KR930002248B1

KR930002248B1 - 전자 사진 감광체

Info

Publication number: KR930002248B1
Application number: KR1019900004261A
Authority: KR
Inventors: 나리아끼 무또; 미끼오 가꾸이; 게이스께 스미도; 도루 나까사와; 가즈오 마쓰모도
Original assignee: 미타 고오교 가부시끼갸이샤; 미타 요시히로
Priority date: 1989-03-30
Filing date: 1990-03-30
Publication date: 1993-03-27
Also published as: DE69006877T2; US5087544A; EP0390195A1; KR900014938A; EP0390195B1; JPH02297559A; DE69006877D1; JPH0734117B2

Abstract

내용 없음.

Description

전자 사진 감광체

본 발명은 복사기 등의 화상형성장치에 있어서 아주 적당하게 사용되는 전자 사진 감광체에 관한 것이다. 근년에 복사기 등의 화상형성장치에 있어서의 전자 사진 감광체로서 가공성이 좋고 제조비용면에서 유리함과 아울러 기능 선계의 자유도가 큰 유기감광체가 사용되고 있다. 그 중에서도 광선의 조사에 의해 전하를 발생시키는 전하발생 재료와 발생된 전하를 수송하는 전하수송재료와를 함유하는 감광층을 갖춘 기능 분리형 전자사진 감광체가 제안되어 있다.

상기한 기능분리형 전자사진 감광체에 있어서는 전하 발생재료 및 전하수송재료의 특성이 감광체의 전기특성 감광특성에 크게 영향을 주기 때문에 종래로부터 각종의 물질이 연구되고, 상기한 전하수송재료로서는 폴리비닐, 카르바졸, 옥사디아졸계 화합물, 피라조린계 화합물, 히드타존계 화합물 등 많은 물질이 제안되어 있다. 그러나 상기한 전하수송재료는 전하수송능력을 나타내는 드리프트(drigt) 이동도가 비교적 적다. 또 드리프트 이동도의 전계 강도 의존성이 크기 때문에 저전계에서의 전하의 이동이 적고, 잔류전위가 소실되기 어렵게 된다. 다시또 자외선 등의 조사에 의해 열화하기 쉬운 등의 문제가 있다.

한편 트리페닐아민계의 전하 수송재료는 드리프트 이동도의 전계 의존성이 적은 것이 알려져 있다. 예를들면 미국 특허 제 3265496호 명세서에는 N, N, N', N'-테트라페닐 벤지딘 N, N, N', N'-테트라페닐-l,4-페닐렌디아민, N, N, N', N'-테트라 페닐-1,3-페닐렌디아민 등이 제안되어 있으나, 이들 전하수송재료는 분자의 대칭성이 좋기 때문에 분자간의 상호 작용이 크고, 수지와의 상호 작용이 적기 때문에 수지 중에서 결정화되기 쉬운 등의 문제점을 감안하여 본 발명자들은, 이동도 전계 의존성이 적고, 수지와의 상호용융성이 좋은 화합물로서 N, N, N', N'-테트라 페닐-1,3-페닐렌디아민의 각각의 페닐기에 대해서 도입할 수 있는 한의 몇개의 치환기를 가져도 좋은 m-페닐렌 디아민계 화합물(일본국 특원소 62-301703호 참조)을 먼저 제안했다.

다시 또 본 발명자들은 상기한 m-페닐렌디아민계 화합물을 전자사진 감광체에 사용한 경우에는 m-페닐렌 디아민계 화합물의 페닐기가 갖는 치환기의 위치에 의해 전자 사진 감광체의 특성이 달라진다는 것을 알아냈다. 즉, N, N, N', N'-테트라 페닐-1,3-페닐렌 디아민의 각각의 페닐기의 질소 원자에 대한 p위치에 치환기를 도입한 화합물은 캐리어(carrier)의 주입효율이 높고, 또한 캐리어의 이동도가 크다고 하는 특징을 갖고 있는 것(일본국 특원소 63-187311호 공보 참조) N, N, N', N'-테트라 페닐-1,3-페닐렌디아민의 각각의 페닐기의 질소원자에 대한 p위치에 치환기를 도입한 화합물은 분자의 대칭성이 적기 때문에 분자간의 상호작용이 적고, 또 수지와의 상호작용이 크기 때문에 수지 중에서 극히 결정화하기 어렵다는 특징을 갖고 있다(일본국 특원소 63-187312호 공보 참조)는 것을 알아내고 앞서 제안했다. 그러나 P위치에 치환기를 도입한 상기한 화합물을 전자사진 감광체에 사용한 경우 고감도의 전자사진감광체가 얻어지지만, 이 화합물은 고농도로 사용하면, 결정화 하기 쉽다는 문제가 있었다. 다시 또 m위치에 치환기를 도입한 화합물은 결정화를 이르키기 어렵다는 점에서 뛰어난 것이지만 수율이 낮고, 생산성이 나쁘기 때문에 전자사진감광체에 사용하면, 그 전자사진감광체의 값이 높아진다는 문제가 있었다.

본 발명의 목적은 고감도로서 또한 싼값에 제조할 수 있는 전자사진 감광체를 제공하는 것이다. 본 발명에 의하면 도전성 기재상에 일반식(I) :

(식중, R¹, R², R³, R⁴및 R는 각각 동일하거나 다르고, 수소원자, 알킬기, 알콕시기 또는 할로겐 원자를 나타낸다. 단, R¹및 R⁴중 한쪽이 수소원자인 경우 다른쪽은 수소원자 이어서는 안되고, R²및 R³중의 한쪽이 수소원자인 경우 다른 한쪽은 수소원자여서는 안된다)로 표시되는 m-페닐렌디아민계 화합물을 함유하는 감광층을 마련한 전자사진감광체가 제공된다.

상기한 일반식(I)로 표시되는 m-페닐렌 디아민 화합물은 질소원자에 대해 p위치에 치환기가 도입된 페닐기와 질소 원자에 대해 m위치에 치환기가 도입된 페닐기를 갖는 것이기 때문에, N, N, N', N'-테트라 페닐-1,3-페닐렌디아민의 각각의 페닐기의 질소원자에 대한 p위치에 치환기를 도입한 화합물에 비하여 분자의 대칭성이 나쁘기 때문에 분자간의 상호작용이 적고, 또 수지와의 상호작용이 크다. 이 때문에 상기한 일반식(I)로 표시되는 m-페닐렌 디아민게 화합물은 수지중에 고농도로 첨가한 경우에도 결정화하기 어렵고, 수지중에 충분히 용해시켜 드리프트 이동도를 향상시키므로서 고감도의 전자 사진 감광체를 얻을 수가 있다. 또 상기한 일반식(I)로 표시되는 화합물은 m 위치에 치환기를 도입한 화합물에 비해 수울이 높기 때문에 생산성이 우수하고, 값싼 전자사진 감광체를 얻을 수가 있다.

본 발명의 전자사진 감광체에 사용되는 m-페닐렌 디아민계 화합물은 전기한 일반식(I)로 표시되고, 식중의 R¹, R², R³, R⁴및 R중에서 알킬기로서는 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, 부틸 이소부틸, t-부틸, 펜틸, 헥실기 등의 탄소수 1-6의 알킬기를 예시할 수가 있다. 또 알콕시기로서는 에톡시, 에톡시. 프로톡시, 이소프로톡시, 부톡시, 이소부톡시, t-부톡시, 펜틸옥시, 헥실옥시기 등의 탄소수 1-6의 알콕시기를 예시할 수가 있다. 할로겐 원자로서는 불소, 염소, 브롬 및 요오드 원자를 예시할 수가 있다. 또 R이 도입되는 위치는 특히 한정되는 것은 아니고, 예를들면 5위치를 들 수 있다.

다음에 전기한 일반식(I)로 표시되는 m-페닐렌 디아민계 화합물의 제조적 예를 제1표에 나타낸다.

[표 1]

본 발명의 전기한 일반식(I)로 표시되는 화합물은 각종의 방법에 의해 합성할 수가 있으나, 이 1예를 하기의 반응에 의해 설명한다.

즉 상기한 식(A)로 표시되는 레소르시놀과 상기한 식(B)로 표시되는 m-톨루이딘을 요오드와 같이 질소기류하에서 반응시켜서 상기한 식(C)로 표시되는 N, N'-디(3-톨릴)-1,3-페닐렌디아민을 얻는다. 다시또 N, N'-디(3-톨릴)-1,3-페닐렌디아민과의 상기한 식(D)로 표시되는 요오드 톨루엔을 탄산칼륨, 동분말과 함께 니트로벤젠 중에서 환류시키므로서 상기한 식(E)로 표시되는 N, N'-디(3-톨릴)-N, N'-디(4-톨릴)-1,3-페닐렌디아민이 얻어진다.

본 발명의 전자 사진 감광체는 도전성 기체상에 전기한 일반식(I)로 표시되는 m-페닐렌디아민계 화합물을 함유하는 감광층을 마련하는 것을 특징으로 하는 것이며, 도전성기체상에 전하발생 재료 및 전하수송재료를 함유하는 단일의 감광층을 마련한 단층 감광체 도전성 기체상에 적어도 전하 발생층과 전하 수송층의 2층을 적층한 기능분리형 적층 감광체 등 어떠한 형의 전자 사진 감광체에도 적용할 수가 있다. 본 발명의 전기한 일반식(I)로 표시되는 화합물은 종래에 널리 알려진 다른 전하수송재료와 조합해서 사용해도 좋다. 그때 다른 전하수송재료로서는 종래에 널리 알려진 전자 흡인성 화합물, 전자 공여성 화합물을 사용할수가 있다. 상기한 전자흡인성 화합물로서는 예를 들면, 테트라시아노에틸렌, 2,4,7-트리니트로-9-플루오레논, 2,4,8-트리니트로 디옥산톤, 3,4,5,7-테트라 니트로-9-플루오레논, 디니트로벤젠, 디니트로 안트라센, 디니트로 아크리딘, 니트로 안트라퀴논, 디니트로 안트라퀴논, 무수호박산, 무수말레인산, 디브로모 무수말레인산 등을 예시할 수가 있다.

또 전자 공여성 화합물로서는 2,5-디(4-메틸아미노페닐) 1,3,4-옥사디아졸 등의 옥사디아졸계 화합물, 9-(4-디에틸 아미노 스티릴)안트라센 등의 스티릴화합물, 폴리비닐 카르바졸 등의 카르바졸계 화합물, 1-페닐-5-(p-디메틸아미노페닐)피라졸린 등의 피라졸린 화합물, 히드라존 화합물, 트리페닐아민게 화합물, 인돌계화합물, 옥사졸계 화합물, 이소옥사졸계 화합물, 티아졸계 화합물, 티아디아졸계 화합물, 이미다졸계 화합물, 피라졸계 화합물, 트리아졸계 화합물 등의 질소함유 고리식 화합물, 축합 다중 고리식 화합물 등을 예시할 수가 있다. 이들 전하 수송재료는 1종 또는 2종 이상 혼합해서 사용된다. 또한 폴리비닐 카르바졸 등 막형성을 갖는 전하수송 재료를 사용하는 경우에는 결착수지는 반드시 필요한 것은 아니다.

예를 들면 단층형 전자 사진 감광체로 하자면, 전하 수송재료로서의 전기한 일반식(I)로 표시되는 화합물과, 전하발생 재료와 결착수지 등을 함유하는 감광층을 도전성기판상에 형성하면 된다. 또 적층형의 전자사진감광체로 하자면 도전성 기판 상에 증착 또는 도포 등의 수단에 의해 상기한 전자 발생 재료를 함유하는 전하발생층을 형성하고, 그 전하 발생층 상에 전기한 일반식(I)로 표시되는 화합물과 결착수지와를 함유하는 전하 수송층을 형성하든가 상기한 바와 반대로 도전성 기판상에 상기한 바와 같은 전하 수송층을 형성하고, 이어서 증착 또는 도포 등의 수단에 의해 전기한 전하발생재료를 함유하는 전하 발생층을 형성하면된다. 또 전하발생층은 전하발생재료와 전하 수송재료를 결착수지 중에 분산시켜서 도포해서 형성시켜도 좋다.

상기한 전하 발생 재료로서는 예를 들면 셀렌, 셀렌텔루트, 무정형 실리콘, 피틸륨염, 아조계안료, 디스아조계 안료, 안산스론계 안료, 프탈로시아닌계 안료, 인디오계 안료, 트리페닐메탄계 안료, 스텐계안료, 톨루이딘계 안료, 피라졸린계 안료, 페릴렌계 안료, 퀴나크리돈계 안료, 피롤계 안료 등을 예시할 수가 있고, 소망하는 영역에 흡수파장대역을 갖도록 1종 또는 2종 이상을 혼합해서 사용한다.

또 상기한 감광층, 전하발생층, 및 전하수송층에 있어서의 결착수지로서는 각종의 수지를 사용할 수가 있고, 예를 들면 스티렌계 중합체, 스티렌-부타디엔 혼성중합체, 스티렌-아크릴로 니트릴 혼성중합체, 스티렌-말레인산 혼성중합체, 아크릴계 중합체, 스티렌-아크릴계 혼성중합체, 폴리에틸렌, 에틸렌-초산비닐 혼성중합체, 염소화 폴리에틸렌, 폴리 염화비닐, 폴리프로필렌, 염화비닐-초산 비닐 혼성중합체, 폴리에스테르, 알키드 수지, 폴리아미드, 폴리우레탄, 폴리카보네이트, 폴리아릴레이트, 폴리술폰, 디아릴프탈레이트 수지, 케톤수지, 폴리비닐 부티탈수지, 폴리에테르 수지 등의 열가소성 수지나 실리콘 수지, 에폭시 수지, 페놀수지, 요소수지, 벨라민 수지, 기타 가교성의 열경화성 수지 및 에폭시 아크릴레이트, 우레탄 아크릴레이트, 등의 광경화형 수지 등의 가중 중합체를 예시할 수 있다.

이들 결착 수지는 1종 또는 2종 이상 혼합해서 사용된다. 또 도포 수단에 의해 전하발생층 및 전하수송층을 형성하는 경우 용매가 사용된다. 전기한 용매로서는 각종 유기용매를 사용할 수 있고, 메탄올, 에탄올, 이소프로판올, 부탄올 등의 알코올류, n-헥산, 옥탄시클로헥산 등의 지방족계 탄화수소, 벤젠, 톨루엔 크실렌 등의 방향족 탄화수소, 디클로로 메탄, 디클로로 에탄 4 염화탄소, 클로로 벤젠 등의 할로겐화 탄화수소, 메틸 에테르, 디에틸에테르, 테트라 히드로프란, 에틸렌글리콜디메틸에테르, 에틸렌 글리콜 디에틸에테르, 디에틸렌 글리콜, 디메틸 에테르 등의 에테르류, 아세톤, 메틸 에틸 케톤, 시클로 헥산 등의 케톤류, 초산에틸, 초산메틸 등의 에스테르류, 디메틸 포름아미드, 디메틸술폭시드, 등의 각종 용매를 예시할 수가있고, 1종 또는 2종 이상을 혼합하여 사용된다.

또 전기한 전하발생층의 감도를 좋게 하기 위해, 예를 들면 t-페닐, 할로나프로퀴논류, 아세나트틸렌 등 종래에 널리 알려진 감도 증가체를 전기한 전하발생재료와 함께 사용해도 좋다. 다시 또 전하 수송재료나 전하발생재료의 분산성, 도포성을 좋게 하기 위해 계면 활성제 레벨팅(levelling)제 등을 사용해도 좋다.

상기한 도전성기판으로서는 도전성을 갖는 각종 재료를 사용할 수 있고, 예를 들면 알루미늄, 동, 주석, 백금, 금, 은, 바나듐, 몰리부덴, 크롬, 카드뮴, 티탄, 니켈, 파라듐, 스테인레스강, 유기제의 금속단체나 증착 또는 라미네이트된 프라스틱재료, 요오드화 알루미늄, 산화주석, 산화듐등으로 피복된 유리 등을 들수 있다.

상기한 도전성 기판은 시이트(Sheet)형이나 드럼형 어느 것이라도 좋고, 기판자체가 도전성을 갖든가, 기판의 표면이 도전성을 갖고, 사용에 있어서 충분한 기계적 강도를 갖는 이것이 바람직하다.

상기한 전하수송재료로서의 본 발명의 화합물과 결착수지는 전하의 수송을 저해하지 않는 범위 및 결정화하지 않는 범위 내에 각종의 비율로 사용할 수가 있으나, 결착 수지 100중량부에 대해서 전기한 일반식(1)로 표시되는 화합물 50-80중량부, 특히 60-75중량부를 사용하는 것이 바람직하다. 또 일반식(I)로 표시되는 화합물을 함유하는 전하수송층은 2-100μm 특히 5-30μm 정도의 층의 두께로 형성되는 것이 바람직하다.

상기한 전하 발생 재료를 전기한 결착수지와 함께 사용하는 경우 전하발생재료와 결착수지와는 각종의 비율로 사용할 수가 있으나 전하발생 재료 10중량부에 대해 결착수지 1-300중량부, 특히 5-150중량부를 사용하는 것이 바람직하다. 또 상기한 전하 발생층은 적절한 층의 두께를 갖고 있으면 되지만, 0.01-30μm 특히 0.1-10μm 정도로 형성되는 것이 바람직하다. 또 단층형 전자사진감광체에 있어서는 상기한 기판과 감광층과의 사이에 또 적층형 전자사진감광체에 있어서는 전기한 기판과 전하 발생층과의 사이나 기판과 전하 수송층과의 사이 및 전하발생층과 전하수송층과의 사이에 감광체의 특성을 저해하지 않는 범위에서 차폐층이 형성되어 있어도 좋고, 감광체의 표면에는 보호층이 형성되어 있어도 좋다.

상기한 전하 발생층 및 전하 수송층을 도포 수단에 의해 형성하자면, 전기한 전하발생재료 등과 결착수지등을 종래에 널리 알려진 방법 예를 들면 로울밀, 보울밀, 아트라이터, 페인트 세이커 또는 초음파 분산기등을 사용해서 조제하여 종래에 널리 알려진 도포 수단에 의해 도포 건조하면 된다.

이상과 같이 본 발명의 전자사진감광체는 결정화하기 어려운 일반식(I)로 표시되는 화합물을 함유하고있기 때문에 고감도의 것이다. 또 전기한 일반식(I)로 표시되는 화합물은 수율이 높고, 생산성이 우수하기 때문에 본 발명의 전자사진감광체는 판값으로 제조할 수가 있다.

다음에 합성예, 실시에 및 비교예에 의거해서 본 발명을 보다 더 상세하게 설명한다.

[합성예 1]

N, N'-디(3-톨릴)-N, N'-디(4-톨릴)-1,3-페닐렌디아민의 합성, 레소르시놀 11g, m-톨루이딘 22.6g, 요오드 0.5g을 질소기류하에서 3일간 환류반응 시켰다. 반응 후, 실온까지 냉각시켜서 생성된 고체를 메탄올 500㎖로 세정해서 N, N'-디(3-톨리리)-1,3-패닐랜 디아민을 얻었다.

다음에 N, N'-디(3-톨릴)-1,3-페닐렌 디아민 14.4g 요오드톨루엔 20.4g, 탄산칼륨 9.7g, 동분말 2g을 니트로벤젠 100㎖중에서 24시간 동안 환류반응시켰다. 반응 후 수증기 증류에 의해 니트로벤젠 요오드톨루엔을 제거하고 잔류물을 수세하여 메탄올로 세정했다. 다음에 잔류물을 벤젠 900㎖중에 첨가하여 수용물을 여과하여 활성 알루미나 카람 크로마트 전계액(벤젠-헥산=1 : 1)에서 1st 분획(fraction)을 얻었다. 다시 또 이 분획을 벤젠-헥산 1 : 2를 전계액으로 하여 활성 알루미나 카람크로마토로 분리하여 1st 분휙을 얻었다. 용매를 제거하고 이 일부를 아세트니트릴에 상온에서 용해시켜 생성된 결정을 모체로 해서 아세트니트릴로 부터 결정화시키므로서 N, N'-디(3-톨릴)-N, N'-디(4-톨릴)-1,3-페닐렌디아민(m, p 혼합치환화합물)을 얻었다.

[합성예 2]

N, N, N', N'-테트라키스(3-톨릴)-1,3-페닐렌 디아민의 합성.

상기한 합성예와 같이 해서 얻어진 N, N'-디(3-톨릴)-1,3-페닐렌티아민 14.4g과 요오드 톨루엔 21.8g, 탄산칼륨 9.7g, 동분말 2g을 니트로 톨루엔 100㎖중에서 24시간 환류반응 시켰다. 반응 후 수증기 증류에 의해 니트로벤젠, 요오드 톨루엔을 제거하고, 잔류물을 수세하여 메탄올로 세정했다.

다음에 잔튜물을 벤젠 900㎖중에 첨가하여, 수용물을 여과하여 활성알루미나카람크로마트 전개액(벤젠-헥산 1 : 1)에서 1st 분획을 얻었다. 다시 또 이 분획을 벤젠-헥산 1 : 2를 전개액으로 해서 활성 알루미나카람크로마트로 분리하여 1st 분휙을 얻었다. 용매를 제거하고 이 일부를 아세트니트릴에 상온에서 용해시켜 생성된 결정을 모체로 해서 아세트니트릴로부터 결정화되므로서 N, N, N', N'-데트라키스(3-톨릴)--1,3-페닐렌디아민(m 치환 화합물)-를 얻었다.

[합성예 3]

N, N, N', N'-데트라키스(4-톨릴)-1,3-페닐렌디아민의 합성.

상기한 합성예의 m-톨루이딘 대신에 p-톨루이딘 22.6g을 사용해서 상기한 합성예와 같이 해서, N, N'-디(4-톨릴) -1,3-페닐렌디아민을 얻었다. N, N'-디(4-톨릴) -1,3-페닐렌디아민 14.4g과 요오드톨루엔 20.4g, 탄산칼륨 9.7g, 동분말 2g을 니트로벤젠 100㎖중에서 24시간 동안 환류반응 시켰다. 반응후 수증기 증류에 의해 니트로벤젠, 요오드 톨루엔을 제거하고, 잔류물을 수세하여 메탄올로 세정했다. 다음에 잔류물을 벤젠 900㎖중에 첨가하여 수용물을 여과하고, 활성알루미나 카람크로마트 전개액(벤젠-헥산 1 : 1)으로 1st 분휙을 얻었다. 다시 또 이 분휙을 벤젠-헥산 1 : 2를 전개액으로 해서 활성알루미나 카람크로마트로 분리하여 1st 분획을 얻었다. 용매를 제거하고, 이 일부를 아세트니트릴에 상온에서 용해시켜, 생성된 결정을 모체해서 아세트니트릴로부터 결정화시키므로서 N, N, N', N'-테트라키스(4-톨릴) -1,3-페닐렌디아민(p 치환 화합물)을 얻었다.

[전자 사진 감쾅체의 제조]

[실시예 1]

전하 발생재료로서 N, N'-디(3,5-디메틸페닐)페릴렌-3,4,9,10-테트라카르복시디이미드 8중량부 전하수송재료로서 N, N'-디(3-톨릴)-N, N'-디(4-톨릴)-1,3-페닐렌디아민(m, p 혼합치환화합물) 50중량부, 결착수지로서 폴리카보네이트 수지 100중량부 및 소정량의 테트라히드로프탄을 사용하고, 초음파 분산기로서 분산액을 조제함과 아울러 아루마이트 처리된 알루미늄관 상에 도조하고, 두께 23μm의 감광층을 갖는 단층형의 전자사진감광체를 제작했다.

[실시예 2]

전하 수송재료로서 N, N'-디(3-톨릴) -N, N'-디(4-톨릴) -1,3-페닐렌디아민(m, p 혼합치환화합물)70중량부를 사용한 것 이외는 실시예 1과 같이해서 단층형의 전자 사진 감광체를 제작했다.

[실시예 3]

전하 수송재료로서 N, N'-디(3-톨릴)-N, N'-디(4-톨릴)-1,3-페닐렌디아민(m, p 혼합치환화합물)90중량부를 사용한 것 이외는 실시예 1과 같이해서 단층형의 전자사진감광체를 제작했다.

[비교예 1]

전하 수송재료로서 N, N, N', N'-테트라키스(4-톨릴) -1,3-페닐렌디아민(p 치환화합물) 70중량부를 사용한 것 이외는 실시예 1과 같이 해서 단층형의 전자사진감광체를 제작했다.

[비교예 2]

전하 수송재료로서 N, N, N', N'-테트라키스(4-톨릴)-1,3-페닐렌디아민(p 치환화합물) 100중량부를 사용한 것 이외는 실시예 1과 같이 해서 단층형의 전자사진감광체를 제작했다.

[실시예 4]

전하 발생재료로서 N, N'-디(3,5-디메틸페닐)페릴렌 3,4,9,10 테트라 카루복시디이미드 10중량부, 결착수지로서 염화비닐-초산비닐 혼성중합체 10중량부 및 소정량의 테트라 히드로프란을 사용하여 초음파 분리기로서 분산액을 조제하고 알루미늄판상에 도포한 후 100℃에서 30분간 건조시키므로서 두께 0.5μm의 전하발생층을 형성했다. 이어서 전하 수송재료로서 N, N'-디(3-톨릴) -N, N'-디(4-톨릴) -1,3-페닐렌디아민(m, p 혼합치환화합물) 70중량부, 결착수지로서 폴리카보네이트 수지 100중량부, 및 소정량의 벤젠을 사용해서 조제하고, 전하 발생층 상에 도포하여 두께 20μm의 전하수송층을 형성하므로서 적층형의 전자사진 감광체를 제작했다.

[비교예 3]

전하 수송재료로서 N, N, N', N'-테트라키스(4-톨릴) -1,3-페닐렌디아민(p 치환화합물) 70중량부를 사용한 것 이외는 실시예 4와 같이해서 적층형의 전자사진 감광체를 제작했다.

[전자사진 감광체의 평가]

상기한 각 감공체의 대전특성 및 감광특성을 드럼감광 시험기(젠텍사 제 젠텍 신시아 30M)를 사용해서 전기한 각 감광체를 정으로 대전시켜 각 감광체의 표면 전위 Vsp(V)를 측정했다. 또 할로겐 광을 사용해서 감광체를 노출시키고, 상기한 표면전위가 1/2이 될 때까지의 시간을 구하여 반감 노출량 E 1/2(μJ/㎠)를 산출함과 아울러 노출 후 0.15초 경과후의 표면전위를 잔류전위 Vrp(V)로 했다.

또 상기한 각 감공체의 결정화상태를 눈으로 조사하여 결정화가 보이는가 어떤가를 조사했다. 상기한 실시예 및 비교예에서 얻어진 전자사진 감광체의 대전특성 및 감광특성의 측정결과를 제 2 표에 나타낸다.

[표 2]

○ : 결정화 없음. × : 결정화 있음.

비교예의 전자사진감광체는 결정화해서 전자사진 특성을 평가할 수 없었다.

제2표로부터 명백한 바와 같이 본 발명의 전자사진 감공체는 어느 것이나 결정화하는 일이 없고, 대전특성이 우수하고, 반감노출량이 적고, 감도가 좋을 뿐 아니라 잔류전위가 적은 것이 판명되었다. 이것에 대해 비교예의 감광체는 결정화 해버리는 것이었다.

Claims

도전성 기재상에 일반식(I) :

(식중 R¹, R², R³, R⁴및 R은 각각 동일하거나 다르고, 수소원자, 알킬기, 알콕시기 또는 할로겐 원자를 나타낸다. 단 R¹및 R⁴중의 한쪽이 수소원자인 경우 다른쪽은 수소원자여서는 안되고, R²및 R³중의 한쪽이 수소원자인 경우, 다른쪽은 수소원자여서는 안된다)로 표시되는 m-페닐렌 디아민계 화합물을 함유하는 감광층을 마련한 것을 특징으로 하는 전자사진 감광체.
제1항에 있어서, 전기한 일반식(I)로 표시되는 m-페놀렌 디아민계 화합물이 N, N'-디(3-톨릴)-N, N'-디(4-톨릴)-1,3-페닐렌디아민인 것을 특징으로 하는 전자사진 감광체.
제1항에 있어서, 상기한 감광층이 전하발생재료와 함께 전기한 일반식(I)로 표시되는 m-페닐렌 디아민계 화합물을 전하 수송재료로서 함유하는 단일층인 것을 특징으로 하는 전자사진감광체.
제3항에 있어서, 상기한 감광층이 결착수지 100중량부에 대해 전기한 일반식(I)로 표시되는 m-페닐렌 디아민계 화합물을 20-80중량부의 비율로 함유해서 된 것을 특징으로 하는 전자 사진 감광체.
제1항에 있어서, 감광층이 적어도 전하 발생층과 전하수승층과의 적층형 감광층으로 이루어지고, 전기한 전하 수송층이 상기한 일반식(I)로 표시되는 m-페닐렌디아민계 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 전자사진 감광체.
제5항에 있어서, 상기한 전하수송층이 결착수지 100중량부에 대해 전기한 일반식(I)로 표시되는 m-페닐디아민계 화합물을 20-80중량부의 비율로 함유해서 된 것을 특징으로 하는 전자사진 감광체.