KR940016958A - 계면 상층 재성장을 통한 다이오드 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 A물질(3)과 B물질(4)로 이루어지는 오염이 없는 급격한 계면을 형성하는 계면 상층 재성장을 통한 다이오드 제조방법에 있어서, A물질(3) 성장 중단 없이 연이어 계면에 영향을 받지 않는 100 내지 600Å 물질을 한번의 공정으로 형성하는 제 1 단계, 상기 제 1 단계 후에 B물질(4)을 재성장하는 제 2 단계를 특징으로 하는 계면 상층 재성장을 통한 다이오드 제조방법에 관한 것이다.
상기와 같이 이루어지는 본 발명은 급격한 계면을 필요로 하는 재성장 단계에서 발생하게 되는 표면 오염, 기계적 또는 화학적 손상으로 인한 급격한 계면 재성장 형성 불가 등을 극복할 수 있고, 계면에서 발생되는 소자의 특성저하 및 누설전류를 감소시켜, 특히 III-V족 화합물 반도체의 소자 성능을 향상 시킬 수 있는 효과를 가진다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 본 발명에 따른 다이오드 제조 공정도
Claims (1)
- A물질(3)과 B물질(4)로 이루어지는 오염이 없는 급격한 계면을 형성하는 계면 상층 재성장을 통한다이오드 제조방법에 있어서, A물질(3) 성장 중단없이 연이어 계면에 영향을 받지 않는 100 내지 600Å 물질을 한번의 공정으로 형성하는 제 1 단계, 상기 제 1 단계 후에 B물질(4)을 재성장하는 제 2 단계를 특징으로 하는 계면 상층 재성장을 통한 다이오드 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
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| KR940016958A true KR940016958A (ko) | 1994-07-25 |
| KR960015785B1 KR960015785B1 (ko) | 1996-11-21 |
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ID=19348040
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Country Status (1)
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| KR (1) | KR960015785B1 (ko) |
-
1992
- 1992-12-30 KR KR1019920026888A patent/KR960015785B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR960015785B1 (ko) | 1996-11-21 |
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