KR920003299Y1 - Radio transmitter having amplifier for selective radio high frequency - Google Patents

Abstract

내용 없음.No content.

Description

고주파 구동 증폭기High frequency drive amplifier

제1도는 제1도 종래의 회로도.1 is a circuit diagram of FIG.

제2도는 본 고안의 회로도.2 is a circuit diagram of the present invention.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings

101, 701 : 제1, 2저역여파기 201, 401, 601 : 제1-3정합회로101, 701: first and second low pass filters 201, 401, 601: 1-3 matching circuit

301, 501 : 제1, 2증폭기 801 : RF전력증폭기301, 501: first and second amplifiers 801: RF power amplifier

901 : 직류 전원 공급부 100 : 대역여파기901: DC power supply 100: band filter

110 : 안테나110: antenna

본 고안은 자동차 무선전화기의 송신장치에 있어서 고주파 전력증폭기를 구동하기 위한 고주파 구동증폭기에 관한 것이다. 자동차 무선전화기는 자동차 탑승자에 음성 통화서비스를 제공하는 장치로서 이동간 음성통화 서비스를 제공하기 위해 음성신호를 고주파 신호로 변조하여 송출하거나 고주파신호를 수신하여 음성신호로 복조한 다음 수신자가 청취할 수 있게한다. 상기 자동차 무선전화기의 송신장치는 원하는 주파수 대역의 고주파 신호를 크게 증폭하여 송출하여야 한다.The present invention relates to a high frequency drive amplifier for driving a high frequency power amplifier in a transmission apparatus of an automobile radiotelephone. Car radiotelephone is a device that provides voice call service to car occupant. To provide voice call service between mobiles, it modulates and transmits voice signal to high frequency signal or receives high frequency signal and demodulates it into voice signal so that receiver can listen. do. The transmitting device of the automobile radiotelephone must amplify and transmit a high frequency signal of a desired frequency band.

상기 자동차 무선전화기의 송신장치에 있어서 종래의 RF 극동증폭기는 제1도와 같이 구성되어 있으며, 제1도를 설명하면 하기와 같다.In the transmission apparatus of the above-mentioned automobile radiotelephone, the conventional RF Far East Amplifier is configured as shown in FIG. 1, and the first diagram is as follows.

제1정합회로(20)(일점쇄선으로 표시된 부분)은 입력단(IP)와 제1증폭기(10)(일점쇄선으로 표시된 부분)중 트랜지스터(11)의 베이스 사이에 캐패시터(21)와 인덕터(22)로 직력 연결되고 기준전위(GND)와 트랜지스터(11)의 베이스 사이에 접속된 캐패시터(23)로 구성된다.The first matching circuit 20 (part shown by dashed line) is a capacitor 21 and an inductor 22 between the input terminal IP and the base of the transistor 11 of the first amplifier 10 (part shown by dashed line). It is composed of a capacitor 23 connected directly to the reference potential and connected between the reference potential (GND) and the base of the transistor (11).

제1증폭기(10)는 증폭용 트랜지스터(11)와 세개의 저항(12-14)으로 구성되며 트랜지스터(11)는 요구된 동작 주파수에서 적당한 증폭 계수를 가진다.The first amplifier 10 consists of an amplifying transistor 11 and three resistors 12-14, which have a suitable amplification factor at the required operating frequency.

상기 트랜지스터(11)의 베이스에는 제1정합회로(20)를 거친 RF신호가 입력되며, 기준전위(GND)와 트랜지스터(11)의 베이스 사이에 저항(12)이 연결되고, 콜렉터와 베이스 사이에 저항(13)이 연결되며, 콜렉터와 직류 공급전원(7) 사이에 인덕터(31)와 저항(13)이 직력로 연결되고 에미터는 기준전위(GND)에 연결되어 트랜지스터(11)에 직류 바이어스를 가해 증폭작용을 한다.An RF signal passing through the first matching circuit 20 is input to the base of the transistor 11, a resistor 12 is connected between the reference potential GND and the base of the transistor 11, and is connected between the collector and the base. The resistor 13 is connected, the inductor 31 and the resistor 13 are connected in series between the collector and the DC power supply 7 and the emitter is connected to the reference potential GND to apply a DC bias to the transistor 11. Add amplification.

제2정합회로(30)는 트랜지스터(11)의 콜렉터와 트랜지스터(51)의 베이스 사이에 캐패시터(32)가 직렬 연결되고 캐패시터(32)와 트랜지스터(51)의 베이스 사이의 접속점과 기준전위(GND) 사이에 캐패시터(33)가 연결되고 트랜지스터(11)의 콜렉터와 저항(14) 사이에 인덕터(31)가 연결되고 제1증폭기(10)를 통해 증폭된 RF신호가 트랜지스터(51)의 베이스에 여기된다. 제2증폭기(50)는 증폭용 트랜지스터(51)와 세개의 저항(52-54)로 구성되며 트랜지스터(51)는 요구된 동작 주파수에서 적당한 증폭계수를 가진다. 상기 트랜지스터(51)의 베이스와 기준전위(GND) 사이에는 저항(52)이 연결되고 베이스와 직류 공급전원(70) 사이에 저항(53)이 연결되고 콜렉터와 직류 공급전원(70) 사이에 인덕터(62)와 저항(54)이 직렬 연결되며, 에미터는 기준전위(GND)에 연결되어 트랜지스터(51)에 직류 바이어스를 가해 증폭작용을 한다.In the second matching circuit 30, the capacitor 32 is connected in series between the collector of the transistor 11 and the base of the transistor 51, and the junction point and the reference potential GND between the capacitor 32 and the base of the transistor 51 are provided. The capacitor 33 is connected between the capacitors, the inductor 31 is connected between the collector of the transistor 11 and the resistor 14, and the RF signal amplified by the first amplifier 10 is connected to the base of the transistor 51. Here it is. The second amplifier 50 consists of an amplifying transistor 51 and three resistors 52-54, which have a suitable amplification coefficient at the required operating frequency. A resistor 52 is connected between the base of the transistor 51 and the reference potential GND, a resistor 53 is connected between the base and the DC power supply 70, and an inductor is connected between the collector and the DC power supply 70. The 62 and the resistor 54 are connected in series, and the emitter is connected to the reference potential GND to apply a DC bias to the transistor 51 to amplify the transistor.

상기 제2증폭기(50)를 통해 증폭된 R신호는 콜렉터와 저항(54) 사이에 연결된 인덕터(62)와 캐패시터(61)로 구성된 제3정합회로(60)를 거친 후 캐패시터(61)와 대역여파기(90) 사이에 연결된 RF 전력증폭기(100)에 의해 증폭된 다음 대역여파기(90)에 의해 상대적으로 대역외 주파수 성분이 감쇄되어 안테나(100)를 통해 송신된다.The R signal amplified by the second amplifier 50 passes through the third matching circuit 60 composed of the inductor 62 and the capacitor 61 connected between the collector and the resistor 54 and then the capacitor 61 and the band. Amplified by the RF power amplifier 100 connected between the filter 90 and then attenuated relatively out-of-band frequency component by the band filter 90 is transmitted through the antenna 100.

상기 제1도와 같은 고주파 구동 증폭기는 RF증폭용 트랜지스터(11, 51)와 입, 출력 정합회로에 관계되는 인덕터, 캐패시터와 직류 공급전원으로 구성되어 RF 전력 증폭기를 구동시키는데 RF 구동증폭기의 트랜지스터에서 발생되는 기생 인덕턴스와 캐패시턴스에 의해 스퓨리어스(spurious)악화 현상이 발생한다.The high frequency driving amplifier as shown in FIG. 1 is composed of an RF amplifier transistor 11 and 51, an inductor, a capacitor, and a DC power supply related to an input / output matching circuit to drive an RF power amplifier. Spurious deterioration occurs due to parasitic inductance and capacitance.

상기에서 스퓨리어스란 소망하는 밴드(Band) 이외의 주파수로서 고조파(Harmonics)와 기생고조파(parastic Harmonic)등을 말한다.In the above, the spurious refers to harmonics and parasitic harmonics as frequencies other than the desired band.

무선기기 예를들면 824-849㎒ 대역의 고주파 신호를 송수신하는 자동차 무선전화기에 있어서 상기와 같은 스퓨리어스의 불필요파는 다른 시스템을 오동작시키거나 혼선, 통화단절등의 간섭을 일으켜 나쁜 영향을 미치기 때문에 불요파에 대해서는 이를 필터링하는 장치가 필요로 하게 된다.Wireless devices, for example, in wireless radio telephones that transmit and receive high-frequency signals in the 824-849 MHz band, the unnecessary waves of spurious are unnecessary because they cause other systems to malfunction or cause interference such as cross talk and disconnection. For the need for a device that filters it.

그러나 상기 제1도와 같은 종래의 회로는 입력신호 자체가 가지는 스퓨리어스를 여파(억압)하지 않은체 입력신호를 그대로 정합하여 증폭함으로서 결국 전력 증폭기에서는 스퓨리어스의 신호는 더욱 증폭되고, 상대적인 스퓨리어스 감쇄 특성을 갖는 대역 여파기를 거친다 하더라도 안테나를 통해 송신되는 스퓨리어스 특성은 좋지 못하게 된다.However, the conventional circuit as shown in FIG. 1 matches and amplifies the input signal without filtering (repressing) the spurious of the input signal itself. As a result, the spurious signal is further amplified in the power amplifier, and has a relative spurious attenuation characteristic. Even through the band filter, the spurious characteristics transmitted through the antenna are not good.

따라서 본 고안의 목적은 자동차 무선전화기의 송신장치에 있어서 고주파 전력증폭시 고주파신호의 스퓨리어스를 여파하여 스퓨리어스의 억압 특성을 향상시킬 수 있는 고주파 구동증폭기를 제공함에 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a high frequency driving amplifier capable of improving the suppression characteristics of the spurious by filtering the spurious of the high frequency signal during the high frequency power amplification in the transmission apparatus of the automobile radiotelephone.

이하 본 고안을 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

제2도는 본 고안의 회로도로서 입력단(IP)를 통해 인입되는 RF신호를 일정 증폭율로 증폭하기 위해 트랜지스터(31) 및 세개의 저항(32-34)와 세개의 인덕터(35-37)로 이루어진 제1증폭기(301)와, 상기 제1증폭기(301)의 출력을 다시 일정 증폭율로 재 증폭하기 위해 트랜지스터(51) 및 캐패시터(52)와 세개의 인덕터(53-55) 및 4개의 저항(56-59)로 이루어진 제2증폭기(501)와, 상기 제1, 2증폭기(301, 501)에 동작전압을 공급하기 위한 직류 전원공급부(901)와, 상기 제2증폭기(501)의 출력을 전력증폭하는 고주파 전력증폭기(801)와, 상기 고주파 전력증폭기(801)의 출력 대역 여파하여 스퓨리어스를 감쇄시킨 후 안테나(110)를 통해 송출하는 대역여파기(100)와, 상기 입력단(IP)와 제1증폭기(301) 사이에 접속되어 신호 RF신호 중계하기 위해 두개의 캐패시터(21, 22) 및 인덕터(23, 35)로 이루어진 제1정합회로(201)와, 상기 제1증폭기(301)와 제2증폭기(501) 사이에 접속되어 RF신호 중계하기 위해 두개의 캐패시터(42) 및 두개의 인덕터(41, 36)로 이루어진 제2정합회로(401)와, 상기 제2증폭기(501)와 RF전력증폭기(801) 사이에 접속되어 신호 RF신호 중계하기 위해 두개의 캐패시터(61)와 인덕터(54)로 이루어진 제3정합회로(601)와, 상기 입력단(IP)와 제1정합회로(201) 사이에 접속되어 RF신호중 고역성분을 역압시키기 위해 세개의 캐패시터(11-13) 및 두개의 인덕터(14, 15)로 이루어져 입력을 저역필터링 출력하는 제1저역여파기(101)와, 상기 제3정합회로(601)와 RF전력증폭기 사이에 접속되어 RF신호중 고역성분을 억압시키기 위해 세개의 캐패시터(71-73) 및 두개의 인덕터(14, 15)로 이루어져 입력 RF신호를 저역 필터링하는 제2저역여파기(701)로 구성한다.2 is a circuit diagram of the present invention, which comprises a transistor 31, three resistors 32-34, and three inductors 35-37 to amplify the RF signal introduced through the input terminal IP at a constant amplification rate. In order to re-amplify the first amplifier 301 and the output of the first amplifier 301 again at a constant amplification rate, the transistor 51 and the capacitor 52, three inductors 53-55 and four resistors ( 56-59), a DC power supply unit 901 for supplying an operating voltage to the first and second amplifiers 301 and 501, and an output of the second amplifier 501 A high frequency power amplifier 801 for power amplification, a band filter 100 for attenuating spurious by filtering the output band of the high frequency power amplifier 801, and transmitting the same through the antenna 110; One amplifier 301 is connected between two capacitors 21 and 22 and inductors 23 and 35 for relaying the signal RF signal. A first matching circuit 201 and two capacitors 42 and two inductors 41 and 36 connected between the first amplifier 301 and the second amplifier 501 to relay an RF signal. A third matching circuit 401 and a third matching circuit comprising two capacitors 61 and an inductor 54 connected between the second amplifier 501 and the RF power amplifier 801 to relay a signal RF signal. 601 and three capacitors 11-13 and two inductors 14 and 15, which are connected between the input terminal IP and the first matching circuit 201 to back pressure high frequency components of the RF signal. A first low pass filter 101 for low-pass filtering and three capacitors 71-73 and two inductors connected between the third matching circuit 601 and the RF power amplifier to suppress high frequency components of the RF signal. And a second low pass filter 701 for low pass filtering the input RF signal.

이하 본 고안에 따른 제2도의 동작예를 상세히 설명한다.Hereinafter, an operation example of FIG. 2 according to the present invention will be described in detail.

제1저역여파기(101)(일점쇄선으로 표시된 부분)는 입력단(IP)와 제1정합회로(201), 기준전원(GND) 사이에 직렬로 인덕터(14)와 (15)가 연결되고, 상기 입력단(IP)와 인덕터(12) 사이의 접속점(A1)과 기준전원(GND) 사이에 캐패시터(11)가 연결되고, 인덕터(14)와 인덕터(15) 사이의 접속점(A2)과 기준전위(GND) 사이에 캐패시터(12)가 연결되며, 인덕터(1)와 제1정합회로(20) 사이의 접속전(A3)과 기준전위(GND) 사이에 접속된 캐패시터(13)로 구성되어 있다.Inductor 14 and 15 are connected in series between first input filter IP, first matching circuit 201, and reference power supply GND. The capacitor 11 is connected between the connection point A1 between the input terminal IP and the inductor 12 and the reference power supply GND, and the connection point A2 between the inductor 14 and the inductor 15 and the reference potential ( A capacitor 12 is connected between the GNDs, and a capacitor 13 is connected between the inductor 1 and the first matching circuit 20 between the connection A3 and the reference potential GND.

상기와 같이 구성된 제1저역여파기(101)의 차단주파수(Cuf of Frequency)(fc), 임의의 주파수 2배, 3배 주파수를 (f)라 하고, 얼마만큼의 감쇄를 가지는 저역여파기를 구성할 것인가를 결정하면 이는 캐패시터와 인덕터의 결합수 N을 하기식 (1)과 같이 결정할 수 있다.A cutoff frequency (fc) of the first low pass filter 101 configured as described above, an arbitrary frequency 2 times, and a 3 times frequency are referred to as (f), and a low frequency filter having some attenuation may be configured. If it is determined whether or not it can determine the coupling number N of the capacitor and the inductor as shown in the following equation (1).

따라서 차단주파수(fc)와 임의의 주파수 2배, 3배의 주파수(f)에서 얼마만큼의 감쇄를 가지는 여파기를 구성할 것인가를 결정하여 캐패시터와 인덕터의 결합수를 설정할 수 있으며, 이로인해 입력주파수의 2배, 3배의 고조파를 저역 필터링하여 여파하여 출력함으로서 입력신호중 하모닉 신호를 억압하여 출력할 수 있다.Therefore, it is possible to set the number of combinations of capacitor and inductor by determining how much attenuation filter is to be constructed at cutoff frequency (fc) and arbitrary frequency 2 times and 3 times frequency (f). It is possible to suppress and output the harmonic signal among the input signals by low-pass filtering and outputting the harmonics of 2 times and 3 times.

그러므로 입력단(IP)으로 입력되는 RF신호중 입력 RF신호의 2배, 3배이상의 고조파는 저역 여파되어 제거된후 소망하는 RF신호만이 정합회로(201)로 입력되어진다.Therefore, harmonics twice or more than three times of the input RF signal among the RF signals input to the input terminal IP are low-pass filtered and only the desired RF signal is input to the matching circuit 201.

상기 제1정합회로(201)는 제1저역여파기(101)와 제1증폭기(301) 사이에 직렬 접속된 캐패시터(21) 및 인덕터(23)와, 캐패시터(21)와 인덕터(23) 사이의 접속점(A4)와 기준전위(GND) 사이에 접속된 캐패시터(22)와, 트랜지스터(31)의 베이스와 저항(32) 사이에 접속된 인덕터(35)로 구성되어 고조파가 제거되어진 RF신호를 제1증폭기(301)내 트랜지스터(31)의 베이스에 입력시킨다. 이때 제1증폭기(301)내에서 요구된 동작 주파수에서 적당한 증폭계수를 갖는 상기 트랜지스터(31)의 베이스에는 제1저역여파기(101) 및 제1정합회로(201)를 거친 RF신호가 입력된다. 상기 트랜지스터(31)와 베이스에는 인덕터(35)와 저항(32)이 직렬로 기준전위(GND)에 연결되고, 콜렉터와 베이스 사이에 저항(33)이 연결되며, 콜렉터와 직류 공급전원(901) 사이에 마이크로 스트립라인으로된 인덕터(36)과 저항(34) 인턱터(37)이 직력로 접속되어 있다.The first matching circuit 201 includes a capacitor 21 and an inductor 23 connected in series between the first low pass filter 101 and the first amplifier 301, and between the capacitor 21 and the inductor 23. A capacitor 22 connected between the connection point A4 and the reference potential GND, and an inductor 35 connected between the base of the transistor 31 and the resistor 32 to remove the RF signal from which harmonics are removed. It is input to the base of the transistor 31 in the amplifier 301. At this time, the RF signal passing through the first low pass filter 101 and the first matching circuit 201 is input to the base of the transistor 31 having an appropriate amplification coefficient at the required operating frequency in the first amplifier 301. An inductor 35 and a resistor 32 are connected to the transistor 31 and the base in series with the reference potential GND, and a resistor 33 is connected between the collector and the base, and the collector and the DC power supply 901 are connected to the transistor 31 and the base. An inductor 36 and a resistor 34 inductor 37, each of which is a micro stripline, are connected in series.

따라서 상기 제1증폭기(301)는 필터링되어 고조파가 제거 되어진 RF신호를 소정 증폭하여 제2정합회로(401)로 출력하게 된다. 상기 제2정합회로(401)는 상기 트랜지스터(31)의 콜렉터와 트랜지스터(51)의 베이스 사이에 캐패시터(42)와 인덕터(41)가 직렬로 연결되고, 트랜지스터(31)의 콜렉터와 저항(34) 사이에 인덕터(36)가 연결 구성되어 상기트랜지스터(31)가 소정 증폭출력한 RF신호를 트랜지스터(51)의 베이스에 입력시킨다.Therefore, the first amplifier 301 is amplified by a predetermined RF signal from which harmonics are removed and output to the second matching circuit 401. The second matching circuit 401 has a capacitor 42 and an inductor 41 connected in series between the collector of the transistor 31 and the base of the transistor 51, and the collector and resistor 34 of the transistor 31. The inductor 36 is connected to each other so that the RF signal of the transistor 31 is amplified and output to the base of the transistor 51.

이때 소정 증폭되어 제2정합회로(401)를 통한 RF신호를 입력하는 제2증폭기(501)는 요구된 동작주파수에서 적당한 증폭계수를 갖는 RF증폭용 트랜지스터(51)와, 트랜지스터(51)의 베이스와 캐패시터(42) 사이에 인덕터(53)과 저항(56)이 직렬로 기준전위(GND)에 연결되고, 콜렉터와 직류 공급전원 사이에 인덕터(54)와 저항(59) 인덕터(55)가 직렬 연결되며 트랜지스터(51)의 이미터에는 저항(54)과 캐패시터(55)가 병렬로 그라운드에 연결되어 있다. 따라서 제2증폭기(501)내 트랜지스트(51)는 베이스로 입력되어진 RF신호를 소정 증폭하여 출력한다.At this time, the second amplifier 501, which is amplified and inputs an RF signal through the second matching circuit 401, has an RF amplifying transistor 51 having an appropriate amplification coefficient at a required operating frequency, and a base of the transistor 51. Inductor 53 and resistor 56 are connected in series to reference potential GND in series between and capacitor 42, and inductor 54 and resistor 59 inductor 55 in series between collector and direct current supply. In the emitter of the transistor 51, a resistor 54 and a capacitor 55 are connected to the ground in parallel. Therefore, the transistor 51 in the second amplifier 501 amplifies and outputs the RF signal input to the base.

상기 제2증폭기(501)를 통해 증폭된 RF신호는 상기 트랜지스터(51)의 콜렉터와 저항(59) 사이에 연결된 인덕터(57)와 캐패서터(61)로 구성된 제3정합회로(601)를 통해 제2저역여파기(701)에 연결된다. 이때 제2저역 여파기(701)는 캐패시터(61)와 RF전력증폭기(100) 사이에 두개의 인덕터(74), (75)가 직렬 연결되고, 캐패시터(61)와 인덕터(74) 사이의 접속점과 기준전위(GND)사이에 캐패시터(71)가 연결되며, 인덕터(74)와 인덕터(75) 사이의 접속점과 기준전위(GND) 사이에 캐패시터(72)가 연결되고, 인덕터(75)와 RF전력증폭기(100) 사이의 접속점과 기준전위(GND) 사이에 캐패시터(73)로 연결 구성되어 제3정합회로(601)를 거친 제2증폭기(501)의 출력에 대해서 상대적으로 대역 이외의 고주파수인 고조파 성분을 감쇄시켜 RF전력증폭기(801)에 공급한다.The RF signal amplified by the second amplifier 501 may include a third matching circuit 601 including an inductor 57 and a capacitor 61 connected between the collector of the transistor 51 and the resistor 59. It is connected to the second low pass filter 701 through. At this time, the second low-pass filter 701 is connected between the capacitor 61 and the RF power amplifier 100, two inductors 74, 75 in series, and the connection point between the capacitor 61 and the inductor 74 and The capacitor 71 is connected between the reference potential GND, the capacitor 72 is connected between the connection point between the inductor 74 and the inductor 75 and the reference potential GND, and the inductor 75 and the RF power. A harmonic that is a high frequency out of band relative to the output of the second amplifier 501 which is connected by a capacitor 73 between the connection point between the amplifier 100 and the reference potential GND and passed through the third matching circuit 601. The component is attenuated and supplied to the RF power amplifier 801.

상기 RF전력증폭기(801)은 상기 제2저역여파기(701)로 부터 입력주파수의 2배, 3배 이상의 주파수를 가지는 고조파 신호 필터링이 출력되어 입력되는 소망 대역의 RF신호를 전력증폭하여 대역여파기(100)로 출력한다.The RF power amplifier 801 outputs harmonic signal filtering having a frequency more than twice, three times or more of the input frequency from the second low frequency filter 701, and amplifies the RF signal of the desired band to be input. Output to 100).

그런면 상기 RF전력증폭기(801)에서 전력증폭된 RF신호중 대역외 고조파 성분은 감쇄되어 안테나(110)를 통하여 송출된다. 그리고 상기 제1, 2증폭기(301, 501)에서 부가된 인덕터들(35, 53)에 의해 트랜지스터(51, 31)의 증폭시 기생발진 현상을 방지하며, 이들 인덕터들(35, 53)은 제1, 2정합회로(201, 401)의 신호 중계시 RF신호에 대한 커플링 주파수에 대한 대역특성을 향상시킨다.Then, out-of-band harmonic components of the RF signal power amplified by the RF power amplifier 801 are attenuated and transmitted through the antenna 110. The parasitic oscillation phenomenon is prevented when the transistors 51 and 31 are amplified by the inductors 35 and 53 added from the first and second amplifiers 301 and 501. When the signal is relayed by the first and second matching circuits 201 and 401, the band characteristic of the coupling frequency with respect to the RF signal is improved.

그리고 제1, 2저역여파기(101, 701)는 RF신호 이외의 고조파 성분을 이중으로 차단함으로써 입력단(IP)을 통해 인입되는 RF신호 자체에 의한 스퓨리어스 감쇄특성과 제3정합회로(601)에서 RF전력증폭기로 공급되는 RF신호 자체에 의한 스퓨리어스 감쇄특성을 방지하게 된다. 즉 입력 RF신호 이외의 고조파인 스퓨리어스 신호를 억압(필터링하여 제거)하는 특성을 향상시킴으로서 불요파에 대한 송신을 방지하게 된다.In addition, the first and second low pass filters 101 and 701 cut off harmonic components other than the RF signal by double, and the spurious attenuation characteristic by the RF signal itself introduced through the input terminal IP and the RF in the third matching circuit 601. The spurious attenuation characteristic by the RF signal itself supplied to the power amplifier is prevented. That is, by improving the characteristics of suppressing (filtering and removing) spurious signals that are harmonics other than the input RF signal, transmission of unnecessary waves is prevented.

상술한 바와같이 본 발명은 저역여파기를 입출력단에 접속하여 RF구동증폭기의 스퓨리어스 억압특성을 향상할 수 있는 이점과 부가적으로 제1, 2증폭기에 인덕터에 의해 증폭시 주파시 주파수 특성을 향상시켜 증폭기에 의한 스퓨리어스의 억제을 할 수 있는 이점이 있다.As described above, the present invention provides an advantage of improving the spurious suppression characteristics of the RF driving amplifier by connecting the low pass filter to the input and output terminals, and additionally, improving the frequency characteristics at the time of amplification by the inductor in the first and second amplifiers. There is an advantage that the spurious suppression by the amplifier can be suppressed.

Claims (1)

입력단(IP)를 통해 인입되는 RF신호를 일정 증폭율로 증폭하기 위한 제1증폭기(301)와, 상기 제1증폭기(301)의 출력을 다시 일정 증폭율로 제 증폭하기 위한 제2증폭기(501)와, 상기 제1증폭(301)와 제2증폭기(501) 사이에 접속되어 있으며, 상기 제1증폭기(301)의 출력을 상기 제2증폭기(501)로 정합하는 제2정합회로(401)와, 상기 제1, 2증폭기(301, 501)에 동작전압을 공급하기 위한 직류 전원공급부(901)와, 상기 제2증폭기(501)의 출력을 전력증폭하는 RF 전력증폭기(801)와, 상기 RF 전력증폭기(801)의 출력증의 스퓨어리스 억압한 후 안테나(110)를 통해 송출하는 대역여파기(100)를 구비한 자동차 무선전화기의 송신장치에 있어서, 상기 입력단(IP)에 접속되어 있으며, 상기 입력단자(IP)로 입력되는 RF신호를 저역 필터링하여 소망하는 RF신호 대역이외의 고조파 신호를 억압 출력하는 제1저역여파기(101)와, 상기 제1저역여파기(101)와 상기 제1증폭기(301) 사이에 접속되어 상기 제1저역여파기(101)로 부터 저역 필터링되어 출력되는 신호를 상기 제1증폭기(301)로 정합하는 제1정합회로(201)와, 출력단이 상기 RF전력증폭기(801)에 접속되어 있으며, 입력되어지는 RF신호를 저역필터링하여 소망하는 RF대역 이외의 고조파 신호를 억압하여 상기 RF전력 증폭기(801)로 출력하는 제2저역여파기(701)와, 상기 제2증폭기(501)와 제2저역여파기(701) 사이에 접속되어 상기 제2증폭기(501)의 출력을 상기 제2저역여파기(701)의 입력단자로 제공하는 제3정합회로(601)로 구성함을 특징으로 하는 고주파 구동증폭기.A first amplifier 301 for amplifying the RF signal introduced through the input terminal IP at a constant amplification rate, and a second amplifier 501 for amplifying the output of the first amplifier 301 again at a constant amplification rate And a second matching circuit 401 connected between the first amplifier 301 and the second amplifier 501 and matching the output of the first amplifier 301 to the second amplifier 501. And a DC power supply unit 901 for supplying operating voltages to the first and second amplifiers 301 and 501, an RF power amplifier 801 for power amplifying the output of the second amplifier 501, and In the transmitter of the automobile radiotelephone equipped with the bandpass filter 100 which transmits through the antenna 110 after the spurious suppression of the output amplification of the RF power amplifier 801, it is connected to the said input terminal IP. Low-pass filtering the RF signal input to the input terminal (IP) to suppress the harmonic signal outside the desired RF signal band The first low-pass filter 101, the first low-pass filter 101 and the first amplifier 301 is connected between the first low-pass filter 101 is a low-pass filtered signal output from the first The first matching circuit 201, which is matched with the amplifier 301, and the output terminal are connected to the RF power amplifier 801. The low frequency filtering of the input RF signal suppresses harmonic signals other than the desired RF band. A second low pass filter 701 output to the RF power amplifier 801 and a connection between the second amplifier 501 and the second low pass filter 701 to output an output of the second amplifier 501 2. A high frequency drive amplifier, comprising: a third matching circuit 601 provided as an input terminal of a second low pass filter 701.