KR920007103A - 플라스마 테이퍼 에칭 방법 - Google Patents

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가즈히또 후지사와
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나까네 히사시
도꾜 오까 고오교 가부시끼 가이샤
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Abstract

내용 없음

Description

플라스마 테이퍼 에칭 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 관한 플라스마 테이퍼 에칭 방법에 사용되는 플라스마 처리장치의 개략전체도,
제2도(A)내지 제2도(C)는 본 발명에 관한 각공정에서의 반도체 디바이스의 개략단면도.

Claims (10)

  1. 플라스마 테이퍼의 엣칭 방법에 있어서, 동일 챔버내에 플라스마 처리영역과 이 플라스마 처리영역과 떨어져 위치하는 플라스마 발생영역을 갖는 플라스마 처리수단을 갖춘 스텝과, 표면에 복수의 요철부가 형성된 피처리물을 상기 플라스마 처리영역에 셋트하는 스텝과, 상기 챔버내의 플라스마 발생영역에 Ar을 주체로 하는 처리개스를 도입하여 플라스마를 생성하는 것에 의해 상기 요철부의 엣지를 테이퍼상으로 엣칭하는 스텝으로 이루어진 플라스마 테이퍼 엣칭 방법.
  2. 제1항에 있어서, 피처리를 표면의요철부의 엣지를 테이퍼상으로 엣칭하는 스텝에서는 피처리물 표면의 평평화의 목정으로 엣칭물의 요철부에 인접하는 철부사이에 데포지션시키는 것을 포함하는 것으로 된 엣칭 방법.
  3. 제1항에 있어서, 플라스마 처리영역은 플라스마 발생영역의 하부에 위치시키며, 상기 피처리물 표면의 요철부의 엣칭하는 스텝에서는 엣칭을 조장하고, 피처리부의 바로 옆에 인접하는 주위에서 상기 처리개스를 배출하는 스텝을 다시 포함시키는 엣칭 방법.
  4. 제1항에 있어서, 피처물의 요철부는 실리콘 웨이퍼에 형성된 알루미늄 패턴상에 적층된 산화규소층으로 되고 엣칭 처리조건은 처리압 0.01~0.2Torr, 처리온도 50~150℃, 및 처리전력 500~2000w, 인 것인 엣칭 방법.
  5. 피처리물의 표면상에 형성된 복수의 요철부의 엣지를 테이퍼상으로 엣칭하는 플라스마 테이퍼 엣칭장치에 있어서, 플라스마 처리영역 및 이 플라스마 처리영역과 떨어져 위치하는 프라스마 발생영역을 갖는 챔버수단과, 전기 챔버수단에Ar을 주체로 한 처리개스를 도입하는 처리개스 도입수단과 전기 플라스마 발생영역에 전기 처리 개스에 의한 플라스마를 발생시켜 전기 챔버수단에 작용하는 고주파 전력 공급수단을 갖추고, 복수의 요철부가 형성된 표면이 상기 플라스마 발생영역에 대항하여 상기피처리물을 플라스마 처리영역에 셋트함으로써, 요철부의 엣지를 테이퍼상으로 엣칭처리하는 것으로 된 플라스마 테이퍼 엣칭 장치.
  6. 제5항에 있어서, 엣칭장치가 저판부재와 상기 피처리물이 재치되는 어스된 테이블상 하부 전극을 갖는 승강 수단을 갖추고, 전기 챔버수단은 저판 부재상에 재치되는 플라스마 영역으로 되는 대경부 및 이 플라스마 처리영역의 상방에 떨어진 상태로 위치하며, 처리개스가 도입되어 상기 플라스마 발생영역으로 되는 소경부를 갖는 벨자형의 석영제 챔버이며, 상기 저부부재는 상기 피처리물을 상기 플라스마 처리영역에 임하도록 하기 위하여 전기 테이블상 하부 전극의 승강운동을 허용하는 중앙개구부를 구획하여 놓고, 상기 고주파전력 공급수단은 상기 챔버의 소경부에 부착되어 고주파전력을 인가하는 상기전력을 가지며, 상기 피처리물 표면 요철부의 엣지는 테이퍼상으로 엣칭시킴과 동시에 그의 엣칭물이 인접하는 철부사이에 데포지션되는 엣칭시키는 장치.
  7. 제6항에 있어서, 저판부재는 전기 요철부의 엣지의 테이퍼 엣칭과 그의 엣칭물의 데포지션을 조장하고, 전기 챔버내의 플라스마 상태의 처리개스를 하부 전극 주위에서, 보다 바람직하기로는 하부 전극 상에 재치된 처리물에 인접하는 주위에서 배기하는 배기수단을 갖는 엣칭 장치.
  8. 제6항에 있어서, 상부 전극은 소경부의 통둘레를 감싸는 통상(筒狀) 전극으로 된 엣칭 장치.
  9. 제6항에 있어서, 상부 전극은 소경부 전체를 덮는 캡상 전극으로 된 엣칭 장치.
  10. 제6항에 있어서, 상부 전극은 소경부의 통둘레를 덮는 분할된 2개의 반통상(半筒狀) 전극이며, 한쪽 반통상 전극에는 공급수단을 개재하여 고주파 전력을 인가하고, 다른쪽 반통상 전극에 대하여는 공급수단을 개재하여 선택적으로 고주파 전력을 인가시키든가 어스시키는 것으로 된 엣칭 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910016577A 1990-09-21 1991-09-20 플라스마 테이퍼 에칭 방법 KR100193757B1 (ko)

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