KR920018837A

KR920018837A - Semiconductor materials, fabrication methods thereof, and thin film transistors

Info

Publication number: KR920018837A
Application number: KR1019920004405A
Authority: KR
Inventors: 순페이 야마자끼; 장홍용; 나오또 구스모또; 야스히꼬 다께무라
Original assignee: 순페이 야마자끼; 가부시끼 가이샤 한도다이 에네르기 겐뀨쇼
Priority date: 1991-03-18
Filing date: 1992-03-18
Publication date: 1992-10-22
Also published as: JPH05299339A; KR960001466B1

Abstract

내용 없음No content

Description

반도체 재료 및 그 제작방법 그리고 박막 트랜지스터Semiconductor materials, fabrication methods and thin film transistors

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음Since this is an open matter, no full text was included.

제1도는 레이저 아닐된 규소 피막의 라만 피크의 중심치(RAMAN SHIFT, 횡축)와 전자 이동도(종축)의 관계를 도시(피막중의 산소 농도는 2×10²¹㎝^_3).1 shows the relationship between the center value (RAMAN SHIFT, horizontal axis) of the Raman peak and the electron mobility (vertical axis) of the non-laserized silicon film (oxygen concentration in the film is 2 × 10 ²¹ cm ^_3 ).

제2도는 여러가지 산소 농도의 레이저 아닐된 규소 피막의 라만 피크의 중심치(RAMAN SHIFT, 횡축)와 전자 이동도(종축)의 관계를 도시.2 shows the relationship between the center value (RAMAN SHIFT) of the Raman peak of the laser-annealed silicon film of various oxygen concentrations and the electron mobility (vertical axis).

제3도는 여러가지 산소 농도의 레이저 아닐된 규소 피막의 라만 피크의 반치폭에 대한 단결정 규소의 라만 피크 반치폭에 대한 비율(FWHM RATIO, 횡축)과 전자 이동도(종축)의 관계를 도시.3 shows the relationship between the ratio (FWHM RATIO, horizontal axis) to the Raman peak half width of single crystal silicon to the half width of the Raman peak of the laser-annealed silicon film of various oxygen concentrations and the electron mobility (vertical axis).

Claims

탄소, 질소, 산소의 농도가 모두 5×10¹⁹㎝^_3이하, 바람직한 것은 1×10¹⁹㎝^_3이하인 비결정성의 규소막을 레이저 광 또는 그것과 동등한 강광을 조사하여 용융하는 과정과, 결정화하는 과정을 지난 것에 의하여 얻어진 것을 특징으로 하는 반도체 재료.A process of melting and irradiating an amorphous silicon film having a concentration of carbon, nitrogen, and oxygen of 5 × 10 ¹⁹ cm ^_3 or less, preferably 1 × 10 ¹⁹ cm ^_3 or less by irradiation with laser light or a strong light equivalent thereof, and crystallization A semiconductor material obtained by the last one.

제1항에 있어서, 레이저 광은 펄스 발진 엑시머 레이저 광인 것을 특징으로 하는 반도체 재료.The semiconductor material according to claim 1, wherein the laser light is pulse oscillating excimer laser light.

제1항에 있어서, 상기 반도체 재료는 레이저 광 또는 그것과 동등한 김광을 조사시킨후, 수소를 포함하는 분위기중에서 열처리시킨 것을 특징으로 하는 반도체 재료.The semiconductor material according to claim 1, wherein the semiconductor material is irradiated with laser light or a laver light equivalent thereto, and then heat-treated in an atmosphere containing hydrogen.

탄소, 질소, 산소의 농도가 모두 5×10¹⁹㎝^_3이하, 바람직한 것은 1×10¹⁹㎝^_3이하인 비결정성의 규소막을 형성하는 공정과, 상기 규소 피막에 레이저 광 또는 그것과 동등한 강광을 조사하여 용융시킨 후에 결정화시키는 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 재료의 제작 방법.Forming a amorphous silicon film having a concentration of carbon, nitrogen, and oxygen of 5 × 10 ¹⁹ cm ^_3 or less, preferably 1 × 10 ¹⁹ cm ^_3 or less, and irradiating the silicon film with laser light or equivalent light intensity thereof; And a step of crystallizing after melting.

탄소, 질소, 산소의 농도가 모두 5×10¹⁹㎝^_3이하, 바람직한 것은 1×10¹⁹㎝^_3이하인 비결정성의 규소막을 형성하는 공정과, 규소 피막상에 산화 규소, 질화규소, 탄화규소의 보호피막을 형성한 공정과, 상기 보호피막을 통하여 레이저 광 또는 그것과 동등한 강광을 조사하여 용융시킨 후에 결정화시키는 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 재료의 제작 벙법.Forming a amorphous silicon film having a concentration of carbon, nitrogen and oxygen of 5 × 10 ¹⁹ cm ^_3 or less, preferably 1 × 10 ¹⁹ cm ^_3 or less, and a protective film of silicon oxide, silicon nitride, and silicon carbide on the silicon film And a step of crystallizing after irradiating and melting laser light or a strong light equivalent thereto through the protective film.

제5항에 있어서, 보호 피막의 화학식은 SiN_xO_yC_z(Ox4 4/3, 0y2, 0z1, 0<3x＋2y＋4z4)이고, 보호 피막은 후의 공정에서 사용되는 레이저 광 또는 그것과 동등한 강광을 침투하는 것을 특징으로 하는 반도체 재료의 제작방법.The chemical formula of claim 5 wherein the chemical formula of the protective coating is SiN _x O _y C _z (O x 4 4/3, 0 y 2, 0 z 1, 0 <3x + 2y + 4z 4), wherein the protective film penetrates the laser light used in a later step or a strong light equivalent thereto.

탄소, 질소, 산소의 농도가 모두 5×10¹⁹㎝^_3이하, 바람직한 것은 1×10¹⁹㎝^_3이하인 비결정성의 규소막을 형성하는 공정과, 상기 규소 피막에 레이저 광 또는 그것과 동등한 강광을 조사하여 용융시킨 후, 결정화시키는 공정과, 그후, 수소를 포함하는 분위기중에서 200∼600℃로서 열 처리를 행하는 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 재료의 제작 방법.Forming a amorphous silicon film having a concentration of carbon, nitrogen, and oxygen of 5 × 10 ¹⁹ cm ^_3 or less, preferably 1 × 10 ¹⁹ cm ^_3 or less, and irradiating the silicon film with laser light or equivalent light intensity thereof; And a step of performing crystallization after the melting and then performing a heat treatment at 200 to 600 ° C. in an atmosphere containing hydrogen thereafter.

탄소, 질소, 산소의 농도가 모두 5×10¹⁹㎝^_3이하, 바람직한 것은 1×10¹⁹㎝^_3이하인 비결정성의 규소막을 레이저 광 또는 그것과 동등한 강광을 조사하여 용융하는 과정과, 결정화하는 과정을 지난 것에 의하여 얻어진 활성층을 가지는 박막 트랜지스터.A process of melting and irradiating an amorphous silicon film having a concentration of carbon, nitrogen, and oxygen of 5 × 10 ¹⁹ cm ^_3 or less, preferably 1 × 10 ¹⁹ cm ^_3 or less by irradiation with laser light or a strong light equivalent thereof, and crystallization A thin film transistor having an active layer obtained by the last one.

제8항에 있어서, 레이저 광은 펄스 발진 엑시머 레이저 광인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.The thin film transistor according to claim 8, wherein the laser light is pulse oscillation excimer laser light.

제8항에 있어서, 채널 형성 영역을 상기 활성층중에 가지는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.The thin film transistor according to claim 8, wherein a channel forming region is provided in the active layer.

※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.