KR940008530B1 - 액정 전기 광학 장치 - Google Patents

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슌페이 야마자끼
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Abstract

내용 없음.

Description

액정 전기 광학 장치
제1도는 기판 사이에 위치한 액정 분자의 상태를 보여주는 예시도.
제2도는 액정 분자의 안정한 두 위치를 보여주는 모형도.
제3도는 키랄 스멕틱(chiral smectic) 액정 물질을 포함하는 액정 장치의 횡단면도.
제4도는 액정층에서의 미세-영역 조직을 보여주는 모형도.
제5(a)도 및 5(b)도는 본 발명에 따른 스멕틱 A상의 두께가 20마이크론인 액정 구조의 두 위치에서, 서로 수직하게 배치되어, 그 사이에 액정 구조를 끼워 넣은 편광판을 사용하여 200배의 배율로 촬영한 미세-영역의 현미경 사진.
제6(a)도 및 6(b)도는 본 발명에 따른 스멕틱 C상의 두께가 20마이크론인 액정 구조의 두 위치에서, 서로 수직하게 배치되어 그 사이에 액정 구조를 끼워 넣은 편광판을 사용하여 200배의 배율로 촬영한 미세-영역의 현미경 사진.
제7(a)도 및 7(b)도는 본 발명에 따른 스멕틱 C상의 두께가 3마이크론인 액정 구조의 두 위치에서, 서로 수직하게 배치되어 그 사이에 액정 구조를 끼워 넣은 편광관을 사용하여 200배의 배율로 촬영한 미세-영역의 현미경 사진.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1,1' : 유리기판 2,7 : 편광판
3,3' : 전극 스트립 4 : 제1배향 조절막
4' : 제2배향 조절막 5 : 강유전성 액정층
6 : 밀봉부
본 발명은 액정 장치(liquid crysta1device), 특히 강유전성(ferroelectric) 액정 장치에 관한 것이다.
지금까지는, 전기 광학 디스플레이(display)를 만드는데 꼬인 네마틱(tu,isted nematic) 액정을 이용하는 방법이 알려져 있다. 액정 물질은 층 형태로 사용되며, 이 층은 액정층에 인접한 매트릭스 전극 장치에 의해 다수의 화상 소자(pixel)로 세분된다. 그러나, 시간 다중 모드에서 작동시 인접한 화상 소자 사이에서 발생되는 누화(crosstalk) 때문에 화상 소자의 수나 밀도는 사실상 제한된다.
전환 동작(switching)은 모든 화상 소자에 구비된 박막 트랜지스터에 의해 실행하며, 이 구동 방식을 작동 매트릭스 시스템이라 한다. 그러나, 제조 공정의 복잡성 때문에, 비용절감이 요구되는 경우에는 넓은 면적을 갖는 디스플레이를 생산하기가 매우 어렵다.
이와 같은 선행 기술 장치의 단점을 해결하기 위한 시도로서 클럭(clerk) 등은 그들의 미합중국 특허 제4,367,924호에서 강유전성 액정 장치를 제안하였다. 제1도는 선행 기술의 장치에서의 액정 분자의 동작을 보여주는 예시적 모형도이다. 강유전성 액정은 한쌍의 유리 기판(11,11') 사이에 위치하여 이 한쌍의 유리기판 내측에는 In2O3, SnO2또는 ITO(산화 인듐 주석 산화물)으로 된 전극 배열을 갖는다. 액정은, 도면에 도시된 바와 같이, 각 분자층(12)을 기판에 직각으로 형성되게끔 기판을 사이에 배열된다. 액정상은 키랄 스멕틱(chiral smectic) C로서, 장치는 이 상태에서 바람직하게는 실온에서 작동한다. 액정 분자는 제2도에 도시된 바와 같이 수직한 층과 θ 및 -θ각을 이루는 2개의 안정된 위치 I 및 II를 취한다.
기판에 수직하게 외부에서 가해진 전기장에 의해서 분자의 위치는 두개의 안정한 위치 사이에서 상호 전환되며, 따라서 화상 소자 사이의 차동 복굴절(differentia1 birefringence)에 따라 가시적인 상이 형성될 수 있다. 이러한 형태의 디스플레이 장치의 특징중의 하나는 쌍안정성으로서, 이에 의해 각 액정 분자의 위치가, 가해진 신호가 없어진 후, 다른 신호가 반대 의미로 새로이 가해질 때까지, 종전 상태로 유지된다. 즉, 이들은 기억 소자로서 기능할 수 있다.
이러한 강유전성 액정 장치에는 디스플레이 영역 전체에 걸쳐 균일한 구동 능력을 발휘하기 위하여, 한쌍의 기판 사이의 액정층에 걸쳐 불완전함이 없는 균일한 상태의 액정을 얻을 필요가 있었다. 이 상태의 액정층은 이하에서는 "단일 영역(mono-domain)"이라 한다.
불완전함 또는 결함은 배향 조절막의 작은 흠, 기판상에 형성된 전극 배열의 불균일, 스페이서(spacer) 및 기타 다른 원인에 의해 발생한다. 이러한 불완전함과 결함의 발생을 피하기 위해, 단일 영역을 온도 경사법(temperature gradient method)에 의해 형성하였으며, 이 방법에서 액정의 결정성 구조는 디스플레이영역의 한쪽 끝으로부터 내부로 일차원적으로 형성된다.
그러나, 경사 온도에 마른 적당한 온도 경사 적용하에서의 스페이서 테두리로부터의 스멕틱 상의 에피택셜 성장(epitaxial growth)은 장치의 디스플레이 면적이 수 제곱 센티미터를 초과할 경우에만 효과가 있다. 게다가, 넓은 면적의 단일 영역을 형성시킨다 할지라도, 결정 방향이 기판에 정확히 평행하게 정렬되지 않고, 기판 평면과 예비-경사(pre-tilted)를 이룬다. 이러한 이유로 해서, 액정 분자층은 구부러져 지그재그 구조가 되려는 경향이 있다. 외부 전기장으로 인한 전환 동작은 지그재그 구조내의 접면(folding plane)의 양측에서 반대 의미로 일어날 수도 있다. 균일한 디스플레이 및 구동 성능이 지그재그 구조에 의해 방해받는 것이 종종 관찰되었다.
발명가들은 키랄 스멕틱 C 액정(강유전성 액정)으로 구성된 액정 디스플레이를 사용하여 실험을 반복하였다. 그러나, 그들은 디스플레이를 만족스럽게 구동시켜 선명한 상을 얻는데 실패하였다. 이러한 실패는 화상 소자 사이의 상호 작용때문인 것으로 추정된다. 상호 작용의 주원인은 인접한 화상 소자와 연결된 의사(quasi)-단일 결정성(불연속없이 균질하게 배열됨) 영역에 있음에 틀림없다. 달리 말해서, 하나의 화상소자의 전환 동작은 화상 소자 사이를 연결하는 단일 결정성 영역을 통해 인접한 화상 소자에 영향을 미친다.
본 발명의 목적은 화상 소자로 뚜렷하게 구동시킬 수 있는 액정 장치를 제공하는 것이다.
상기 목적 및 기타 목적을 달성하기 위해서, 키랄 스멕틱 액정층으로 이루어지는 각 화상 소자에 미세-영역(micro-domain)들을 형성시킨다. 미세-영역은 폭이 수 마이크론이고 길이가 수백 마이크론으로서, 이 영역에서 분자는 단일-결정 형태로 배향되나, 미세 영역들간의 계면(interfaces)은 불연속적으로 되어 하나의 미세-영역이 다른 미세-영역에 영향을 미치는것을 막는다. 각 화상 소자는 다수의 미세-영역으로 이루어진다. 액정 분자의 위치는 이에 인가해지는 전기장에 의해 각 미세-영역내에서 개별적으로 전환될 수 있다. 가해지는 전기장을 받는 미세-영역과 전기장을 받지 않는 인접하는 미세-영역의 상호 작용은 이들 사이의 계면에 의해 억제된다.
개선된 구조는 액정 물질을 등방성상 상태로 유지시키는 비교적 고온에서 복합 액정 물질을 내부에 배향조절 표면을 갖춘 한쌍의 기판 사이에 끼워넣은 다음, 액정 물질을 서서히 냉각시켜 정돈된 배열이 미세-영역으로 전개되도록 하여 만들어진다.
액정 분자가 특정 방향으로만 정렬되는 종래의 구조와는 달리, 본 발명에 따른 액정 분자는 여러 방향으로 정렬되어 다수의 미세 영역이 형성된다. 바람직하게는, 행 방향에 관한 상기 미세-영역의 평균 크기는 상기 화상 소자 크기에 비해 한자릿수 이상 작다(one or much order of magnitude smaller).
이하, 첨부도면을 참조하여, 본 발명을 상세히 설명한다. 제3도에서 본 발명에 따른 액정 디스플레이 장치의 횡단면도가 도시되어 있다. 이 장치는 한쌍의 유리 기판(1,1')과, 기판(1)상에서 형성되어 측방으로 뻗은 제1평행 전극 스트립(strip)(3)과, 기판(1')상에서 형성되어 도면지의 면에 수직한 방향으로 뻗은 제2평행 전극 스트립(3')과, 폴리미드 수지로 된 제1배향(orientation) 조절막(4)과, SiO2로 된 제2배향조절막(4') 및, 에스테르 강유전성 액정층(5)을 포함한다. 강유전성 액정 물질은 복합 키랄 스멕틱 C상 액정이다. 제1 및 제2전극 스트립(3,3')의 조합은 다수의 화상 소자를 포함하는 매트릭스 형태의 전극 장치로 구성되어 있다. 배향 조절막으로 적당한 수지를 적절히 선택함으로써, 액정층에 적용되는 전환 신호의 임계 레벨(throshold level)을 비교적 높은 레벨로 상승시킬 수 있다. 제1 및 제2배향 조절막(4,4')은 연마처리(rubb1ing treatment)된다. 화상 소자의 주사를 제1전극 스트립(3)에 평행한 방향으로 실시한다고 가정하면, 연마는 도면지의 면에 수직한 방향으로 실시되어야 한다. 달리 말하면, 주사를 행에 따라 실시하도록 설계된 경우에는 연마는 열을 따라 실시한다. 기판의 주변부에는 액정의 손실을 막기 위해 밀봉부(6)를 설치한다. 도면부호 2와 7은 오른쪽 방향에서 배열된 편광판을 가리킨다. 도면에 나타낸 장치 부분의 크기는 예시용으로 택한 것일 뿐이며 실제 설계에 따른 것은 아니다. 도면에 나타내지 않았지만, 조립될 경우, 거리를 일정하게 유지시키기 위해 스페이서가 기판 사이에 개재한다. 실제로, 기판 사이의 거리는 3마이크론이고 : 각 전극 스트립은 그 폭이 0.36mm로서 인접한 전극 스트립과는 0.04mm 간격만큼 이격된다.
특히, 본 발명에 따라, 액정 물질은 넓은 천이 범위(transition range)를 갖도록 제조하며, 이 천이 범위내에서 액정상은 등방성상에서 의사-결정상으로 점차 변한다. 이러한 천이 특성을 얻기 위해, 여러 종류의 액정을 혼합하여 액정물질을 제조한다. 액정 구성 성분은 넓은 온도 범위에 걸쳐 다양한 천이 온도를 갖는 것들 중에서 선택한다. 본 발명에서는 여덟 종류의 액정 에스테르를 혼합하여 넓은 천이 온도 범위를 갖는 복합 액정 물질을 만들었다.
이하의 것은 본 발명에 따른 복합 액정을 구성하는 8종류의 액정 구성 성분이며, 괄호속에 각각의 비율을 표시한다.
제1번 :
Figure kpo00001
(20.3%)
결정<-(31.8℃)->SmC *<-(32.6℃)->SmA<-(53.0℃)->Iso
제2번 :
Figure kpo00002
(15.3%)
결정<-(42.6℃)->SmC *<-(43.8℃)->SmA<-(54.2℃)->Iso
제3번 :
Figure kpo00003
(30.7%)
결정<-(47.3℃)->SmC *<-(47.8℃)->SmA<-(58.7℃)->Iso
제4번 :
Figure kpo00004
(4.1%)
결정<-(75.9℃)->SmC *<-(136.3℃)->SmA<-(162.2℃)->Iso
제5번 :
Figure kpo00005
(17.6%)
결정<-(61.5℃)->SmC *<-(140.7℃)->SmA<-(164.3℃)->Iso
제6번 :
Figure kpo00006
(0.5%)
결정<-(83.3℃)->SmC *<-(139.7℃)->SmA<-(152.4℃)->Iso
제7번 :
Figure kpo00007
결정<-(102.0℃)->SmC *<-(112.0℃)->SmA<-(137.0℃)->Iso
제8번 :
Figure kpo00008
(9.7%)
결정<-(27.0℃)->SmC *<-(29.3℃)->SmA<-(55.0℃)->Iso
상기 구성 성분을 혼합하여, 천이 특성이 결정 <-(4.7℃-3.5℃)->Smc*<-(62.5℃-51.9℃)->SmA<-(89.7℃-75.4℃)->Iso가 되는 액정 물질을 얻는다.
사용하기 적합한 천이 특성을 갖는 액정 물질을 제조하는 것은 당 기술분야의 전문가들에게는 어렵지 않을 것이다. 실험에 따라서, 상 천이(phase transition)가 등방성 액체 <-(130℃-98℃)->스멕틱 A<-(73℃-60℃)->스멕틱*C<-(10℃-0℃)->스멕틱*I<-(-10℃)-> 결정이 되도록 하는 또다른 액정 물질을 제조하였다.
이러한 복합 액정 물질을 액정 물질이 등방성상으로 존재하는 온도에서, 기판(1,1')에 구비된 배향 조절막 사이에 끼운 다음, 그 구조물을 복합 액정 물질 전부가 스멕틱 상으로 존재하는 온도로 서서히 냉각시킨다. 그런데, 액정 분자는 온도가 상승함에 따라 성장하는 미세-영역을 형성한다. 각 미세 영역은 의사-단일 결정성 구조를 갖는 것으로 생각할 수 있다. 각 구성 성분의 비율은 5 내지 20%이다. 일반적으로 구성성분의 최대 비율을 20%까지 제한하여 여러 종류의 액정을 각각 거의 같은 비율로 사용하는 것이 바람직하다. 액정층내의 미세-영역의 형성은 연마 처리된 배향 표면을 따라 시작되어 온도가 상승함에 따라 미세-영역을 모함하는 의사-다결정성 면적을 점차 증가시킨다. 제4도는 미세-영역을 현미경 사진에 따라 그린스케치이다. 각 미세-영역의 폭과 길이는 각각 약 수 마이크론 내지 수백 마이크론이다. 미세-영역을 포함하는 구조물의 중요한 특징은 결점인 지그-재그 구조가 나타나지 않는 것이다. 미세-영역(8) 사이에 계면(9)이 결점이지만, 액정 전체로 보아 조그만 결점인 영역 사이의 계면을 제외하고는 거의 균일한 의사-결정성 구조라 할 수 있다.
최대 전압 ±10V인 톱니형 펄스를 전극 스트립(3,3')에 가할 경우, 전류가 통하는 두 전극 사이에 놓인 화상 소자의 분자 상태가 변한다. 상태 변화는 화상 소자내의 모든 미세-영역(8)에서 균일하게 일어나서 화상 소자 전부가 일시에 변한다. 실험에 따르면, 변화 과정에 있어 화상 소자의 중심부와 주변부 사이에 어떠한 차이도 관찰되지 않았다.
제5(a)도 및 제5(b)도는 본 발명에 따른 스멕틱 A인 액정층의 두 위치에서, 서로 직각으로 배열되어 그사이의 액정층을 지지하는 편광판을 사용하여 배율 200배로 촬영한 현미경 사진이다. 한쌍의 기판 사이의 거리는 미세-영역의 조직이 선명히 나타나는 사진을 찍기 위해 3마이크론 보다는 20마이크론으로 택하였다. 사진으로 볼 수 있듯이, 액정은 여러개의 미세-영역으로 나누어진다. 이것은 액정 분자는 각 미세-영역 내에 균일하게 배향되나 인접한 미세-영역은 상이한 배향 방향으로 배향된다는 것을 의미한다. 미세-영역은 폭이 수 마이크론이고 길이가 수백 마이크론이다. 미세-영역은 배향 조절막에 주어진 연마 방향에 거의 평행하게 형성된다.
온도만을 제외하고는 제5(a)도 및 제5(b)도와 똑같은 조건에서 찍은 제6(a)도 및 제6(b)도에서 볼 수 있는 바와 같이, 액정 상이 감온에서 스멕틱 C로 변형됨에 따라, 각 미세-영역에 줄무늬가 나타난다. 각 줄무늬의 폭인 키랄 스멕틱 C 액정의 나선의 1회전에 상당하며 약 3마이크론이다. 사진에서 보듯이, 인접한 미세-영역의 줄무늬는 계면에 정렬된다. 제7(a)도 및 제7(b)도는 기판 사이의 거리가 3마이크론이고, 다른 조건은 제5(a)도 및 제5(b)와 동일한 경우의 사진이다. 각 미세-영역의 길이는 제6(a)도 및 제6(b)도에 비해 짧다. 이러한 좁은 기판간 거리는 액정 나선을 풀게 하여 동일한 조건에서 측정할 경우, 20마이크론의 경우보다 응답 속도가 10마이크로초만큼 빠르게 되게 한다.
몇가지 실시예에 대해서 상세히 기술하였으나, 본 발명은 기술한 특정 실시예에만 국한되지는 않으며 후술하는 특허청구의 범위에 의해 규정된 본 발명의 영역을 벗어남이 없이 변형 및 변화가 가능하다.

Claims (20)

  1. 한쌍의 기판과 : 액정층의 대향면들에 접촉된 표면들이 대체로 편평하게 되도록 상기 기판들 사이에 삽입된 키랄 스멕틱 액정층과 : 상기 액정층내에 다수의 셀 영역을 어레이 형태로 한정시키고, 각각의 상기 셀 영역들에 전기장을 인가하는 전극 장치 및 : 상기 기판들의 적어도 하나의 내부 표면상에 형성된 배향조절 표면으로 이루어진 액정 전기 광학 장치에 있어서, 각 셀 영역이 다수의 개별적인 미세 영역들로 구성되고, 각각의 미세 영역에서 액정 분자들이 인접해 있는 미세 영역과는 다른 하나의 방향에 따라 정렬되고, 각 미세 영역내의 상기 액정의 상태는 인가된 전기장에 의해 유발되는 액정 분자들의 원뿔형 운동에 따라서 변화되나, 각 미세 영역내의 상기 원뿔형 운동은 인접한 미세 영역들의 상태로부터 아무런 영향을 받지 않고 개별적으로 발생되는 것을 특징으로 하는 액정 전기 광학 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 전극 장치가 다수의 행과 열을 갖는 매트릭스 형태로 화상 소자들을 한정시키는 것을 특징으로 하는 액정 전기 광학 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 배향 조절 표면은 상기 액정층의 분자들을 상기 열과 평행하게 배향되도록 조정하는 것을 특징으로 하는 액정 전기 광학 장치.
  4. 제3항에 있어서, 행 방향에서의 상기 미세 영역의 평균 크기가 상기 화상 소자 크기에 비해 한자릿수 이상 작은(one or more orders of magnitude smaller) 것을 특징으로 하는 액정 전기 광학 장치.
  5. 제4항에 있어서, 행 방향에서의 상기 미세 영역의 크기가 수 마이크론인 것을 특징으로 하는 액정전기 광학 장치.
  6. 제5항에 있어서, 열 방향에서의 상기 미세 영역의 크기가 상기 화상 소자의 크기의 동일 자릿수(same order)인 것을 특징으로 하는 액정 전기 광학 장치.
  7. 제5항에 있어서, 행 방향에서의 상기 미세 영역의 크기가 수백 마이크론인 것을 특징으로 하는 액정 전기 광학 장치.
  8. 제1항에 있어서, 스멕틱 액정의 나선형 피치와 상응하는 각 미세 영역내의 줄무늬가 형성되는 것을 특징으로 하는 액정 전기 광학 장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 줄무늬가 인접하는 미세 영역들간의 계면에 정렬되는 것을 특징으로 하는 액정 전기 광학 장치.
  10. 한쌍의 기판과 : 상기 기판들 사이에 삽입된 키랄 스멕틱(chiral smectic) 액정층과 : 상기 액정층에 전기장을 가하는 전극 장치 및 ; 상기 기판들의 적어도 하나의 내부 표면상에 형성된 배향 조절 표면으로 이루어진 액정 전기 광학 장치에 있어서, 상기 액정층이 다수의 영역들로 이루어지고, 각 영역내에는 액정분자들이 상기 배향 조절 표면에 의해 결정된 방향으로 정렬되고 하나의 영역내의 분자의 길이 방향이 상기 하나의 영역에 인접한 영역의 분자의 길이 방향으로부터 빗나가게 되는 것을 특징으로 하는 액정 전기 광학장치.
  11. 제10항에 있어서, 상기 전극 장치가 화상 소자들을 매트릭스 형태로 한정시키는 것을 특징으로 하는 액정 전기 광학 장치.
  12. 제11항에 있어서, 상기 매트릭스 형태는 다수의 행과 열로 구성되고 , 상기 배향 조절 표면은 상기 액정층의 분자들을 상기 열과 평행하게 배향되도록 조정하는 것을 특징으로 하는 액정 전기 광학 장치.
  13. 제12항에 있어서, 행 방향에서의 상기 영역의 평균 크기가 상기 화상 소자의 크기에 비해 한자릿수 이상 작은(one or more orders of magnitude smaller) 것을 특징으로 하는 액정 전기 광학 장치.
  14. 제10항에 있어서, 상기 배향 조절 표면이 연마 처리(rubbing treatment)되는 것을 특징으로 하는 액정 전기광학장치.
  15. 한쌍의 기판과 : 상기 기판들 사이에 삽입된 키랄 스멕틱 액정층과 : 상기 액정층내의 다수의 셀 영역을 다수의 행과 열을 갖는 매트릭스 형태로 한정시키고, 각각의 상기 셀 영역들에 전기장을 인가하는 전극 장치 및 : 상기 기판들의 적어도 하나의 내부 표면상에 형성되어 상기 액정층의 분자들을 상기 열과 평행하게 배향시키는 배향 조절 표면으로 이루어진 액정 전기 광학 장치에 있어서, 각 셀 영역이 다수의 개별적인 미세 영역들로 구성되고, 각각의 미세 영역에는 액정 분자들이 인접해 있는 미세 영역과는 다른 하나의 방향에 따라 정렬되고, 각 미세 영역내의 상기 액정 상태는 인가된 전기장에 의해 유발되는 액정 분자들의 원뿔헝 운동에 따라서 변화되고, 각 미세 영역내의 상기 원뿔형 운동은 인접한 미세 영역들의 상태로부터 아무런 영향을 받지 않고 개별적으로 발생하고, 상기 행 방향에서의 상기 미세 영역의 크기가 수 마이크론인 것을 특징으로 하는 액정 전기 광학 장치.
  16. 제15항에 있어서, 상기 열 방향에서의 상기 미세 영역의 크기가 상기 화상 소자의 크기와 동일 자릿수(same order)인 것을 특징으로 하는 액정 전기 광학 장치.
  17. 한쌍의 기판과 : 상기 기판들 사이에 삽입된 키랄 스멕틱 액정층과 : 상기 액정층내의 다수의 셀 영역을 다수의 행과 열을 갖는 매트릭스 형태로 한정시키고, 각각의 상기 셀 영역들에 전기장을 인가하는 전극 장치 및 : 상기 기판들의 적어도 하나의 내부 표면상에 형성되어 상기 액정층의 분자들을 상기 열과 평행하게 배향시키는 배향 조절 표면으로 이루어진 액정 전기 광학 장치에 있어서, 각 셀 영역이 다수의 개별적인 미세 영역들로 구성되고, 각각의 미세 영역에는 액정 분자들이 인접해 있는 미세 영역과는 다른 하나의 방향을 따라 정렬되고, 각 미세 영역내의 상기 액정 상태는 인가된 전기장에 의해 유발되는 액정 분자들의 원뿔형 운동에 따라서 변화되나, 각 미세 영역내의 상기 원뿔형 운동은 인접한 미세 영역들의 상태로 부터 아무런 영향을 받지 않고 개별적으로 발생하고, 상기 행 방향에서의 상기 미세 영역의 크기가 수백 마이크론인 것을 특징으로 하는 액정 전기 광학 장치.
  18. 제17항에 있어서, 상기 열 방향에서의 상기 미세 영역의 크기가 상기 화상 소자의 크기와 동일 자릿수(same order)인 것을 특징으로 하는 액정 전기 광학 장치.
  19. 한쌍의 기판과 : 상기 기판들 사이에 삽입된 키랄 스멕틱 액정층과 : 상기 액정층내에 다수의 셀 영역을 어레이 형태로 한정시키고, 각각의 상기 셀 영역들에 전기장을 인가하는 전극 장치 및 ; 상기 기판들의 적어도 하나의 내부 표면상에 형성된 배향 조절 표면으로 이루어진 액정 전기 광학 장치에 있어서, 각 셀 영역이 다수의 개별적인 미세 영역들로 구성되고, 각각의 미세 영역에는 액정 분자들이 인접해 있는 미세 영역과는 다른 하나의 방향을 따라 정렬되고, 각 미세 영역내의 상기 액정 상태는 인가된 전기장에 의해 유발되는 액정 분자들의 원뿔형 운동에 따라서 변화되나, 각 미세 영역내의 상기 원뿔형 운동은 인접한 미세 영역내의 상기 원뿔형 운동은 인접한 미세 영역들의 상태로부터 아무런 영향을 받지 않고 개별적으로 발생하고, 스멕틱 액정의 나선형 피치와 상응하는 폭을 가진 각 미세 영역내에 줄무늬가 형성되는 것을 특징으로 하는 액정 전기 광학 장치.
  20. 제19항에 있어서, 상기 줄무늬가 인접하는 미세 영역들간의 계면에 정렬되는 것을 특징으로 하는 액정 전기 광학 장치.
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