Claims (14)
영상전사를 위해 투영되는 방사선빔과 함께 사용되는 영상유지마스크에 있어서, 비교적 큰 투과율을 갖는 기판(1, 21, 41, 51, 58)및 상기 기판의 하나의 표면상에 형성되어 비교적 작은 투과율을 갖고, 마스크내에 있어서의 영상 또는 그 영상의 배경을 규정하는 패턴화된 층(4, 26, 27, 49, 46, 54)을 포함하고, 상기 패턴화된 층은 상기 기판과 그 패턴화된 층을 통과한 제1의 방사선 빔부분이 상기 기판을 통과한 제2의 방사선 빔부분에 대해서 위상반전하도록 두께를 가지며, 또, 상기 패턴화된 층의 투과율은 상기 기판과 그 패턴화된 층을 통과한 상기 제1의 방사선빔부분이 상기 기판을 통과한 제2의 방사선빔부분과 간섭하는데 충분한 강도를 갖도록 정해지고 있는 마스크.In an image retention mask used with a radiation beam projected for image transfer, a substrate (1, 21, 41, 51, 58) having a relatively large transmittance and a surface formed on one surface of the substrate are used to produce a relatively small transmittance. And patterned layers (4, 26, 27, 49, 46, 54) defining an image in the mask or the background of the image, the patterned layer comprising the substrate and the patterned layer The first radiation beam portion having passed through the substrate has a thickness so as to phase-reverse with respect to the second radiation beam portion having passed through the substrate, and the transmittance of the patterned layer passes through the substrate and the patterned layer. And the first radiation beam portion is determined to have a sufficient intensity to interfere with the second radiation beam portion passing through the substrate.
특허청구 범위의 제1항에 있어서, 상기 패턴화된 층은 차례로 위에 겹쳐서 형성된 다수개의 막을 포함하는 마스크.The mask of claim 1, wherein the patterned layer comprises a plurality of films formed over one another in turn.
특허청구범위의 제2항에 있어서, 상기 패턴화된 층은 상기 기판의 하나의 표면상에 형성되어 상기 패턴화된 층의 투과율을 주로 결정하기 위한 Cr막(26) 및 그 위에 형성되어 상기 제2의 방사선빔부분의 상기 패턴화된 층에 의한 위상시프트량을 주로 결정하기 위한 도포층(27)을 포함하는 디스크.The method of claim 2, wherein the patterned layer is formed on one surface of the substrate to form a Cr film 26 and thereon for determining primarily the transmittance of the patterned layer. And a coating layer (27) for predominantly determining the amount of phase shift by said patterned layer of the radiation beam portion of FIG.
특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 기판은 투명한 유리기판(41)과 그 유리기판의 하나의 표면상에 형성된 투명한 도전성의 막(48)을 포함하며, 상기 패턴화된 층은 상기 투명한 도전성의 막위에 형성되어 상기 제2의 방사선빔부분의 상기 패턴화된 층에 의한 위상시프트량을 주로 결정하기 위한 투명한 유리막(49) 및 그 투명한 유리막위에 형성되어 상기 패턴화된 층의 투과율을 주로 결정하기 위한 Cr 막 (46)을 포함하는 마스크.The method of claim 1, wherein the substrate comprises a transparent glass substrate 41 and a transparent conductive film 48 formed on one surface of the glass substrate, wherein the patterned layer is the transparent conductive material. A transparent glass film 49 formed on the film and mainly on the transparent glass film for determining the amount of phase shift by the patterned layer of the second radiation beam portion and mainly determining the transmittance of the patterned layer. A mask comprising a Cr film 46 to be used.
특허청구 범위의 제1항에 있어서, 상기 기판은 투명한 유리기판(51)과 그 유리기판의 하나의 표면상에 형성된 투명한 도전성의 막(58)을 포함하며, 상기 패턴화된 층은 상기 투명한 도전성의 막상에 형성된 도포막(54)를 포함하는 마스크.2. The substrate of claim 1, wherein the substrate comprises a transparent glass substrate 51 and a transparent conductive film 58 formed on one surface of the glass substrate, wherein the patterned layer is the transparent conductive material. The mask containing the coating film 54 formed on the film | membrane.
제1의 두께를 갖는 제1의 부분 및 상기 제1의 두께보다 작은 제2의 두께를 갖는 제2의 부분을 포함하는 것에 의해 패턴을 규정하는 투명한 판(31) 및 상기 투명한 판의 제1의 부분상에 형성되어 상기 투명한 판보다 작은 투과율을 갖고, 패턴화된 층(36)을 포함하며, 상기 판의 제1의 부분과 상기 패턴화된 층은 마스크내에 있어서의 영상, 또는 그 영상의 배경을 규정하고, 상기 판의 제2의 부분의 두께는 상기 판의 제1의 부분과 상기 패턴화된 층을 통과한 제1의 방사선빔부분이 상기 판의 제2의 부분을 통과한 제2의 방사선빔부분에 대해서 위상반전 하도록 정해지고 있고, 또, 상기 패턴화된 층의 투과율은 상기 판의 제1의 부분과 상기 패턴화된 층을 통과한 제1의 방사선빔부분이 상기판의 제2의 부분을 통과한 제2의 방사선빔부분과 간섭하는데 충분한 강도를 갖도록 정해지고 있는 마스크.A transparent plate 31 defining a pattern by including a first portion having a first thickness and a second portion having a second thickness less than the first thickness and a first of the transparent plate. Formed on a portion and having a transmittance less than the transparent plate, and comprising a patterned layer 36, wherein the first portion of the plate and the patterned layer are images in a mask, or background of the image. Wherein the thickness of the second portion of the plate is such that the first portion of the plate and the first radiation beam portion that has passed through the patterned layer have passed through the second portion of the plate. The phase inversion of the radiation beam portion is determined, and the transmittance of the patterned layer is defined by the first portion of the plate and the first radiation beam portion passing through the patterned layer as the second portion of the plate. Sufficient intensity to interfere with the second radiation beam portion passing through the portion of Mask that is decided to have.
비교적 큰 투과율을 갖는 기판 및 상기 기판의 하나의 표면상에 형성되어 비교적 작은 투과율을 갖는 재료의 층을 가지며, 상기 재료층은 상기 기판과 그 재료층을 통과한 제1의 방사선 빔부분이 상기 기판을 통과한 제2의 방사선빔부분에 대해서 위상반전하도록 하는 것과 두께를 가지고 있고 또, 상기 재료층의 투과율은 상기 기판과 그 재료층으르 통과한 상기 제1의 방사선빔부분이 상기 기판을 통과한 상기 제2의 방사선빔부분과 간섭하는데 충분한 강도를 갖도록 정해지고 있는 마스크블랭크.A substrate having a relatively large transmittance and a layer of material formed on one surface of the substrate, the material having a relatively small transmittance, wherein the material layer comprises the substrate and a portion of the first radiation beam passing through the material layer; Phase reversal with respect to the second radiation beam portion passing through the substrate, and the transmittance of the material layer is such that the first radiation beam portion passing through the substrate and the material layer passes through the substrate. A mask blank that is determined to have sufficient intensity to interfere with the second radiation beam portion.
특허청구 범위 제7항에 있어서, 상기 기판은 유리로 만들고, 상기 재료층은 차례로 위에 겹쳐서 형성된 다수 개의 막을 포함하여 상기 기판에서 봐서제 n번째의 막의 두께 dn은로 규정되며, 여기에서 n1는 제i번째의 막을 굴절율을 나타내고,이고, λ는 상기 빔의 파장을 나타내는 마스크블랭크.8. The thickness of claim 7, wherein the substrate is made of glass, and the layer of material comprises a plurality of films formed on top of each other, the thickness d n of the n th film Where n 1 represents the refractive index of the ith film, And? Is a mask blank indicating the wavelength of the beam.
특허청구의 범위 제7항에 잇어서, 또 상기 기판과 상기 재료층 사이에 마련된 투명하며 도전성의 막을 갖는 마스크블랭크.A mask blank according to claim 7, further comprising a transparent and conductive film provided between the substrate and the material layer.
특허청구 범위 제7항에 있어서, 상기 재료층은 Cr으로 만들며, 40nm이하의 두께를 갖고 있는 마스크블랭크.8. The mask blank of claim 7, wherein the material layer is made of Cr and has a thickness of 40 nm or less.
비교적 큰 투과율을 갖는 재료로 만들고, 미리 정해진 두께를 갖는 판(31)을 준비하는 공정, 상기 판상에 비교적 작은 투과율을 갖는 재료의 층(36)을 형성하는 공정, 상기 판의 다수의 부분을 노출시키도록 상기 판의 다수의 부분을 제거하는 공정 및 상기 판의 노출된 부분의 두께를 작게하도록 그들의 부분을 에칭해서 패턴을 규정하는 공정을 포함하며, 상기 판의 노출된 부분의 작게한 두께는 상기 판의 노출되지 않은 부분과 그들 부분위의 재료층을 통과한 제1의 방사선빔부분이 상기 판의 노출되어 두께를 작게한 부분을 통과한 제2의 방사선빔부분에 대해서 위상반전하도록 하는 것과 같은 두께이고, 상기 재료층의 투과율은 상기 판의 노출되지 않은 부분과 그들의 부분 위의 재료층을 통과한 상기 제1의 반사선빔부분이 상기 판의 노출되어 두께를 작게한 부분을 통과한 상기 제2의 방사선빔부분과 간섭하는데 충분한 강도를 갖는 투과율인 영상유지마스크의 제조방법.Making a material having a relatively large transmittance, preparing a plate 31 having a predetermined thickness, forming a layer 36 of a material having a relatively small transmittance on the plate, exposing a plurality of portions of the plate Removing a plurality of portions of the plate so as to reduce the thickness of the exposed portion of the plate and etching the portions thereof to define a pattern, wherein the small thickness of the exposed portion of the plate comprises Such that the first radiation beam portion passing through the unexposed portions of the plates and the material layer over them is inverted with respect to the second radiation beam portion passing through the exposed and reduced thickness portions of the plates. Thickness, and the transmittance of the material layer is such that the unexposed portions of the plate and the first reflected beam beam portion passing through the material layer over them are exposed to the thickness of the plate. A method for manufacturing an image retaining mask having a transmittance having sufficient intensity to interfere with the second radiation beam portion passing through the small portion.
비교적 큰 투과율을 갖는 제1의 판(41)을 준비하는 공정, 상기 제1의 판(41)상에 투명한 도전성의 에칭스토퍼층(48)을 형성하는 공정, 상기 에칭스토퍼층(48)상에 비교적 큰 투과율을 갖는 제2의 판(49)를 형성하는 공정, 상기 제2의 판(49)상에 비교적 작은 투과율을 갖는 재료의 층(46)을 형성하는 공정, 상기 제2의 판(49)의 다수의 부분을 노출시키도록 상기 재료층(46)의 다수의 부분을 제거하는 공정 및 상기 제2의 판(49)의 노출부분을 에칭스토퍼층(48)이 노출할때까지 에칭해서 그것에 의해 패턴을 규정하는 공정을 포함하며, 상기 제2의 판(49)의 두께는 상기 제1의 판(41), 상기 에칭스토퍼층(48), 상기 제2의 판, 상기 재료층(46)을 통과한 제1의 반사선빔부분이 상기 제1의 판(41)과 상기 에칭스토퍼층(48)을 통과한 제2의 방사선빔부분에 대해서 위상반전하도록 하는 것과 상기 같은 두께이고, 상기 재료층(46)의 투과율을 상기 제1의 판(41), 상기 에칭스토퍼층(48), 상기 제2의 판(49) 및 상기 재료층(46)을 통과한 상기 제1의 방사선빔부분이 상기 제1의 판(41)및 상기 에칭스토퍼층(48)을 통과한 상기 제2의 방사선빔부분과 간섭하는데 충분한 강도를 갖는 투과율인 영상유지마스크의 제조방법.Preparing a first plate 41 having a relatively large transmittance, forming a transparent conductive etch stopper layer 48 on the first plate 41, on the etch stopper layer 48 Forming a second plate 49 having a relatively large transmittance, forming a layer 46 of a material having a relatively small transmittance on the second plate 49, the second plate 49 Removing the plurality of portions of the material layer 46 to expose the plurality of portions of < RTI ID = 0.0 >) < / RTI > and etching the exposed portions of the second plate 49 until the etching stopper layer 48 exposes them. And a step of defining a pattern, wherein the thickness of the second plate 49 includes the first plate 41, the etching stopper layer 48, the second plate, and the material layer 46. The first reflection line beam portion passing through the phase is inverted with respect to the second radiation beam portion passing through the first plate 41 and the etching stopper layer 48. It is the same thickness as the above, and the transmittance of the material layer 46 passes through the first plate 41, the etching stopper layer 48, the second plate 49, and the material layer 46. And the first radiation beam portion has a transmittance having sufficient intensity to interfere with the second radiation beam portion passing through the first plate (41) and the etching stopper layer (48).
빔감용표면에 영상을 형성하는 방법에 있어서, 특허청구의 범위 제1항 기재의 마스크를 준비하는 공정, 상기 마스크에 유지되어 있는 영상을 상기 빔감응표면상에 그리기 위해 상기 마스크를 통해서 방사선빔을 상기빔감용 표면상에 투시하는 공정 및 상기 영상을 현상하는 공정을 포함하는 방법.A method of forming an image on a beam-sensitive surface, comprising the steps of: preparing a mask according to claim 1; and applying a radiation beam through the mask to draw an image held on the mask on the beam-sensitive surface. And a step of projecting onto the beam-sensing surface and developing the image.
빔감응표면에 영상을 형성하는 방법에 있어서, 특허청구의 범위 제6항 기재의 마스크를 준비하는 공정, 상기 마스크에 유지되어 있는 영상을 상기 빔감응표면상에 그리기 위해 상기 마스크를 통해서 방사선빔을 상기 빔감응 표면상에 투시하는 공정 및 상기 영상을 현상하는 공정을 포함하는 방법.A method of forming an image on a beam-sensitive surface, the method comprising: preparing a mask according to claim 6, and applying a radiation beam through the mask to draw an image held on the mask on the beam-sensitive surface. And projecting onto the beam-sensitive surface and developing the image.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.※ Note: This is to be disclosed by the original application.