Claims (84)
서로 다른 전원에 접속되는 적어도 2개의 전원선을 사용하는 반도체 소자에 있어서. 상기 각 전원사이에 상기 전원선에 발생하는 일정전위차에 의해 일방향으로 전도하는 일방향 스위치수단을 구비함을 특징으로 하는 반도체소자.A semiconductor device using at least two power lines connected to different power sources. And one-way switch means for conducting in one direction by a constant potential difference generated in the power line between each power source.
제1항에 있어서, 상기 일방향 스위치수단이 채널의 양단자가 상기 전원선 사이에 접속되고 게이트 단자가 상기 전원선중 어느하나에 접속된 모오스 트랜지스터임을 특징으로 하는 반도체 소자.The semiconductor device according to claim 1, wherein the one-way switch means is a MOS transistor in which both terminals of a channel are connected between the power lines and a gate terminal is connected to one of the power lines.
제1항에 있어서, 상기 일방향 스위치수단은 피모오스 트랜지스터와 엔모오스 트랜지스터의 양단자를 상기 전원사이에 병렬접속하고 두 게이트단자가 상기 전원선에 교호적으로 접속하여 형성됨을 특징으로 하는 반도체소자.The semiconductor device according to claim 1, wherein the one-way switch means is formed by connecting both terminals of the PMOS transistor and the NMOS transistor in parallel between the power supply, and two gate terminals are alternately connected to the power supply line.
제1항에 있어서, 상기 일방향 스위치수단이 다이오드로 이루어짐을 륵징으로 하는 반도체 소자.The semiconductor device according to claim 1, wherein the one-way switch means is made of a diode.
제1항에 있어서, 상기 일방항 스위치수단이 에미틴와 콜렉터를 상기 전원선사이에 접속시키고 베이스가 콜렉터에 접속되는 바이폴라 트랜지스터임을 특징으로 하는 반도체 소자.The semiconductor device according to claim 1, wherein the one-way switch means is a bipolar transistor connected between an emintine and a collector between the power supply line and a base connected to the collector.
제4항에 있어서, 상기 다이오드가 모오스 트랜지스터로 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 소자.The semiconductor device according to claim 4, wherein the diode is made of a MOS transistor.
제2항 내지 제5항중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 일방향 스위치수단을 다수개로 직렬 연결하여 사용함을 특징으로 하는 반도체소자.The semiconductor device according to any one of claims 2 to 5, wherein a plurality of one-way switch means are used in series.
제2항 내지 제5항중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 일방향 스위치수단을 다수개로 병렬 연결하여 사용함을 특징으로 하는 반도체소자.The semiconductor device according to any one of claims 2 to 5, wherein a plurality of one-way switch means are connected in parallel.
서로 다른 접지단에 접속되는 적어도 2개의 접지선을 사용하는 반도체 소자에 있어서, 상기 각 접지선 사이에 상기 접지선에 발생하는 일정전위차에 의해 일방향으로 전도하는 일방향 스위치수단을 구비함을 특징으로 하는 반도체소자.A semiconductor device using at least two ground wires connected to different ground terminals, the semiconductor device comprising one-way switch means for conducting in one direction by a constant potential difference generated in the ground wires between the respective ground wires.
제9항에 있어서, 상기 일방향 스위치수단이 채널의 양단자가 상기 접지선 사이에 접속되고 게이트 단자가 상가 접지선중 어느하나에 접속된 모오스 트랜지스터임을 특징으로 하는 반도체 소자.10. The semiconductor device according to claim 9, wherein the one-way switch means is a MOS transistor in which both terminals of the channel are connected between the ground lines and the gate terminal is connected to any one of the ground lines.
제9항에 있어서, 상기 일방향스위치수단은 상기 접지선사이에 피모오스 트랜지스터와 엔모오스 트랜지스터의 채널 양단자률 서로 병렬접속하고 두게이트단자가 상기 접지선에 교호적으로 접속하여 형성됨을 특징으로하는 반도체 소자.10. The semiconductor device according to claim 9, wherein the one-way switch means is formed by parallel connection between the channel terminal terminals of the PMOS transistor and the NMOS transistor between the ground lines and two gate terminals alternately connected to the ground line. .
제9항에 있어서, 상기 일방향 스위치수단이 다이오드로 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 소자.The semiconductor device according to claim 9, wherein the one-way switch means is made of a diode.
제9항에 있어서, 상기 일방향 스위치수단이 에미터와 콜렉터를 상기 전원선사이에 접속시키고 베이스가 콜렉터에 접속되는 바이폴라 트랜지스터임을 특징으로 하는 반도체 소자.10. The semiconductor device according to claim 9, wherein the one-way switch means is a bipolar transistor in which an emitter and a collector are connected between the power supply line and a base is connected to the collector.
제12항에 있어서, 상기 다이오드가 모오스 트랜지스터로 이루어짐을 특징으로 하는 반도체소자.The semiconductor device according to claim 12, wherein the diode is made of a MOS transistor.
제10항 내지 제13항중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 일방향 스위치수단을 다수개로 직렬 연결하여 사용항을 특징으로 하는 반도체소자.The semiconductor device according to any one of claims 10 to 13, wherein a plurality of the one-way switch means are connected in series.
제10항 내 지 제13항중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 일방향 스위치수단을 다수개로 병렬 연결하여 사용함을 특징으로 하는 반도체소자.The semiconductor device according to any one of claims 10 to 13, wherein a plurality of one-way switch means are connected in parallel.
서로 다른 전원에 접속되는 적어도 2개외 전원선과 서로 다른 접지단에 접속되는 적어도 2개의 접지선을 사용하는 반도체 소자에 있어서, 상기 각 전원선 상호간과 각 접지선 상호간에 상기 전원선과 접지선에 발생하는 일정·전위차에 의해 전도하는 일방향 스위치수단을 구비항을 특징으로 하는 반도체소자.In a semiconductor device using at least two external power lines connected to different power sources and at least two ground wires connected to different ground terminals, a constant potential difference generated in the power lines and ground lines between the respective power lines and each ground line. And a one-way switch means for conducting by the semiconductor device.
제17항에 있어서, 상기 일방향 스위치수단이 채널의 양단자가 상기 전원선 (또는 접지선)사이에 접속되고 게이트 단자가 상기 전원선 (또는 접지선)중 어느하나에 접속된 모오스 트랜지스터임을 특징으로 하는 반도체 소 자.18. The semiconductor device according to claim 17, wherein the one-way switch means is a MOS transistor in which both terminals of the channel are connected between the power supply line (or ground line) and the gate terminal is connected to any one of the power supply line (or ground line). character.
제17항에 있어서, 상기 일방향 스위치수단이 피모오스 트랜지스터와, 엔도오스 트랜지스터의 채널 양단자를 상기 전원선 (또는 접지선)사이에 병렬접속하고 두 게이트단자를 상기 전원선(또는 접지선)에 교호적으로 접속하여 형성됨을 특징으로 하는 반도체 소자.18. The power supply circuit of claim 17, wherein the one-way switch means connects the PMOS transistor and the both ends of the channel of the end transistor to the power line (or ground line) in parallel, and alternates the two gate terminals to the power line (or ground line). A semiconductor device, characterized in that formed by connecting.
제17항에 있어서. 상기 일방항 스위치수단이 다이오드로 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 소자.18. The method of claim 17. A semiconductor device, characterized in that the one-way switch means is made of a diode.
제17항에 있어서, 상기 일방향 스위치수단이 에미터의 콜렉터를 상기 전원선에 접속시키고 베이스가 콜렉터에 접속되는 바이폴라 트랜지스터임을 특징으로 하는 반도테 소자.18. The bandote element according to claim 17, wherein the one-way switch means is a bipolar transistor in which a collector of an emitter is connected to the power line and a base is connected to the collector.
제20항에 있어서, 상기 다이오드가 모오스 트랜지스터로 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 소자The semiconductor device according to claim 20, wherein the diode is made of a MOS transistor.
제8항 내지 제21항중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 일방항 스위치수단을 다수개로 직렬 연결하여 사용함을 특징으로 하는 반도테소자.22. The bandote element according to any one of claims 8 to 21, wherein a plurality of one-way switch means are used in series.
제18항 내지 제21항중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 일방항 스위치수단을 다수개로 병렬 연결하여 사용함을 특징으로 하는 반도체소자.22. The semiconductor device according to any one of claims 18 to 21, wherein a plurality of the one-way switch means are connected in parallel.
서로 다른 전원에 접속되는 적어도 2개의 전원선과. 서로 다른 접지단에 접속되는 적어도 2개의 접지선을 사용하는 반도체 소자에 있어서, 상기 각 전원선 사이와. 상기 각 접지선 사이와, 상기 각 전원선과 각 접지선 사이에, 상기 전원선과 접지선에 발생하는 일정전위차에 의해 전도하는 일방항 스위치수단을 구비함을 특징으로 하는 반도체소자.At least two power lines connected to different power sources. A semiconductor device using at least two ground wires connected to different ground terminals, comprising: between each power supply line; And a unidirectional switch means for conducting between the respective ground lines and between the power lines and the ground lines by a constant potential difference generated in the power lines and the ground lines.
제25항에 있어서, 상기 일방향 스위치수단이 게이트단자가 채널의 양단자 중 어느 하나에 접속된 모으스 트랜지스터임을 특징으로 하는 반도체 소자.26. The semiconductor device according to claim 25, wherein the one-way switch means is a moose transistor whose gate terminal is connected to either of the terminals of the channel.
제25항에 있어서, 상기 일방향 스위치수단이 피모오스 트랜지스터와 엔모오스 트렌지스터의 채널 양단자를 병렬접속하고 상기 두 트랜지스터의 게이트단자를 상기 채널 양단자의 병렬접속점에 교호적으로 접속하여 헝성됨을 특징으로 하는 반도체 소자.26. The semiconductor device according to claim 25, wherein the one-way switch means is formed by connecting both terminals of the PMOS transistor and the channel of the NMOS transistor in parallel and alternately connecting the gate terminals of the two transistors to the parallel connection points of the both terminals of the channel. device.
제25항에 있어서, 상기 일방향 스위치수단이 다이오드로 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 소자The semiconductor device according to claim 25, wherein the one-way switch means is made of a diode.
제25항에 있어서, 상기 일방향 스위치수단이 에미터와 콜렉터를 상기 전원선에 접속시키고, 베이스가 콜렉터에 접속되는 바이폴라 트랜지스터임을 특징으로 하는 반도테 소자.26. The bandote element according to claim 25, wherein the one-way switch means is a bipolar transistor in which an emitter and a collector are connected to the power supply line, and a base is connected to the collector.
제27항에 있어서, 상기 다이오드가 모오스 트랜지스터로 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 소자.The semiconductor device according to claim 27, wherein said diode is made of a MOS transistor.
제26항 내지 제30항중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 일방향 스위치수단을 다수개로 직렬 연결하여 사용함을 특징으로 하는 반도체소자.31. The semiconductor device according to any one of claims 26 to 30, wherein a plurality of one-way switch means are used in series.
제26항 내지 제30항중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 일방향 스위치수단을 다수개로 병렬 연결하여 사용함을 특징으로 하는 반도체소자.31. A semiconductor device according to any one of claims 26 to 30, wherein a plurality of said one-way switch means are connected in parallel.
서로 다른 전원에 접속되는 적어도 2개의 전원선을 사용하는 반도체 소자에 있어서, 상기 각 전원선 사이에 상기 전원선에 발생하는 일정전위차에 의해 전도하는 쌍방항 스위치수단을 구비함을 특징으로 하는 반도체소자.A semiconductor device using at least two power lines connected to different power sources, the semiconductor device comprising bidirectional switch means for conducting a constant potential difference generated in the power line between each power line. .
제33항에 있어서, 상기 쌍방향스위치수단은 채널의 양단자를 서로 병렬접속시키고 두 게이트 단자가 상기 양단자의 접속부에 교호적으로 접속된 두개의 모오스 트랜지스터임을 특징으로 하는 반도체 소자.34. The semiconductor device according to claim 33, wherein the bidirectional switch means is two MOS transistors in which both terminals of the channel are connected in parallel to each other and two gate terminals are alternately connected to the connecting portions of the both terminals.
제33항에 있어서, 상기 쌍방향 스위치수단이 제1트랜지스터의 에미터와 제2트랜지스터의 콜렉터를 한쪽 전원선에 접속하고, 상기 제 1트랜지스터의 콘렉터와 상기 제2트랜지스터의 에미터를 다른 한쪽전원선에 접속하고, 상기 제1, 제2트랜지스터의 베이스단자가 각각의 콜렉터에 접속되는 두개의 엔피엔형 바이폴라 트랜지스터임을 특징으로 하는 반도체 소자.34. The power supply of claim 33, wherein the bidirectional switch means connects the emitter of the first transistor and the collector of the second transistor to one power supply line, and the collector of the first transistor and the emitter of the second transistor to the other power supply. A semiconductor device, characterized in that two n-type bipolar transistors connected to a line and whose base terminals of the first and second transistors are connected to respective collectors.
제33항에 있어서, 상기 쌍방향 스위치수단이 제 1트랜지스터 의 에미터와 제2트랜지스터의 콜렉터를 한쪽전원선에 접속하고, 상기 제1트랜지스터의 콜렉터와 상기 제2트랜지스터의 에미터를 다른 한쪽전원선에 접속하고, 상기 제1,제2트랜지스터의 베이스단자가 각각의 콜렉터에 접속되는 두개의 피엔피형 바이폴라 트랜지스터임을 특징으로 하는 반도체 소자.34. The power supply of claim 33, wherein the bidirectional switch means connects the emitter of the first transistor and the collector of the second transistor to one power supply line, and the collector of the first transistor and the emitter of the second transistor to the other power supply line. And two PNP type bipolar transistors connected to each of the base terminals of the first and second transistors, respectively.
제33항에 있어서, 상기 쌍방향 스위치수단이 제1다이오드와 상기 제 1다이오드와 역 방향으로 바이어스되도록 병렬 접속된 제2다이오드 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 소자.34. The semiconductor device according to claim 33, wherein the bidirectional switch means comprises a first diode and a second diode connected in parallel so as to be biased in a reverse direction with the first diode.
제37항에 있어서, 상기 제1,제2다이오드가 모오스 트랜지스터로 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 소자38. The semiconductor device of claim 37, wherein the first and second diodes are made of MOS transistors.
제34항 내지 제37항중 어느 하나의 항에 있어 서, 상기 스위치수단을 다수개로 직렬 연결하여 사용함을 특징으로 하는 반도체소자.38. A semiconductor device according to any one of claims 34 to 37, wherein a plurality of switch means are used in series.
제33항 내지 제37항중 어느 하나에 항에 있어 서, 상기 스위치수단을 다수개로 병렬 연결하여 사용함을 특징으로 하는 반도체소자.38. A semiconductor device according to any one of claims 33 to 37, wherein a plurality of switch means are connected in parallel.
서로 다른 접지단에 접소괴는 적어도 2개의 접지선을 사용하는 반도체 소자에 있어서, 상기 각 접지선 사이에 상기 접지선에 발생되는 일정전위차에 의해 전도하는 쌍방향 스위치수단을 구비함을 특징으로 하는 반도체소자.A semiconductor device using at least two ground wires connected to different ground terminals, the semiconductor device comprising two-way switch means for conducting a constant potential difference generated in the ground wires between the ground wires.
제41항에 있어서, 상기 쌍방향 스위치수단은 상기 접지선사이에 채널의 양 단자를 서로 병렬접속시키고 두 게이트 단자가 상기 접지선사이에 교호적으로 접속된 두개의 엔모으스 트랜지스터임을 특징으로 하는 반도체 소자.42. The semiconductor device according to claim 41, wherein the bidirectional switch means is two enMOS transistors in which both terminals of the channel are connected in parallel to each other between the ground lines, and two gate terminals are alternately connected between the ground lines.
제41항에 있어서, 상기 쌍방향 스위치수단은 상기 접지선사이에 채널의 양단자를 서로 병렬접속시키고 두 게이트 같자가 상기 접지선사이에 교호적으로 접속된 두개의 피모오스 트랜지스터임을 특징으로 하는 반도체 소자.42. The semiconductor device according to claim 41, wherein the bidirectional switch means is two PMOS transistors in which both terminals of the channel are connected in parallel to each other between the ground lines and two gates are alternately connected between the ground lines.
제41항에 있어서, 상기 쌍방향 스위치수단이 제1트랜지스터의 에미터와 제2트랜지스터의 콜렉터를 한쪽접지선에 접속하고, 상기 제 1트랜지스터의 콜렉 터와 상기 제2트랜지스터의 에미터를 다른 한쪽접 지 선에 접속하고, 상기 제1,제2트랜지스터의 베이스단자가 각각의 콜렉터에 접속되는 두개의 엔피옌형 바이폴라 트랜지스터임을 특징으로 하는 반도체 소자.42. The method of claim 41, wherein the bidirectional switch means connects the emitter of the first transistor and the collector of the second transistor to one ground line, and the collector of the first transistor and the emitter of the second transistor to the other ground. A semiconductor device comprising: two n-pyen-type bipolar transistors connected to a line and connected to respective collectors of base terminals of the first and second transistors.
제41항에 있어서, 상기 쌍방향 스위치수단이 제 1트랜지스터의 에미터와 제2트랜지스터의 콜터률 한쪽접지선에 접속하고, 상기 제1트랜지스터의 콜렉터와 상기 제2트랜지스터의 에미터를 다른 한쪽접 지선에 접속하고, 상기 제1, 제2트랜지스터와 베이스단자가 각각의 콜렉터에 접속되는 두개의 피엔피형 바이폴라 트랜지스터임을 특징으로 하는 반도체 소자.42. The method of claim 41, wherein the bidirectional switch means connects the emitter of the first transistor and the colter ratio of the second transistor to one ground line, and the collector of the first transistor and the emitter of the second transistor to the other ground line. And two PNP-type bipolar transistors connected to each of the first and second transistors and the base terminal to each collector.
제41항에 있어서, 상기 쌍방향 스위치수단이 접지선사이에 접속된 제1다이오드와 상기 제1다이오드와 역방향으로 바이어스되도륵 병렬 접속된 제2다이오드로 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 소자.42. The semiconductor device according to claim 41, wherein the bidirectional switch means comprises a first diode connected between a ground line and a second diode connected in parallel with the first diode in a reverse direction.
제46항에 있어서, 상기 다이오드가 모오스 트랜지스터로 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 소자.The semiconductor device according to claim 46, wherein said diode is made of a MOS transistor.
제42항 내지 제46항중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 스위치수단을 다수개로 직렬 연결하여 사용함을 특징으로 하는 반도체소자.47. A semiconductor device according to any one of claims 42 to 46, wherein a plurality of switch means are used in series.
제42항 내지 제46항중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 스위치수단을 다수개로 병렬 연결하여 사용함을 특징으로 하는 반도체소자.47. A semiconductor device according to any one of claims 42 to 46, wherein a plurality of switch means are connected in parallel.
서로 다른 전원에 접속되는 적어도 2개의 전원선과, 서로 다르 접지단에 접속되는 적어도 2개의 접지선을 사용하는 반도체 소자에 있어서, 상기 각 전원선 상호간과 각 접지선 상호간 사이에 상기 전원선과 접지선에 발생하는 일직전위차에 의해 전도하는 쌍방향 스위치수단을 구비함을 특징으로 하는 반도체소자.A semiconductor device using at least two power lines connected to different power sources and at least two ground lines connected to different ground terminals, wherein the power lines and ground lines are generated between the power lines and each ground line. And a bidirectional switch means for conducting by a potential difference.
제50항에 있어서, 상기 쌍방항 스위치수단은 상기 전원선사이 (또는 접지선 사이)에 채널의 양단자를 서로 병렬접속시키고 두 게이트 단자가 상기 전원선 (또는 접지선)에 교호적으로 접속된 두개의 엔모오스 트랜지스터 임을 특징으로 하는 반도테 소자.51. The apparatus of claim 50, wherein the two-way switch means connects two terminals of the channel in parallel to each other between the power lines (or between the ground lines) and two gate terminals connected alternately to the power lines (or ground lines). Bandote device, characterized in that the transistor.
제50항에 있어서, 상기 쌍방향 스위치수단은 강기 전원선사이(또는 접지선 사이)에 채널의 양단자를 서로 병렬 접속시키고 두 게이트 단자가 상기 전원선 (또는 전지선)에 교호적으로 접속된 두개의 피모오스 트랜지스터임을 특징으로 하는 반도체 소자.51. The PMOS transistor of claim 50, wherein the two-way switch means connects two terminals of the channel in parallel to each other between the power supply lines (or between the ground lines) and two gate terminals are alternately connected to the power line (or battery line). A semiconductor device characterized in that.
제50항에 있어서, 상기 쌍방향 스위치수단이 제1트랜지스터의 에미터와 제2트랜지스터의 콜렉터를 한쪽전원선(또는 한쪽접지선)에 접속하고, 상기 제1트랜지스터의 콜렉터와 상기 제2트랜지스터의 에미터를 다른 한쪽 전원선(또는 다른 한쪽접지선)에 접속하고, 상기 제 1. 제2트랜지스터의 베이스단자가 상기 각각의 콜렉터에 접속 되는 두개의 옌피엔형 바이폴라 트랜지스터임을 특징으로 하는 반도체 소자.51. The method of claim 50, wherein the bidirectional switch means connects the emitter of the first transistor and the collector of the second transistor to one power line (or one ground line), and the collector of the first transistor and the emitter of the second transistor. Is a two Yenpien type bipolar transistor connected to the other power supply line (or the other grounding line) and the base terminal of the first second transistor connected to each of the collectors.
제50항에 있어서, 상기 쌍방항 스위치수단이 제1트랜지스터의 에미터와 제2트랜지스터의 콜렉터를 한쪽전원선(또는 한쪽접지선)에 접속하고, 상기 제1트랜지스터의 콜렉터와 상기 제2트랜지스터의 에미터를 다른 한쪽 전원선(또는 다른 한쪽접지선)에 접속하고, 상기 제1,제2트랜지스터의 베이스단자가 각각의 콜렉터에 접속되는 두개의 피엔피형 바이폴라 트랜지스터임을 특징으로 하는 반도체 소자51. The method of claim 50, wherein the two-way switch means connects the emitter of the first transistor and the collector of the second transistor to one power supply line (or one ground line), and the collector of the first transistor and the emitter of the second transistor. A semiconductor device comprising two PNP type bipolar transistors connected to the other power supply line (or the other grounding line) and the base terminals of the first and second transistors connected to respective collectors.
제57항에 있어서, 상기 쌍방향 스위치수단이 제1다이오드와 상기 제1다이오드와 역방향으로 바이어스되도록 병렬 접속된 제2다이오드로 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 소자.60. The semiconductor device according to claim 57, wherein the bidirectional switch means comprises a first diode and a second diode connected in parallel so as to be biased in a reverse direction with the first diode.
제55항에 있어서, 상기 다이오드가 모오스 트랜지스터로 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 소자.56. A semiconductor device according to claim 55 wherein said diode consists of a MOS transistor.
제51항 내지 제55항중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 스위치수단을 다수개로 직렬 연결하여 사용함을 특징으로 하는 반도체소자.The semiconductor device according to any one of claims 51 to 55, wherein a plurality of switch means are used in series.
제51항 내지 제55항중 어느 하나의 항에 있어서, 상기스위 치수단을 다수개로 병렬 연결하여 사용함을 특징으로 하는 반도체소자.The semiconductor device according to any one of claims 51 to 55, wherein the plurality of switch dimensions are connected in parallel.
서로 다른 전원에 접속되는 적어도 2개의 전원선과, 서로 다른 접지단에 접속되는 적어도 2개의 접지선을 사용하는 반도체 소자에 있어서, 상기 각각의 전원선 사이와, 상기 각각의 접지선사이와. 상기 각 전원선과 상기 전원선에 대응하는 각 접지선 사이에, 상기 전원선과 집지선에 발생하는 일정전위차에 의해 전도하는 결정되는 쌍방향 스위치수단을 구비함을 특징으로 하는 반도체소자.A semiconductor device using at least two power lines connected to different power sources and at least two ground lines connected to different ground terminals, comprising: between each power line and between each ground line. And bidirectional switch means for conducting between each of the power lines and each ground line corresponding to the power lines by conducting a constant potential difference generated in the power lines and the collecting lines.
제59항에 있어서, 상기 쌍방향 스위치수단은 채널의 양단자를 서로 병렬접속시키고 두 게이트 단자가 상기 양단자의 접속부에 교호적으로 접속된 두개의 엔모오스 트랜지스터임을 특징으로 하는 반도체 소자.60. The semiconductor device according to claim 59, wherein the bidirectional switch means is two enmos transistors in which both terminals of the channel are connected in parallel to each other and two gate terminals are alternately connected to the connecting portions of the both terminals.
제57항에 있어서, 상기 쌍방향스위치수단은 채널의 양단자를 서로 병력접속시키고 두 게이트 단자가 상기 양단자의 접속부에 교호적으로 접속된 두개의 피모오스 트랜지스터임을 특징으로 하는 반도체 소자.59. The semiconductor device according to claim 57, wherein the bidirectional switch means are two PMOS transistors connected in parallel with each other of the channel and two gate terminals are alternately connected to the connection portions of the both terminals.
제57항에 있어서, 상기 쌍방향 스위치수단이 제 1트랜지스터의 에미터와 제2트랜지스터의 콜렉터를 한쪽전원선에 접속하고, 상기 제1트랜지스터의 콜렉터와 상기 제2트랜지스터 의 에미터를 다른 한쪽전원선에 접속하고, 상기 제1,제2트랜지스터의 베이스단자가 각각의 콜렉터에 접속되는 두개의 엔피엔형 바이폴라 트랜지스터임을 특징으로 하는 반도체 소자.58. The power supply of claim 57, wherein the bidirectional switch means connects the emitter of the first transistor and the collector of the second transistor to one power supply line, and the collector of the first transistor and the emitter of the second transistor to the other power supply line. And two NPI-type bipolar transistors connected to the base terminals of the first and second transistors, respectively.
제59항에 있어서, 상기 쌍방향 스위치수단이 제1트랜지스터의 에미터와 제2트랜지스터의 콜렉터를 한쪽전원서에 접속하고, 상기 제 1트랜지스터와 콜렉터와 상기 제2트랜지스터의 에미터를 다른 한쪽전원선에 접속하고, 상기 제1,제2트랜지스터의 베이스단자가 각각의 콜렉터에 접속되는 두개의 피엔피형 바이폴라 트랜지스터임을 특징으로 하는 반도체 소자.60. The power supply of claim 59, wherein the bidirectional switch means connects the emitter of the first transistor and the collector of the second transistor to one power source, and the first transistor, the collector, and the emitter of the second transistor to the other power line. And two PNP type bipolar transistors connected to each of the base terminals of the first and second transistors, respectively.
제59항에 있어서, 상기 쌍방향 스위치수단이 제1다이오드와 상기 제 1다이오드와 역 방향으로 바이어스 되도록 병렬 접속된 제2다이오드로 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 소자.60. The semiconductor device according to claim 59, wherein the bidirectional switch means comprises a first diode and a second diode connected in parallel so as to be biased in a reverse direction with the first diode.
제54항에 있어서, 상기 다이오드가 모오스 트랜지스터로 이루어짇을 특징으로 하는 반도체 소자.55. The semiconductor device of claim 54, wherein the diode is made of a MOS transistor.
제60항 내지 제64항중 어느 하나의 항에 있어 서, 상기 스위치수단을 다수개로 직렬 연결하여 사용함을 특징으로 하는 반도체소자.65. The semiconductor device according to any one of claims 60 to 64, wherein a plurality of switch means are used in series.
제60항 내지 제64항중 어느 하나의 항에 있어서. 상기 스위치수단을 다수개로 병렬 연결하여 사용함을 특징으로 하는 반도체소자.65. The method of any of claims 60-64. And a plurality of switch means connected in parallel to each other.
기관저항(또는 웰저항) (507)을 통하여 접속되는 제1메모리회로(573a) 및 제2메모리회로(503b)와, 상기 제1회로(503a)에 각각 접속되는 제1전원선(501) 밋 제1접지선 (505)과, 상기 제1회로의 데이타 입/출력수단인 제1입/출력패드(504)와, 상기 제2회로(503b)에 각각 접속되는 제2전원선(501) 및 제2접지선(505)과, 상기 제2회로 (503b)의 데이타 입/출력수단인 제2입/출력패드 (504b)를 가지는 반도체 소자에 있어서, 상기 반도체 소자가 상기 제1전원선 (501)과 제 1접지선(505) 사이와, 상기 제1전원선(501)과 제1전원선(502) 사이와, 상기 제 1접지선(505)과 제2접지선(506) 사이와, 상기 제2전원선(502)과 제2접지선 (506)사이에, 상기 제1,제2전원선(501,502)및 제1,제2접지선(505, 506)에 발생하는 일정 전위차에 의해 쌍방향으로 전도하는 쌍방향 스위치수단(578a,508b,508c,508d)을 구비함을 특징으로 하는 반도체 소자.First memory circuit 573a and second memory circuit 503b connected through an engine resistance (or well resistance) 507, and a first power supply line 501 connected to the first circuit 503a, respectively. A first ground line 505, a first input / output pad 504 serving as data input / output means of the first circuit, and a second power line 501 and a second connected to the second circuit 503b, respectively. A semiconductor device having a two ground line 505 and a second input / output pad 504b serving as data input / output means of the second circuit 503b, wherein the semiconductor element is connected to the first power line 501. Between the first ground line 505, between the first power line 501 and the first power line 502, between the first ground line 505 and the second ground line 506, and the second power line Bidirectional switch means for conducting bidirectionally between 502 and the second ground line 506 by a constant potential difference generated in the first and second power lines 501 and 502 and the first and second ground lines 505 and 506. (578a, 508b, 508c, 508d) Semiconductor device.
제68항에 있어서, 상기 쌍방향 스위치수단(508a 508b, 5O8c,508d)은 채널의 양단자를 서로 병렬접속시키고 두 게이트 단자가 상기 양단자의 접속부에 교호적 으로 접속된 두개의 엔모오스 트랜지스터 임을 특징으로 하는 반도체 소자69. The method of claim 68, wherein the bidirectional switch means (508a, 508b, 5o8c, and 508d) are two NMOS transistors in which both terminals of the channel are connected in parallel to each other and two gate terminals are alternately connected to the connecting portions of the both terminals. Semiconductor device
제68항에 있어서, 상기 쌍방향 스위치수단(508a 508b 508c 508d)은 채널의 양단자를 서로 병렬접속시키고 두 게이트 단자가 상기 양단자의 접속부에 교호적으로 접속된 두개의 피모오스 트랜지스터 임을 특징으로 하는 반도체 소자.69. The semiconductor device according to claim 68, wherein the bidirectional switch means (508a 508b 508c 508d) are two PMOS transistors in which both terminals of the channel are connected in parallel to each other and two gate terminals are alternately connected to the connecting portions of the both terminals. .
제68항에 있어서, 상기 쌍방향 스위치수단 (578a, 508b, 508c, 508d) 이 제1트랜지스터의 에미터와 제2트랜지스터의 콜렉터를 한쪽전원선에 접속하고, 상기 제1트랜지스터의 콜렉터와 상기 제2트랜지스터의 에미터를 다른 한쪽 전원선에 접속하고, 상기 제1,제2트랜지스터의 베이스단자가 각각의 콜렉터에 접속되는 두개의 엔피인형 바이폴라 트랜지스터임을 특징으로 하는 반도체 소자.69. The bidirectional switch means (578a, 508b, 508c, 508d) connects the emitter of the first transistor and the collector of the second transistor to one power line, and the collector of the first transistor and the second transistor. A semiconductor device comprising two epi-type bipolar transistors in which the emitters of the transistors are connected to the other power line, and the base terminals of the first and second transistors are connected to respective collectors.
제68항에 있어서, 상기 쌍방항 스위치수단 (508a,508b,503c,508d) 이 제1트랜지스터의 에미터와 제2트랜지 스퍼의 콜렉터를 한쪽전원선에 접속하고, 상기 제1트랜지스터의 콜렉터와 상기 제2트랜지스터의 에미터를 다른한쪽 전원선에 접속하고, 상기 제1,제2트랜지스터의 베이스단자가 각각의 콜렉터에 접속되는 두개의 피엔피형 바이폴라 트랜지스터임을 특징으로 하는 반도체 소자.69. The apparatus of claim 68, wherein the two-way switch means (508a, 508b, 503c, 508d) connects the emitter of the first transistor and the collector of the second transistor spur to one power line, and the collector of the first transistor. And two PNP-type bipolar transistors in which the emitter of the second transistor is connected to the other power line and the base terminals of the first and second transistors are connected to respective collectors.
제68항에 있어서, 상기 쌍방향 스위치수단(508a, 578b,508c,508d)이 제1다이오드와 상기 제1다이오드와 역방향으로 바이어스되도록 병렬 접속된 제2다이오드로 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 소자.69. The semiconductor device according to claim 68, wherein the bidirectional switch means (508a, 578b, 508c, 508d) comprise a first diode and a second diode connected in parallel so as to be biased in a reverse direction with the first diode.
제73항에 있어서, 상기 다이오드가 모오스 트렌지스터로 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 소자.74. The semiconductor device of claim 73, wherein said diode is comprised of MOS transistors.
제69항 내지 제73항중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 쌍방향 스위치수단 (508a,508b,508c,508d)을 다수개로 직렬 연결하여 사용함을 특징으로 하는 반도체소자.80. The semiconductor device according to any one of claims 69 to 73, wherein a plurality of bidirectional switch means (508a, 508b, 508c, 508d) are used in series.
제69항 내지 제73항중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 쌍방향 스위치수단(508a,508b,508c,508d)을 다수개로 병렬 연결하여 사용함을 특징으로 하는 반도체소자.80. The semiconductor device according to any one of claims 69 to 73, wherein a plurality of bidirectional switch means (508a, 508b, 508c, 508d) are connected in parallel.
기판저항(또는 웰휄저항) (507)을 통하여 접속되는 제1메모리회로(503a) 및 제2메모리회로(5037)와, 상기제1회로(573a)에 각각 접속되는 제1전원선(501) 및 제1접지선 (505)과, 상기 제1회로의 데이타 입/출력수단인 제1입/출력패드(504)와, 상기 제2회로(503b)에 각각 접속되는 제2전원선 (501) 및 제2접지선 (505)과, 상기 제2회로 (503b)의 데이타 입/출력수단인 제2입/출력 패드 (504b)를 가지는 반도체 소자에 있어서, 상기 반도체 소자가 상기 제1전원선 (571)과 제1접지선 (505) 사이와, 상기 제 1전원선 (501)과 제 1전원선 (502) 사이와, 상기 제1접지선 (505)과 제2접지선 (506) 사이와, 상기 제2전원선 (502)과 제2접지선 (506)사이에, 상기 제1. 제2전원선 (501,502)및 제1,제2접지선(505,506)에 발생하는 일정 전위차에 의해 일방향으로 전도하는 일방향 스위치수단(508a,508b,508c,508d)을 구비함을 특징으로 하는 반도체 소자.A first memory circuit 503a and a second memory circuit 5037 connected through a substrate resistor (or well resistance) 507, a first power line 501 connected to the first circuit 573a, and The first ground line 505, the first input / output pad 504 serving as data input / output means of the first circuit, and the second power line 501 and the second connected to the second circuit 503b, respectively. A semiconductor element having a two ground line 505 and a second input / output pad 504b serving as data input / output means of the second circuit 503b, wherein the semiconductor element is connected to the first power line 571. Between the first ground line 505, between the first power line 501 and the first power line 502, between the first ground line 505 and the second ground line 506, and the second power line Between 502 and the second ground line 506, the first. And one-way switch means (508a, 508b, 508c, 508d) which conduct in one direction by a constant potential difference generated in the second power line (501, 502) and the first and second ground lines (505, 506).
제77항에 있어서, 상기 일방항스위치수단(508a,508b.508c,508d)은 게이트단자가 채널 양단자의 어느 하나에 접속된 모오스 트랜지스터임을 특징으로 하는 반도체 소자.78. The semiconductor device according to claim 77, wherein the one-way switch means (508a, 508b. 508c, 508d) is a MOS transistor whose gate terminal is connected to either terminal of the channel.
제77항에 있어서, 상기 일방항스위치수단(508a.508b,508c,508d)은 게이트단자가 태널 양단자치 어느 하나에 접속된 피모오스 트랜지스터임을 특징으로 하는 반도체 소자.78. The semiconductor device according to claim 77, wherein the one-way switch means (508a. 508b, 508c, 508d) is a PMOS transistor whose gate terminal is connected to either terminal terminal.
제77항에 있어서, 상기 일방향 스위치수단(508a,508b,508c,508d)이 베이스단자가 콜렉터 단자에 접속된 바이폴라 트랜지스터임을 특징으로 하는 반도체 소자.78. The semiconductor device according to claim 77, wherein said one-way switch means (508a, 508b, 508c, 508d) is a bipolar transistor having a base terminal connected to a collector terminal.
제77항에 있어서, 상기 일방향 스위치수단(508a,508b,508c,508d)이 다이오드로 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 소자.78. The semiconductor device of claim 77, wherein said one-way switch means (508a, 508b, 508c, 508d) is made of a diode.
제81항에 있어서, 상기 다이오드가 모오스 트랜지스터로 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 소자.84. The semiconductor device of claim 81, wherein the diode is made of a MOS transistor.
제78항 내지 제81항중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 일방향 스위치수단 (508a.508b,508c,50ed)을 다수개로 직렬 연결하여 사용함을 특징으로 하는 반도체소자.The semiconductor device according to any one of claims 78 to 81, wherein a plurality of one-way switch means (508a. 508b, 508c, 50ed) are used in series.
제78항 내지 제58항중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 일방향 스위치수단(508a,508b,508c,50ed)을 다수개로 병렬 연결하여 사용함을 특징으로 하는 반도체소자.The semiconductor device according to any one of claims 78 to 58, wherein the one-way switch means (508a, 508b, 508c, 50ed) are used in parallel in plural numbers.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.