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반도체 기판의 세정 방법Cleaning Method of Semiconductor Substrate
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음Since this is an open matter, no full text was included.
제1도는 본 발명의 제조방법을 실시하기 위한 세정 장치의 개요도.1 is a schematic diagram of a cleaning device for carrying out the manufacturing method of the present invention.
Claims (4)
고순도의 세정 기체를 용해시킨 탈이온수에 반도체기판을 침잠시켜 반도체 기판을 세정하도록 하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판 세정방법.A semiconductor substrate cleaning method comprising: submerging a semiconductor substrate in deionized water in which a high purity cleaning gas is dissolved to clean the semiconductor substrate.제1항에 있어서, 상기 세정 기체는 NH3가스, O3가스, CO2가스로 구성되는 구룹중 적어도 하나이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 세정방법.The method of claim 1, wherein the cleaning gas comprises at least one of a group consisting of NH 3 gas, O 3 gas, and CO 2 gas.제2항에 있어서, 상기 NH3가스, O3가스, CO2가스 및 탈이온수의 비율이 실질적으로 1:1:3:50인 것을 특징으로 하는 세정 방법.3. The cleaning method according to claim 2, wherein the ratio of NH 3 gas, O 3 gas, CO 2 gas and deionized water is substantially 1: 1: 3: 50.제1항에 있어서, 상기 세정 가스로서 상기 탈이온수에 O3가스를 공급하고, 상기 O3가스의 안정제로 상기 탈이온수에 CO2를 공급하도록 하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 세정 방법.The semiconductor substrate cleaning method according to claim 1, wherein O 3 gas is supplied to the deionized water as the cleaning gas, and CO 2 is supplied to the deionized water as a stabilizer of the O 3 gas.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.
KR1019910010228A1991-06-191991-06-19
Cleaning Method of Semiconductor Substrate
KR930001320A
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