KR940004711A - 폴리실리콘층 형성방법 - Google Patents
폴리실리콘층 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 고집적 반도체 소자의 폴리실리콘층 형성방법에 관한것으로 폴리실리콘층을 1000Å이하의 두께로 형성하고, 그 하부에 있는 게이트 산화막의 특성을 보존하기 위하여, 실리콘 기판 상부에 게이트 산화막과 얇은막의 폴리실리콘층을 적층하는 단계와, 폴리실리콘층 상부에서 질량이 큰 n형 불순물을 이온주입하여 폴리실리콘층 상부면의 일정두께를 아몰포스화된 실리콘층을 형성하는 단계와, 아몰포스화된 실리콘층 상부에서 일반적인 n형 불순물을 이온주입하는 단계로 이루어지는 기술이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2C도는 본 발명에 의해 n형 불순물이 도포된 폴리실리콘 박막 형성단계를 도시한 단면도.
Claims (3)
- 반도체 소자 제조방법에 있어서, 폴리실리콘층을 1000Å이하의 두께로 형성하고, 그 하부에 있는 게이트 산화막의 특성을 보존하기 위하여, 실리콘 기판 상부에 게이트 산화막과 얇은 막의 폴리실리콘층을 적층하는 단계와, 폴리실리콘층 상부에서 질량이 큰 n형 불순물을 이온주입하여 폴리실리콘층 상부면의 일정두께를 아몰포스화된 실리콘층을 형성하는 단계와, 아몰포스화된 실리콘층 상부에서 일반적인 n형 불순물을 이온주입하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘층 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 질량이 큰 n형 불순물을75AS인 것을 특징으로 하는 폴리실리콘층 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 질량이 큰 n형 불순물은 에너지 20∼50kev의 범위에서 0.5∼1.0 E14 이온/㎠의75AS의 농도로 이온주입하는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘층 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019920015521A KR940004711A (ko) | 1992-08-28 | 1992-08-28 | 폴리실리콘층 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1019920015521A KR940004711A (ko) | 1992-08-28 | 1992-08-28 | 폴리실리콘층 형성방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR940004711A true KR940004711A (ko) | 1994-03-15 |
Family
ID=67147911
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019920015521A KR940004711A (ko) | 1992-08-28 | 1992-08-28 | 폴리실리콘층 형성방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR940004711A (ko) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100386616B1 (ko) * | 2000-12-04 | 2003-06-02 | 주식회사 하이닉스반도체 | 미세구조의 폴리층 형성 방법 |
KR100475895B1 (ko) * | 1997-12-30 | 2005-06-17 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자제조방법 |
-
1992
- 1992-08-28 KR KR1019920015521A patent/KR940004711A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100475895B1 (ko) * | 1997-12-30 | 2005-06-17 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자제조방법 |
KR100386616B1 (ko) * | 2000-12-04 | 2003-06-02 | 주식회사 하이닉스반도체 | 미세구조의 폴리층 형성 방법 |
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