KR920020796A - 레이저다이오드의 제조방법 - Google Patents
레이저다이오드의 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2(a)~(d)도는 이 발명에 따른 VSIS형 레이저다이오드의 제조방법이다.
Claims (4)
- 제1도전형의 화합물반도체기판상에 제2도전형의 전류제한층을 형성하는 제1공정과, 상기 전류 제한층의 상부에 마스크층을 형성하는 제2공정과, 상기 마스크층의 소정부분을 제거하고 제1도전형의 불순물로 확산영역을 형성하는 제3공정과, 상기 확산영역의 소정부분을 상기 화합물 반도체 기판이 소정두께로 제거되도록 V자형으로 에칭하는 제4공정과, 상기 구조의 전표면에 제1도전형의 제1클래드층을 형성하는 제5공정과, 상기 제1클래드층의 상부에 제1 또는 제2전도형의 활성층을 형성하는 제6공정과, 상기 활성층의 상부에 제2도전형의 제1클래드층 및 캡층을 형성하는 제7공정과, 상기 캡층의 상부와 화합물 반도체 기판의 하부에 제2 및 제1도전형의 전극을 형성하는 제8공정으로 이루어짐을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1도전형은 P형이고, 제2도전형은 N형임을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 제2공정은, 상기 마스크층을 SiO2로 형성함을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 제3공정은, 상기 불순물이 Zn 또는 Ge중 어느 하나임을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910005633A KR920020796A (ko) | 1991-04-09 | 1991-04-09 | 레이저다이오드의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910005633A KR920020796A (ko) | 1991-04-09 | 1991-04-09 | 레이저다이오드의 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR920020796A true KR920020796A (ko) | 1992-11-21 |
Family
ID=67400534
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019910005633A KR920020796A (ko) | 1991-04-09 | 1991-04-09 | 레이저다이오드의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR920020796A (ko) |
-
1991
- 1991-04-09 KR KR1019910005633A patent/KR920020796A/ko not_active Application Discontinuation
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