KR910001334B1 - 정보기록매체와 그 기록소거방법 - Google Patents

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Abstract

내용 없음.

Description

정보기록매체와 그 기록소거방법
제1도는 본 발명의 구현예에 따른 정보기록매체(광디스크)의 단면도.
제2도는 InSb 기록층에서 기록마크(mark)의 Sb 선형분석의 결과를 나타낸 사진.
제3a도는 InSb 기록층의 In 평면분석의 결과를 나타낸 사진.
제3b도는 제3a도에서와 같이 기록층의 Sb 평면분석의 결과를 나타낸 사진.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 기판 2, 4 : 보호층
3 : 기록층 5 : 표면층
6 : 영역 7 : 렌즈
8 : 광선
본 발명은 정보기록매체와 그 기록소거방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 광선의 조사(照射)에 의해 기록층의 광학적 특성을 변화시켜 줌으로서 정보를 기록시키거나 그 기록된 정보를 소거시킬 수 있도록 된 이른바 기록소거가 가능한 광디스크와 같은 정보기록매체와 그 기록소거방법에 관한 것이다.
정보의 기록과 재생기능에 부가하여 정보를 소거시킬 수도 있도록 된 종래의 광디스크는 결정질과 비결정질간의 상변화를 이용하였는 바, 이러한 형태의 광디스크는 광선을 기록층에 국부적으로 조사하여 그 조사영역에서 결정질과 비결정질간의 상변화를 발생시켜 각 상(相)의 복소굴절율차를 이용해 정보를 재생시킬 수 있도록 되어 있다.
이러한 이유때문에 광디스크는 광선의 조사에 의해 가열되고 그 이후에 급냉시키게 되면 용이하게 비결정질로 상 변화가 일어날 수 있는 재질로 만들어주어야 하는 바, 이와같은 재질로서는 TeOx, Te-Sn-Se 및 Ge-Te 등의 칼코겐이드계 재질등이 사용되어 왔다(TeOx에 대해서는 "소거가능한 대용량 광디스크" 일본 학술진흥회 제131위원회 116연구회자료에 잘 나타나 있음).
그러나, 이와같은 칼코겐이드계 재질의 비결정질상은 안정하지 못할 뿐아니라 정보가 안정되게 기록되지 않는 문제점이 있었으며, 더우기 비결정질상을 안정화시켜주기 위하여 결정화온도를 높이 올려줄 경우에는 정보 소거시 그 비결정질상이 결정질상으로 상변화되는 시간이 오래 걸리게 되는 문제점이 있었다.
이에 본 발명의 목적은 안정되게 정보를 기록해 놓을 수 있고, 빠른속도로 그 기록된 정보를 소거시킬 수 있는 정보기록 매체를 제공하는데 있다.
본 발명의 또다른 목적은 짧은 시간내에 저출력광선으로 기록된 정보를 소거시킬 수 있는 정보기록방법을 제공하는데 있다.
이하 본 발명을 상세히 설명하면 다음과 같다.
본 발명의 정보기록매체는 투명 기판과, 상기 기판에 융착되어 있으면서 용융점이 200 내지 900℃이고 평형상의 결정질상태와 비평형상의 결정질상태 간의 상변화를 일으키는 합금물로된 기록층으로 이루어지고, 상기 기록층에 광선이 조사되므로써 그 광선조사영역에서 평형상의 결정질상태와 비평형상의 결정질상태 간의 상변화가 일어나게 되어 그에따라 정보가 기록되고 소거될 수 있도록 된 정보기록매체인 것이다.
또한, 본 발명의 정보기록매체는 투명한 기판과, 용융점이 200 내지 900℃이고 평형상의 결정질상태와 비평형상의 결정질상태 간의 상 변화가 일어날 수 있는 합금물로된 기록층과, 상기 기록층과 기판사이에 융착되어 있는 제1보호층과, 상기 기록층 위에 융착되어 있는 제2보호층으로 이루어져 있으면서, 상기 기록층에 광선이 조사되므로써 그 광선조사영역에서 평형상의 결정질상태와 비평형상의 결정질상태 간의 상변화가 일어나게 되어 그에따라 정보가 기록되고 소거될 수 있도록 된 정보기록매체인 것이다.
본 발명에 따른 정보소거방법은 투명 기판과 용융점이 200 내지 900℃이면서 평형상의 결정질상태와 비평형상의 결정질상태 간의 상 변화를 일으키는 합금물인 기록층으로 이루어져 있고, 상기 기록층에 평형상의 결정질상태로 기록마크가 제공되어져 있는 정보기록매체에서, 상기 기록층에 대한 평형 및 비평형상간의 상변화온도 보다는 높고 기록층의 용융점보다는 낮은 온도로 상기 기록층이 가열되도록 상기 기록마크에 광선을 조사시켜줌으로써, 비평형상의 결정상태에서 평형상의 결정상태로 상변화가 일어나면서 기록된 정보가 소거되도록 하는 정보기록 소거방법인 것이다.
본 발명에 따르면, 정보는 기록층을 구성하고 있는 합금물내에서 결정질간의 상변화에 의하여 정보가 기록 및 소거될 수 있다. 그리고 상기 결정질상은 실온에서 평형 및 비평형상태로 안정하게 유지되어 있으므로 기록된 정보는 안정되게 기록되게 된다. 더우기 기록층을 구성하고 있는 합금물의 용융점이 상대적으로 낮게될 경우 상 변화 온도도 따라서 낮아지게 되고 결정질상들 간의 상변화를 위한 원자의 확산도 비교적 작다.
따라서, 광선이 조사되어지는 기록층의 조사영역에서는 매우 짧은 시간내에 상변화가 일어나면서, 정보가 기록되거나 빠른 속도로 소거되게 된다.
또 한편으로, 기록층의 주표면은 보호층으로 덮여져 있으므로, 상기 기록층은 광선에 의한 손실로부터 효과적으로 보호를 받게 되며, 그 결과 정보가 보다 높은 안정성을 나타내면서 기록되게 된다.
즉, 정보는 평형 및 비형평상의 결정질상태 간의 상 변화에 의하여 기록되거나 소거되게 되는 바, 즉, 기록마크에 광선을 조사시켜서 기록층의 용융온도보다는 낮지만 상변화온도보다는 높은 온도에서 기록층을 가열시키게 되면 정보가 소거되게 된다.
이 경우에 합금물은 200 내지 900℃와 같이 낮은 온도를 갖게 되므로 상 변화 온도가 낮은 상태의 기록층을 형성시키는데 사용되어지게 된다.
상술한 바와같이, 정보를 소거시키는데 있어서, 저출력을 가지는 광선은 빠른 속도로 정보를 소거시키는데 사용되게 되는데, 즉 정보 기록마크가 용융되지 않고서도 저출력을 가지는 광선으로 소거되게 되므로 그 소거부위는 품질의 저하가 발생되지 않게 되고, 기록과 소거의 재생시에도 기록특성이 저하되지 않는 특징이 있다.
이하 본 발명을 첨부된 도면에 의거 더욱 상세히 설명하면 다음과 같다.
첨부도면 제1도는 본 발명의 구현예에 따른 정보기록매체(광디스크)의 단면도로서, 기판(1)은 투명하면서 재질상의 경시변화가 적은 재료 예를들면, 유리, 석영, 폴리메틸메타크릴레이크(PMMA)수지, 폴리카보네이트수지(PC) 또는 에폭시수지등의 재료로 만들어진다. 그리고 기판(1)에는 보호층(2), 기록층(3), 보호층(4) 및 표면층(5)이 순서대로 형성되어 있다.
보호층(2, 4)은 기록층(3)을 끼우는 듯한 상태로 배치되어 있으나, 때로는 상기 보호층(2, 4)을 형성시키지 않아도 된다. 이때 상기 보호층(2, 4)은 레이저빔의 조사에 의하여 기록층(3)이 분산되거나 구멍이 생기는 것을 방지하게 된다.
상기 보호층(2, 4)은 SiO2, SiO 또는 AlN 등의 유전체를 증착법 또는 스펏터링법등에 의해 성막하여 형성시킬 수 있는데, 이때 보호층(2, 4)의 두께는 1㎚ 내지 10㎛로 하는 것이 바람직하다.
그리고, 표면층(5)은 광디스크 취급시 긁혀지는 것과 같은 손상이 발생되는 것을 방지하기 위해 배치한 것이며, 보호층(2, 4)과의 밀착성이 양호한 재료로 형성시키면 된다. 예를들면, 보호층(4)상에 자외선(UV)경화수지를 도포하고 이 수지층에 자외선을 조사하여 경화시킴에 따라 형성시킬 수 있다.
기록층(3)은 예컨대 용융점이 200 내지 900℃인 합금물로 만들어진 것이면서 레이저빔과 같은 광선이 상기 기록층(3)상에 조사되게 될때 평형상의 결정질상태와 비평형상의 결정질상태 간의 상변화가 일어나도록 되어있다.
상기 합금물의 상변화 온도는 용융점보다 낮긴 하지만 만일 합금물의 용융점이 200℃ 이하로 더 낮게 된다면 실온에서 정보의 기록특성이 저하되게 되고, 만일 용융점이 900℃ 보다 높게되면 상 변화는 장시간이 걸리게 된다.
여기서 상기 합금물은 Bi와 함유량이 70 내지 80원자%인 Au-Bi 합금, Bi의 함유량이 55 내지 66원자%인 AU-Bi 합금, Bi의 함유량이 45 내지 55원자%인, Au-Bi 합금, Sb의 함유량이 5 내지 25원자%인 Au-Sb 합금, Sb의 함유량이 70 내지 90원자%인, Au-Sb 합금, Sb의 함유량이 30 내지 45원자%인 In-Sb 합금, Sb의 함유량이 50 내지 80원자%인 In-Sb 합금, Sb의 함유량이 30 내지 40원자%인 Pb-Sb 합금, Sb 함유량이 40 내지 70원자%인 Pb-Sb 합금물 등이 있다.
이러한 합금물은 용융점이 낮기 때문에 저출력 광선의 조사로도 용이하게 용해될 수 있다.
그리고, 상기와 같은 합금물을 평형상의 결정질상태에서 비평형상의 결정질상태로 상 변화시키기 위하여 평형상을 갖는 성분이 남지 않도록 하면서 용융되어지고 그 후에 급냉되어지게 된다.
이 경우에 합금물의 용융점이 낮아지게 되므로 용융은 매우 신속하게 일어나게 된다. 그 결과 합금상은 단 시간 내에 평형상에서 비평형상으로 변하게 된다. 그리고 평형상과 비평형상 간의 상 변화 온도는 100 내지 300℃와 같이 낮다.
여기서 만일, 합금물이 비평형상 결정질상태내의 한 부위를 포함하고 있다면 그 합금물은 이 부위를 평형상 결정상태로 변화시키도록 하기 위하여 100 내지 300℃ 정도의 온도로 가열될 수 있으므로 단시간 내에 상변화가 일어나게 된다. 더우기, 상변화가 결정상 사이로 한정되고, 상변화에 따른 원자의 확산이 비교적 낮으므로 상 분리를 수반하지 않게 된다. 따라서 더욱 더 상변화시간이 단축되게 된다. 그리고, 상기 합금물은 실온인 경우 비평형 결정질상태 하에서도 안정하게 될 수 있으므로 합금물의 상변화온도는 실온보다 높게 나타나게 된다. 기록층(3)은 예컨대, Sb의 함유량이 50 내지 80원자%의 In-Sb 합금물로 형성되게 될 경우에 상기 기록층(3)은 미리 설정된 조건을 가지는 레이저빔에 조사되게 되고 용융되게 된다. 이 층은 스플렛(splat) 냉각에 따라 신속하게 냉각되어지고 평형상 결정질상태가 π-상(비평형상)결정질상태로 변하게 된다.
이때 π-상합금물은 미리 예측된 조건을 가지는 레이저빔에 조사되어지게 되고, 상변화온도보다 높은 온도에서 가열되어지게 된다.
이렇게 되면 π-상결정질상태는 다시 평형상 결정질상태로 또다시 변화하게 된다.
이경우에, π-상결정질상태는 실온에서 안정화 될 수 있지만 100 내지 300℃ 정도의 낮은 온도에서 평형상의 결정질상태로 상변화하게 된다.
한편, 기록층(3)의 두께는 바람직하게 1㎚ 내지 5㎛으로 하는 것이 좋고, 또 이 기록층(3)은 합금물을 구성하는 각 원소의 다원동 시스펏터링 또는 다원증착법 등에 의해 형성될 수 있다.
또한, 단일의 합금재료에 의한 스펏터링 또는 증착법에 의해서도 형성될 수가 있다. 다음에, 이와같이 구성된 광디스크의 동작에 관해 설명하기로 한다. 이 광디스크에 있어서는 제1도와 같이 광원(도시되지 않음)으로부터 레이저빔과 같은 광선(8)이 집속렌즈(7)에 의해 집속되어 기판(1)의 측면에서 기록층(3)으로 조사되게 된다.
(초기화)
정보를 기록하기 위하여 기록층(3)이 평형상 결정질상태로 유지되고 있는 경우에 형성된 기록층이 비결정질 또는 비평형상 결정질상태로 된다면 상기 층은 광디스크가 사용되기 전에 평형상의 결정질상태로 만든다. 이 광디스크의 초기화는 기록층(3)이 결정화 온도이상(만일 층이 비결정질일 경우) 또는 비평형상 결정질상태에서 평형상 결정질상태(만일 층이 비평형상일 경우)로 상변화되는 변화온도 이상으로 가열시키면서 실시하여도 좋으며, 또한 비평형상 결정질상태에서 기록층(3)이 용융될때까지 가열시켜도 된다. 이와같은 가열은 가열기를 사용하거나 광선을 기록층(3)의 전표면에 적용시키면 된다.
이와같은 가열이후에 기록층(3)은 비결정질상태 또는 비평형상으로의 상변화를 방지하기 위하여 순차적으로 냉각시킨다.
(기록)
정보를 기록하기 위하여 평형상 결정질상태로 되어 있는 기록층(3)에 레이저빔을 선택적으로 조사하여 이 조사영역(6)을 용융시키고, 급냉하여 비평형상의 결정질상태로 상변화시킨다.
여기서 조사영역(6)은 기록마크로서 다루어지게 된다. 이 경우에, 광선은 1On초 내지 2μ초의 빠른 펄스상의 레이저빔을 사용하는 것이 바람직하다. 그리고 종래의 반도체 레이저가 사용되어질 때 레이저빔의 출력은 5 내지 30mw로 하면 된다.
이와같이 기록마크(조사영역 (6))의 급냉에 의해 상기 영역이 비평형상의 결정질상태로 상변화함에 따라 정보가 상기 영역(6)에 기록되게 된다. 이경우에 비평형상의 결정질상태는 실온에서 안정하게 존재하게 되므로 정보를 안정되게 기록할 수가 있다.
(재생)
기록층(3)에 기록되어지는 정보는 이 기록마크(조사영역 6)에 레이저빔을 조사하고, 그 반사광의 강도를 검출함에 따라 읽어지게 된다. 즉, 평형상의 결정질과 비평형상의 결정질에서의 표면반사율에는 차이가 있으므로, 이 표면으로부터 반사되어지는 광선밀도의 차이를 이용하여 이 광선이 평형상 또는 비평형상의 결정질상태에서 반사되어지는 것인지를 결정하여 판별하게 된다.
(소거)
기록층(3)의 기록마크(영역 (6))에 정보를 기록시킬때 광선의 출력보다 낮은 출력으로 광선을 조사하여 기록층(3)을 구성하는 합금의 용융점보다 낮지만 비평형상의 결정질이 평형상의 결정질로 변화하는 변화온도 보다 높은 온도로 기록층(3)을 가열한다. 이에따라 기록층(3)의 기록마크(6)는 평형상의 결정질이 되며, 상기 기록마크(6)로 부터 정보가 소거되게 된다. 이 경우에 예를들면, 가열기등에 의해 디스크전체를 상변화온도 이상으로 가열해도 좋으며, 또한 레이저빔을 기록층(3)에 순차적으로 조사하여 조사영역(6)만 가열시켜도 좋다.
이 경우에 비평형상의 결정질에서 평형상의 결정질로의 변화는 비결정질에서 결정질로의 변화에 비해서 변화온도가 낮으며 원자확산이 적어지므로 단시간에 변화시켜 고속으로 정보를 소거할 수가 있다.
기록층(3)을 형성하는 합금물은 200 내지 900℃의 용융점을 가지며 특히, 기록층(3)이 상기 용융점 이하의 온도에서 비평형상에서 평형상으로의 상변화를 위하여 가열되어지게 되므로 저출력의 광선이 고속으로 정보를 소거하게 되는데 사용되게 된다.
종래에 기록마크를 용융시킨 후에 정보를 소거하기 위해 급냉시킬때 고출력의 광선이 필요하였고, 합금응결시 가스제거 및 응결제한이 발생하였으므로 그 소거부위는 변형되거나 부서졌으며, 기록과 소거를 반복적으로 할 경우에는 그 소거부위의 질이 크게 떨어지곤 하였다. 이에따라 본 발명의 소거방법은 상술한 바와같은 종래의 문제점을 해소시킨 것이며, 예컨대 기록과 소거를 반복적으로 수행한다고 할지라도 기록특성의 저하를 최소한으로 하는데 그 특징이 있다.
여기서, 박막의 In-Sb 합금필름박막의 기록층이 형성된 하나의 샘플을 제조하고 상기 기록층내에 기록마크를 형성시킨다. 이러한 조건하에서 기록층을 TEM-XMA과 전자빔회절로 분석한다.
따라서, 제2도는 TEM-XMA로 샘플의 기록층내에 있는 Sb의 선형분석결과를 나타낸 사진으로서, 이 사진에 의하면 Sb의 분리는 기록마크에서 전혀 찾아볼 수 없다.
제3a도는 TEM-XMA으로 샘플의 기록층의 In 평면분석을 실시한 결과를 나타낸 사진이며 제3b도는 Sb 평면분석을 실시한 결과를 나타낸 사진이다. 여기에서 In과 Sb의 분리는 기록마크내에서 전혀 찾아볼 수 없으며, 정보가 없는 기록트랙도 찾아볼 수 없다.
다음표는 정보가 없는 기록트랙과 기록마크를 전자빔회절로 분석한 결과를 나타내고 있다.
Figure kpo00001
상기표에서 기록영역의 주(主)상은 거친 비평형 π-상을 나타내고, 기록트랙의 주상은 거친 비평형 π-상을 나타내며, 정보가 없는 기록트랙의 중앙부위는 InSb 미세결정상을 나타낸다.
상술한 바와 같이, 기록층의 In와 Sb의 분포는 균일하므로 기록마크는 π-상을 나타나며 정보가 없는 기록트랙의 중앙부위는 미세한 InSb를 나타낸다. 이것은 정보기록과 소거가 평형상과 비평형상 결정질상태간의 상변화에 의하고, 기록층의 조성에도 변화가 없다는 것을 나타내는 것이다.

Claims (19)

  1. 정보기록매체에 있어서, 투명기판과, 상기 기판상에 용착되어 있으면서 용융점이 200 내지 900℃이고 평형상의 결정질상태와 비평형상의 결정질상태간의 상변화를 일으키는 합금물로된 기록층으로 이루어지고, 상기 기록층에 광선이 조사되므로써 그 조사영역에서 평형상의 결정질상태와 비평형상의 결정질상태간의 상변화가 일어나게 되어 그에따라 정보를 기록소거될 수 있도록 된 것을 특징으로 하는 정보기록매체.
  2. 제1항에 있어서, 기록층(3)은 Bi의 함유량이 70 내지 80원자%의 Au-Bi 합금, Bi 함유량이 55 내지 65원자%의 Au-Bi 합금, Bi의 함유량이 45 내지 55원자%, Sb의 함유량이 5 내지 25원자%인 Au-Sb합금, Sb의 함유량이 70 내지 90원자%인 Au-Sb 합금, Sb의 함유량이 30 내지 45원자%인 In-Sb 합금, Sb의 함유량이 50 내지 80원자%인 In-Sb 합금, Sb의 함유량이 30 내지 40원자%인 Pb-Sb 합금, Sb의 함유량이 40 내지 70원자%인 Pb-Sb 합금으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 합금물을 포함하여서 된 것임을 특징으로 하는 매체.
  3. 제1항에 있어서, 기록층(3)은 평형상의 결정질상태가 비평형상의 결정질상태로 변화하게 될 때에 정보가 기록되고, 비평형상의 결정질상태가 평형상의 결정질상태로 변화하게 될 때 정보가 소거되도록 된 것을 특징으로 하는 매체.
  4. 제3항에 있어서, 기록층(3)은 광선에 조사되고, 광선에 조사된 영역(6)이 급냉되어 평형상의 결정질상태에서 비평형상의 결정질상태로 변화되므로서 정보가 기록되도록 된 것을 특징으로 하는 매체.
  5. 제3항에 있어서, 기록층(3)은 그 기록층(3)의 조사영역(6)이 광선으로 조사되면 평형 및 비평형상의 결정질상태간의 상 변화 온도보다 높고 상기 기록층(3)의 용융온도보다는 낮은 온도로 가열되어 비평형상의 결정질상태가 평형상태의 결정질상태로 변화되므로써 거기에 기록된 정보가 소거되도록 된 것을 특징으로 하는 매체.
  6. 제1항에 있어서, 기록층(3)은 약 l㎚ 내지 5㎛ 정도의 두께로 된 것을 특징으로 하는 매체.
  7. 제1항에 있어서, 평형상의 결정질상태와 비평형상의 결정질상태 간의 상변화는 약 100 내지 300℃의 온도에서 일어나는 것을 특징으로 하는 매체.
  8. 정보기록 매체에 있어서, 투명한 기판과, 용융점이 200 내지 900℃이고 평형상의 결정질상태와 비평형상의 결정질상태간의 상변화가 일어날 수 있는 합금물로 형성된 기록층과, 상기 기록층과 기판사이에 형성되어 있는 제1보호층과, 상기 기록층위에 형성되어 있는 제2보호층으로 이루어져 있으면서, 상기 기록층에 광선의 조사되므로서 그 조사영역에서 평형상의 결정질상태와 비평형상의 결정질상태간의 상변화가 일어나게 되어 그에따라 정보가 기록되고 소거될 수 있도록 된 것을 특징으로 하는 정보기록매체.
  9. 제8항에 있어서, 기록층(3)은 Bi 함유량이 70 내지 80원자%인, Au-Bi 합금, Bi의 함유량이 55 내지 65원자%인 Au-Bi 합금, Bi의 함유량이 45 내지 55원자%인 Au-Bi 합금, Sb의 함유량이 5 내지 25원자%인 Au-Sb 합금, Sb의 함유량이 70 내지 90원자%인 Au-Sb 합금, Sb의 함유량이 30 내지 45원자%인 In-Sb 합금, Sb의 함유량이 50 내지 80원자%인 In-Sb 합금, Sb의 함유량이 30 내지 40원자%인 Pb-Sb 합금, Sb의 함유량이 40 내지 70원자%인 Pb-Sb 합금으로 이루어진 그룹으로부터 선택되어진 적어도 하나의 합금물을 포함하여서 된 것을 특징으로 하는 매체.
  10. 제8항에 있어서, 기록층(3)은 평형상의 결정질상태가 비평형상의 결정질상태로 변화하게 될 때에 정보가 기록되고, 비평형상의 결정질상태가 평형상의 결정질상태로 변화하게 될 때 정보가 소거되도록 된 것을 특징으로 하는 매체.
  11. 제10항에 있어서, 기록층(3)은 광선에 조사되고, 이 조사영역(6)이 급냉되어 평형상의 결정질상태가 비평형상의 결정질상태로 변화되므로서 정보가 기록되도록 된 것을 특징으로 하는 매체.
  12. 제10항에 있어서, 기록층(3)은 그 기록층(3)의 조사영역(6)이 광선으로 조사되면 평형 및 비평형상의 결정질상태간의 상변화온도보다 높고 상기 기록층(3)의 용융온도보다는 낮은 온도로 가열되어 비평형상의 결정질상태가 평형상태가 결정질상태로 변화되므로써 거기에 기록된 정보가 소거되도록 된 것을 특징으로 하는 매체.
  13. 제8항에 있어서, 기록층(3)은 약 l㎚ 내지 5㎛ 정도의 두께로 된 것을 특징으로 하는 매체.
  14. 제8항에 있어서, 평형상의 결정질상태와 비평형상의 결정질상태간의 상변화는 약 100 내지 300℃의 온도에서 실시하는 것을 특징으로 하는 매체.
  15. 제8항에 있어서, 제1 및 제2보호층(2, 4)은 무기유전체로 제조된 것을 특징으로 하는 매체.
  16. 제15항에 있어서, 제1 및 제2보호층(2, 4)은 각각 그 두께가 1 내지 10㎛으로 된 것을 특징으로 하는 매체.
  17. 제8항에 있어서, 표면층(5)은 제2보호층상에 용착되어서 된 것을 특징으로 하는 매체.
  18. 제17항에 있어서, 표면층(5)은 자외선 경화수지로 만들어진 것을 특징으로 하는 매체.
  19. 정보기록을 소거하는 방법에 있어서, 투명한 기판과, 용융점이 200 내지 900℃이고 평형상의 결정질상태와 비평형상의 결정질상태간의 상변화를 발생하게 되는 합금물로 된 기록층으로 이루어진 정보기록매체를 이용하되, 상기 기록층은 평형상의 결정질상태에서 기록마크가 함께 제공되어 있고, 평형 및 비평형상간의 상변화온도보다는 높고 기록층의 용융온도보다는 낮은 온도에서 상기 기록층을 가열시키기 위해 상기 기록마크에 광선을 조사하므로서, 비평형상의 결정질상태가 평형상의 결정질상태로 상변화가 일어나도록 하여 정보가 소거될 수 있도록 하는 것을 특징으로 하는 정보소거방법.
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