KR920003337B1 - 마그네트론의 양극조립기체의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

내용 없음.

Description

마그네트론의 양극조립기체의 제조방법
제1도는 일반적인 마그네트론의 단면도.
제2도는 제1도에서 발췌한 마그네트론 양극조립기체의 일부 절개사시도.
제3도는 종래의 양극조립기체의 제조방법을 나타낸 분해사시도.
제4도는 제3도의 베인과 안테나 리드의 분해사시도.
제5도는 본 발명에 따른 조립기체의 제조방법을 나타내는 분해사시도.
제6도는 제5도의 베인과 안테나 리드의 분해사시도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
2 : 양극 통상체 6 : 안테나 리드
10 : 베인 12a, 12b :하측내의 스트립링
13a, 13b : 상측내의 스트립링 20 : 베이스 지그
21 : 센터핀 지그 22 : 상부 지그
본 발명은 전자렌지용에 사용되어 음식물을 조리해주기 위하여 전자파를 발생시켜주는 마그네트론내의 양극조립기체 제조방법에 관한 것으로, 특히 베인, 안테나 리드 상, 하측 스트립링 그리고 양극 통상체들을 상호 조립시켜주는 제조공정에 관한 것이다.
일반적으로 마그네트론은 제1도에 도시된 단면도와 같은 형태로서, 중심에 축방향으로 직열형 필라멘트(캐소우드 라고도 칭함)(1)가 설치되고, 그 주변으로는 방사상의 양극 구조물인 양극 통상체(애노우드 라고도 칭함)(2)가 설치되어 있는 일종의 2극진공관이다.
여기에, 필라멘트(1)와 양극 통상체(2)사이의 공간부로 지속을 인가해주기 위한 요크(3), 자석(4), 자극(5)등으로 구성된 자기회로가 구성되고, 양극통상체(2)에 전달된 마이크로피 에너지를 외부로 도출시켜주기 위한 안테나 리드(6), 안테나 씨임(7), 안테나 세라믹(8), 안테나 캡(9)등으로 구성된 출력부가 구성되며, 또한 양극통상체(2) 내의 베인(10)에 의하여 열전자의 충돌이 일어남에 따라 발생하는 열을 외부로 방열시켜 주기 위한 방열핀(11)이고, 작용공간에서 생긴 불요 고주파 성분이 전원으로 역류할때 이를 막아주기 위한 필터회로들이 구성된다.
따라서, 이와 같이 구성된 마그네트론에 의하여, 필라멘트(1)에서 방출된 열전자가 베인(10)과 필라멘트(1)사이에 걸린 전계와 자기회로상의 자극(5)에 의해 필라멘트(1)와 양극통상체(2)사이의 공간부로 인가된 자속의 힘을 받아 사이클로이드 운동을 실시하게 되고, 이에따라 가속도를 경험한 열 전자가 마이크로파 에너지를 발생시키게 되며, 이 에너지를 베인(10)에서 받아들이게 된다.
이와 같이 전달된 마이크로파 에너지는 출력파의 안테나 리드(6)를 통해 외부로 토출되어, 전자레인지 내부의 음식물을 가열시키게 되는 것이다.
특히, 필라멘트의 외주부로는 제2도의 사시도와 같이, 원통형 양극통상체(2) 내에 방사상으로 배치되는 베인(10)들과, 이들 베인(10)의 상하부로 결합되는 상,하측 스트립형(12,13), 안테나 리드(6)가 상호 결합 구성되고, 이들을 총칭적으로 양극조립기체라고 부른다.
종래에는 이와 같은 양극조립기체를 제조하기 위한 공정이 제3도와 같은 형태로서 실시되었으며, 이 공정을 순차적으로 나열하면 다음과 같다.
a) 상하변으로 링홈(10a)(10b)을 갖는 사각판형상의 베인(10)들을 다수 형성한다.
이때 이들 베인중의 하나에는 제4도와 같이 상변의 일측부로 리드홈(10c)을 형성하여 준다.
b) 베인(10)의 하변링홈(10a)으로 삽입되는 하측 내, 외 스트립링(12a)(12b)을 성형하고, 이들을 브레이징재로 도금처리한다.
c) 파이프를 절단하거나 또는 판재를 맡아 원통형의 양극 통상체(2)를 정밀 가공하여 제작한다.
d) 방사상의 길이홈(20a)을 갖는 베이스 지그(20)상에 상기(b)의 내의 스트립링(12a)(12b)과 (c)의 양극 통상체(2)를 올려놓는다.
e) 베이그 지그(20)에 형성된 길이홈(20a)내에 상기(a)의 베인(10)들을 삽입 배치한다.
f) 제4도와 같이 하단부로 브레이징재(15)를 끼운 안테나 리드(8)를 상기(a)의 베인(10)의 리드홈(10c)으로 끼워준다.
g) 센터핀 지그(21), 상기(b)의 동일하게 브레이징재로 도금처리된 상측내외 스트립링(13a)(13b), 그리고 외주면상에 슬롯(22a)이 형성된 상부 지그(22)를 차례로 조립해준다.
h) 상부 지그(22)의 슬롯(22a)을 통하여 일정크기로 절단한 와이어상 브레이징재(16)를 베인(10)측으로 끼워준다.
i) 상기와 같은 상대로서 800~950℃ 정도의 가열로를 통과시켜, 이들을 브레이징 접합시킨다.
이와 같은 작업공정에 따라 부품들의 상호 접촉면들이, 베인(10)들과 양극 통상체(2)사이로는 상부 지그(22)의 슬롯(22a)을 통하여 베인측으로 유입되는 와어상 브레이징재(16)로서, 베인(10)과, 안테나 리드(6)의 하단부간에는 안테나 리드(6)로 끼워지는 브레이징재(15)로서, 그리고 베인(10)들과 상,하측내외 스트립링(12a)(12b)(13a)(13b)들간에는 스트립링의 외주면으로 도급처리된 브레이징재를 통하여 상호 접합이 이루어지는 것이다.
또한, 이때 사용되는 지그들인 베이스 지그(20), 센터핀 지그(21), 상부 지그(22)들은 상기 브레이징재들과 접촉해도 접합이 이루어지지 않는 카본이나 산화 텅스텐등의 열팽창이 삭은 재질로서 구성되어 있기 때문에, 열처리 과정중에서도 브레이징재들에 의한 접합이 이루어지지 않는다.
그러나, 상기한 바와 같은 공정에 의하여 양극조립기체를 제작하도록 된 종래기술은, 베인들과 양극통상체를 상호 접합시켜주기 위하여 브레이징재를 소정규격의 와이어형으로 절단시켜주고, 이들을 상부 지그의 외주면상에 형성된 슬롯을 통하여 끼워주는 작업공정이 필요하여, 제작공정이 번거롭고 제작비가 많이 소요되는 불리한 문제점이 있었다.
이와 같은 공정의 복잡성은 생산성의 저하를 가져오고, 작업중 브레이징재의 소정부위 불삽입에 따른 불량품이 많아지게 되는 원인이 되었다.
또한, 베인과 안테나 리드간을 접합시켜 주기 위하여 안테나 리드에 끼워지는 브레이징재를 금형 및 설비를 사용하여 미리 작업을 실시한 후 다시 안테나 리드에 이 브레이징재를 끼워주어야 하는 복잡한 공정에 의하여, 작업생산성의 저하와 불량율이 높아지는 문제점이 되었다.
본 발명의 이와 같은 종래의 문제점을 개선하기 위한 것으로서, 별도의 브레이징재를 사용하지 않고, 상, 하측 내의 스트립형의 브레이징 도금처리를 각각 실시할 필요없이 베인만의 브레이징 도금리에 의하여 이에 접촉하는 부품들을 상호 접합시킬 수 있도록 한 것이다.
이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 형태에 따르면, 상하변으로 링홈을 갖는 베인을 형성하여 그전표면에 브레이징재를 도포하고, 링형상의 상, 하측 내외 스트립링들과 원통체의 양극통상체 그리고 안테나 리드를 각각 형성하고, 방사상의 길이홈을 갖는 베이스 지그상에 상기 하측내외 스트립링과 양극 통상체를 올려놓고 길이홈 내로는 상기 베인을 각각 삽입 배치하고, 상기 안테나 리드의 하단부를 상기 베인중 리드 홈을 갖는 베인으로 삽입하고, 센터핀 지그, 상기 상측내의 스트립링, 상부 지그를 차례로 조립하고 상기 조립체를 800~900℃에서 열처리 하는 공정에 의하여, 상기 베인의 표면에 도포된 브레이징재를 통하여 베인과 접속하는 부품들인 양극통상체, 상, 하측 내외 스트립링들, 안테나 리드의 부품을 접합시키도록 한 마그네트론의 양극 조립기체의 제조방법이다.
이와 같이 된 본 발명을 첨부도면과 함께 더욱 상세히 설명하면 다음과 같다.
제5도는 본 발명에 따른 마그네트론의 양극조립체를 제조하는 방법을 나타낸 분해사시도로서, 마그네트론의 양극조립기체를 구성하는 기본적인 부품들인 양극통상체(2), 베인(10)들, 안테나 리드(6), 그리고 상, 하측 내외스트립링(12a)(12b)(13a)(13b)들은 종래와 동일하고, 또한 이들 부품의 조립을 위한 베이스 지그(20), 센터핀지그(21), 상부 지그(22)의 구성품은 종래와 동일하게 소요된다.
그러나, 본 발명과 종래기술의 큰 차이점은 이들 조립구성품을 접합시켜주기 위한 브레이징재의 사용과 브레이징 도금의 실시장소가 판이하게 다른 것으로서, 본 발명에 따른 조립공정과정을 순차적으로 나열하면 아래와 같다.
a) 상하변으로 링홈(10a)(10b)을 갖는 사각판형의 베인(10)들을 형성하고, 이들 베인(10)들의 전표면에 브레이징재로서 도금처리한다.
본 발명과 종래 기술과의 가장 큰 차이점이 이 공정으로, 종래에는 베인들의 표면에 브레이징재의 도포작업을 실시하지 않았으나, 본 발명에서는 이 공정을 추가하도록 한 것이다.
b) 베인(10)의 하변 링홈(10a)으로 삽입되는 하측 내외 스트립링(12a)(12b)을 성형한다.
종래에는 이들 내외 스트립링에 브레이징재의 도금 처리를 실시하였으나 본 발명에서는 이를 삭제하였다.
c) 소정파이프를 절단하거나 또는 판재를 맡아 원통형의 양극 통상체(2)를 정밀가공하여 제작한다.
d) 방사상의 길이홈(20a)을 갖는 베이스 지그(20)상에 상기 (b)의 하측내의 스트립링(12a)(12b)과 (c)의 양극통상체(2)를 올려 놓는다.
e) 베이스 지그(20)에 마련된 길이홈(20a) 내로 상기(a)의 베인(10)들을 삽입 배치한다.
f) 안테나 리드(6)를 상기(a)의 베인(10)의 리드홈(10c)으로 끼워준다.
종래에는 안테나 리드(6)의 하단부로 별도의 브레이징재를 성형하여 이를 끼워주었으나, 본 발명에서는 이를 삭제하였다.
g) 센터핀 지그(21), 상기(b)와 동일한 형상의 상측 내외 스트립링(13a)(13b)그리고 상부 지그(22)를 차례로 조립해준다.
종래에는 상측 내외 스트립링(13a)(13b)에도 브레이징재의 도금처리를 실시하였으나, 본 발명에 있어서는 이를 삭제하였고, 또한 본 발명의 상부 지그(22)의 외주면에는 종래와 같은 슬롯을 형성하지 않았는데, 이것은 별도의 와이어상 브레이징재를 삽입할 필요가 없기 때문이다.
h) 상기와 같은 상태로서 800~950℃ 정도의 가열로를 통과시켜 이들을 브레이징 접합시킨다.
따라서, 이와 같은 본 발명의 공정에 의하여 부품들의 상호 접촉면들인, 베인(10)들과 양극통상체(2), 베인(10)과 안테나 리드(8)의 하단부, 그리고 베인(10)들과, 상, 하측 내외 스트립링(12a)(12b)(13a)(13b)들 사이의 접합이 베인(10)의 표면에 도포된 브레이징재를 통하여 모든 접합이 이루어지게 되는 것이다.
즉, 종래와 같이 부품들간의 접촉면 접합을 위한 별도의 브레이징재를 사용하지 않고, 베인에 전체적인 브레이징재의 도포작업을 실시하여 최소화 공정에 따른 접합이 가능토록 한 것이다.
이와 같이 본 발명은 종래와 같은 양극통상체와 베인들과의 접합을 위한 다량의 와이어형 브레이징재와, 안테나 리드와 베인과의 접합을 위한 별도의 성형 브레이징재가 필요없게 되므로, 이들의 가공공정 및 조립공정이 삭제되어 생산공정이 효율성을 극대화시키고, 대량생산을 기할 수 있게 되며, 원가절감을 이룰 수 있게 된다.
이밖에도 양극통상체와 베인과의 접합을 위해 이용되는 와이어형 브레이징재를 소정개소에 삽입하는 경우나 성형 브레이징재를 안테나 리드의 하단부로 끼워주는 경우, 이를 수조작 또는 반자동으로 삽입처리하는 과정중에 발생하기 쉬운 공정미스에 의한 접합불량의 원인을 제거하여 물품의 조립불량을 개선시켜줌에 따라 품질향상을 기할 수 있게 된다.

Claims (2)

  1. 전자레인지에 사용되어 전자파를 발생하는 마그네트론의 양극조립기체의 조립공정이, 상, 하변으로 링홈을 갖는 베인을 형성하여 그 전표면에 브레이징재를 도포하고, 링형상의 상, 하중 내외 스트립링들과, 원통체의 양극 통상체 그리고 안테나 리드를 각각 형성하고, 방사상의 길이홈을 갖는 베이스 지그상에 상기 하측 내외 스트립링과 양극통상체를 올려놓고 길이홈 내로는 상기 베인을 각각 삽입 배치하고, 상기 안테나리드의 하단부를 상기 베인중 리드홈을 갖는 베인으로 삽입하고, 센터핀 지그, 상기 상측 내외 스트립형 상부 지그를 차례로 조립하고, 상기 조립체를 가열로에서 열처리하여 상기 베인의 표면에 도포된 브레이징재를 통해 베인과 접속하는 부품들을 접합시켜주도록 됨을 특징으로 하는 마그네트론의 양극 조립기체의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 조립체를 가열로에서 800~900℃ 온도로 열처리하도록 됨을 특징으로 하는 마그네트론의 양극 조립기체의 제조방법.
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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR940005989Y1 (ko) * 1991-11-20 1994-08-31 주식회사 금성사 전자레인지용 마그네트론
KR20040008346A (ko) * 2002-07-18 2004-01-31 삼성전자주식회사 마그네트론
KR20040011638A (ko) * 2002-07-27 2004-02-11 삼성전자주식회사 마그네트론
KR20050026596A (ko) * 2003-09-09 2005-03-15 삼성전자주식회사 전자레인지용 마그네트론
CN100457358C (zh) * 2005-01-27 2009-02-04 佛山市美的日用家电集团有限公司 真空管中阳极筒与叶片的焊接装置
US20080015304A1 (en) 2006-07-13 2008-01-17 Klaus Hintzer Aqueous emulsion polymerization process for producing fluoropolymers
US7671112B2 (en) * 2005-07-15 2010-03-02 3M Innovative Properties Company Method of making fluoropolymer dispersion
GB2430437A (en) * 2005-09-27 2007-03-28 3M Innovative Properties Co Method of making a fluoropolymer
EP2132143B1 (en) * 2007-02-16 2012-12-26 3M Innovative Properties Company System and process for the removal of fluorochemicals from water
US20080264864A1 (en) * 2007-04-27 2008-10-30 3M Innovative Properties Company PROCESS FOR REMOVING FLUORINATED EMULSIFIER FROM FLUOROPOLMER DISPERSIONS USING AN ANION-EXCHANGE RESIN AND A pH-DEPENDENT SURFACTANT AND FLUOROPOLYMER DISPERSIONS CONTAINING A pH-DEPENDENT SURFACTANT
JP5201717B2 (ja) * 2007-12-12 2013-06-05 パナソニック株式会社 マグネトロン及びマグネトロンの陽極ベイン製造方法
AT511205B1 (de) * 2011-06-24 2012-10-15 Iat 21 Innovative Aeronautics Technologies Gmbh Schwenklager
CN112242283B (zh) * 2020-08-07 2023-07-28 广东格兰仕微波炉电器制造有限公司 一种磁控管阳极组件的组装工艺
CN112242282B (zh) * 2020-08-07 2023-07-28 广东格兰仕微波炉电器制造有限公司 一种管芯组件的装配工艺
CN113352094B (zh) * 2021-06-07 2024-05-17 中山市美格电子科技有限公司 阳极组件一体化自动装配线

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2445766A (en) * 1944-03-28 1948-07-27 Raytheon Mfg Co Apparatus for assembling parts of electron discharge devices
US2645843A (en) * 1946-04-09 1953-07-21 Us Sec War Strapped magnetron and method of strapping
DE1627506A1 (de) * 1967-04-07 1971-01-07 Fichtel & Sachs Ag Verfahren zur Herstellung eines Schaufelrades
JPS5937636A (ja) * 1982-08-27 1984-03-01 Hitachi Ltd マグネトロン陽極構体の製造方法
JPS63241838A (ja) * 1987-03-30 1988-10-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd マグネトロン陽極構造及びその製造方法
US4997123A (en) * 1990-05-31 1991-03-05 Lucas Aerospace Power Transmission Corp. Multi-piece flexural pivot

Also Published As

Publication number Publication date
US5090613A (en) 1992-02-25
JPH04249829A (ja) 1992-09-04
JPH07120502B2 (ja) 1995-12-20
KR910020785A (ko) 1991-12-20

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