KR910007534B1

KR910007534B1 - Micro-pattern forming method

Info

Publication number: KR910007534B1
Application number: KR1019880008883A
Authority: KR
Inventors: 가즈히꼬 하시모도; 가즈히로 야마시다; 노보루 노무라
Original assignee: 마쯔시다덴기산교 가부시기가이샤; 다니이 아끼오
Priority date: 1987-07-23
Filing date: 1988-07-16
Publication date: 1991-09-27
Also published as: KR890002996A

Abstract

내용 없음.No content.

Description

미세패턴 형성방법Fine pattern formation method

제1도는 본 발명 제1실시예의 방법을 나타낸 공정단면도.1 is a process cross-sectional view showing the method of the first embodiment of the present invention.

제2도는 본 발명 제2실시예의 방법을 나타낸 공정단면도.2 is a process cross-sectional view showing the method of the second embodiment of the present invention.

제3도는 본 발명 제3실시예의 방법을 나타낸 공정단면도.3 is a process cross-sectional view showing the method of the third embodiment of the present invention.

제4도는 본 발명 제4실시예의 방법을 나타낸 공정단면도.4 is a process cross-sectional view showing the method of the fourth embodiment of the present invention.

제5도는 본 발명 제5실시예의 방법을 나타낸 공정단면도.5 is a process cross-sectional view showing the method of the fifth embodiment of the present invention.

제6도는 H⁺이온조사후 현상액에 담근 PMMA 레지스트의 레지스트두께와 조사량의 관계를 나타낸 특성도.6 is a characteristic diagram showing the relationship between the resist thickness and the irradiation amount of the PMMA resist immersed in the developer after H ⁺ ion irradiation.

제7도는 H⁺이온으로 조사된 PMMA 레지스트의 SiCl₄, Cl₂가스에 대한 에칭비율과 조사량사이의 관계를 나타내는 특성도.7 is a characteristic diagram showing the relationship between the etching rate and the irradiation amount of SiCl ₄ , Cl ₂ gas of PMMA resist irradiated with H ⁺ ions.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for the main parts of the drawings

1 : 반도체기판 2 : 레지스트막,1: semiconductor substrate 2: resist film,

3 : H⁺이온 4 : H⁺이온조사영역,3: H ⁺ ion 4: H ⁺ ion irradiation area,

5 : 전자 비임 11 : 고분자막5: electron beam 11: polymer membrane

12 : PMMA 레지스트 13 : Si⁺이온12: PMMA resist 13: Si ⁺ ion

본 발명은 전자비임 또는 포커스이온비임리토그라피(lithography)를 사용하는 미세패턴형성방법에 관한 것으로, 특히 이온조사에 의해서 레지스트(resist)의 내(耐)드라이-에칭(dry-etch)성을 향상하는 미세패턴형성방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of forming a micropattern using electron beam or focus ion beam lithography, and in particular, to improve dry-etch resistance of a resist by ion irradiation. It relates to a fine pattern forming method.

미세패턴형성방법은 리토그라피공정과 에칭공정으로 나누어지며, 리토그라피공정에서 형성된 레지스트패턴의 내드라이에칭성을 향상시키기 위해 레지스트성분내에 높은 내드라이에칭성을 지니는 페닐라티칼을도입하거나 실리콘수지를 사용하여 드라이에칭하는 레지스트물질자신의 내성을 향상시키는 것이 시도되었고 또한 내드라이에칭성은 패턴형성후 이온주입으로 증가한다.The micropattern forming method is divided into a lithography process and an etching process. In order to improve the dry etching resistance of the resist pattern formed in the lithography process, a phenyl radical or a silicone resin having high dry etching resistance is introduced into the resist component. It has been attempted to improve the resistance of the resist material itself to dry-etch using it, and also the dry etching resistance is increased by ion implantation after pattern formation.

반면에 리토그라피공정에서, 반전패턴을 형성하기 위하여 노출후의 처리로서 예를 들면, 베이킹(baking) 또는 암모니아처리를 실행하여 이러한 반전방법으로 미세레지스트패턴을 얻는다.On the other hand, in the lithography process, for example, baking or ammonia treatment is performed as a post-exposure treatment to form an inversion pattern, thereby obtaining a microresist pattern by this inversion method.

그러므로 지금까지는, 레지스트자신의 내드라이-에칭성을 향상하기 위한 다양한 고찰이 주어졌으나 해상도(解像度)의 상승에 의한 미세패턴을 형성하기 위해서는 레지스트의 막두께를 감소하는 것이 필요하다. 기판을 마스크와 같은 미세패턴을 사용하여 에칭할때에 레지스트자시니 애칭되므로 막두께가 작은 경우 에칭공정에서 패턴을 전이하기가 힘들고 내드라이-에칭성을 향상시키기 위해 레지스트패턴속으로 이온을 주입시킬 경우에 또한 이온은 반도체기판속으로 주입되어 이온조사손상이 발생한다.Therefore, until now, various considerations have been given to improve the dry-etching resistance of the resist itself, but it is necessary to reduce the film thickness of the resist in order to form a fine pattern due to an increase in resolution. When etching the substrate using a fine pattern such as a mask, the resist is nicknamed. Therefore, when the film thickness is small, it is difficult to transfer the pattern in the etching process and implant ions into the resist pattern to improve dry-etch resistance. In this case, ions are also injected into the semiconductor substrate, causing ion irradiation damage.

또한 종래의 반전방법에 있어서 단지 특성 레지스트만이 적용되므로 약한 내드라이-에칭성을 지닌다.In addition, in the conventional reversal method, only the characteristic resist is applied, so that it has weak dry-etching resistance.

따라서 본 발명의 우선적인 목적은 전자비임 또는 포커스이온비임 노출후나 전에 이온조사기술을 적용하여, 내드라이-에칭성은 약하지만 해상도가 높은 포지티브(Positive) 레지스트를 사용하여 내드라이-에칭성이 높은 미세 포지티브-네가티브 반전패턴을 형성하는 방법을 제공한다.Therefore, the primary object of the present invention is to apply the ion irradiation technique before or after the exposure of the electron beam or the focus ion beam, so that the dry-etching resistance is high by using the positive resist having the low dry-etching resistance but the high resolution. A method of forming a positive-negative inversion pattern is provided.

본 발명은 다음과 같은 다양한 이점을 제공한다.The present invention provides various advantages as follows.

전자비임 또는 포커스이온 비임노출후나 전에 이온조사기술을 적용하여 내드라이-에칭성이 높은 포지티브-네가티브 반전패턴을 형성하므로 마스크로서 이러한 레지스트패턴을 사용하여 고정밀로 기판을 드라이-에칭하는 것이 가능하다. 특히, 내드라이-에칭성은 약하지만 해상도가 높은 전자레지스트의 다층 또는 단층을 사용하고 미세레지스트패턴을 형성하여 드라이에칭을 실행하게 되면 매우 큰 집적회로의 제조에 커다란 기여를 하게된다.Since the ion-irradiation technique is applied after or before electron beam or focus ion beam exposure to form a positive-negative reverse pattern having high dry-etch resistance, it is possible to dry-etch the substrate with high precision using such a resist pattern as a mask. In particular, when dry-etching is performed by using a multilayer or single layer of weak but high resolution electronic resist and forming a microresist pattern, a large contribution to the fabrication of a very large integrated circuit is made.

또한 본 발명의 새로운 특징을 첨부한 청구범위와 발명의 조직과 내용에 열거하였고도면과 결합되는 다음의 상세한 기술로부터, 본 발명의 다른 목적과 특징이 이해되고 더욱 명확해진다. 본 발명의 실시예인 제1도와 관련하여 이하 기술한다. 반도체기판(1)상에 레지스트로서 낮은 내드라이-에칭성과 높은 해상도를 지닌 PMMA를 1000rpm에서 스핀코팅하고 오븐에서 170°로 20분간 베이킹하여 0.6μm 두께의 레지스트막(2)를 얻으면 이것에 H⁺이온(3)을 40kv의 가속전압과 8×10¹³ions/㎠ 의 조사량으로 조사하여 현상액내에 가용되도록 한다(제1a도).Further objects and features of the present invention are understood and become apparent from the following detailed description, which is enumerated in the appended claims and the organization and content of the invention, in conjunction with the drawings. It will be described below with reference to FIG. 1 which is an embodiment of the present invention. Low resistance to dry as a resist on a semiconductor substrate (1) to get it to etching and 1000rpm in a PMMA having a high resolution and resist spin-coating of 0.6μm thickness and baked 20 minutes in an oven to 170 ° membrane (2) H ⁺ The ions 3 are irradiated at an acceleration voltage of 40 kv and an irradiation dose of 8 x 10 ¹³ ions / cm 2 to be soluble in the developer (Fig. 1a).

다음, 가속전압 10kev, 비임전류밀도 40A/㎠ 와 5×10¹⁴ions/㎠의 조사량으로 전자비임에 노출시켜(제1b도) H⁺이온조사 영역(4)을 형성하고 메틸이소부틸케톤(MIBK)과 이소프로필알콜(IPA)의 혼합물내에 현상하여 0.5μm의 해상도를 지닌 포지티브-네가티브반전 미세레지스트패턴(4P)을 얻는다(제1c도). 이런 레지스트패턴(4P)은 전체양 5.8×10¹⁴ions/㎠으로 노출되어 내드라이-에칭성은 대략 3배정도 향상되므로 마스크로서 이런 레지스트패턴을 사용하여 기판에 드라이-에칭하는 것이 가능하다.Next, an H ⁺ ion irradiation region 4 was formed by exposure to an electron beam at an acceleration voltage of 10 kev, a beam current density of 40 A / cm 2, and a dose of 5 × 10 ¹⁴ ions / cm 2 (FIG. 1b) to form a methyl isobutyl ketone (MIBK). ) And isopropyl alcohol (IPA) in a mixture to obtain a positive-negative inverted microresist pattern 4P having a resolution of 0.5 탆 (Fig. 1C). Since the resist pattern 4P is exposed at a total amount of 5.8 × 10 ¹⁴ ions / cm 2, the dry-etch resistance is improved by about three times, so that it is possible to dry-etch the substrate using such a resist pattern as a mask.

그러므로 이 실시예에 따라서, 약한 내드라이-에칭성을 지닌 전자비임레지스트의 단층을 H⁺이온으로 조사하여 미세포지티브-네가티브반전패턴을 형성하면 이런 레지스트패턴의 내드라이-에칭성은 2배이상 향상되므로 마스크로서 전자비임레지스트 단층을 사용하여 기판이 드라이에칭된다.Therefore, according to this embodiment, when a single layer of electron beam resist having weak dry-etching resistance is irradiated with H ⁺ ions to form a microcellular negative-negative inversion pattern, the dry-etching resistance of such a resist pattern is improved by more than two times. The substrate is dry etched using an electron beam resist monolayer as a mask.

제2도는 본 발명의 제2실시예를 나타낸다. 반도체기판(1)상에 스핀코팅으로 고분자막(11)을 2μm 두께로 형성하고 열판상에서 200℃로 2분간 베이킹한다. 이런 고분자막(11)상에 레지스트로서 0.5μm 두께의 PMMA 레지스트(12)를 스핀코팅하여 200℃의 열판에서 2분간 베이킹하고 가속전압 40Kv와 8×10¹³ions/㎠의 조사량으로Si⁺이온을 조사하여 현상액내에 가용되게 한다(제2a도). 다음, 20kev의 가속전압, 40A/cm²의 비임전류밀도와 5×10¹⁴ions/cm²의 조사량으로 전자비임에 노출시키고(제2b도) MIBK와 IPA의 혼합물에 현상하면 소정의 포지티브-네가티브 반전미세레지스트패턴(14P)을 얻는다(제2c도). 이런 레지스트 패턴은 8×10¹³ions/㎠의 Si⁺이온에 조사되므로 내드라이-에칭성은 대략 10배 정도 향상된다. 마스크로서 이런 레지스트패턴을 사용하면 하층내 고분자막이 에칭되고 종횡비가 높고 내드라이-에칭성이 우수한 미세레지스트패턴이 형성된다(제2d도).2 shows a second embodiment of the present invention. The polymer film 11 is formed to a thickness of 2 μm by spin coating on the semiconductor substrate 1 and baked at 200 ° C. for 2 minutes on a hot plate. A 0.5 μm-thick PMMA resist 12 was spin-coated on the polymer film 11 as a resist and baked on a hotplate at 200 ° C. for 2 minutes and irradiated with Si ⁺ ions with an irradiation voltage of 40 Kv and 8 × 10 ¹³ ions / cm 2. To be soluble in the developer (Fig. 2a). Next, when exposed to an electron beam with an acceleration voltage of 20 kev, a beam current density of 40 A / cm ² , and a dose of 5 × 10 ¹⁴ ions / cm ² (FIG. 2b) and developed in a mixture of MIBK and IPA, a predetermined positive-negative Inverted fine resist pattern 14P is obtained (FIG. 2C). Since the resist pattern is irradiated with Si ⁺ ions of 8 x 10 ¹³ ions / cm 2, the dry-etch resistance is improved by about 10 times. The use of such a resist pattern as a mask etches the polymer film in the lower layer and forms a fine resist pattern having a high aspect ratio and excellent dry-etch resistance (FIG. 2D).

제6도는 전자비임레지스트 PMMA를 가속전압 40kev로 H⁺이온으로 조사하고 현상액에 담근후에 측정한 레지스트 두께를 나타낸다. 5∼9×10¹³ions/㎠의 조사량범위에서 레지스트는 현상액에 가용이고 높은 조사량에서는 불용이다. 제7도는 PMMA 레지스트를 40kv의 가속전압으로 H⁺이온으로 조사한 후 SiCl₂, Cl₂가스에 대한 레지스트의 에칭비를 나타내며 PMMA의 내드라이- 에칭성은 조사량이 증가할때 급격히 증가한다. 그러므로, 전자비임노출전에 5∼9×10¹³ions/㎠의 이온으로 레지스트를 조사하여 현상액에 가용인 레지스트를 만들고, 연속적으로 전자비임노출하면 굽은 영역은 현상액내 불용이 되고 이것을 현상하면 높은 내드이-에칭성의 포지티브-네가티브 반전패턴이 형성된다. 반면에, 반도체기판의 전체표면상에 레지스트가도포되면 조사이온은 반도체기판속으로 들어가지 못하므로 기판은 손상되지 않는다.6 shows the resist thickness measured after irradiating electron beam resist PMMA with H ⁺ ions at an accelerating voltage of 40 kev and immersing it in a developer. In the dosage range of 5-9 × 10 ¹³ ions / cm 2, the resist is soluble in the developer and insoluble at high dosages. FIG. 7 shows the etching ratio of resist to SiCl ₂ and Cl ₂ gases after irradiating PMMA resist with H ⁺ ions at an accelerating voltage of 40 kv and the dry-etch resistance of PMMA increases rapidly with increasing dose. Therefore, before the electron beam exposure, the resist is irradiated with ions of ^{5 to} 9 × 10 ¹³ ions / cm 2 to form a soluble resist in the developer, and when the electron beam is continuously exposed, the curved area becomes insoluble in the developer, and when developed, An etchable positive-negative inversion pattern is formed. On the other hand, if a resist is applied on the entire surface of the semiconductor substrate, the irradiation ions cannot enter the semiconductor substrate and the substrate is not damaged.

제3도는 제3실시예를 나타낸다. 고분자막(21)이 반도체기판(1)상에 2μm의 두께로 스핀코팅하고 200℃의 열판상에서 2분간 베이킹한다. 이런 고분자막(21)상에 레지스트로서 PMMA 레지스트(22)를 0.5μm 두께로 스핀코팅하고 열판상에서 200℃로 2분간 베이킹하며 이것을 가속전압 40Kv와 조사량 8×10¹⁵ions/㎠의 Si⁺이온으로 조사하여 현상액내에 가용되도록 만든다.(제3a도). 다음 이것을 가속전압 100kev, 조사량 1×10¹⁵ions/㎠의 포커스 Si⁺이온비임에 노출하고(제3b도), MIBK와 IPA의 혼합물내에서 현상하면 소정의 포지티브-네가티브 반전미세레지스트패턴(24P)이 얻어진다(제3c도). 이런 레지스트패턴은 1×10¹⁵ions/㎠의 Si⁺이온에 노출되므로 100배이상 내드라이-에칭성이 향상된다. 마스크로서 이런 레지스트패턴을 사용하면, 하층내 고분자막은 에칭되고 형성된다(제3d도).3 shows a third embodiment. The polymer film 21 is spin-coated to a thickness of 2 탆 on the semiconductor substrate 1 and baked for 2 minutes on a hot plate at 200 ° C. PMMA resist 22 as a resist on the polymer film 21 was spin-coated to a thickness of 0.5 μm and baked at 200 ° C. for 2 minutes on a hot plate, and irradiated with Si ⁺ ions having an acceleration voltage of 40 Kv and an irradiation amount of 8 × 10 ¹⁵ ions / cm 2. To be soluble in the developer (Fig. 3a). This is then exposed to a focus Si ⁺ ion beam with an acceleration voltage of 100 kev and an irradiation dose of 1 × 10 ¹⁵ ions / cm 2 (FIG. 3b), and developed in a mixture of MIBK and IPA to produce a predetermined positive-negative reverse microresist pattern 24P. Is obtained (FIG. 3C). Such a resist pattern is exposed to Si ⁺ ions of 1 × 10 ¹⁵ ions / cm 2, thereby improving dry-etching resistance by 100 times or more. Using such a resist pattern as a mask, the underlayer polymer film is etched and formed (FIG. 3D).

제4도는 제4실시예를 나차낸다. 반도체기판(1)을 낮은 내드라이-에칭성과 높은 해상도의 전자비임레지스트인 PMMA로 1000ppm에서 소피닝하여 코팅한 후 170℃의 오븐에서 20분간 베이킹하여 0.6μm의 막두께를 지니는 레지스트막(32)을 얻는다. 이것을 가속전압 20Kv, 비임전류밀도 40A/㎠, 조사량 5×10¹⁴ions/㎠의 전자비임에 노출시키고(제4a도), 또한 가속전압 40Kv, 조사량 8×10¹³ions/㎠의 H⁺이온(34)으로 더욱 조사하고(제4b도), MIBK와 IPA의 혼합물내에 현상하면 0.5μm의 해상도를 지닌 포지티브-네가티브 반전미세레지스트패턴(35P)를 얻는다(제4c도). 이런 레지스트패턴(35P)은 전체 5.8×10¹⁴ions/㎠에 노출되므로 내드라이-에칭성은 대략 3배 향상된다. 그러므로 마스크로서 이런 레지스트패턴을 사용하여 기판을 드라이-에칭하는 것이 가능하다.4 shows a fourth embodiment. The semiconductor substrate 1 is coated with a low dry-etching resistance and high resolution electron beam resist PMMA at 1000 ppm by baking, and then baked in an oven at 170 ° C. for 20 minutes to have a thickness of 0.6 μm. Get This was exposed to an electron beam with an acceleration voltage of 20 Kv, a beam current density of 40 A / cm 2 and an irradiation dose of 5 x 10 ¹⁴ ions / cm 2 (Fig. 4a), and an H ⁺ ion of an acceleration voltage of 40 Kv and an irradiation amount of 8 x 10 ¹³ ions / cm 2 ( 34) (FIG. 4B), and developing in a mixture of MIBK and IPA yields a positive-negative inverted microresist pattern 35P with a resolution of 0.5 [mu] m (FIG. 4C). Since the resist pattern 35P is exposed to a total of 5.8 × 10 ¹⁴ ions / cm 2, the dry-etch resistance is approximately three times improved. It is therefore possible to dry-etch the substrate using such a resist pattern as a mask.

그러므로 이 실시예에 따라서, 약한 내드라이-에칭성의 전자비임 레지스트단층을 H⁺이온으로 조사하면 내드라이-에칭성은 2배이상 향상되므로 전자비임레지스트단층을 마스크로서 사용하여 기판을 에칭한다.Therefore, according to this embodiment, when the weak dry-etching electron beam resist monolayer is irradiated with H ⁺ ions, the dry-etch resistance is more than doubled, so that the substrate is etched using the electron beam resist monolayer as a mask.

또한 이 실시예에 있어서, 전자비임노출을 사용함과 아울러 포커스 이온비임노출도 유사하게 실행되며, PMMA 레지스트와는 다른 포지티브 레지스트로 유사한 효과를 얻을 수 있고 H⁺이온, Si⁺이온 대신에 다른 것들도 사용된다.In this embodiment, in addition to using electron beam exposure, focus ion beam exposure is similarly performed, and similar effects can be obtained with positive resists other than PMMA resists, and others are used instead of H ⁺ ions and Si ⁺ ions. do.

제5도는 제5실시예를 나타낸다. 반도체기판(1)상에 고분자막(51)을 2μm의 두께를 스핀코팅하고 200℃의 열판에서 2분간 베이킹한다. 이런 고분자막(51)상에 레지스트로서 PMMA 레지스트(52)를 0.5㎛ 두께로 스핀코팅하고 200℃의 열판에서 2분간 베이킹하고 가속에너지 100kev, 전류밀도 40A/㎠,조사량 1×10¹³ions/㎠의 Si⁺포커스이온비임에 노출한다.(제5a도). 다음 이것을 가속전압 40kv, 조사량 8×10¹³ions/㎠의 Si⁺이온(55)으로 조사하고 MIBK와 IPA의 혼합물내에 현상하여 소정의 포지티브-네가티브 반전 미세레지스트패턴(54P)을 얻는다(제5c도). 이런 레지스트패턴(54P)은 1×10¹⁶ions/㎠의 Si⁺이온에 조사되므로 내드라이-에칭성은 대략 100배정도 향상된다. 마스크로서 이런 레지스트패턴을 사용하면 하층내 고분자막은 에칭되고 내드라이-에칭이 우수하고 종횡비가 높은 미세레지스트패턴이 형성된다(제5d도).5 shows a fifth embodiment. On the semiconductor substrate 1, the polymer film 51 is spin-coated at a thickness of 2 탆 and baked on a hot plate at 200 ° C for 2 minutes. The PMMA resist 52 as a resist on the polymer film 51 was spin-coated to a thickness of 0.5 μm, baked for 2 minutes on a hot plate at 200 ° C., and had an acceleration energy of 100 kev, a current density of 40 A / cm 2, and an irradiation dose of 1 × 10 ¹³ ions / cm 2. Exposure to Si ⁺ focus ion beam (Figure 5a). Next, it is irradiated with Si ⁺ ions 55 having an acceleration voltage of 40kv and an irradiation amount of 8x10 ¹³ ions / cm 2 and developed in a mixture of MIBK and IPA to obtain a predetermined positive-negative reverse microresist pattern 54P (Fig. 5C). ). Since the resist pattern 54P is irradiated with Si ⁺ ions of 1 × 10 ¹⁶ ions / cm 2, the dry-etch resistance is improved by approximately 100 times. By using such a resist pattern as a mask, the underlayer polymer film is etched to form a fine resist pattern having excellent dry-etching and high aspect ratio (FIG. 5D).

제7도에서 명백하듯이, PMMA의 내드라이-에칭성은 조사량이 증가함에 따라 급격히 향상된다. 그러므로, 전자비임 또는 포커스이온 비임노출후에 5∼9×10¹³ions/㎠의 이온으로 조사하면 굽은영역은 현상액내에 불용하고 이것을 현상하면 높은 내드라이-에칭성의 포지티브-네가티브 반전패턴이 형성된다. 또한, 레지스트가 반도체기판의 전체표면상에도포되므로 조사된 이온은 반도체기판속으로 들어가지 못하여 기판의 손상을 피하게 된다.As is apparent from FIG. 7, the dry-etching resistance of PMMA is dramatically improved as the dosage increases. Therefore, when irradiated with ions of ^{5 to} 9 x 10 ¹³ ions / cm 2 after exposure to electron beams or focus ion beams, the bent region is insoluble in the developer, and when developed, a high dry-etch resistant positive-negative inversion pattern is formed. In addition, since the resist is applied on the entire surface of the semiconductor substrate, irradiated ions do not enter the semiconductor substrate, thereby avoiding damage to the substrate.

따라서, 본 실시예에 따라, 다층레지스트를 공정을 지니는 반도체기판상에서도 사용하여 낮은 드라이-에칭성능의 레지스트를 이온으로 조사함으로써 높은 종횡비가 높은 내드라이-에칭성의 포지티브-네가티브 반전 미세레지스트패턴을 형성한다.Therefore, according to the present embodiment, a multilayer dry resist is also used on a semiconductor substrate having a process to irradiate a low dry-etching resist with ions to form a high aspect ratio dry-etching positive-negative inverted microresist pattern. .

본 발명 특징 실시예를 여기에 기술하고 설명하였지만 기술상의 숙련으로 변형과 변화가 실현되며, 첨부한 청구범위를 이해하면 본 발명의 범위와 정신내에 탈락된 모든 변형과 변화를 보완할 수 있다.While embodiments and features of the present invention have been described and described herein, variations and changes are realized by those skilled in the art, and understanding of the appended claims may compensate for all modifications and changes that fall within the scope and spirit of the invention.

Claims

미세패턴형성방법은, 반도체기판상에 레지스트를 코팅하는 공정과 상기 레지스트의 전체표면을 H⁺과 Si⁺중 하나의 이온으로 일괄적으로 조사하는 공정과 상기 레지스트를 전자비임에 노출하고 이것을 현상하는 공정을 포함하여 포지티브-네가티브 반전 집적회로 패턴을 형성하여 높은 내드라이-에칭성의 레지스트패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 미세패턴형성방법.The micropattern forming method includes a process of coating a resist on a semiconductor substrate, a process of irradiating the entire surface of the resist with ions of one of H ⁺ and Si ⁺ and exposing the resist to an electron beam and developing the same. And forming a positive-negative inverted integrated circuit pattern to form a highly dry-etch resist pattern.

제1항에 있어서, 상기 레지스트로서 낮은 내드라이-에칭성의 전자비임레지스트를 사용하는 것을 특징으로 하는 미세패턴형성방법.The method of forming a fine pattern of claim 1, wherein a low dry-etching electron beam resist is used as the resist.

제1항에 있어서, 이온조사는 10∼40Kv의 낮은 가속전압과 5×10¹³∼9×10¹³ions/㎠의 조사량에서 실행되는 것을 특징으로 하는 미세패턴형성방법.The method of forming a micropattern according to claim 1, wherein the ion irradiation is performed at a low acceleration voltage of 10 to 40 Kv and an irradiation amount of 5 x 10 ¹³ to 9 x 10 ¹³ ions / cm 2.

미세패턴형성방법은, 반도체기판에 고분자막을 코팅하는 공정과 상기 고분자막상에 레지스트를 코팅하는 공정과 상기 레지스트의 전체표면을 최소한 Si⁺의 이온으로 조사하는 공정과 상기 레지스트를 전자비임에 노출하고 현상하여 포지티브-네가티브 반전 집적회로 패턴을 형성하는 공정과 마스크로서 레지스트패턴을 사용하여 상기 고분자막을 에칭하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 미세패턴형성방법.The micropattern forming method includes coating a polymer film on a semiconductor substrate, coating a resist on the polymer film, irradiating the entire surface of the resist with at least Si ⁺ ions, exposing the resist to an electron beam, and developing the same. And forming a positive-negative inverted integrated circuit pattern, and etching the polymer film using a resist pattern as a mask.

미세패턴형성방법은, 반도체기판상에 고분자막을 코팅하는 공정과 상기 고준자막상에 레지스트를 코팅하는 공정과 상기 레지스트의 전체표면을 최소한 H⁺, Si⁺중 하나의 이온으로 일괄적 조사하는 공정과 상기 레지스트를 포커스이온비임에 노출하고 현상하여 포지티브-네가티브반전 미세레지스트 패턴을 형성하는 공정과 마스크로서 레지스트패턴을 사용하여 상기 고분자막을 에칭하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 미세패턴형성방법.The micropattern forming method includes a process of coating a polymer film on a semiconductor substrate, a process of coating a resist on the high capacitive film, and a process of collectively irradiating the entire surface of the resist with at least one ion of H ⁺ and Si ^+; Exposing and developing the resist to a focus ion beam to form a positive-negative inverting microresist pattern, and etching the polymer film using a resist pattern as a mask.

미세패턴형성방법은, 반도체기판상에 레지스트를 코팅하는 공정과 상기 레지스트를 전자비임과 포커스이온비임중의 하나에 노출하는 공정과 상기 레지스트의 전체표면을 H⁺과 Si⁺중 최소한 하나의 이온으로 일괄적 조사하고 현상하여 포지티브-네가티브 반전집적회로 패턴을 형성하는 공정을 포함하여 내드라이-에칭성이 높은 레지스트패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 미세패턴형성방법.The micropattern forming method includes a process of coating a resist on a semiconductor substrate, a process of exposing the resist to one of an electron beam and a focus ion beam, and an entire surface of the resist with at least one ion of H ⁺ and Si ⁺ . A method of forming a fine pattern, characterized in that to form a resist pattern having a high dry-etch resistance, including a step of collectively irradiating and developing to form a positive-negative inverted integrated circuit pattern.

제6항에 있어서, 이온조사는 10∼40Kv의 낮은 가속전압과 5×10¹³∼9×10¹³ions/㎠의 조사량으로 실행되는 것을 특징으로 하는 미세패턴형성방법.7. The method of forming a micropattern according to claim 6, wherein the ion irradiation is performed at a low acceleration voltage of 10 to 40 Kv and an irradiation amount of 5 x 10 ¹³ to 9 x 10 ¹³ ions / cm 2.

미세패턴형성방법은, 반도체기판상에 고분자막을 코팅하는 공정과 상기 고분자막상에 레지스트를 코팅하는 공정과 상기 레지스트를 전자비임과 포커스이온비임중의 하나에 노출하는 공정과 상기 레지스트의 전체표면을 최소한 H⁺과 Si⁺중 하나의 이온으로 일괄적 조사하고 현상하여 포지티브-네가티브 반전집적회로패턴을 형성하는 공정과 마스크로서 레지스트패턴을 사용하여 상기 고분자막을 에칭하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 미세패턴형성방법.The micropattern forming method includes the steps of coating a polymer film on a semiconductor substrate, coating a resist on the polymer film, exposing the resist to one of an electron beam and a focus ion beam, and at least the entire surface of the resist. A micropattern comprising a step of collectively irradiating and developing one of H ⁺ and Si ⁺ to form a positive-negative inverted integrated circuit pattern, and etching the polymer film using a resist pattern as a mask Formation method.