KR940004711A - 폴리실리콘층 형성방법 - Google Patents

폴리실리콘층 형성방법 Download PDF

Info

Publication number
KR940004711A
KR940004711A KR1019920015521A KR920015521A KR940004711A KR 940004711 A KR940004711 A KR 940004711A KR 1019920015521 A KR1019920015521 A KR 1019920015521A KR 920015521 A KR920015521 A KR 920015521A KR 940004711 A KR940004711 A KR 940004711A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
polysilicon layer
type impurity
layer
ion
amorphous silicon
Prior art date
Application number
KR1019920015521A
Other languages
English (en)
Inventor
이우진
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김주용, 현대전자산업 주식회사 filed Critical 김주용
Priority to KR1019920015521A priority Critical patent/KR940004711A/ko
Publication of KR940004711A publication Critical patent/KR940004711A/ko

Links

Landscapes

  • Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)

Abstract

본 발명은 고집적 반도체 소자의 폴리실리콘층 형성방법에 관한것으로 폴리실리콘층을 1000Å이하의 두께로 형성하고, 그 하부에 있는 게이트 산화막의 특성을 보존하기 위하여, 실리콘 기판 상부에 게이트 산화막과 얇은막의 폴리실리콘층을 적층하는 단계와, 폴리실리콘층 상부에서 질량이 큰 n형 불순물을 이온주입하여 폴리실리콘층 상부면의 일정두께를 아몰포스화된 실리콘층을 형성하는 단계와, 아몰포스화된 실리콘층 상부에서 일반적인 n형 불순물을 이온주입하는 단계로 이루어지는 기술이다.

Description

폴리실리콘층 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2C도는 본 발명에 의해 n형 불순물이 도포된 폴리실리콘 박막 형성단계를 도시한 단면도.

Claims (3)

  1. 반도체 소자 제조방법에 있어서, 폴리실리콘층을 1000Å이하의 두께로 형성하고, 그 하부에 있는 게이트 산화막의 특성을 보존하기 위하여, 실리콘 기판 상부에 게이트 산화막과 얇은 막의 폴리실리콘층을 적층하는 단계와, 폴리실리콘층 상부에서 질량이 큰 n형 불순물을 이온주입하여 폴리실리콘층 상부면의 일정두께를 아몰포스화된 실리콘층을 형성하는 단계와, 아몰포스화된 실리콘층 상부에서 일반적인 n형 불순물을 이온주입하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘층 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 질량이 큰 n형 불순물을75AS인 것을 특징으로 하는 폴리실리콘층 형성방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 질량이 큰 n형 불순물은 에너지 20∼50kev의 범위에서 0.5∼1.0 E14 이온/㎠의75AS의 농도로 이온주입하는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘층 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920015521A 1992-08-28 1992-08-28 폴리실리콘층 형성방법 KR940004711A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019920015521A KR940004711A (ko) 1992-08-28 1992-08-28 폴리실리콘층 형성방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019920015521A KR940004711A (ko) 1992-08-28 1992-08-28 폴리실리콘층 형성방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR940004711A true KR940004711A (ko) 1994-03-15

Family

ID=67147911

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019920015521A KR940004711A (ko) 1992-08-28 1992-08-28 폴리실리콘층 형성방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR940004711A (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100386616B1 (ko) * 2000-12-04 2003-06-02 주식회사 하이닉스반도체 미세구조의 폴리층 형성 방법
KR100475895B1 (ko) * 1997-12-30 2005-06-17 주식회사 하이닉스반도체 반도체소자제조방법

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100475895B1 (ko) * 1997-12-30 2005-06-17 주식회사 하이닉스반도체 반도체소자제조방법
KR100386616B1 (ko) * 2000-12-04 2003-06-02 주식회사 하이닉스반도체 미세구조의 폴리층 형성 방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6030874A (en) Doped polysilicon to retard boron diffusion into and through thin gate dielectrics
KR970013412A (ko) 반도체소자의 제조방법
KR950034460A (ko) 박막 트랜지스터의 구조 및 제조방법
KR960032621A (ko) 낮은 면저항을 갖는 접합(Junction) 형성방법
KR960005769A (ko) 반도체웨이퍼의 제조방법, 반도체웨이퍼, 반도체집적회로장치의 제조방법 및 반도체집적회로장치
KR940004711A (ko) 폴리실리콘층 형성방법
US6809016B1 (en) Diffusion stop implants to suppress as punch-through in SiGe
KR930005272A (ko) Ldd형 mos 트랜지스터 및 그의 제조방법
KR970018259A (ko) 반도체 소자의 트랜지스터 제조방법
KR970053886A (ko) 씨모오스(cmos) 소자 제조방법
KR960009015A (ko) 반도체 소자의 게이트 전극 형성방법
KR960026141A (ko) 실리콘 기판에 의한 얕은 접합층 저온 형성방법
KR960002795A (ko) 반도체소자 제조방법
KR940012653A (ko) 박막트랜지스터 제조방법
KR930005157A (ko) 반도체 장치의 제조방법
KR930009131A (ko) Mos 트랜지스터의 제조방법
KR950034737A (ko) 박막트랜지스터의 구조 및 제조방법
KR950015569A (ko) 반도체장치의 제조방법
KR890004399A (ko) 집적 반도체회로를 내포하고 있는 기판에 저고유 접촉저항을 갖는 접점을 제조하는 방법
KR970077222A (ko) 반도체소자의 제조방법
KR940003084A (ko) Mosfet의 구조 및 제조방법
KR920015632A (ko) 소이모스소자 제조방법
KR960002898A (ko) 반도체소자의 트랜지스터 및 그 형성방법
KR960026217A (ko) 반도체 소자 제조방법
KR960012516A (ko) 스태틱 랜덤 억세스 메모리 소자 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination