KR940010316A - 전하저장전극 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 고집적 반도체에 사용되는 축전기의 전하저장 전극용 전도물질 형성방법 및 그 구조에 관한 것으로, 특히 얇은 절연막은 사용하여 천하저장 전극용 적도물질로 쓰이는 실리콘의 구조를 변경시켜 전하저장 전극의 표면적을 극대화 시키는 얇은 산과막을 이용한 수직형 전하 저장 전극 제조 방법에 관한 것으로, 절연물질(1) 상부에 제1실리콘막(2)을 형성하여 마스크(도시하지 않았음)를 사용해 요철구조를 갖는 제2실리콘막(2A)을 형성할후 얇은산화막(3)을 증착하는 제1단계, 및 상기 제1단계 후에 이방성 건식식각에 의해 상기 얇은산화막(3)과 제2실리콘막(2A)은 차례로 일정두께 식각하여 수직구조의 제3실리콘막(2B)을 형성하는 제2단계를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 얇은 산화막을 이용한 수직형 전하 저장 전극 제조 방법에 관한 것이다.

Description

전하저장전극 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예에 따른 전하저장전극 제조 공정도,
제2도는 본 발명의 제2실시예에 따른 전하저장전극 제조 공정도,
제3도는 본 발명의 제3실시예에 따른 전하저장전극 제조 공정도,
제4도는 본 발명의 제4실시예에 따른 전하저장전극 제조 공정도.

Claims (7)

  1. 얇은 산화막을 이용한 수직형 전하 저장 전극 제조 방법에 있어서, 절연물질(1) 상기에 제1실리콘막(2)은 형성하여 마스크(도면에 도시하지 않았음)를 사용해 요철구조를 갖는 제2실리콘막(2A)을 형성한후 제1얇은산화막(3)은 증착하는 제1단계, 및 상기 제1단계 후에 이방성 건식식각에 의해 상기 얇은산화막(3)과 제2실리콘막(2A)을 차례로 일정두께 식각하여 수직구조의 제3실리콘막(2B)을 형성하는 제2단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 얇은 산화막을 이용한 수직형 전하 저장 전극 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제2단계의 수직구조인 제3실리콘막(2B)의 식각은 윗면 얇은 산화막(3T)이 측면 얇은산화막(3L)보다 먼저 시작되고, 상기 윗면 얇은산화막(3T)이 식각된 후의 제2실리콘막(2A) 식자시에는 측면의 식각되지 않은 얇은산화막(3L)이 식각 장벽으로 작용하여 상기 제2실리콘막(2A)의 중앙부위에 비해 측면은 덜 식각되어 남아있는 것을 특징으로 하는 얇은 산화막을 이용한 수직형 전하 저장 전극 제조 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 실리콘막과 산화막의 식각은 식각 선택비가 10:1 이상되는 이방성 건식 식각인 것을 특징으로 하는 얇은 산화막을 이용한 수직형 전하 저장 전극 제조 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제2단계의 이방성 건식을 상기 절연물질(1)이 노출될때 까지 식각하고, 이렇게 하여 분리되어 지는 수직구조의 제3실리콘막(23)을 형성한 후 제4실리콘막 (4)을 증착하는 제3단계를 더 포함하여 이루어 지는 것을 특징으로 하는 얇은 산화막을 이용한 수직형 전하 저장 전극 제조 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제1단계 및 제2단계의 제1얇은산화막(3)의 상부에 실리콘막(4)이 증착 되어져 있는 것을 특징으로 하는 얇은 산화막을 이용한 수직형 전자 저장 전극 제조 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제1단계 및 제2단계의 제1얇은산화막(3)의 상부에 실리콘막 (4)을 제2얇은산화막(6)이 차례를 증착되어져 있는 것을 특징으로 하는 얇은 산화막을 이용한 수직형 전하 저장 전극 제조 방법.
  7. 제1항 또는 제6항에 있어서, 제1산화막(3)과 제2산화막(6)은 질화막으로 이루어 지는 것을 특징으로 하는 얇은 산화막을 이용한 수직형 전하 저장 전극 제조 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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