KR930001377Y1 - Overvoltage protect circuit - Google Patents
Overvoltage protect circuit Download PDFInfo
- Publication number
- KR930001377Y1 KR930001377Y1 KR2019870024005U KR870024005U KR930001377Y1 KR 930001377 Y1 KR930001377 Y1 KR 930001377Y1 KR 2019870024005 U KR2019870024005 U KR 2019870024005U KR 870024005 U KR870024005 U KR 870024005U KR 930001377 Y1 KR930001377 Y1 KR 930001377Y1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- transistor
- circuit
- voltage
- diode
- resistor
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
- H02H9/00—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection
- H02H9/04—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection responsive to excess voltage
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
- H02H9/00—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection
- H02H9/008—Intrinsically safe circuits
Landscapes
- Dc-Dc Converters (AREA)
Abstract
내용 없음.No content.
Description
제1도는 종래의 회로도.1 is a conventional circuit diagram.
제2도는 본 고안의 회로도.2 is a circuit diagram of the present invention.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings
Q1-Q3: 트랜지스터 T : 트랜스Q 1 -Q 3 : Transistor T: Trans
R : 저항 ZD : 제너다이오드R: Resistance ZD: Zener Diode
D : 다이오드 NP, NS: 권선D: Diode N P , N S : Winding
BD : 전류회로 가 : 스위칭회로BD: Current circuit A: Switching circuit
나 : 감지회로B: sensing circuit
본 고안은 2차측 복합과 전압 보호회로에 관한 것으로서, 특히 2차측에 설정시킨 전압을 감지하여 설정한 전압 이상이 될때 1차측을 제어하는 구동회로에 인가시켜서 2차측의 전압을 제어할 수 있게 한 것에 주안점을 둔 것이다.The present invention relates to a secondary side composite and a voltage protection circuit. In particular, when the voltage set on the secondary side is sensed and applied to a driving circuit for controlling the primary side when the voltage is higher than the set voltage, the secondary side voltage can be controlled. The focus is on things.
종래에는 제1도와 같이, 정유회로(BD1)와 스위칭 트랜지스터(TR1)를 트랜스(T)의 1차권선(NP)에 접속하고, 2차권선(NS1)에 다이오드(D4)와 콘덴서(C1)를 거쳐 출력단자(OUT1)에 연결하고, 2차권선(NS2)에는 다이오드(D5)와 콘덴서(C2)를 거쳐 출력단자(OUT2)에 연결한다. 상기 출력단자(OUT1∼OUT2)에 저항(R1, R2)과 제너다이오드(ZD4,ZD6)를 거쳐 저항(R1)과 콘덴서(C1)를 접속하는 동시에 출력단자(OUT1)에 연결된 다이리스터(SCR1)의 게이트에 연결하여서 된 것으로서, 이를 살펴보면 출력단자(OUT1)에 과전압이 발생할 경우 출력단자(OUT1)와 접지점 사이에 접속된 저항(R1)과 제너다이오드(ZD4)를 통해 다이리스터(SCR1)의 게이트에트리거 신호를 입력시켜 다이리스터(SCR1)를 도통시키므로서 출력단자(OUT1)의 과전압이 전류제한저항(R4)과 다이리스터(SCR1)의 캐소드에서 애노우드로 급격한 전류가 흘러 2차측이 접지로 단락된다.Conventionally, as shown in FIG. 1, the refinery circuit BD 1 and the switching transistor TR 1 are connected to the primary winding N P of the transformer T, and the diode D 4 is connected to the secondary winding NS 1 . and a capacitor connected to the (C 1) via the output terminal (OUT 1) and a secondary winding (NS 2) is via a diode (D 5) and the capacitor (C 2) is connected to the output terminal (OUT 2). The resistor R 1 and the capacitor C 1 are connected to the output terminals OUT 1 to OUT 2 through the resistors R 1 and R 2 and the zener diodes ZD 4 and ZD 6 . 1 ), which is connected to the gate of the thyristor (SCR 1 ) connected to the circuit. In case of overvoltage at the output terminal (OUT 1 ), the resistor (R 1 ) and the zener connected between the output terminal (OUT 1 ) and the ground point diode (ZD 4) a thyristor (SCR 1) to the gate input trigger signals to the thyristors (SCR 1) a conductive because standing output resistance over-voltage, the current limit of (OUT 1) (R 4) and the thyristor via A rapid current flows from the cathode of (SCR 1 ) to the anode, which shorts the secondary side to ground.
이때 피드백 권선(NFB)을 통해 역방향으로 접속된 다이오드의 애노드 측의 전위가 "0"전위로 되어 이를 집적회로 내부에 구성된 비교기의 반전단자에 인가시켜서 출력이 발생되어 스위칭 트랜지스터(TR1)의 베이스의 바이어스를 차단시키므로서 스위칭 트랜지스터(TR1)의 스위칭 동작을 멈추게 하므로서 2차축에 전압을 유지치 못하게 하였다.At this time, the potential of the anode side of the diode connected in the reverse direction through the feedback winding N FB becomes " 0 " and is applied to the inverting terminal of the comparator configured in the integrated circuit to generate an output to generate the switching transistor TR 1 . By stopping the bias of the base to stop the switching operation of the switching transistor (TR 1 ) it was unable to maintain the voltage on the secondary axis.
그러나 상기와 같은 종래의 직접회로 내부에 단락 모드에 대한 회로가 구성되어 있을때만 과전압 보호기능이 가능하고, 다이리스터(SCR1)를 2차측에 부착시켜야만 2차측이 단락가능하게 되어, 구조가 복잡하고 부품이 고가인 집적회로등을 허용함에 따라 생산원가를 상승시키는 요인이 따른 문제점을 가지고 있었다.However, the overvoltage protection function is possible only when the short circuit mode circuit is configured in the conventional integrated circuit as described above, and the secondary side is short-circuitable only when the die thyristor SCR 1 is attached to the secondary side, and the structure is complicated. As parts allow expensive integrated circuits, there is a problem of increasing production costs.
본 고안은 상기와 같은 문제점을 해결하고자, 피드백 트랜지스터와 집적회로를 사용하지 않고 트랜지스터를 구성시켜 2차측의 과전압 상태를 감지하여 1차측을 스위칭시키므로서 과전압을 제어할 수 있게 한 것에 주목적을 둔것으로서 이를 첨부도면에 따라서 설명하면 다음과 같다.In order to solve the above problems, the present invention is mainly designed to control the overvoltage by switching the primary side by sensing the overvoltage state of the secondary side by configuring the transistor without using a feedback transistor and an integrated circuit. This will be described according to the accompanying drawings.
제2도와 같이 AC전원을 입력시킨 정류회로(BD)의 출력전원단자(Va)에서 트랜스(T)의 1차측 권선(NP1)을 통해 트랜지스터(Q1)의 콜렉터에 접속하고, 전원단자(Va)에서 전류제한저항(R1)과 코포커플러(PC)를 거쳐 트랜지스터(Q2)의 베이스와 콘덴서(C12)와 저항(R13)에 연결하여 1차측 전압 제어회로(가)를 구성한다.As shown in FIG. 2, the output power terminal Va of the rectifying circuit BD to which the AC power is input is connected to the collector of the transistor Q 1 through the primary winding N P1 of the transformer T, and the power supply terminal ( In Va), the primary voltage control circuit (A) is constructed by connecting the current limiting resistor (R 1 ) and co-coupler (PC) to the base of transistor (Q 2 ), capacitor (C 12 ) and resistor (R 13 ). do.
그리고 2차측 권선(NS1)(NS2)정류용 다이오드(V2)(V3)와 콘덴서(C3)(C4)를 접속한 출력단자(OUT1)(OUT2)를 연결하고, 출력단자(OUT1)에서 상기 입력축에 접속된 포토커플러(PC)의 구동용 발광다이오드(LD)와 저항(R14)을 통해 트랜지스터(Q3)의 콜렉터에 연결하며 또한 출력단자(OUT2)에서 저항(R15)과 제너다이오드(ZD4)를 거쳐 저항(R16)을 접속한 트랜지스터(Q3)의 베이스에 연결하고, 출력단자(OUT2)에서 저항(R17)과 제너다이오드(ZD5)를 거쳐 트랜지스터(Q3)의 베이스에 연결하여서 2차측 출력전압 감지회로(나)를 구성한다.Connect the output windings (OUT 1 ) (OUT 2 ) connecting the secondary winding (NS 1 ) (NS 2 ) rectifier diode (V 2 ) (V 3 ) and the capacitor (C 3 ) (C 4 ), The output terminal OUT 1 is connected to the collector of the transistor Q 3 through the light emitting diode LD and the resistor R 14 of the photocoupler PC connected to the input shaft, and also to the output terminal OUT 2 . Is connected to the base of the transistor (Q 3 ) to which the resistor (R 16 ) is connected via the resistor (R 15 ) and the zener diode (ZD 4 ), and at the output terminal (OUT 2 ), the resistor (R 17 ) and the zener diode ( ZD 5 ) is connected to the base of the transistor Q 3 to form a secondary output voltage sensing circuit (b).
이와같은 구성으로 형성된 본 고안의 동작 및 작용효과를 설명하면 다음과 같다.Referring to the operation and effect of the present invention formed in such a configuration as follows.
2차측 출력(OUT1)(OUT2)에 설정된 전압의 범위를 벗어나 과전압 발생시 저항(R15) 및 정전압 다이오우드(ZD4) 또는 저항(R17) 및 정전압 다이오우드(ZD5)를 통해 전류가 흘러 트랜지스터(Q3)의 베이스에 바이어스가 걸리게 되며 이대 출력(OUT1)을 전원(B+)으로 포토커플러(PC1)내부에 있는 발광다이오우드 및 (LD)와 전류 제한저항(R14)를 거쳐 콜렉터 전류가 흘러 트랜지스터(Q3)가 동작하게 되며 그러므로서 발광다이오우드에 흐르는 전류에 비례 광전자의 양이 비례 발생하며 이를 포토커플러(PC)내부에 있는 실리콘 제어정류기의 게이트에 인가케된다.Current flows through resistor (R 15 ) and constant voltage diode (ZD 4 ) or resistor (R 17 ) and constant voltage diode (ZD 5 ) when overvoltage occurs outside the range of voltage set in secondary output (OUT 1 ) (OUT 2 ) The base of the transistor Q 3 is biased and the output (OUT 1 ) is supplied to the power supply (B + ) through the light emitting diode (LD) and the current limiting resistor (R 14 ) inside the photocoupler (PC 1 ). The collector current flows to cause the transistor Q 3 to operate so that the amount of photoelectrons proportional to the current flowing in the light emitting diode is generated and applied to the gate of the silicon controlled rectifier inside the photocoupler PC.
이때 브릿지 정류된 전압을 전원(B+)을 이용해 저항(R11)를 통해 전류를 흘러 전류이득이 높은 트랜지스터(Q2)의 베이스에 바이어스를 걸게되며 트랜스 보조권선(NB)에 의해 발생된 주 스위칭 트랜지스터(Q1)의 베이스전압이 트랜지스터(Q2)의 콜렉터를 통해 에미터로 콜렉터 전류가 흘러 스위칭트랜지스터(Q1)의 베이스전류를 차단시키므로써 스윗칭 동작을 멈추게 한다.At this time, the bridge rectified voltage flows through the resistor R 11 using the power source B + to bias the base of the high-gain transistor Q 2 and is generated by the transformer auxiliary winding N B. The base voltage of the main switching transistor Q 1 stops the switching operation by blocking the base current of the switching transistor Q 1 by flowing the collector current through the collector of the transistor Q 2 to the emitter.
그리하여 2차측으로 에너지를 유기하지 않아 과전압 발생을 억제시키게 된다.Thus, energy is not induced to the secondary side to suppress the occurrence of overvoltage.
또한 저항(R12) 및 콘덴서(C11)은 순간적인 과도전류로 인한 부품손상을 방지키 위한 것이고, 저항(R13) 및 콘덴서(C12)역시 같은 역활을 하게 된다.In addition, the resistor (R 12 ) and the capacitor (C 11 ) is to prevent component damage due to instantaneous transient current, and the resistor (R 13 ) and the capacitor (C 12 ) also plays the same role.
상기와 같이 동작하는 본 고안은 종래 2차측에 디이리스터(SCR1)를 접지로 단락시켜, 이를 1차측에 있는 직접회로에서 트랜스 피이드액 권선(NFB)에 의해 감지된 전압을 받아 이를 베이스쪽에 전달, 바이어스를 차단시켜 스위칭 동작을 정지시키게 되는데 본 고안은 집적회로를 쓰지않고 트랜지스터로 조합시켜 집적회로의 역활을 하게하는 회로를 구성하여 생산원가를 절감시키고 2차측의 출력라인이 많을때도 정전압 다이오우드 저항, 트랜지스터 조합만으로 간단하게 복합적으로 연결 사용할 수 있게된 유용한 것이다.The present invention, which operates as described above, short-circuits the demister (SCR 1 ) to ground on the secondary side, and receives the voltage sensed by the transfeed fluid winding (N FB ) from the integrated circuit on the primary side to the base side. It cuts the transmission and bias to stop the switching operation. The present invention saves the production cost by constructing a circuit that functions as an integrated circuit by combining it with a transistor without using an integrated circuit. This is useful because it is possible to simply and complexly use the combination of resistor and transistor.
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR2019870024005U KR930001377Y1 (en) | 1987-12-30 | 1987-12-30 | Overvoltage protect circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR2019870024005U KR930001377Y1 (en) | 1987-12-30 | 1987-12-30 | Overvoltage protect circuit |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR890014902U KR890014902U (en) | 1989-08-11 |
KR930001377Y1 true KR930001377Y1 (en) | 1993-03-27 |
Family
ID=19271118
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR2019870024005U KR930001377Y1 (en) | 1987-12-30 | 1987-12-30 | Overvoltage protect circuit |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR930001377Y1 (en) |
-
1987
- 1987-12-30 KR KR2019870024005U patent/KR930001377Y1/en not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR890014902U (en) | 1989-08-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4200364B2 (en) | Switching type AC adapter circuit | |
US4091434A (en) | Surge current protection circuit | |
US4914560A (en) | Protection circuit for switching mode power supply circuit | |
US4258309A (en) | Switching type power supply circuit | |
JPH0279773A (en) | Power-source controlling circuit | |
US4740880A (en) | Blocking oscillator-switched power supply with peak current reduction circuitry | |
US6256179B1 (en) | Switching power supply apparatus | |
GB2259617A (en) | Protecting a power supply circuit | |
KR930001377Y1 (en) | Overvoltage protect circuit | |
US6608769B2 (en) | Switched mode power supply with a device for limiting the output voltage | |
JPS585588B2 (en) | DC-DC converter overvoltage protection circuit | |
KR930001378Y1 (en) | Overvoltage protect circuit | |
JPH0624439B2 (en) | Switching Regulator | |
KR900009471Y1 (en) | Power circuit | |
KR900005090Y1 (en) | Over current protective circuit | |
JPS5936150Y2 (en) | Overcurrent protection circuit | |
KR910001694Y1 (en) | Protecting circuit for multi-outputs | |
KR900000145Y1 (en) | Power circuit | |
JPS642503Y2 (en) | ||
JPS60223470A (en) | Dc/dc converter with overcurrent protecting circuit | |
SU1374209A1 (en) | D.c. voltage stabilizer | |
KR950007673Y1 (en) | Power device of video-phone | |
JPH0323803Y2 (en) | ||
JP2563188B2 (en) | Self-exciting converter with overcurrent protection | |
SU1273895A1 (en) | Stabilized source of electric power |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
REGI | Registration of establishment | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 19981216 Year of fee payment: 7 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |