법에 있어서, 분망간광석중의 대립광석, 석탄 및 부원료를 광석 공급장치(2)를 통해 함망간용철제조로(10)에 공급하고; 분망간광석중의 중, 미립광석과 함망간용철제조의 프로세스가스중에서 포집된 미립광석과 석탄분진을 분광분탄 연소장치(5)로 공급하고; 분광분탄 연소장치(50)에 공급된 분광, 분탄을 0.05∼0.5Nm³/kg-분광, 분탄의 수송가스에 의해 수송하여 산소와 함께 함망간용철제조로(10)에 분사하고; 함망간용철제조로(10)에 공급된 대립, 중, 미립광석은 60%이하의 2차연소율 조건하에서 혼합되고, 최종환원, 용융 및 가탄되고; 함망간용철제조로(10)중의 슬래그 및 용탕의 교반가스로서 함망간용철제조로(10)에서 발생된 프로세스가스, 아르곤가스 및 질소가스중에서 선택된 하나의 가스를 전취하고; 그리가 상기 함망간용철제조로(10)에서 발생되는 프로세스가스중의 철, 망간계 및 석탄분진은 프로세스가스순환부(30)에 의해 포집되고, 상기 중, 미립광석과 혼합된 후 상기 분광분탄 연소장치(50)에 공급되어 상기 함망간용철제조로(10)에 공급되도록 구성됨을 특징으로 하는 함망간용철의 제조방법.
4. 제2항에 있어서, 분광분탄 연소장치(10)의 중, 미립광석의 수송가스로써 함망간용철제조로(10)에서 발생된 프로세스가스, 아르곤가스 및 질소가스중에서 선택된 하나의 가스를 이용하는 것을 특징으로 하는 함망간용철의 제조방법.
5. 제1항에서 제4항 중의 어느 한항에 있어서, 분광분탄 연소장치(50)에서 분사되는 탄소함유 분진의 입도가 0.71mm이하이고, 분사시 광석대 탄소함유 분진의 혼합비가 무게비로 0.2∼3.0이 되도록 제한하는 것을 특징으로 하는 함망간용철의 제조방법.