KR920007211A - 고속 바이폴라 트랜지스터 및 그의 제조방법 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 claims 44
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims 14
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims 14
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 10
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 1
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 claims 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 claims 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 claims 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
- H01L29/73—Bipolar junction transistors
- H01L29/735—Lateral transistors
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
- H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
- H01L21/28512—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L21/28525—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table the conductive layers comprising semiconducting material
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/42304—Base electrodes for bipolar transistors
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L29/66234—Bipolar junction transistors [BJT]
- H01L29/66272—Silicon vertical transistors
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 고속 바이폴라 트랜지스터의 단면도,
제3도는 본 발명의 고속 바이폴라 트랜지스터의 제조 공정도이다.
Claims (9)
- 실리콘 기판(1)상에 매몰층(2)과 에피택셜층(3)이 형성되어 있으며, 소자간 분리를 위한 필드산화막(8)의 하부에는 채널스톱영역(9)이 형성되어 있고, 접촉구를 통해 각각의 폴리실리콘 전극(27), (19),(28)이 금속 전극(30-33)과 전기적으로 접촉되어 있는 고속 바이폴라 트랜지스터에 있어서, 폴리실리콘 베이스 전극(19)이 에피택셜층(3)에에 형성되어 있으며, 베이스 영역(25)의 하부에는 후막의 산화막(17)이 형성되어 있는 베이스 영역(25)과 콜렉터 영역(13)이 분리되어 있고, 베이스 전극인 폴리실리콘막(19)의 상부에는 산화막(21)이 형성되어 있으며, 그위에는 폴리실리콘으로 된 에미터 전극(27)및 콜렉터 전극(28)이 에미터 영역(26)과 콜렉터 영역(13)과 종방향으로 접촉되고, 폴리실리콘 베이스 전극(19)은 외부 베이스 영역(26)과 횡방향으로 접촉되는 것을 특징으로 하는 고속 바이폴라 트랜지스터.
- 실리콘기판(1)상에 통상의 매몰층 형성공정으로 N+매몰층(2)을 형성하고, N-에피택셜층(3)을 형성하는 공정과, 산화막(4)과 질화막(5)을 형성한 다음 사진식각하여 필드 산화막이 형성될 부위를 노출시키며, 이온주입을 한 다음 열산화공정을 수행하여 필드산화막(8)과 채널스톱영역(9)을 형성하는 공정과, 산화막(10)을 도포하고, 감광성 물질(11)을 물질을 도포한 다음 사진식각하여 개구부(12)를 형성하며, 감광성 물질(11)을 마스크로 하여 개구부(12)로 불순물을 이온 주입하고, 열처리공정을 수행하여 콜렉터 영역(13)을 형성하는 공정과, 에피택셜층(3)내에 후막의 산화막(17)을 형성하는 공정과, 폴리실리콘막(18)을 도포한 다음 폴리싱공정을 수행하여 평탄면을 갖는 베이스전극(19)을 형성하는 공정과, 베이스 영역을 형성하는 공정과, 폴리실리콘막(23)상에 N형 불순물을 이온주입한 다음 열확산방법으로 침투시켜 에미터 영역(26)을 형성하는 공정과, 사진식각공정을 통하여 폴리실리콘막(23)을 식각하여 에미터 전극(27)과 콜렉터 전극(28)을 형성하는 공정과, 플라즈마 증착법(PECVD)으로 산화막(29)을 기판전면에 걸쳐 침적시키고, 사진식각공정을 수행하여 콜렉터, 베이스 및 에미터 전극이 형성될 부분을 노출시키는 공정과, 금속배선공을 실시하여 메미터전극(30), 베이스전극(31) 및 콜렉터전극(32)을 형성하는 공정으로 이루어 지는 것을 특징으로 하는 고속 바이폴라 트랜지스터의 제조방법.
- 제2항에 있어서, 상기 후막의 산화막(17)을 형성하는 공정은, 산화막(10)상에 저압증착법(LPCVD)으로 질화막(14)을 형성하는 스텝과, 산화막(15),질화막(14)및 산화막(10)을 순차 식각하여 패턴을 형성하는 스텝과, 베이스 전극이 형성될 부위의 N-에피택셜층(3)을 비등방성식각하는 스텝과, 기판전면에 걸쳐 저압증착법으로 질화막(16)을 침적시키는 스텝과, 상기 질화막(16)을 비등방성으로 식각하여 측벽 질화막(16')을 형성하는 스탭과, 베이스 영역내에 통상의 열산화방법으로 후막의 산화막(17)을 형성하는 스탭으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고속 바이폴라 트랜지스터의 제조방법.
- 제3항에 있어서, 측벽 질화막(16')을 마스크로 하여 에피택셜층(3)내에만 산화막(17)이 형성되어지도록 하는 것을 특징으로 하는 고속 바이폴라 트랜지스터의 제조방법.
- 제3항에 있어서, 베이스 전극이 형성될 부위를 식각할때 산화막(15), 질화막(14) 및 패드 산화막(10)을 마스크로 하는 것을 특징으로 하는 고속 바이폴라 트랜지스터의 제조방법.
- 제2항에 있어서, 베이스 영역을 형성하기 위한 공정은 폴리실리콘 베이스 전극(19)을 형성한 다음 기판전면에 걸쳐 불순물을 이온주입하는 스텝과, 산화막(15)을 습식식각방법으로 제거하는 스탭과, 폴리실리콘 전극(19)상에 산화막(20)을 성장시키는 스텝과, 질화막(14)과 패드 산화막(10)을 제거하는 스텝과, 다음 다시 박막의 산오막(21)을 성장시킨 다음 P형 불순물을 이온주입사는 스텝과, 산화막을 침적시킨 다음 비등방성으로 식각하여 측벽스페이서(22)를 형성하는 스텝과, 기판전면에 폴리실리콘막(23)을 침적시키는 스텝과 불순물을 폴리실리콘(23)으로 이온주입한 다음 확산시켜 전성베이스영역(24)과 외부 베이스영역(25)을 형성하는 스텝으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고속 바이폴라 트랜지스터의 제조방법.
- 제6항에 있어서, 폴리실리콘 베이스 전극(19)이 외부 베이스 영역(25)의 확산 소오스가 되어 불순물이 횡방향으로 확산되는 것을 특징으로 하는 고속 바이폴라 트랜지스터의 제조방법.
- 제6항에 있어서, 상기 질화막(14)을 마스크로 하여 산화막(20)을 폴리실리콘 베이스 전극(19)의 상부와 측벽에만 형성되어지도록 하는 것을 특징으로 하는 고속 바이폴라 트랜지스터의 제조방법.
- 제6항에 있어서, 상기 질화막(14)과 패드 산화막(10)의 식각시 산화막(20)을 식각마스크로 하는 것을 특징으로 하는 고속 바이폴라 트랜지스터의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019900014093A KR920007211A (ko) | 1990-09-06 | 1990-09-06 | 고속 바이폴라 트랜지스터 및 그의 제조방법 |
IT02236890A IT1244329B (it) | 1990-09-06 | 1990-12-13 | Transistor bipolare di alta velocita' e procedimento per la sua fabbricazione |
GB9027182A GB2247778A (en) | 1990-09-06 | 1990-12-14 | Bipolar transistors |
FR9016242A FR2666685A1 (fr) | 1990-09-06 | 1990-12-24 | Transistor bipolaire fonctionnant a grande vitesse et procede pour fabriquer un tel transistor. |
JP3144102A JPH06342801A (ja) | 1990-09-06 | 1991-05-21 | 高速バイポ−ラトランジスタ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019900014093A KR920007211A (ko) | 1990-09-06 | 1990-09-06 | 고속 바이폴라 트랜지스터 및 그의 제조방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR920007211A true KR920007211A (ko) | 1992-04-28 |
Family
ID=19303325
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019900014093A KR920007211A (ko) | 1990-09-06 | 1990-09-06 | 고속 바이폴라 트랜지스터 및 그의 제조방법 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06342801A (ko) |
KR (1) | KR920007211A (ko) |
FR (1) | FR2666685A1 (ko) |
GB (1) | GB2247778A (ko) |
IT (1) | IT1244329B (ko) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3366919B2 (ja) * | 1997-06-27 | 2003-01-14 | エヌイーシー化合物デバイス株式会社 | 半導体装置 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61164262A (ja) * | 1985-01-17 | 1986-07-24 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JPS61166071A (ja) * | 1985-01-17 | 1986-07-26 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JPS62141768A (ja) * | 1985-12-16 | 1987-06-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JPS62189753A (ja) * | 1986-02-17 | 1987-08-19 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
US4829015A (en) * | 1987-05-21 | 1989-05-09 | Siemens Aktiengesellschaft | Method for manufacturing a fully self-adjusted bipolar transistor |
JP2623635B2 (ja) * | 1988-02-16 | 1997-06-25 | ソニー株式会社 | バイポーラトランジスタ及びその製造方法 |
-
1990
- 1990-09-06 KR KR1019900014093A patent/KR920007211A/ko not_active Application Discontinuation
- 1990-12-13 IT IT02236890A patent/IT1244329B/it active IP Right Grant
- 1990-12-14 GB GB9027182A patent/GB2247778A/en not_active Withdrawn
- 1990-12-24 FR FR9016242A patent/FR2666685A1/fr active Pending
-
1991
- 1991-05-21 JP JP3144102A patent/JPH06342801A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH06342801A (ja) | 1994-12-13 |
GB2247778A (en) | 1992-03-11 |
IT9022368A0 (it) | 1990-12-13 |
GB9027182D0 (en) | 1991-02-06 |
IT9022368A1 (it) | 1992-03-07 |
FR2666685A1 (fr) | 1992-03-13 |
IT1244329B (it) | 1994-07-08 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E601 | Decision to refuse application |