KR900019157A - Radial Spoke Semiconductor Polishing Pads - Google Patents

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KR900019157A
KR900019157A KR1019890006105A KR890006105A KR900019157A KR 900019157 A KR900019157 A KR 900019157A KR 1019890006105 A KR1019890006105 A KR 1019890006105A KR 890006105 A KR890006105 A KR 890006105A KR 900019157 A KR900019157 A KR 900019157A
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KR
South Korea
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pad
polishing
grooves
point
polishing pad
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Application number
KR1019890006105A
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Korean (ko)
Inventor
씨. 씨맨 제프리
엘. 옴스테드 데니스
지. 데브너 토마스
Original Assignee
엔. 라이스 머레트
텍사스 인스트루먼츠 인코포레이티드
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Filing date
Publication date
Application filed by 엔. 라이스 머레트, 텍사스 인스트루먼츠 인코포레이티드 filed Critical 엔. 라이스 머레트
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting

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Abstract

내용 없음No content

Description

방사상 스포크 반도체 연마 패드Radial Spoke Semiconductor Polishing Pads

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음Since this is an open matter, no full text was included.

제6도는 방사상 홈을 갖고 있는 연마 패드를 도시한 도면, 제7도는 연마중인 방사상의 홈이 파인 패드를 도시한 도면, 제10도는 방사상의 홈이 파인 패드의 다른 실시예를 도시한 도면.FIG. 6 shows a polishing pad having radial grooves, FIG. 7 shows a radial grooved pad being polished, and FIG. 10 shows another embodiment of a radial grooved pad.

Claims (16)

반도체 슬라이스를 연마하기 위한 패드에 있어서, 연마 슬러리와 관련하여 사용하기 위해, 패드상의 한 지점으로부터 패드의 주변까지 방사상으로 연장되는 다수의 채널을 위에 갖고 있는 것을 특징으로 하는 패드.A pad for polishing a semiconductor slice, wherein the pad has a plurality of channels extending radially from a point on the pad to the periphery of the pad for use in connection with the polishing slurry. 제1항에 있어서, 채널들이 패드의 중심 이외의 지점으로부터 패드의 주변상의 간격을 두고 배치된 다른 지점들까지 방사하는 것을 특징으로 하는 패드.The pad of claim 1, wherein the channels radiate from a point other than the center of the pad to other points spaced on the pad's periphery. 제1항에 있어서, 채널들이 패드상에 양각된 것을 특징으로 하는 패드.The pad of claim 1 wherein the channels are embossed on the pad. 제1항에 있어서, 채널들이 패드의 표면내부에 절입된 것을 특징으로 하는 패드.The pad of claim 1 wherein the channels are indented within the surface of the pad. 반도체 슬라이스를 연마하는 방법에 있어서, 슬러리가 피복된 회전 연마 패드에 대해 반도체 슬라이스를 보유하는 스텝 및, 연마 패드상의 한 지점으로부터 연마 패드의 주변까지 방사상으로 연장되는 채널을 내부에 갖고 있는 회전 연마 패드에 대해 보유되면서 반도체 슬라이스를 회전시키는 스탭을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.A method of polishing a semiconductor slice, the method comprising: holding a semiconductor slice relative to a slurry-coated rotating polishing pad, and a rotating polishing pad having a channel extending radially from a point on the polishing pad to the periphery of the polishing pad. And a step for rotating the semiconductor slice while retaining relative to the same. 제5항에 있어서, 채널들이 연마 패드의 주변상의 공통지점으로부터 연마 패드의 주변상의 간격을 두고 배치된 다른 지점들까지 연장되는 것을 특징으로 하는 방법.6. The method of claim 5, wherein the channels extend from a common point on the periphery of the polishing pad to other points spaced on the periphery of the polishing pad. 제5항에 있어서, 슬러리가 연마 패드의 중앙부에 삽입되어, 반도체 슬라이스 하부에서 패드내의 채널들을 통하여 패드의 주변으로 흐르는 것을 특징으로 하는 방법.6. The method of claim 5, wherein a slurry is inserted in the center of the polishing pad and flows through the channels in the pad to the periphery of the pad below the semiconductor slice. 제1항에 있어서, 패드상의 지점으로부터 연장되는 홈들이 만곡되어, 패드상의 이 지점으로부터 다수의 다른 지점들까지 연장되는 것을 특징으로 하는 방법.The method of claim 1, wherein grooves extending from a point on the pad are curved to extend from this point on the pad to a number of other points. 제8항에 있어서, 홈들이 정현파 형태로 된 것을 것을 특징으로 하는 패드.9. The pad of claim 8 wherein the grooves are in sinusoidal form. 반도체 슬라이스를 연마하기 위한 연마 패드에 있어서, 폴리우레탄패드 및 패드내의 다수의 홈으로 구성되고, 각각의 홈이 패드의 한 표면상의 2개의 지점들사이로 연장되는 것을 특징으로 하는 연마 패드.A polishing pad for polishing a semiconductor slice, the polishing pad comprising a polyurethane pad and a plurality of grooves in the pad, each groove extending between two points on one surface of the pad. 제10항에 있어서, 2개의 지점들중의 1개의 지점이 각각의 홈에 공통인 것을 특징으로 하는 연마 패드.12. The polishing pad of claim 10 wherein one of the two points is common to each groove. 제10항에 있어서, 홈들이 패드상의 중심지점으로부터 패드의 연부상의 다수의 지점들까지 방사상으로 연장되는 것을 특징으로 하는 연마 패드.The polishing pad of claim 10, wherein the grooves extend radially from a center point on the pad to a plurality of points on the edge of the pad. 제10항에 있어서, 홈들이 직선인 것을 특징으로 하는 연마 패드.The polishing pad of claim 10, wherein the grooves are straight. 제10항에 있어서, 홈들이 만곡된 것을 특징으로 하는 연마 패드.The polishing pad of claim 10, wherein the grooves are curved. 제10항에 있어서, 홈들이 정현파 형태로 된 것을 특징으로 하는 연마 패드.The polishing pad of claim 10, wherein the grooves are in sine wave form. 제10항에 있어서, 홈들이 패드의 한 연부상의 공통지점 사이에서 패드의 연부 주변에 배치된 다수의 지점들까지 연장되는 것을 특징으로 하는 연마 패드.12. The polishing pad of claim 10 wherein the grooves extend between a common point on one edge of the pad to a plurality of points disposed around the edge of the pad. ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.
KR1019890006105A 1988-05-09 1989-05-08 Radial Spoke Semiconductor Polishing Pads KR900019157A (en)

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US191,674 1988-05-09

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