KR930004135B1 - 폴리이미드 기판에 관통구를 형성하는 방법 - Google Patents

폴리이미드 기판에 관통구를 형성하는 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR930004135B1
KR930004135B1 KR1019900019368A KR900019368A KR930004135B1 KR 930004135 B1 KR930004135 B1 KR 930004135B1 KR 1019900019368 A KR1019900019368 A KR 1019900019368A KR 900019368 A KR900019368 A KR 900019368A KR 930004135 B1 KR930004135 B1 KR 930004135B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
polyimide
holes
hole
laser beam
Prior art date
Application number
KR1019900019368A
Other languages
English (en)
Other versions
KR910011098A (ko
Inventor
데이비드 랑제르 토마스
Original Assignee
이. 아이. 듀우판 드 네모아 앤드 캄파니
제임스 제이 플린
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 이. 아이. 듀우판 드 네모아 앤드 캄파니, 제임스 제이 플린 filed Critical 이. 아이. 듀우판 드 네모아 앤드 캄파니
Publication of KR910011098A publication Critical patent/KR910011098A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR930004135B1 publication Critical patent/KR930004135B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
    • H05K3/0017—Etching of the substrate by chemical or physical means
    • H05K3/0026—Etching of the substrate by chemical or physical means by laser ablation
    • H05K3/0032—Etching of the substrate by chemical or physical means by laser ablation of organic insulating material
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/12—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/38—Removing material by boring or cutting
    • B23K26/382—Removing material by boring or cutting by boring
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/40—Removing material taking account of the properties of the material involved
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31127—Etching organic layers
    • H01L21/31133—Etching organic layers by chemical means
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
    • B23K2101/36—Electric or electronic devices
    • B23K2101/42—Printed circuits
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/08—Non-ferrous metals or alloys
    • B23K2103/12—Copper or alloys thereof
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/16—Composite materials, e.g. fibre reinforced
    • B23K2103/166—Multilayered materials
    • B23K2103/172—Multilayered materials wherein at least one of the layers is non-metallic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/30—Organic material
    • B23K2103/42—Plastics
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/0313—Organic insulating material
    • H05K1/032—Organic insulating material consisting of one material
    • H05K1/0346—Organic insulating material consisting of one material containing N
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/01—Dielectrics
    • H05K2201/0137—Materials
    • H05K2201/0154—Polyimide
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/05—Patterning and lithography; Masks; Details of resist
    • H05K2203/0548—Masks
    • H05K2203/0554—Metal used as mask for etching vias, e.g. by laser ablation
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/08—Treatments involving gases
    • H05K2203/081—Blowing of gas, e.g. for cooling or for providing heat during solder reflowing
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
    • H05K3/0017—Etching of the substrate by chemical or physical means
    • H05K3/002—Etching of the substrate by chemical or physical means by liquid chemical etching
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
    • H05K3/0055—After-treatment, e.g. cleaning or desmearing of holes
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K3/42—Plated through-holes or plated via connections
    • H05K3/425—Plated through-holes or plated via connections characterised by the sequence of steps for plating the through-holes or via connections in relation to the conductive pattern
    • H05K3/427—Plated through-holes or plated via connections characterised by the sequence of steps for plating the through-holes or via connections in relation to the conductive pattern initial plating of through-holes in metal-clad substrates

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)

Abstract

내용 없음.

Description

폴리이미드 기판에 관통구를 형성하는 방법
본 발명은 전자 부품용 유용한 폴리아미드 기판에 구멍을 형성하는 방법에 관한 것이다.
전자 산업의 현 추세는 고신호, 고출력 및 접지선의 고밀도화를 향하여 나아가고 있을 뿐만 아니라 패캐지의 소형화 및 다격 적층화, 그리고 저누화, 저인덕턴스 및 열주기 응력에 대한 보다 큰 내파손성과 같은 성능의 향상을 꾀하고 있다. 선밀도가 증가하면, 그 결과로서 상호접속부의 밀도는 증가하는 반면, 상호접속부에 대한 가용 표면적, 즉 랜드(land)영역 등은 줄어든다. 그 예로, 약 25밀(0.64cm)의 랜드 영역 및 10밀(0.0254cm) 미만의 상호접속 구멍의 직경은 종래의 인쇄 회로기판 기술에서의 랜드 영역 및 구멍 직경 보다는 훨씬 작다, 당 업계에서는 또한 상호접속 구멍을 일컬어 이른바 관통구 또는 비아(via)라고 부르고 있다.
위와 같은 고밀도의 응용 분야에 유용한 전자 재료 구조는 폴리이미드 폴리머로 이루어진 절연 기판과 이 기판의 단면 또는 양면상에 있는 도체층(통상 구리)으로 되어 있다. 도체층과 절연층 모두에 구멍을 형성하는 방법에 여러가지가 있다. 그 대표적인 방법으로, 펀칭법, 기계식 천공법, 레이저 천공법, 또는 화학 식각술이나 플라즈마 식각술을 이용한 감광막 화상법(photoimaging) 및 식가법을 사용해서 구멍을 형성할 수 있다. 그러나, 상기 방법의 전부 폴리이미드 기판에 6밀(0.015cm) 이하의 직경을 갖는 비아를 적절하게 형성할 수 있는 것은 아니다.
폴리이미드 기판의 화학적 식각 처리는 에틸 또는 프로필 알코올, 또는 이들 알코올과 염기성 용액, 임의로 디아민 용액과의 혼합물로 이루어진 식각 용액을 이용한 기판의 제거가 수반된다. 기판상의 금속막 마스크 또는 도전 패턴은 식각에 따른 기판의 제거 방향을 지시하는 마스크로서 작용한다. 폴리이미드 기판의 화학 식각 처리는 그 기판의 종축면(z면)에 비해 횡축면(x-y면)에서 더욱 많이 식각되는 단점이 있다. 그 결과 기판에서 도체층의 언더컷(undercut)현상이 일어난다. 이 언더컷 현상으로 인해 비아를 덮는데 필요한 패드의 사이즈가 증가되기 때문에, 소구경의 비아를 형성함에 있어서 언더컷 현상은 문제로 작용한다. 직경이 40밀 이상인 비아는 기존의 기계식 천공기를 사용해서 손쉽게 만들 수 있다.
그러나, 직경이 15밀(0.038cm) 이하인 기계식 천공기를 쉽게 부러지고 파손되기 때문에, 시간 소모는 물론 교체하고 수선하는데 많은 비용이 들어간다.
이처럼, 소구경의 비아를 천공하는데 따른 일단의 문제 해결책으로써 레이저 천공법이 있다. 현재, 엑사이머(excimer) 레이저나 혹은 아르곤 이온 레이저와 같은 각종 형태의 레이저가 절연 재료를 천공하는데 활용되고 있다. 엑사이머 레이저는 일차 처리만으로 폴리이미드 기판에 소구경의 구멍을 깨끗이 형성하는 유일한 레이저 천공법인 것으로 알려져 있다. 이 엑사이머 레이저는 기판의 화학적 결합을 절단하고 폴리이미드를 제거하기 위해서 스펙트럼중 자외선 영역에 있는 전자기 에너지에 의한 감광막 융제법(plotoablation)을 사용한다. 그러나, 엑사이머 레이저는 처리 속도가 느리고 고가이며 산업 환경이나 제조환경에 적응시키기가 어려움으로 인하여 아직은 실험용 장치의 수준에 머무르고 있다. 또한, 폴리이미드 기판의 레이저 천공 처리는 아르곤 이온 레이저를 사용하는 방법으로도 달성할 수 있다. 이 방법에서는, 기판에 구멍이 있어야만 하는 경우, 그의 상응 면적에, 감광막을 손상시키기에는 충분하지만 융제 시키지는 않는 수준의 전자기 에너지를 갖는 아르곤 이온 레이저 비임을 집중 조사함으로써, 기판에 소정의 구멍을 형성한다. 이어서, 기판을 플라즈마 식각법으로 처리해서 조사로 인해 손상된 폴리이미드를 제거한다.
플라즈마 식각 처리는 가스(통상 산호)를 사용해서 도체층을 제외한 노출기판에 작용하여 이를 제거한다. 플라즈마 식각처리는 식각이 식각제의 온도 및 가스 압력에 대해서 아주 민감하게 반응하기 때문에 엄격히 제어되어야 한다. 위와 같은 레이저 천공법에 대한 단점으로는 추가의 플라즈마 식각 처리가 필요하다는 점과, 주로 이 플라즈마 식각 처리로 인해서 상이한 직경의 구멍이나 또는 비정상적인 구멍 형태(즉, 언더컷)가 만들어진다는 점을 들 수 있다.
또한, 이산화탄소 레이저 천공법에 있는데, 이는 FR4와 같은 에폭시-유리 기판을 천공하는데는 사용되어 왔지만, 폴리이미드 기판의 천공에는 사용되지 않았었다. 이산화탄소 레이저로 폴리이미드 기판을 천공하는데 따른 난점은 조사후 구멍 안팎에 상당량의 파편이 생긴다는 점이다.
파편은 전자 부품의 전기적 상호접속을 방해하는 경향이 있기 때문에, 임의의 후속 도금 처리전에 파편을 제거해야 한다. 파편을 제거하기 위해서는 플라즈마 또는 화학 식각법에 의한 추가의 식각 처리 단계를 거쳐야 했었다. 전술한 바와 같이, 플라즈마 또는 화학 식각법에 의한 식각 처리로 인해 구경이 변화하거나 또는 구멍 형상이 의도한바와는 다르게 되어 후속 처리 단계인 도금, 결합, 상호접속 등의 처리에 직접적인 영향을 미쳐서 부품의 성능이 불량해지기 때문에, 상기와 같은 추가의 식각 처리는 바람직스럽지 못하다.
따라서, 본 발명의 목적은 이산화탄소 레이저의 사용에 의해서 폴리이미드 기판에 파편이 없음은 물론 언더컷 현상도 거의 없는 소구경의 구멍 형성법을 제공함에 있다.
본 발명은 폴리이미드 기판에 전기 도전성 벽부를 갖는 구멍이 이 기판의 반대 측면에 있는 전기 도전성 표면부와 접속하는 1개 이상의 관통구를 형성하는 방법을 제공하는 것으로, 이 방법은 이산화탄소 레이저를 사용하여 폴리이미드를 제거함으로써 폴리이미드 기판에 1개 이상의 구멍을 형성하는 일치 단계에 의하고 그 일차 단계는 (a) 이산화탄소 레이저가 평방 인치 당 18,000 내지 45,000 와트 범위의 평균 에너지 밀도로 사용되며, (b) 주로 산소 함유 분위기가 존재하고, (c) 제거되는 폴리이미드 부위에서 이산화탄소 레이저 비임의 집점이 이탈되며, (d) 반사면 위로 구멍 형성이 완결되기 전에 이산화탄소 레이저 비이의 일부를 폴리이미드 기판을 통해 통과시켜서 반사면에 충돌하는 70% 이상의 비임을 폴리이미드 기판으로 편향시켜 구멍 형성을 촉진시키고, 그리고 (e) 적어도 일부분의 구멍이 형성되는 동안 레이저 전원 공급기와 폴리이미드 기판간에 상대 운동이 존재하는 것으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
폴리이미드 폴리머로 이루어진 절연 기판과 이 기판의 단면 또는 양면상의 도체층(통상 구리)으로부터 제작되는 전자 부품에서 도체층들간의 전기적 상호접속부는 일반적으로 도체층과 절연층 모두에 구멍을 형성하고 이 구멍의 벽부를 도전성 금속(통상 구리)으로 도금함으로써 만들어진다. 이들 구멍은 도금 처리된 후에 한쪽 면의 도전층으로 부터 다른쪽 면의 도전층까지 전기 도전성 통로를 제공하는 관통구일 수 있거나, 또는 도금 처리된 후에 또다른 전기 접속용 랜딩 위치를 제공하는 블라인드(blind) 구멍일 수 있다.
감광막 화상법 및 식각법은 도체층에 구멍 또는 개구를 형성하기 위해서 통상 사용된다. 도체층상의 감광막 화상 처리 및 식각 처리는 임시 보호막 또는 레지스터(restist)를 이용하는 통상적인 포지티브 패턴(positive pattern)의 사진 인쇄 처리를 수반한다. 잉서 배판의 구리는 기판을 염화제이철, 과황산암모늄등등의 식각액으로 처리함으로써 식각되어 없어진다. 임시 레지스트는 적절한 용매를 사용하면 기판으로부터 제거되는데, 그 예로 알칼리 가용성 레지스트는 알칼리성 용매로 제거된다. 도체층에 있는 구멍이 대향 절연면 상의 도체층에 있는 구멍과 레지스트레이션(registration)상태로 있는 경우에는 절연 재료를 제거한 후 개구가 관통구로 된다. 2개의 도체층에 있는 구멍이 레지스트레이션 상태로 있지 않거나 또는 도체층에 있는 구멍이 한쪽면에서만 형성되는 경우, 절연 재료를 제거한 후의 개구는 블라이드 구멍을 형성한다.
본 발명자는 폴리이미드 기판에서의 구멍 형성이 이산화탄소 레이저 비임으로 달성될 수 있음을 발견하여 본 발명의 공정에 이르게 되었다.
또한, 본 공정 자체가 직경이 10밀 미만, 바람직하기로는 3 내지 6밀인 매우 작은 구멍의 형성에 적합하다. 이 외에도, 폴리이미드 기판의 이산화탄소 레이저 천공에 따른 전형적인 결과로 기판에 형성된 구멍이 거의 파편을 갖지 않는다는 장점이 있다. 본 공정이 작은 구멍을 뚫는데 특히 유리하지만, 본 장치 및 공정이 큰 구멍을 뚫는데에도 마찬가지로 유리하게 응용될 수 있음을 알게 될 것이다. 또한, 본 발명에 의해 개구되는 구멍의 형상이 반드시 원형인것 만은 아니며, 다양한 모습의 구멍이 형성될 수 있다.
본 발명의 공정을 수행하기 위한 레이저 비임 방사용 레이저 장치는 10.6 마이크로미터의 파장을 갖는 방사선 비임을 방사한다. 바람직하기로는, 입력 에너지가 레이저의 전원 공급기내에 저장되는 펄스 방식으로 레이저가 작동되는 것이 좋다. 에너지가 콘덴서에서처럼 저장되는 경우에는 고수준의 에너지를 얻을 수 있다. 이 저장된 에너지를 레이저에 신속히 방전시키면, 고강도의 레이저 펄스가 발생된다. 이 레이저 비임은 펄스 폭이 0.1 내지 0.4 밀리세컨드(msec) 번위이고, 펄스주파수가 800 내지 1200헤르쯔(펄스/초) 범위, 가장 바람직하기로는 100 헤르쯔인 단락 펄스로 변조된다. 레이저 비임의 출력은 15 내지 65와트의 범위에 있는 것이 폴리이미드 기판을 제거하는데에 효과적이다. 이들 범위가 바람직한 이유로는 고출력일수록 기판의 온도를 상승시켜서 기판의 연소나 또는 적층박리를 유발시킬 수 있기 때문이다. 상기 범위보다 높은 고주파수를 사용하면 펄스 폭이 레이저에 대해 바람직하지 못한 동작 창(operating window)형태로 단락되는 현상이 일어난다.
레이저 비임은 접속 렌즈와 같은 접속 메카니즘에 의해서 바람직하게 집점된다. 집속 렌즈의 집점 거리는 소정의 구멍 직경을 제공하는 것으로 선택되어야 한다. 일반적으로, 2.5 내지 5.0인치(6.35-12.50cm) 범위의 집점 거리를 갖는 렌즈가 적합함을 발견하였다. 비임은 기판면의 위 또는 아래에 집점될 수 있으며, 따라서 비임의 집점은 구멍의 천공 위치에서 이탈된다. 바람직하기로는, 기판면은 비임의 집점위치에서 0.110 내지 0.215인치(0.28-0.55cm) 아래에 위치하는 것이 좋다. 집점 위치로 부터 상기 범위 정도 떨어져 있는 레이저 비임의 폭은 그 직경이 형성하고자 하는 마스크의 구멍 직경보다 더 큰 것이 바람직하다. 그 예로, 직경 0.020 인치(0.51cm)의 비임이 직경이 0.005인치(0.013cm)의 구멍을 뚫는데 사용된다. 마스크에 있는 구멍의 직경보다 더 큰 레이저 비임의 직경은 레이저 비임과 기판내 소정의 구멍 사이에 있는 임의의 레지스트레이션 문제를 최소화시켜서 레이저 천공의 재현성을 향상시킨다.
레이저 비임의 출력과 기판면에서 집점까지의 거리 사이에는 어떠한 관계가 존재한다. 가능한 표면 영역의 어느 한쪽 단부가 레이저 비임의 집점 위치에서 떨어져 있는 기판에 구멍을 형성하기 위해서는 다른 레이저 파라미터가 더욱 정밀하게 세트되어야 한다. 예를 들어, 기판면이 레이저 비임의 집점 위치에 근접할수록, 요구되는 레이저 비임의 출력은 저하된다.
저출력, 특히 최대 출력을 약 325와트로 갖는 이산화탄소 레이저에서는 평균 출력 및 펄스폭 재현성에 관한 고품질의 비임 프로필(profile)을 유지하기가 더욱 어렵게 된다. 이 영역의 다른 쪽 단부에서는 기판면과 집접위치와의 거리가 멀이질수록 보다 고출력인 레이저 비임이 요구된다.
그러나, 이는 비임 직경을 확대시키며, 또한 이하에 기술하는 바와 같이, 기판 영역내로 도입되는 산소 가스의 양을 더욱 많게 한다. 이 처럼 증가된 산소의 양 및 출력은 노출된 도체층에 악영향(즉, 연소)을 끼칠 수 있다.
폴리이미드 기판이 레이저 비임에 의해 조사되면, 레이저 비임의 출력중 약 30%는 흡수되고 나머지 약 70%는 투과된다. 따라서, 구멍 형성 부위의 기판에 직사된 에너지가 전부 폴리이미드 기판을 증발시키는 일에 사용되지는 않는다. 배면(backing) 재료를 사용하면 투과된 비임이 체재하는 절연체를 통해 다시 반사되어 폴리이미드 기판의 증발이 한층 더 촉진된다. 이런 목적을 위해서는 알루미늄 툴링 플레이트(tooling plate)나 절연체의 반대측면에 있는 도체층과 같은 반사성 배면 재료가 적합하다. 특히 투과된 비임의 적어도 70%가 반사성 배면 재료에 의해 기판으로 다시 반사되는 것이 바람직하다. 바람직한 배면 재료로는 기판에 투과된 비임의 약 98%를 재반사하는 툴링 플레이트 형태의 알루미늄이 좋다. 배면 재료는 또한 도전성 재료 주위의 온도를 저하시켜 도전성 재료의 손상을 방지하는 히트 싱크(heat sink)로서도 작용한다.
구멍 형성용 폴리이미드 기판은, 비아 구멍이 요구되는 장소에 촛점을 벗어난 레이저 비임을 위치시키고 기판을 이동시킬 수 있도록 x-y테이블 상에 배치도니다. 기판의 이동은 비아의 형성시와 다음의 비아 개구용 영역이 레이저 비임이 아래에 위치하는 때의 서로 다른 두 시점에서 일어난다. 구멍의 형성시 이동은 에너지 분포의 불균일, 즉, 비임의 과열점(hot spot)이나 또는 기판과 레이저 비임간에 있을 수 있는 오배열 문제를 보상하기 위해서는 일어난다. 과열점이란 레이저 비임이 최대 강도로 조사되는 장소(통상의 비임의 중앙부)에서의 비임 직경의 영역을 말하는데, 이 영역에서는 폴리이미드 기판의 증발이 더욱 효과적으로 발생한다.
이동은 레이저 비임의 최대강도 부위가 비아구의 중심부를 조사하고 중앙비아구의 주면, 즉, 비아구의 중심부와 주변부 사이의 약 중간 지점에 있는 원형 통로를 따라 회전하도록 일어나는 것이 바람직하다. 비임은 원형 통로를 따라 1회 이상 순환시켜 전할 수 있다. 기판과 레이저 비임간의 상대 운동은 기판이 제위치에 있는 동안 레이저 비임을 이동시키거나 또는 레이저 비임의 제위치에 있는 동안 기판을 이동시키는 등의 임의의 기술적인 방법에 의해서 일어날 수 있을 것므로 믿어지고 있다.
바람직하기로는 레이저 비임을 이동시키기 보다는 기판을 이동시키는 방법을 택하는 것이 좋다. 당업계의 숙련된 사람이 생각하고 있는 바처럼, 레이저 비임의 이동 및(또는) 기판의 이동은 프로그램 제어기의 도움으로 제어된다.
이산화탄소 레이저에 의해서 폴리이미드 기판에 파편이 거의 없이 초소구경의 구멍이 형성되는 것을 돕는 추가의 파라미터로서 레이저 비임과 동축으로 정렬된 보조 가스를 사용하는 방법이 있다. 레이저 비임은 이 레이저 비임의 축과 연직면 상에 있도록 조절가능한 보조 가스 노즐을 통해 통과하도록 배열된다. 폴리이미드의 증발을 촉진시키는 것으로 확인된 보조 가스는 산소이다. 보조 가스는 레이저 비임에 의한 기판의 조사시 사용된다. 구멍 형성 영역에서의 커버 분위기(cover atmosphere)는 가스 보조기에 의해 생성되며, 산소의 사용은 기판의 증발이나 연소를 촉진시킨다. 산소 커버 가스는 기판의 더욱 신속한 증발을 보조하며 아울러 천공 처리 중에 생성된 임의의 파편도 같이 증발시키는 작용을 한다. 산소 가스가 비아에 충돌하는 부위에서 요구되는 압력 범위는 15 내지 40psi(1.1 내지 2.8kg/㎠), 바람직하기로는 약 30psi(2.1kg/㎠)이다. 기판면으로부터 노즐의 거리는 0.050 내지 0.150 인치(0.13cm 내지 0.38cm)의 범위일 수 있으나, 이 거리는 노즐 오리피스의 직경에 따라 좌우된다. 노즐이 너무 가까이 있으면, 노즐이 툴링 장치를 방해하거나 기판의 제위치를 흐트러 놓을 수 있다. 반대로 노즐이 너무 떨어져 있으면, 산소가 천공되는 면적보다 많은 면적을 덮어서 불필요한 기판의 연소 또는 산화가 일어날 수 있다. 레이저 비임 천공기와 동축으로 정렬된 가스 보조기는 당업계에 공지되어 있다. 가스 보조기는 주로 처리 과정중에 생성된 파편을 불어 없앤다. 가스 보조기의 전형적인 목적과는 달리, 본 발명의 공정에서 산소를 사용하는 가스 보조기는 폴리이미드 기판의 연소를 도와준다.
이미 식각된 도체층을 갖는 기판의 레이저 비임이 도체층에 개수가 형성되어 있는 기판의 노출된 영역을 조사하도록 테이블 상에 정렬된다.
따라서, 조사시 레이저 비임의 방사구와 마주하는 도체층은 기판에 대한 마스크로서 작용한다. 임의로, 예컨대 약 35미크론 두께의 통상 구리로된 분리 금속막 마스크는 필요시 도체층의 최상부에 정렬시킬 수 있다.
이산화탄소 레이저 비임에 의한 구멍 형성 후, 폴리이미드 기판의 후처리를 행할 수는 있으나 반드시 행해야될 필요성이 있는 곳은 아니다.
일반적으로 후처리 단계는 도체층의 표면상에 남아 있는 매우 소량의 찌끼를 제거하기 위한 장식적인 목적을 위해서 있다. 이 찌끼가, 만약 잔존해 있는 경우에도, 도전성 구멍의 신빙성에 대해서까지 해를 끼치는 것으로 생각되지 않는다. 기판에 있는 구멍에 대해 신속하면서 부드러운 식각(바람직하기로는 화학 식각)처리가 필요할 수 있다. 폴리이미드 기판의 화학 식각 처리법은 크레우즈(kreuz)의 미합중국 특허 제4,426,253호에 기재되어 있으며, 본 명세서에서 참고 문헌으로 인용한다.
본 발명의 용도에 적합한 재료는 기판이 폴리이미드인 절연 기판과 이 기판의 단면 또는 양면을 통상 구리로 도금한 도체층으로 이루어진 것으로, 예컨대 E.I. du Pont de Nemours사(미합중국 델라웨어주 윌밍톤 소재) 제품의 Kapton필름이 적합하다. 폴리이미드 기판의 최소 두께는 일반적으로 약 2 내지 3밀이다. 도체층은 기판상으로 구리를 분출시키거나 또는 구리박을 라미네팅시키는 등의 통상적인 방법에 의해서 기판상에 형성될 수 있다. 구리 도체층의 필요 두께는 요구되는 구멍의 직경에 따라 좌우된다. 일반적으로 구멍 직경이 커짐에 따라 도체층도 더욱 두꺼운 것이 요구되는데, 그 예로는 0.005인치 직경의 구멍을 레이저 천공하는 데에는 최저 4 또는 5미크론의 도체층 두께이면 충분하다.
본 발명의 공정에 의한 구멍 형성 후, 후속 단계로 전기 도전성 통로가 무전해 전착과 같은 수단에 의해 노출된 구멍 및 선 패턴을 도체 금속(즉, 구리)으로 피복함으로써 만들어진다.
당업계에 숙련된 사람에 의해서 본 발명에 속하는 것이 그에 상응하는 대응물로 처리될 수 있는 모든 특징을 비롯하여, 당 업계의 숙련된 사람이면 본 발명의 영역을 벗어나지 않는 범주내에서 다양한 변양을 손쉽게 만들수 있을 것으로 믿어진다. 본 발명을 좀더 설명하기 위해서 이하의 실시예를 제공한다.
[실시예]
이 실시예는 두개의 도체층 사이에 삽입되어 있는 폴리이미드 절연 기판층으로 된 가요성 회로 라미네이트 재료에 직경 5 밀(0.013cm)의 구멍을 뚤기 위한 방법을 설명한다.
이 실시예를 위한 출발 재료로 12×3.5 인치(30.5×8.9cm) 크기의 가요성 회로 라미네이트편(片)인 Etch-a-Flex(캐나다의 팔로 알토(Palo Alto)에 소재하는 Southwall Technologies사 제품)을 사용하였다. 이 Etch-a-Flex은 0.002인치(0.005cm) 두께의 절연성 kapton폴리이미드 기판과 이 기판의 반대 측면에 약 3000 옹스트롬(Å)두께의 구리 도체층을 가진다. 구리를 약 8미크론 두께로 전기 도금해서 구리 도체층들을 형성하였다. 비아들을 각각의 구리층에 존재하였고 2개의 구리 도체층에서 레지스트레이션 상태로 얻었다. 이들 비아를 공지된 감괌성 내식막 기술에 의한 식각 처리법으로 형성하였다.
상기 라미네이트를 이산화탄소 레이저 천공기인 Coherent CO2 laser, Moldel M46(미합중국 매사추세츠 주 스터브리지(Sturbrideg)에 소재하는 Coherent사 제품)의 x-y 위치 테이블의 알루미늄 툴링 플레이트상에 배치하였다. 레이저 천공용 제어기로 Model U16(Aerotech, Inc.사제, 미합중국 펜실바니아주 피츠버스소재)를 사용하여, 이 제어기가 비아들이 레이저 비임 방사구와 마주하는 구리 도체층에 식각되어 있는 장소에서 절연 기판을 직접 천공할 수 있도록 프로그램하였다.
이리하여 구리 도체층은 레이저 천공시 절연 기판층에서 관통구 또는 비아의 형성을 돕기 위한 마스크로서 작용하였다. 레이저 천공기에 대해 다음과 같은 세팅 조건을 사용하였다.
출력 : 25와트
에너지 밀도 : 평방 인치 당 35,000 와트
펄스 폭 : 0.2 밀리세컨드
주파수 : 1000헤르쯔
레이저 비임의 집점과 그 아래의 절연층간에는 0.110인치(0.279cm)의 간격을 두었다. 30psi(2.1kg/㎠)의 분사압을 갖는 산소 가스 분사기를, 라미네이트의 표면으로부터 0.075인치(0.19cm) 떨어진 노즐 간격을 갖는 레이저 비임과 동축으로 정렬시켰다. 레이저 장치에 의하거나 또는 있을 수 있는 오배열 문제들로 인한 에너지 분포 불균일을 보상하기 위해서, 먼저 관통구의 중심부를 천공하고 이어 4번 회전하여 반경 0.002인치(0.005cm)의 원이 되도록 라미네이트를 회전시키면서 계속 천공하여 각각의 관통구 위치에서 라미네이트의 절연층을 뚫었다. 라미네이트에 있는 관통구는 모두 레이저 장치의 출력을 지속적으로 높이면서 산소 가스 분사기를 사용하여 뚫었다.
형성된 관통구는 직경이 5밀이었고, 관통구는 벽부를 시각적인 방법으로 검사한 바, 파편이 없는 것으로 나타났다.

Claims (2)

  1. 폴리이미드 기판에 전기 도전성 벽부를 갖는 구멍이 이 기판의 반대 측면에 있는 전기 도전성 표면부와 접속하는 1개 이상의 관통구를 형성하는 방법에 있어서, 이 방법은 이산화탄소 레이저를 사용하여 폴리이미드를 제거함으로써 폴리이미드 기판에 1개 이상의 구멍을 형성하는 일치 단계에 의하고, 그 일차 단계는 (a) 이산화탄소 레이저가 평방 인치 당 18,000 내지 45,000 와트 범위의 평균 에너지 밀도로 사용되며, (b) 주로 산소 함유 분위기가 존재하고, (c) 제거되는 폴리이미드 부위에서 이산화탄소 레이저 비임의 집점이 이탈되며, (d) 반사면 위로 구멍 형성이 완결되기 전에 이산화탄소 레이저 비이의 일부를 폴리이미드 기판을 통해 통과시켜서 반사면에 충돌하는 70% 이상의 비임을 폴리이미드 기판으로 편향시켜 구멍 형성을 촉진시키고, 그리고 (e) 적어도 일부분의 구멍이 형성되는 동안 레이저 전원 공급기와 폴리이미드 기판간에 상대 운동이 존재하는 것으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 또한 (f) 폴리이미드 기판의 화학적 식각 처리로 폴리이미드 찌끼를 제거하는 단계가 추가되는 방법.
KR1019900019368A 1989-11-29 1990-11-28 폴리이미드 기판에 관통구를 형성하는 방법 KR930004135B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US443301 1989-11-29
US07/443,301 US4959119A (en) 1989-11-29 1989-11-29 Method for forming through holes in a polyimide substrate

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR910011098A KR910011098A (ko) 1991-06-29
KR930004135B1 true KR930004135B1 (ko) 1993-05-20

Family

ID=23760259

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019900019368A KR930004135B1 (ko) 1989-11-29 1990-11-28 폴리이미드 기판에 관통구를 형성하는 방법

Country Status (6)

Country Link
US (1) US4959119A (ko)
EP (1) EP0430116B1 (ko)
JP (1) JPH03210984A (ko)
KR (1) KR930004135B1 (ko)
CA (1) CA2030763A1 (ko)
DE (1) DE69012517T2 (ko)

Families Citing this family (61)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5744776A (en) * 1989-07-14 1998-04-28 Tip Engineering Group, Inc. Apparatus and for laser preweakening an automotive trim cover for an air bag deployment opening
US5293025A (en) * 1991-08-01 1994-03-08 E. I. Du Pont De Nemours And Company Method for forming vias in multilayer circuits
US5608602A (en) * 1992-04-07 1997-03-04 Rohm Co., Ltd. Circuit incorporating a solid electrolytic capacitor
US5584956A (en) * 1992-12-09 1996-12-17 University Of Iowa Research Foundation Method for producing conductive or insulating feedthroughs in a substrate
US5871868A (en) * 1993-02-26 1999-02-16 General Dynamics Information Systems, Inc. Apparatus and method for machining conductive structures on substrates
GB2276354B (en) * 1993-03-22 1996-01-03 Klippan Autoliv Snc Improvements in or relating to a cover for an air-bag
US5485935A (en) * 1994-04-01 1996-01-23 Xerox Corporation Capture system employing diverter fluid nozzle
US5536579A (en) * 1994-06-02 1996-07-16 International Business Machines Corporation Design of high density structures with laser etch stop
US5840402A (en) * 1994-06-24 1998-11-24 Sheldahl, Inc. Metallized laminate material having ordered distribution of conductive through holes
US5567329A (en) * 1995-01-27 1996-10-22 Martin Marietta Corporation Method and system for fabricating a multilayer laminate for a printed wiring board, and a printed wiring board formed thereby
US5811019A (en) * 1995-03-31 1998-09-22 Sony Corporation Method for forming a hole and method for forming nozzle in orifice plate of printing head
JP3112059B2 (ja) 1995-07-05 2000-11-27 株式会社日立製作所 薄膜多層配線基板及びその製法
US6373026B1 (en) * 1996-07-31 2002-04-16 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Laser beam machining method for wiring board, laser beam machining apparatus for wiring board, and carbonic acid gas laser oscillator for machining wiring board
TW432124B (en) * 1996-05-13 2001-05-01 Mitsui Mining & Amp Smelting C Electrolytic copper foil with high post heat tensile strength and its manufacturing method
US5879787A (en) * 1996-11-08 1999-03-09 W. L. Gore & Associates, Inc. Method and apparatus for improving wireability in chip modules
US5863446A (en) * 1996-11-08 1999-01-26 W. L. Gore & Associates, Inc. Electrical means for extracting layer to layer registration
AU4902897A (en) * 1996-11-08 1998-05-29 W.L. Gore & Associates, Inc. Method for improving reliability of thin circuit substrates by increasing the T of the substrate
AU4993797A (en) * 1996-11-08 1998-05-29 W.L. Gore & Associates, Inc. Method for using fiducial schemes to increase nominal registration
US6023041A (en) * 1996-11-08 2000-02-08 W.L. Gore & Associates, Inc. Method for using photoabsorptive coatings and consumable copper to control exit via redeposit as well as diameter variance
AU5238898A (en) * 1996-11-08 1998-05-29 W.L. Gore & Associates, Inc. Method for reducing via inductance in an electronic assembly and device
WO1998020533A2 (en) * 1996-11-08 1998-05-14 W.L. Gore & Associates, Inc. Method for using photoabsorptive coatings to enhance both blind and through micro-via entrance quality
US6103992A (en) * 1996-11-08 2000-08-15 W. L. Gore & Associates, Inc. Multiple frequency processing to minimize manufacturing variability of high aspect ratio micro through-vias
US5841102A (en) * 1996-11-08 1998-11-24 W. L. Gore & Associates, Inc. Multiple pulse space processing to enhance via entrance formation at 355 nm
US5868950A (en) * 1996-11-08 1999-02-09 W. L. Gore & Associates, Inc. Method to correct astigmatism of fourth yag to enable formation of sub 25 micron micro-vias using masking techniques
US5910255A (en) * 1996-11-08 1999-06-08 W. L. Gore & Associates, Inc. Method of sequential laser processing to efficiently manufacture modules requiring large volumetric density material removal for micro-via formation
US5965043A (en) * 1996-11-08 1999-10-12 W. L. Gore & Associates, Inc. Method for using ultrasonic treatment in combination with UV-lasers to enable plating of high aspect ratio micro-vias
US5973290A (en) * 1997-02-26 1999-10-26 W. L. Gore & Associates, Inc. Laser apparatus having improved via processing rate
US6203652B1 (en) 1999-06-30 2001-03-20 International Business Machines Corporation Method of forming a via in a substrate
JP4348785B2 (ja) * 1999-07-29 2009-10-21 三菱瓦斯化学株式会社 高弾性率ガラス布基材熱硬化性樹脂銅張積層板
ATE345875T1 (de) * 1999-09-15 2006-12-15 Aradigm Corp Porenstrukturen zur niederdruckaerosolisierung
US6886284B2 (en) * 1999-10-08 2005-05-03 Identification Dynamics, Llc Firearm microstamping and micromarking insert for stamping a firearm identification code and serial number into cartridge shell casings and projectiles
US6256121B1 (en) 1999-10-08 2001-07-03 Nanovia, Lp Apparatus for ablating high-density array of vias or indentation in surface of object
US7111423B2 (en) * 1999-10-08 2006-09-26 Identification Dynamics, Llc Method and apparatus for reading firearm microstamping
US6310701B1 (en) 1999-10-08 2001-10-30 Nanovia Lp Method and apparatus for ablating high-density array of vias or indentation in surface of object
US6420675B1 (en) 1999-10-08 2002-07-16 Nanovia, Lp Control system for ablating high-density array of vias or indentation in surface of object
US6833911B2 (en) 1999-10-08 2004-12-21 Identification Dynamics, Inc. Method and apparatus for reading firearm microstamping
US6653593B2 (en) 1999-10-08 2003-11-25 Nanovia, Lp Control system for ablating high-density array of vias or indentation in surface of object
JP3399434B2 (ja) * 2001-03-02 2003-04-21 オムロン株式会社 高分子成形材のメッキ形成方法と回路形成部品とこの回路形成部品の製造方法
SE521028C2 (sv) * 2001-05-14 2003-09-23 Metfoils Ab Förfarande för laserborrning i material använda vid framställning av tryckta kretsar
US6680459B2 (en) * 2001-06-22 2004-01-20 Nippei Toyama Corporation Laser beam machining apparatus and laser beam machining method
DE10145184B4 (de) * 2001-09-13 2005-03-10 Siemens Ag Verfahren zum Laserbohren, insbesondere unter Verwendung einer Lochmaske
DE10207288B4 (de) * 2002-02-21 2005-05-04 Newson Engineering Nv Verfahren zum Bohren von Löchern mittels eines Laserstrahls in einem Substrat, insbesondere in einem elektrischen Schaltungsubstrat
JP2003249743A (ja) * 2002-02-26 2003-09-05 Seiko Epson Corp 配線基板及びその製造方法、半導体装置並びに電子機器
DE60214530T2 (de) * 2002-07-19 2007-10-04 Schlumberger Technology B.V. Rohr mit Gewindeorientierungsmarkierungen
US7204419B2 (en) * 2003-05-01 2007-04-17 Identifcation Dynamics, Llc Method and apparatus for reading firearm microstamping
EP1462206A1 (fr) * 2003-03-26 2004-09-29 Lasag Ag dispositif laser pour percer des trous dans des composants d'un dispositif d'injection d'un fluide
US20050241203A1 (en) * 2003-05-01 2005-11-03 Lizotte Todd E Method and apparatus for cartridge identification imprinting in difficult contexts by recess protected indicia
US7014727B2 (en) * 2003-07-07 2006-03-21 Potomac Photonics, Inc. Method of forming high resolution electronic circuits on a substrate
US20050219327A1 (en) * 2004-03-31 2005-10-06 Clarke Leo C Features in substrates and methods of forming
US7658470B1 (en) 2005-04-28 2010-02-09 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method of using a flexible circuit
CN100471362C (zh) * 2005-09-21 2009-03-18 富葵精密组件(深圳)有限公司 柔性电路板的制作方法
KR100797692B1 (ko) * 2006-06-20 2008-01-23 삼성전기주식회사 인쇄회로기판 및 그 제조방법
DE102008058535A1 (de) * 2008-11-21 2010-05-27 Tesa Se Verfahren zur Materialbearbeitung mit energiereicher Strahlung
US9434025B2 (en) * 2011-07-19 2016-09-06 Pratt & Whitney Canada Corp. Laser drilling methods of shallow-angled holes
WO2013112710A1 (en) 2012-01-25 2013-08-01 Alphabet Energy, Inc. Modular thermoelectric units for heat recovery systems and methods thereof
US9257627B2 (en) 2012-07-23 2016-02-09 Alphabet Energy, Inc. Method and structure for thermoelectric unicouple assembly
US9065017B2 (en) 2013-09-01 2015-06-23 Alphabet Energy, Inc. Thermoelectric devices having reduced thermal stress and contact resistance, and methods of forming and using the same
US20150287901A1 (en) * 2013-10-14 2015-10-08 Alphabet Energy, Inc. Flexible lead frame for multi-leg package assembly
DE102014110262A1 (de) 2014-07-22 2016-01-28 Helmholtz-Zentrum Berlin Für Materialien Und Energie Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Rückseitenkontaktsystems für eine Silizium-Dünnschicht-Solarzelle
US11482884B2 (en) * 2020-12-28 2022-10-25 Nucurrent, Inc. Systems and methods for utilizing laser cutting and chemical etching in manufacturing wireless power antennas
US11538629B2 (en) 2020-12-28 2022-12-27 Nucurrent, Inc. Systems and methods for utilizing laser cutting and chemical etching in manufacturing wireless power antennas

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4258468A (en) * 1978-12-14 1981-03-31 Western Electric Company, Inc. Forming vias through multilayer circuit boards
US4426253A (en) * 1981-12-03 1984-01-17 E. I. Du Pont De Nemours & Co. High speed etching of polyimide film
US4472238A (en) * 1983-12-05 1984-09-18 E. I. Du Pont De Nemours And Company Process using plasma for forming conductive through-holes through a dielectric layer
JPS60133992A (ja) * 1983-12-21 1985-07-17 Canon Inc プリント基板の穴明け加工装置
US4635358A (en) * 1985-01-03 1987-01-13 E. I. Du Pont De Nemours And Company Method for forming electrically conductive paths through a dielectric layer
JPS61176186A (ja) * 1985-01-31 1986-08-07 日立化成工業株式会社 配線板の製造法
JPS61176193A (ja) * 1985-01-31 1986-08-07 日立化成工業株式会社 配線板の製造法
US4642160A (en) * 1985-08-12 1987-02-10 Interconnect Technology Inc. Multilayer circuit board manufacturing
US4714516A (en) * 1986-09-26 1987-12-22 General Electric Company Method to produce via holes in polymer dielectrics for multiple electronic circuit chip packaging
US4894115A (en) * 1989-02-14 1990-01-16 General Electric Company Laser beam scanning method for forming via holes in polymer materials

Also Published As

Publication number Publication date
DE69012517D1 (de) 1994-10-20
EP0430116A2 (en) 1991-06-05
CA2030763A1 (en) 1991-05-30
US4959119A (en) 1990-09-25
JPH03210984A (ja) 1991-09-13
EP0430116A3 (en) 1992-01-29
KR910011098A (ko) 1991-06-29
EP0430116B1 (en) 1994-09-14
DE69012517T2 (de) 1995-03-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR930004135B1 (ko) 폴리이미드 기판에 관통구를 형성하는 방법
KR100287526B1 (ko) 에너지 밀도가 가변적인 자외선 레이저 펄스를 사용하여,다층으로 된 타깃에 블라인드 공간부를 형성하는 방법
KR100258287B1 (ko) 다층 타겟에 경유로를 형성하는 방법과 자외선 레이저 시스템(Ultraviolet laser system and method for forming vias in multi-layered targets)
KR100199955B1 (ko) 배선기판의 레이저가공방법, 배선기판의 레이저가공장치 및 배선기판 가공용의 탄산가스 레이저발진기
US20040112881A1 (en) Circle laser trepanning
JPH11266084A (ja) 多層印刷回路基板の製造方法
KR20040083546A (ko) 레이저 가공 방법 및 장치
JPS62158397A (ja) 導電貫通孔の形成方法
Zheng et al. Investigation of laser via formation technology for the manufacturing of high density substrates
US5034569A (en) Multilayer interconnection circuit board
JP3720034B2 (ja) 穴あけ加工方法
JPH11277272A (ja) レーザドリル装置及びレーザ穴あけ加工方法
KR100504234B1 (ko) 레이저천공 가공방법
WO2002083355A1 (en) Circle laser trepanning
JPH11245071A (ja) レーザ加工装置
JP2000202664A (ja) レ―ザ穴あけ加工方法
JP2004527923A (ja) 導体路基板の構造化方法および構造化装置
KR100434072B1 (ko) 레이저를 이용한 인쇄회로기판의 관통홀 형성방법
CN107665877B (zh) 带有埋藏的导电带的元件载体
JP3353134B2 (ja) レーザ加工装置
JPH11163533A (ja) 多層印刷配線板の製造方法
JP2000197987A (ja) バイアホ―ルクリ―ニング方法
JPH11277279A (ja) レーザ加工装置、及びレーザ加工装置による照射方法
JP2003053580A (ja) レーザ加工方法、プリント配線基板の製造方法及びプリント配線基板の製造装置
JP2003181662A (ja) レーザ加工装置およびその方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
NORF Unpaid initial registration fee