KR930009169B1 - 함침형 음극구조체 - Google Patents

Abstract

내용 없음.

Description

함침형 음극구조체

제 1 도는 종래 함침형 음극구조체를 나타낸 단면도.

제 2 도는 본 발명의 함침형 음극구조체를 나타낸 단면도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

1 : 히이터 2 : 슬리이브

3 : 컵형 저장조 4 : 다공질 기체

5a, 5b : 금속박막층 6 : 제 2 전자방출물질

본 발명은 함침형 음극구조체에 관한 것이다.

일반적으로 함침형 음극은 빔전류의 고밀도화가 가능하며 장수명의 특성을 갖고 있어 대형 음극선관이나 투사관등에 적합한 것으로 제 1 도에 도시된 바와 같은 구조를 가진다. 즉, 종래의 함침형 음극구조체는 전자방출물질이 함침된 다공질 기체(4)와, 상기 다공질 기체(4)상에 대략 1000Å정도의 두께로 도포되는 금속박막층(5a)과 이들을 감싸 지지하는 컵형 저장조(3)와, 상기 컵형 저장조(3)를 하방에서 지지하며 내부에서 히이터(1)가 설치되는 슬리이브(2)를 구비하고 있다.

상기와 같은 구성의 종래 함침형 음극구조체는 전자를 방출시키기 위하여 히이터(1)로 열에이징 진행되어 상기 다공질 기체(4)에 함침되어 있는 전자방출물질의 전자가 자가 상기 일함수를 낮추기 위해 도포된 금속박막층(5a)을 통과하여 방출된다. 그런데, 상기 금속박막층(5a)의 두께가 대략 1000Å정도로 도포되어 있는데다 상기 금속박막층(5a)의 도포상태에 따라 기공이 발생되는 수도 있어 상기 히이터(1)로 열에이징 과정에서 전자방출물질의 입자들이 상기 금속박막층(5a)을 통하여 증발되어 전자총의 전극등에 부착된다. 이렇게 전자방출물질의 입자가 전자총의 전극등에 부착되면 음극선관의 내압특성에 좋지 않은 영향을 끼쳐 산란한 방출을 유발시키고, 다공질 기체와 금속박막층과의 열에이징 도중 합금화의 상태에 따라 방출특성이 민감하게 변화하는 등의 문제점이 있었다.

따라서 본 발명은 상기한 문제점들을 해소하여 안정된 전자방출이 가능하도록 개량된 함침형 음극구조체를 제공하는데 그 목적이 있는 것이다.

상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 그 표면에 금속박막층이 형성되고 전자방출물질이 함침된 음극기체와 이 음극기체를 감싸 지지하는 컵형 저장조와, 상기 저장조를 하방에서 지지하고 내부에 히이터가 마련되는 슬리이브를 구비하여 된 함침형 음극구조체에 있어서, 상기 금속박막층과 상기 음극기체 사이에 제 2 전자방출물질층을 개제시켜 된 것을 특징으로 한다.

이하 첨부된 도면을 참조하면서 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세히 설명한다.

제 2 도는 본 발명에 따른 함침형 음극구조체를 나타낸 단면도이다.

이것은 종래 함침형 음극구조체의 일반적인 요소를 갖춘다. 즉, 제 1 전자방출물질이 함침된 다공질 기체(4)와, 상기 다공질 기체(4)를 감싸 지지하는 컵형 저장조(3)와, 상기 다공질 기체(4) 상부에 형성된 금속박막층(5b)와, 상기 컵형 저장조(3)를 하방에서 지지하며 내부에 히이터(1)가 내장된 슬리이브(2)로서 이루어지며 본 발명의 특징에 따라 상기 금속박막층(5b)과 상기 다공질 기체(4)와의 사이에 제 2 전자방출물질(6)이 개재된 것이다. 특히 상기 제 2 전자방출물질층(6)이 Ce, CeO2중의 적어도 하나 또는 이들의 복합으로 된 것으로서 실험에 의하면 이들의 피막 형성두께가 1000Å 내지 10000Å 범위안에서 피복되는 것이 바람직하다. 상기 금속박막층(5b)과 제 2 전자방출물질(6)은 스퍼터링법에 의해 형성되며 상기 다공질 기체(4), 제 2 전자방출물질(6), 금속박막층(5b) 각 상호간에 함금화가 이루어지도록 수소 또는 진공분위기 속에서 열처리가 진행된다.

이와 같이 구성된 본 발명에 따른 함침형 음극구조체는 열전자방출을 보다 원할하게 하기 위하여 히이터(1)가 가열되어 상기 다공질 기체(4)에 함침된 제 1 전자방출물질의 전자가 상기 제 2 전자방출물질(6)을 통하여 방출되는데 이때에 상기 제 2 전자방출물질(6)은 1000Å 내지 10000Å 범위에서 피복되어져 상기 다공질 기체(4)와 안정된 합금화가 이루어지며 상기 제 1 전자방출물질의 증발을 억제하게 된다. 그리고 상기 제 2 전자방출물질층(6)을 통과한 제 1 전자방출물질의 전자는 500Å 내지 5000Å의 범위에서 피복되어진 상기 금속박막층(5b)을 통하여 방출되며 상기 제 2 전자방출물질(6)은 새로운 전자방출원으로서의 역할도 수행하게 된다.

이와 같은 본 발명은 두께가 1000Å 내지 10000Å인 제 2 전자방출물질을 더 개재함으로써 상기 다공질 기체와 안정된 합금화가 이루어져 음극선관의 내압특성을 저하시키는 제 1 전자방출물질의 증발을 억제시키고 새로운 전자방출원으로서의 역할도 수행함으로서 고밀도와 장수명의 음극특성을 실현할 수 있다. 따라서 다공질 기체, 제 2 전자방출물질, 금속박막층 각 상호간에 안정된 함금층을 형성함으로써 안정된 전자방출특성을 나타낼 수 있는 함침형 음극구조체를 제공하게 된다.

Claims (3)

1. 그 표면에 금속박막층이 형성되고 전자방출물질이 함침된 음극기체와, 상기 음극기체를 감싸 지지하는 저장조와, 상기 저장조를 하방에서 지지하고 내부에 히이터가 마련되는 슬리이브를 구비하여 된 함침형 음극구조체에 있어서, 상기 금속박막층(5b)과 상기 음극기체(4) 사이에 제 2 전자방출물질층(6)을 개재시켜 된 것을 특징으로 하는 함침형 음극구조체.
2. 상기 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 전자방출물질층(6)이 세륨(Ce), 또는 산화세륨(CeO2)으로 된 것과 또는 이들의 복합물질로 된 것을 특징으로 하는 함침형 음극구조체.
3. 상기 제 2 항에 있어서, 상기 Ce, 또는 CeO2 또는 이들의 복합물질이 1000Å 내지 10000Å정도의 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 함침형 음극구조체.