KR900013577A - 에피택셜 증착방법 및 그 장치 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 에피택셜 증착 장치의 단면도,
제3도는 본 발명에 따른 제2도의 장치에 사용된 램프뱅크의 정면도,
제3A 및 3B도는 각각 선 A-A 및 B-B에 따라 취해진 제3도의 상세 분해도,
제4도는 본 발명에 따른 램프뱅크를 지지하는데 사용되는 지지판 구조체의 정면도.
Claims (17)
- 서셉터에 지지된 반도체 기판을 포함하며, 열적으로 활성화된 반응가스들을 그 내부에 한정시키는 반응실로서, 일정한 파장이 있는 영역내에서 대체로 열복사에 투명한 재료로 제조된 적어도 하나의 벽부분을 가지는 반응실; 상기 기판 및 상기 서셉터를 가열하도록 상기 일정한 파장영역에 열복사를 공급하는 복사 가열기 뱅크; 및 상기 기판 및 상기 서셉터를 가열시키기 위해서 상기 복사 가열기 뱅크가 상기 벽 부분을 통해서 열 복사를 방사하는 예정된 고정 작동 위치에서, 상기 복사 가열기 뱅크를 지지하고, 상기 가열기 뱅크가 그 한 가장자리에 대략 평행하게 놓인 피봇축을 중심으로 하여 상기 고정 작동 위치에서 떨어져 회전되는 개방위치에서, 상기 가열기 뱅크를 지지하는 지지수단의 조합으로 구성된 에피택셜 증착 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 지지수단이, 상기 복수 가열기 뱅크상에 배치되고 그 사이에 연장한 상기 피봇축을 형성하는 한쌍의 트러니언, 및 상기 한쌍의 트러니언을 결합시키고 상기 고정작동 위치와 상기 개방위치 사이의 상기 가열기 뱅크의 운동을 구속하여서 상기 피봇축을 중심으로 피봇 운동시키는 트러니언 결합 수단을 포함하는 에피택셜 증착 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 장치가, 상기뱅크를 상기 고정 작동위치에 고정시키는 고정 수단으로서, 상기 뱅크가 상기 고정작동위치에 고정되는 잠궈진 위치와 상기 뱅크가 상기 작동위치에서 떨어져 상기 개방위치로 이동 가능한 해제 위치와의 사이에서 선택적으로 작동할 수 있는 고정수단을 더 포함하는 에피택셜 증착 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 지지수단이 상기 작동 위치와 상기 개방위치 사이에서의 운동중에 상기 뱅크를 연속적으로 지지하는 에피택셜 증착 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 지지수단이, 상기 고정 작동위치와 상기 개방위치 사이의 상기 가열기 뱅크의 운동을 구속하여 상기 피봇축을 중심으로 피봇 운동 시키는 에피택셜 증착 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 지지수단이, 평형 이동 운동을 허용하고 평형 이동축을 따라서 상기 개방위치로부터 상기 뱅크가 상기 장치의 보유부분으로부터 자유롭게 밀려질 수 있는 해제위치로서의 상기 평형 이동운동을 구속하며 상기 개방위치와 상기 해제 위치 사이의 평형 이동 운동중에 상기 뱅크를 계속하여 지지하는 평형이동 지지수단을 더 포함하는, 에피택셜 증착 장치.
- 서셉터에 지지된 반도체 기판을 포함하며, 열적으로 활성화된 반응가스들을 그 내부에 한정시키는 반응실로서, 일정한 파장이 있는 영역내에서 대체로 열복사에 투명한 재료로 제조된 적어도 하나의 벽부분을 가지는 반응실; 상기 기판 및 상기 서셉터를 가열하도록 상기 일정한 파장 영역에 열복사를 공급하며, 상기 반응실과의 사이에 내측 동축 냉각 공기층을 형성하도록 상기 반응실에서 떨어져 대체로 상기 반응실 둘레에 동축상으로 분포되어있고, 내부에 복사 냉각 공기 유동을 허용하도록 방사상으로 공기를 투과할 수 있게된 복사가열기; 상기 가열기와의 사이에 외측 동측 냉각 공기층을 형성하기 위해서 상기 복사 가열기에서 떨어져서 그 둘레로 대략 동축상으로 뻗으며, 상기 복사 가열기의 일단부에서 떨어져서 대략 횡방향으로 상기 복사 가열기를 가로 지르며 뻗어서, 상기 내측 동축냉각 공기층과 상기 외측 동축 냉각 공기층을 상기 일단부에서 방사상으로 서로 연결하는 단부 동측 냉각 공기층을 형성하는 플리넘 챔버; 및 냉각 공기를 상기 플리넘 챔버의 상기 일단부 근처로 도입시키고, 가열된 공기를 상기 내측 동축 공기층의 말단부에 배출시키는 공기 냉각 수단으로서, 냉각 공기가, 상기 일단부에서 상기 장치안으로 흐르고, 축선상으로 상기 내측 및 외측 동축 냉각 공기층을 따라서 그리고 방사상안쪽으로 상기 가열기를 통해 상기 외측 동축 냉각 공기층으로부터 상기 내측 동축 냉각 공기층쪽으로 흐르며, 상기 내측 동축 냉각 공기층의 말단부에서 상기 장치의 바깥으로 흐르게 하는 공기 냉각 수단의 조합으로 구성된 에피택셜 증착장치.
- 제7항에 있어서, 상기 공기 냉각 수단이; 상기 내측 동축 냉각 공기층으로 부터 가열된 공기를 수용하기 위해서 상기 내측 동축 냉각 공기층의 상기 말단부에 연결되고 냉각수의 소오스에도 연결된 공기-물 열 교환기와; 상기 열 교환기로 부터 냉각 공기를 끌어당기기 위해서 상기 열 교환기에 연결된 입구를 가지며 상기 플리넘 챔버에 냉각 공기를 공급하기 위해서 상기 플리넘 챔버에 냉각 공기를 공급하기위해서 상기 플리넘 챔버에 연결된 출구를 가지는 송풍기와를 포함하는 폐쇄 루우프 공기 냉각 시스템으로 구성된, 애피택셜 증착 장치.
- 제8항에 있어서, 상기 송풍기 출구와 상기 폴리넘 챔버를 서로 연결하는 테이퍼관을 더 포함하는 에피택셜 증착 장치.
- 서셉터에 지지된 반도체 기판을 포함하며, 열적으로 활성화된 반응 가스들을 그내부에 한정시키는 반응실로서, 일정한 파장이 있는 영역내에서 대체로 열복사에 투명한 재료로 제조된 적어도 하나의 벽부분을 가지는 반응실; 상기 기판 및 상기 서셉터를 가열하도록 상기 일정한 파장 영역에 열복사를 공급하며, 상기 반응실과의 사이에 내측 동축 냉각 공기층을 형성하도록 상기 반응실에서 떨어져 대체로 상기 반응실 둘레에 동축상으로 분포되어있는 복사 가열기로서, 그 내부에 복사 냉각 공기 유동을 허용하도록 방사상으로 공기를 투과할 수 있게 되어있으며, 복사 가열기 뱅크를 포함하는 복사가열기; 상기 기판 및 상기 서셉터를 가열시키기 위해서 상기 복사 가열기 뱅크가 상기 벽부분을 통해서 열복사를 방사하는 예정된 고정 작동 위치에서, 상기 복사가열기 뱅크를 지지하고, 상기 가열기 뱅크가 그 한 가장자리에 대량 평행하게 놓인 피봇측을 중심으로하여 상기 고정 작동위치에서 떨어져 회전되는 개방위치에서, 상기 가열기 뱅크를 지지하는 지지수단; 상기 가열기와의 사이에 외측 동측 냉각 공기층을 형성하기 위해서 상기 복사 가열기에서 떨어져서 그 둘레로 대략 동축상으로 뻗으며, 상기 복사 가열기의 일단부에서 떨어져서 대략 횡방향으로 상기 복사 가열기를 가로지르며 뻗어서, 상기 내측 동축 냉각 공기층과 상기 외측 동축 냉각 공기층을 상기 일단부에서 방사상으로 서로 연결하는 단부 동측 냉각 공기층을 형성하는 플리넘 챔버; 및 냉각 공기를 상기 플리넘 챔버의 상기 일단부 근처로 도입시키고, 가열된 공기를 상기 내측 동축 공기층의 말단부에 배출시키는 공기 냉각 수단으로서, 냉각 공기가, 상기 일단부에서 상기 장치안으로 흐르고, 축선상으로 상기 내측 및 외측 동축 냉각 공기층을 따라서 그리고 방사상 안쪽으로 상기 가열기를 통해서 상기 외측 동축 냉각 공기층으로부터 상기 내측 동축 냉각 공기층쪽으로 흐르며, 상기 내측 동축 냉각 공기층의 말단부에서 상기 장치의 바깥으로 흐르게 하는 공기 냉각 수단의 조합으로 구성된 에피택셜 증착 장치.
- 제10항에 있어서, 상기 지지수단이, 상기 작동위치와 상기 개방위치 사이에서의 운동중에 상기 뱅크를 계속하여 지지하는 에피택셜 증착 장치.
- 제10항에 있어서, 상기 지지수단이, 상기 고정 작동위치와 상기 개방위치 사이에서의 상기 가열기 뱅크의 운동을 구속하여 상기 피봇축을 중심으로 피봇운동 시키는 에피택셜 증착 장치.
- 제10항에 있어서, 상기 지지수단이, 상기 뱅크의 평형 이동 운동을 허용하고 상기 개방 위치로 부터 상기 뱅크가 상기 장치의 보유부분으로부터 밀려날 수 있는 해제위치 까지 평형 이동축을 따라서 상기 평형 이동을 구속하는 평형 이동 지지 수단으로서, 상기 개방위치와 상기 해제 위치 사이에서의 평형 이동중에 계속하여 상기 뱅크를 지지하는 평형 이동 지지수단을 더 포함하는, 에피택셜 증작착 장치.
- 제10항에 있어서, 상기 공기 냉각 수단이, 상기 내측 동축 공기층으로 부터 가열된 공기를 수용하기 위해서 상기 내측동축 공기층의 말단부에 연결되어 있고 상기 냉각수의 소오스에도 연결된 공기-물 열교환기; 및 상기 열교환기로 부터 냉각 공기를 끌어당기기 위해서 상기 열 교환기에 연결된 입구와 상기 플리넘 챔버에 냉각 공기를 공급하기 위해서 상기 플리넘 챔버에 연결된 출구와를 가지는 송풍기로 구성된 폐쇄 루우프 공기 냉각 시스템을 포함하는, 에피택셜 증착 장치.
- 반도체 기판을 처리하는 방법, 특히 화학 증착에 의해서 상기 반도체 기판위에 에피택셜층을 증착시킬 목적을 위한 처리 방법으로서; 일정한 파장영역 내에서의 열복사에 투명한 적어도 하나의 벽부분을 가지는 반응실 내에서 상기 반도체 기판을 서셉터에 지지시키는 단계; 상기 기판과 접촉한 상기 반응실 안에 열적으로 활성화된 반응 가스 분위기를 제공하는 단계; 및 상기 일정한 파장의 영역내에 열 복사를 공급하는 복사 가열기뱅크 및 상기 기판과 상기 서셉터를 가열하기 위해서 상기 가열기 뱅크가 상기 벽부분을 통하여 열복사를 방사하는 예정된 고정 작동위치에서, 상기 복사 가열기 뱅크를 지지하는 지지수단으로서, 상기 뱅크가 그 한 가장자리에 대략 평행하게 놓인 피봇축을 중심으로 하여 상기 고정작동 위치에서 떨어져 회전되는 개방 위치에서, 상기 가열기 뱅크를 지지하는 지지수단에 의해서 상기 기판을 가열 함으로써 상기 반응 가스 분위기를 활성화시키는 단계로 구성된 반도체 기판의 처리 방법.
- 반도체 기판의 처리방법, 특히 화학 증착에 의해서 상기 반도체 기판위에 에피택셜층을 증착시킬 목적을 위한 처리 방법으로서 : 일정한 파장 영역내에서의 열복사에 투명한 적어도 하나의 부분을 가지는 반응실내에서, 상기 반도체기판을 서셉터에 지지 시키는 단계; 상기 기판과 접촉한 상기 반응실 안에 열적으로 활성화된 반응가스 분위기를 제공하는 단계; 상기 일정한 파장의 영역내에 열 복사를 공급하는 복사 가열기로서, 상기 반응실과의 사이에 내측 동축 냉각 공기층을 형성하도록 상기 반응실에서 떨어져 상기 반응실의 둘레로 대체로 동축상으로 분포되어 있으며, 내부에 복사 공기 유동을 허용하도록 방사상으로 공기를 투과할 수 있는 복사 가열기에 의하여 상기 반응 가스 분위기를 활성화 시키기 위해 상기 기판을 가열하는 단계 및 상기 가열기와의 사이에 외측 동축 냉각 공기층을 형성하기 위해서 상기 복사 가열기에서 떨어져 그 둘레로 대략 동축상으로 뻗으며, 상기 복사 가열기의 일단부에서 떨어져 대략 횡방향으로 상기 복사 가열기를 가로지르며 뻗어서, 상기 내측 동축 냉각 공기층과 상기 외측 동축 냉각 공기층을 상기 일단부에서 방사상으로 서로 연결하는 단부 동축 냉각 공기층을 형성하는 플리넘 챔버; 및 냉각 공기를 상기 플리넘 챔버의 상기 일단부 근처로 도입시키고, 가열된 공기를 상기 내측 동축 공기층의 말단부에서 배출시키는 공기 냉각 수단으로서, 냉각 공기가, 상기 일단부에서 상기 장치안으로 흐르며, 축선상으로 상기 내측 및 외측 동축 냉각 공기층을 따라서 그리고 방사상 안쪽으로 상기 가열기를 통해 상기 외측 동축 냉각 공기층으로 부터 상기 내측 동축 냉각 공기층 쪽으로흐르며, 상기 내측 동축 냉각 공기층의 말단부에서 상기 장치의 바깥으로 흐르게하는 공기 냉각 수단으로 구성된 냉각 시스템을 사용하여 상기 반응실 및 가열기를 냉각하는 단계로 구성된 반도체 기판의 처리 방법.
- 반도체 기판의 처리방법, 특히 화학 증착에 의해서 상기 반도체 기판위에 에피택셜층을 증착시킬 목적으로 위한 처리 방법으로서; 일정한 파장 영역내에서의 열복사에 투명한 적어도 하나의 벽 부분을 가지는 반응실내에서, 상기 반도체 기판을 서셉터에 지지시키는 단계; 상기 기판과 접촉한 상기 반응실 안에 열적으로 활성화된 반응가스 분위기를 제공하는 단계; 상기 일정한 파장의 영역내에 열복사를 공급하는 복사 가열기 뱅크 및 상기 기판과 상기 서셉터를 가열하기 위해서 상기 가열기 뱅크가 상기 벽부분을 통하여 열복사를 방사하는 예정된 고정 작동 위치에서 상기 복사 가열기 뱅크를 지지하는 수단으로서, 상기 뱅크가 그 한 가장자리에 대체로 평행하게 놓인 피봇측을 중심으로하여 상기 고정 작동위치에서 떨어져 회전되는 개방 위치에서, 상기 가열기 뱅크를 지지하는 수단에 의해서 상기 기판을 가열함으로써 상기 반응 가스 분위기를 활성화시키는 단계 및 상기 가열기와의 사이에 외측 동축 냉각 공기층을 형성하기 위해서 상기 복사 가열기에서 떨어져 그 둘레로 대략 동축상으로 뻗으며, 상기 복사 가열기의 일단부에서 떨어져 대략 횡방향으로 상기 복사 가열기를 가로지르며 뻗어서, 상기 내측 및 외측 동축 냉각 공기층을 상기 일단부에서 방사상으로 서로 연결하는 단부 동축 냉각 공기층을 형성하는 플리넘 챔버; 및 냉각 공기를 상기 플리넘 챔버의 상기 일단부 근처로 도입시키고, 가열된 공기를 상기 내측 동축 공기층의 말단부에서 배출시키는 공기 냉각 수단으로서, 냉각 공기가, 상기 일단부에서 상기 장치안으로 흐르며, 축선상으로 상기 내측 및 외측 동축 냉각 공기층을 따라서 그리고 방사상 안쪽으로 상기 가열기를 통해 상기 외측 동축 냉각 공기층으로부터 상기 내측 동축 냉각 공기층 쪽으로 흐르며, 상기 내측 동축 냉각 공기층의 말단부에서 상기 장치의 바깥으로 흐르게 하는 공기 냉각 수단으로 구성된 냉각 시스템을 사용하여 상기 반응실 및 가열기를 냉각하는 단계로 구성된 반도체 기판의 처리 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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| KR950003895B1 (ko) | 1995-04-20 |
| EP0381247B1 (en) | 1995-09-20 |
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