KR900008504B1 - 절연 금속기판의 연속적인 웨브를 제조하기 위한 방법 및 장치 - Google Patents

절연 금속기판의 연속적인 웨브를 제조하기 위한 방법 및 장치 Download PDF

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Abstract

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Description

절연 금속기판의 연속적인 웨브를 제조하기 위한 방법 및 장치
제1도∼제10도는 본 발명에 따른 다른 여러 실시예들의 개요적인 횡단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 공급 체임버 2 : 플라즈마
3 : 스퍼터링 체임버 4, 4a ,4b : 권취 체임버
5, 6, 7, 10, 28, 29, 30 : 중간 체임버 11 : 금속기관
14, 20 : 보호시이트 15 : 보호시이트 권취수단
16 : 마스크 공급수단 17 : 마스크
18 : 마스크 권취수단 19 : 보호시이트 공급수단
31 : 절단 체임버 32 : 절단수단
33 : 에칭 체임버 36 : 플라즈마 애칭수단
본 발명은 그 표면에 전기 절연층을 가지는 금속기판의 연속적인 웨브를 제조하기 위한 방법 및 장치에 관한 것이다.
종래로부터 1대의 기판상에 복수개의 태앙전지를 패턴상으로 형성하고, 이들을 직열로 접속하는 형태의 태양전지 또는 내열성이나 열전도율이 낮은 인쇄회로기판 등이 사용되고 있었다.
상기와 같은 태양전지에 있어서는 각 소자를 직열로 접속하지 않으면 안되므로 각 소자 사이는 전기적으로 절연되고 있어야만 한다. 예를 들면 태양전지용 기판으로서 금속기판을 사용할 때 절연처리를 할 필요가 있다. 이러한 처리방법은 통상 로울상의 대상 평판 금속기판을 표면 연마하는 단계와, 보호시이트를 첨부한 후 에칭 또는 가압함에 의하여 소정의 형상으로 절단하는 단계와, 보호시이트를 제거하는 단계와, 절연층을 형성하기 위한 절연처리를 하기 위하여 이것을 조절하는 단계로 구성된다. 따라서 상기 형성된 절연층상에 증착 또는 스퍼터링에 의하여 패턴화한 하지 전극을 형성하던지 아니면 전면에 하지 전극을 형성하고 애칭에 의하여 패턴화하고 있다.
상기와 같은 제조방법에 있어서는 절단한 기판을 하나하나 조작하지 않으면 안되므로, 제조에 시간과 노력이 많이 걸리며 또 조작이 많으므로 수율도 저하하여 생산성도 떨어질다. 또 각 공정의 특성에 의하여 이와 같은 제법에는 통상 배치법(batch system)이 적합하다.
상기 태양전지의 활동층이 형성될 때 기판 온도를 200∼350℃로 가열해야 하기 때문에 절연층이 이와 같은 온도에 견뎌야 하기 때문에 일반적으로는 내열성이 양호한 폴리아미드수지 등이 사용되고 있다. 이 절연막의 형성은 상기와 같은 폴리아미드수지 등을 사용하여 금속기판 상에 스핀 코팅(spin coating), 딥핑(dipping) 등에 의하여 폴리아미드수지로 도포하며, 수지의 경화와 가스 빼기를 위하여 열처리 되어 제조되는데, 공정이 대단히 복잡하고 불량율이 높은 결점이 있다. 또한 일반적으로 태양전기 활동층이 형성온도가 높아야 고품질의 태양전지가 얻어지는데, 상기와 같이 하여 얻어진 폴리아미드수지 등으로써 된 절연층을 갖는 기관을 사용하여 태양전지를 제조할 때, 고온에 놓이면 하지 전극(back eletrode)에 결함이 발생하는 등의 이유에 의해 상기층 형성온도가 가히 250℃가 한도로서 고품질의 태양전지를 얻기에는 충분하다고 할 수 있다. 특히 가열 중 절연층 중에 있어 축합이 발생하여 H2O를 방출하거나 불순물의 방출이 일어나 태양전지로서의 특성을 저하시키는 일이 있다.
따라서 수지의 절연층을 가지는 기판의 사용은 양호한 태양전지를 생산하는데 바람직스럽지 못하다. 인쇄회로기판의 분야에서도 납땜시의 내열성자 낮은 열전도율 측면에서 절연화된 금속성의 인쇄회로기판 등의 개발이 요망되고 있다.
본 발명의 목적은 금속기판상에 무기 절연재료의 절연층 및 하지 전극을 연속적으로 형성하고 또한 필요에 따라서 기판을 세정하고 하지 전극을 패턴화하고, 형성된 절연기판을 절단하여, 시간, 원가, 공정수, 노력 등의 절감 및 수율, 생산성과 내열성의 향상을 기하며, 태양전지 그 자체의 성능향상을 기하는 방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 플라즈마 CVD법이나 스퍼터링법에 의해 금속기판의 연속하는 웨브상에 절연층을 증착하는 단계와, 그 위에 스퍼터링법이나 연속동작의 증착법에 의해 하지 전극을 증착하는 단계로 구성되는 전기절연층을 가지는 금속기판의 연속적인 웨브를 제조하기 위한 방법이다.
본 발명은 또한 금속기판을 공급하는 공급 체임버와, 이 공급 체임버로부터 공급된 금속기판 상에 플라즈마 CVD법 또는 스퍼터링법에 의하여 절연층을 증착시키는 플라즈마 체임버와, 상기 절연층이 증착된 금속기판 상에 스퍼터링법 또는 증착법에 의하여 하지 전극을 형성시키는 스퍼터링 체임버 또는 증착 체임버와, 상기 하지 전극이 형성된 금속기판을 권취하고 수납하는 권취 체임버가 상기 순서대로 배치되어 있는 전기 절연층을 가지는 금속기판의 연속적인 웨브를 제조하기 위한 장치에 관한 것이다.
이하, 첨부 도면에 의거 본 발명을 상세히 설명한다.
본 발명에 사용하는 금속기판으로서는 예를 들면, 철, 알루미늄, 니켈, 동, 아연 등의 금속, 이들의 합금, 스테인레스강, 놋쇠, 그리고 은, 알루미늄 등의 다른 금속으로 표면 처리된 금속 또는 수지 등으로써 형성된 두께 0.03∼2.0㎜ 폭 10∼500㎜정도의 금속기판을 들 수 있다. 상기 연속적인 웨브는 취급상 로울상의 후프재(hoop material)임이 바람직하다.
이 금속기판은 표면이 통상의 방법에 의하여 연마되어 있음이 절연층을 형성하였을 때 도통 등의 수율에 대한 악영향의 점에서 바람직하다. 또한 수율을 향상시키기 위하여는 전해 복합 연마 등의 고도한 수법이 절연기판 성능 향상의 점에서 더욱 바람직하다. 만약 약간의 수율을 희생한다면 R최대가 0.5㎛ 이하, 예를 들면 0.3∼0.5㎛ 정도의 연마처리하지 않은 기판을 사용하면 원가면에서 유리하다. 연마된 금속기판의 표면 거칠음이 R 최대 0.3㎛의 경우에는, 절연층을 2.0㎛ 정도 증착시키면, R 최대가 0.5㎛인 기판상에 같은 절연층을 형성한 것에 비하여 도통의 발생율이 전무하게 된다.
R 최대 0.2㎛의 경우에는 절연층의 두께가 1.5㎛ 정도라도 R 최대=0.3㎛로서 절연층의 두께가 2.0㎛ 정도의 것과 동등한 수율이 얻어지며, 특히 R 최대 0.05㎛ 정도의 고도한 복합 전해 연마를 실시한 것에 있어는 절연층 두께가 1㎛이라도 완전한 절연성이 얻어진다. 표면 거칠음은 적어도 0.005㎛ 이상의 접착성의 점에서 필요하며, 0.005㎛ 미만이 되면 절연막의 박리를 일으킬 수가 있다.
본 발명에 의하여 형성되는 절연층은 상기 금속기판상에 실란 가스(Silane gas) 단독이나 또는 실란 가스와 메탄이나 에틸렌 등의 탄화수소가스, 암모니아가스, 수소, 산소 등과의 적절한 혼합가스를 사용한 통상의 플라즈마 CVD법 또는 아르곤, 헬륨 등의 불활성 가스와 수소, 탄화수소, 실리콘 화합물 등의 혼합 기체와, 타켓으로서 SiC, 흑연, 실리콘 등을 사용한 통상의 스퍼터링법에 의하여, 두께 0.1∼20㎛, 바람직하기는 0.5∼20㎛로 형성되는데, 이와 같은 절연층에 한정되는 것은 아니다.
본 발명에 의하여 형성되는 절연층에는 특별히 조성들의 한정은 없으나, Si : H, Si(1-x)Cx: H(식중 x는 0.1∼0.9임), Si(1-x)Nx: H(식중 x는 상기와 같음), Si(1-x)Ox: H(식중 x는 상기와 같음), Si(1-x-y)CxNy: H(식중 x는 상기와 같으며 y는 0∼0.9이며, x+y 1임) 또는 Si(1-x-y)CxOy: H (식중 x와 y는 상기와 같음) 등의 밴드갭이 넓은 재료를 사용하면 내전이 커져서 바람직하다. 또 이 절연층이 비단 결정질, 특히 비결정질인 경우에는 구조 유연성이 있으며 크랙 등이 들어가기 힘드므로 바람직하다. 또 절연성의 점에서는 10-6Ω·㎝-1이하의 재료를 사용함이 바람직하며, 10-8Ω·㎝-1이하의 재료를 사용함이 특히 바람직하다.
절연층은 10% 이상의 탄소원자를 함유하는 것이 바람직하다. 만약 탄소 함량이 10% 이하이면 유전체의 항복 전압은 50V/㎛나 또는 그 이하로 감소한다. 만약 탄소함량이 30% 이상이면, 절연층의 유전 항복 전압이 100V/㎛ 이상으로 증가하여 글로우 방전에 의해 형성되는데 이것은 반도체 장치에 사용하기에 적합하다. 다량의 탄소성분을 가지는 절연층의 재료는 그 열전도율이 매우 높기 때문에 IC기판이나 인쇄회로기판으로써 사용하기에 특히 적당하다.
또한 플라즈마 CVD법으로서 평행평판 전극법, 양광주 단부로부터 ±3㎝ 이내에 기판을 설정하는 방법 또는 상기 조성에서 탄소 또는 전극판에 평행의 자장성분을 갖도록 자석을 내장한 전극을 사용한 평행평판 전극법을 사용한 경우에는, 플라즈마에 의한 증착절연층에의 손상이 적으므로 결함이 적은 절연층이 얻어진다.
상기 절연층의 증착을 행할 때의 기판온도를 100∼400℃로 하면 상기 층의 부착강도가 강하고 열안정성이 뛰어나므로 층의 내부응력이 작아진다. 또 플라즈마 CVD법의 직류 전위차(Vb)가 10V 이하의 경우에는 제10도에 나타낸 바와 같이, 후프재를 2조 사용하여 플라즈마 CVD전극을 1조 사용하여 한번에 2면에 절연층을 형성할 수가 있다.
본 발명에 있어서는 금속기판상에 절연층이 형성된 후 또한 연속하여 하지 전극이 증착된다.
상기 하지 전극의 형성은 알루미늄, 니켈, 크롬, 몰리브덴, 은, 금, 동 등의 금속 또는 이들의 합금 또는 인돌-틴-옥사이드(ITO : Indium-tin-oxide), SnO2, CdxSnOy등의 산화물 도전재 등을 타켓으로 사용하는 통상의 스퍼터링법 또는 이들의 다층 또는 상기 금속, 합금 또는 산화물 도전재 등을 전자비임 또는 저항 가열하여 행하는 통상의 증착법에 의하여 일반적으로 두께 200Å∼100㎛ 바람직하게는 400∼10000Å로 형성된다.
상기 스퍼터링법에 의한 하지 전극의 증착은 마스크를 사용하지 않고 하지에 형성되어도 무방하며, 마스크를 사용하여 패턴화하여 형성되어도 무방하다. 이 스퍼터링법에 의한 하지 전극의 증착이 실온 400℃의 기재 온도에서 행해질 때 저항이 적고 부착강도가 강해진다.
상기 하지 전극의 재질로서는 알루미늄, 크롬, 니켈, 몰리브덴, 스테인레스강, 은, 동, 금 등의 금속이나, 인듐-틴-옥사이드, SnO2, CdxSnOy등, 통상 하지 전극으로서 사용되는 것을 들 수 있으며, 특별히 한정되는 것은 아니나, 태양전지용 기판으로서 사용할때는 그 재질이 Al, Ag, TiAg, Cr을 제1층으로 하고, 그 위에 인듐틴옥사이드, SnO2, CdxSnOy등의 산화물도전막 또는 수 10Å 이하의 두께의 금속산화물(TiO2, Nb2O3) 등으로 도포한 것이 반사율이 큰 점으로 보다 바람직하다.
본 발명은 첨부도면에 따라 하기의 양호한 실시예의 수단에 의해 설명되었지만 본 발명의 영역과 정신을 이탈함이 없이 여러 변형과 수정예가 있을 수 있다.
이하 본 발명의 방법을 첨부 도면에 의하여 설명한다.
제1도에 있어서, 공급 체임버(1)에 설치된 공급로울(12)로부터 금속기판(11)이 격벽(40)에 형성된 슬릿(41)을 통하여 플라즈마 체임버(2)에 연속 또는 단속으로 0.01∼100m/분 정도의 속도로 공급된다. 플라즈마 체임버(2)에는 플라즈마 CVD법에 의하여 절연층을 증착시키기 위한 RF전극(21)을 기판 가열히터(22), 도시하지 않았지만 도입수단과 가스 배기수단이 형성되어 있다.
플라즈마 체임버(2)에 공급된 금속기판(11)은 기판 가열히터(22)에 의하여 가열되면서, 격벽(42)에 형성된 슬릿(43)으로 향하여 이동한다. 플라즈마 체임버(2)에는 가스 도입수단으로부터 소정의 조성에 혼합된 가스가 가스압 0.01∼10Torr 정도로 유지되도록 도입되어 있다. 도입된 가스는 RF전극에 의한, 예를 들면 1KHz∼100MHz 정도의 고주파에 의하여 플라즈마화되며, 가열되면서 이동하는 상기의 금속기판(11) 상으로 증착되어 절연층이 형성된다.
절연층을 가지는 금속기판(11)은 슬릿(43)을 통해 스퍼터링 체임버(3)에 공급된다. 상기 스퍼터링 체임버(3) 내에는 타켓 및 애노우드로 구성되는 한쌍의 캐소우드 전극(23)과, 절연기판용 히터(24)와, 가스 도입 수단 및 가스 방출수단(예시하지 않았음)이 설치되어 있다.
스퍼터링 체임버(3)에 공급된 금속기관(11)은 바람직하기는 절연기판용 히터(24)에 의하여 가열되면서, 격벽(44)에 형성된 슬릿(45)을 향하여 이동한다. 상기 스퍼터링 체임버(3)에는 가스 도입수단으로부터 통상 아르곤 가스나 헬륨가스가 가스압 10-4∼1Torr 정도로 유지되도록 도입되어 있다. 도입된 가스는 전극쌍(23)의 애노우드에 의하여 플라즈마화되며, 플라즈마화된 가스는 상기 타켓에 충돌하여 타켓의 원자를 플라즈마화하여 탄발한다. 탄발하여 플라즈마화된 원자는 바람직하기는 가열되면서 이동하는 금속기판(11) 상으로 증착하여 하지 전극이 형성된다.
하지 전극이 형성된 금속기판(11)은 슬릿(45)을 통하여 권취 체임버(4)에 형성되어 있는 권취로울(13)에 권취된다.
제1도에 나타낸 장치에는 필요에 따라서 제6도에 나타낸 바와 같이 세정 체임버(8), 건조 체임버(9) 등을 형성하여 금속기판(11) 표면을 청정하게 하여도 무방하다.
제2도에 나타낸 바와 같이 제1도에 나타낸 장치의 공급 체임버(1)와 플라즈마 체임버(2) 사이에 중간 체임버(5), 플라즈바 체임버(2)와 스퍼터링 체임버(3) 사이에 중간 체임버(6), 스퍼터링 체임버(3)와 권취 체임버(4) 사이에 중간 체임버(7)를 형성하여, 이들 중간 체임버에서 배기와 압력조절을 행하게 하면 인접하는 체임버로부터의 가스의 상호 확산을 방지할 수가 있으므로 고품질의 것이 안정하게 제조될 수 있다. 또한 플라즈마 체임버(2), 스퍼터링 체임버(3), 중간 체임버(5, 6, 7)의 압력은 중간 체임버의 압력이 인접하는 체임버의 압력이 작은 편의 2/3 이하, 바람직하게는 1/2 이하, 더 바람직하게는 1/10 이하의 관계에 있음이 바람직하다.
제2도에 나타낸 장치에는 필요에 따라서 제6도에 나타낸 바와 같은 세정 체임버(8), 건조 체입버(9) 등을 형성하여 금속기판(11) 표면을 청정하게 하여도 무방하다.
제3도에 나타낸 바와 같이, 제2도에 나타낸 장치의 중간 체임버(6)에 마스크(17)를 공급하고, 이 마스크와 금속기판과의 상대위치를 맞추는 마스크 공급수단(16)을, 또 중간 체임버(7)에 마스크 공급수단(16)으로부터 공급된 마스크(17)를 권취하는 마스크 권취수단(18)을 형성하고, 금속기판(11)이 스퍼터링 체임버(3)에 공급될 때 이 금속기판과 상대위치 맞추기를 행한 마스크(17)를 상기와 같이 스퍼터링 체임버(3)에 공급하고, 마스크(17)를 통하여 하지 전극을 형성하면 패턴화 된 하지 전극을 연속적으로 제조할 수가 있다.
제4도에 나타낸 바와 같이, 제2도에 나타낸 장치의 공급 체임버(1)에 금속기판(11)이 형성되어 있는 예를 들면 보호시이트(14)를 권취하는 보호시이트 권취수단(15)이 설치되어 있으면 보호시이트(14)를 갖는 금속기판(11)을 그대로 사용하여 보호시이트를 권취하면서 금속기판을 플라즈마 체임버(2)에 공급할 수가 있으므로 세정 등을 하지 않고 청정한 표면을 갖는 금속기판에 절연막을 형성할 수가 있다. 또한 권취 체임버(4)에 보호시이트(20)를 공급하는 보호시이트 공급수단(19)을 형성하고, 하지 전극이 형성된 금속기판을 보호시이트를 공급하면서 권취하면 하지 전극표면의 보호된 금속기판이 얻어진다.
또한, 제4도에 나타낸 바와 같은 장치에, 제3도에 나타낸 마스크 공급수단(16)과 마스크 권취수단(18)을 설치하고, 하지 전극 형성시에 패턴화하도록한 제5도에 나타낸 바와 같은 장치를 사용할 수도 있다.
그리고 제6도에 나타낸 바와 같이, 금속기판(11)을 플라즈마 체임버(2)에 공급하기 전에 필요에 따라서 세정 체임버(8)에서 통상의 방법에 의하여 세정하고, 건조 체임버(9)에서 예를 들면 적외선 히터나 시더히터(sheathed heater) 등의 건조수단(25)을 사용하여 건조시키거나, 질소, 수소, 아르곤, 헬륨 등의 가스로 플라즈마 처리하여 기판 표면을 청정하게 한 후 플라즈마 체임버(2), 중간 체임버(10) 및 스퍼터링 체임버(3)에 공급하여 절연층과 하지 전극을 형성한 후 권취로울(3)에 권취하여도 된다. 상기 세정 체임버(8)에서의 세정에는 통상의 세정에 가하여 용제 증기세정 등을 행할 수도 있다.
제3도 또는 제5도에 나타낸 장치에서는, 마스크를 사용하여 패턴화한 하지 전극을 형성하였으나 제7도에 나타낸 바와 같이, 금속기판(11)에 절연층, 이어서 하지 전극을 형성한 후 에칭 체임버(33)에 공급하고, 레지스트 도포수단(34)에 의하여 하지 전극 상에 레지스트층을 인쇄형성하거나, 또는 도시하지 않으나 전면 도포된 레지스트층에 포토마스크를 사용하여 노광수단(35)에 의하여 노광하고, 패턴을 형성한 후, 플라즈마 에칭수단(36)에 의하여 에칭하고, 하지 전극에 패턴을 형성하여도 무방하다.
제7도에 나타낸 장치에, 제4도에 나타낸 바와 같은 보호시이트 권취수단(15)과 보호시이트 공급수단을 형성하고 제8도에 나타낸 바와 같은 장치로 하여 사용하여도 무방하다.
한편, 금속기판(11)을 플라즈마 체임버(2), 차등배가하기 위한 중간 체임버(28), 스퍼터링 체임버(3), 차등배기하기 위한 중간 체임버(29, 30)에 순차 공급하고, 절연층과 하지 전극을 형성한 금속기판을 절단 체임버(31)에 공급하고, 예를 들면 프레스, 에칭, 레이저 등의 절단수단(32)을 사용하여 이 금속기판을 소정의 치수로 전단할 수도 있다. 또한 스크랩(scrap)이 생길 때는 유도로울(38)을 사용하든가 하여 스크랩 권취로울(38)에 권취하는 등으로 하면 된다.
만약 RF전극과 금속기판과의 사이의 직류전위차(Vb)가 10V 이하이면, 제10도에 예시한 바와 같이 한번에 2면의 금속기판(11a, 11b)상에 절연층을 형성시킬 수가 있다.
상기 실시예에서 2개의 공급로울(12a, 12b)들이 플라즈마 체임버(2) 상에 설치되고, 플라즈마 방전은 단일히터(22)와 단일 히터를 포함한 RF전극(21a)을 사용하여 행한다.
부가하여, 제10도에는 상기 히터를 포함한 RF전극(21a)과 히터(22)와 상기 기판(11a, 11b) 사이의 기판상에 수평적으로 배열된다. 선택적으로 상기 히터를 포함한 RF전극(21a)과 히터(22)가 90°로 회전된 전체장치를 가지는 기판(11a)과 기판(11b) 사이에 수직으로 배열된다. 절연층이 형성된 금속기판(11a, 11b)은 스퍼터링 체임버(3)에 공급되며 전극상(23a, 23b)과 히터(24a, 24b)를 사용하여 각각의 절연층상에 하지 전극이 형성되며, 권취 체임버(4a, 4b)의 권취로울(13a, 13b)에 권취된다.
상기 실시예에 있어서는 금속기판상에 플라즈마 CVD법에 의하여 절연층을 형성하고, 또한 연속하여 스퍼터링법에 의하여 하지 전극을 형성하는 방법에 대하여 설명하였는데, 절연층을 스퍼터링법에 의하여 형성하여도 좋고, 또 하지 전극을 증착법에 의하여 형성하여도 무방하다.
본 발명에 따르면 금속기판상에 절연층과 하지 전극을 하나의 장치로 연속하여 형성할 수 있다. 따라서 각 공정간의 조작이 불필요하므로 시간, 노력을 저감할 수가 있으며, 고속, 저원가로 목적물을 얻을 수가 있다. 또한 본 발명의 공정은 폐쇄된 시스템이 놓이지 않기 때문에 쓰레기, 먼지 등에 의한 오손이 있지 않으며 수율이 향상된다. 또한 본 발명의 공정은 금속기판의 세정, 하지 전극의 패턴화나 절단까지 일체를 연속화할 수 있다.

Claims (29)

  1. 절연 금속기판의 연속적인 웨브를 제조하기 위한 방법에 있어서, 플라즈마 CVD법이나 또는 스퍼터링법에 의해 금속기판의 연속적인 웨브상에 절연층을 증착하는 단계와, 스퍼터링법이나 증착법에 의해 절연층상에 하지 전극(back electrode)을 증착하는 단계로 구성됨을 특징으로 하는 절연 금속기판의 연속적인 웨브를 제조하기 위한 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 절연층은 Si를 포함하는 비-단결정성물질로 형성됨을 특징으로 하는 절연 금속기판의 연속적인 웨브를 제조하기 위한 방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 절연층은 C, O, N로 구성된 그룹에서 선택된 적어도 하나의 원소를 포함함을 특징으로 하는 절연 금속기판의 연속적인 웨브를 제조하기 위한 방법.
  4. 제2항에 있어서, 상기 절연층은 원자를 기준으로 10% 이상의 탄소 성분을 가짐을 특징으로 하는 절연 금속기판의 연속적인 웨브를 제조하기 위한 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 절연층은 비결정 재료로 형성됨을 특징으로 하는 절연 금속기판의 연속적인 웨브를 제조하기 위한 방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 절연층은 Si : H, Si(1-x)Cx: H(식중 x는 0.1∼0.9임), Si(1-x)Nx: H(식중 x는 상기와 같음), Si(1-x)Ox: H(식중 x는 상기와 같음), Si(1-x-y)CxNy: H(식중 x는 상기와 같으며 y는 0∼0.9이며, x+y 1임) 또는 Si(1-x-y)CxOy: H(식중 x와 y는 상기와 같음)인 것을 특징으로 하는 절연 금속기판의 연속적인 웨브를 제조하기 위한 방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 하지 전극은 알루미늄, 크롬, 니켈, 몰리브덴, 구리, 아연, 은, 주석 그들의 합금, 그들의 산화금속, 티타늄-은 합금, 니크롬, 스테인레스강 또는 인듐틴옥사이드(ITO : Indium-tin-oxide)로 형성된 단층 구조이거나 또는 다층 구조임을 특징으로 하는 절연 금속기판의 연속적인 웨브를 제조하기 위한 방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 금속기판의 상기 연속적인 웨브를 로울상의 후프재료로 형성됨을 특징으로 하는 절연 금속기판의 연속적인 웨브를 제조하기 위한 방법.
  9. 제1항에 있어서, 상기 금속기판은, 철, 알루미늄, 니켈, 구리, 아연, 그들의 합금, 스테인레스강, 놋쇠 또는 표면처리 금속으로 형성됨을 특징으로 하는 절연 금속기판의 연속적인 웨브를 제조하기 위한 방법.
  10. 제1항에 있어서, 상기 금속기판의 표면이 연마됨을 특징으로 하는 절연 금속기판의 연속적인 웨브를 제조하기 위한 방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 기판의 표면 거칠음은 0.002 R 0.5㎛임을 특징으로 하는 절연 금속기판의 연속적인 웨브를 제조하기 위한 방법.
  12. 제10항에 있어서, 상기 기판의 표면 거칠기는 0.002 R 0.2㎛임을 특징으로 하는 절연 금속기판의 연속적인 웨브를 제조하기 위한 방법.
  13. 제1항에 있어서, 상기 플라즈마 CVD법 또는 스퍼터링법은 평행판 전극법, 플라즈마 영역으로부터 ±3㎝ 이내에 기판을 세트하는 방법 또는 전극판에 평행한 전장성분을 갖도록 한 자석을 내장한 전극을 이용한 평행판 전극법에 의한 플라즈마 CVD법 또는 스퍼터링법임을 특징으로 하는 절연 금속기판의 연속적인 웨브를 제조하기 위한 방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 절연층의 증착은 100∼400℃의 기판온도에서 수행됨을 특징으로 하는 절연 금속기판의 연속적인 웨브를 제조하기 위한 방법.
  15. 제1항에 있어서, 상기 하지 전극은 마스크를 사용하여 패턴에 따라 증착됨을 특징으로 하는 절연 금속기판의 연속적인 웨브를 제조하기 위한 방법.
  16. 제15항에 있어서, 상기 하지 전극의 증착은 실내온도로부터 400℃에 걸쳐 있는 기판온도로 수행됨을 특징으로 하는 절연 금속기판의 연속적인 웨브를 제조하기 위한 방법.
  17. 절연 금속기판의 연속적인 웨브를 연속적으로 제조하기 위한 장치에 있어서, 금속기판의 연속적인 웨브를 수용하고 상기 기판을 공급하기 위한 공급 체임버와, 절연층이 플라즈마 CVD법이나 또는 스퍼터링법에 의해 상기 공급 체임버로부터 공급된 금속기판상에 증착되는 플라즈마 체임버와, 하지 전극이 스퍼터링법이나 증착법에 의해 금속기판상에 증착된 절연층상에 형성되는 체임버와, 하지 전극이 형성된 절연기판을 권취하고 수납하는 권취 체임버로 구성되며, 상기 체임버들은 상술한 순서에 따라 배열됨을 특징으로 하는 절연 금속기판의 연속적인 웨브를 연속적으로 제조하기 위한 장치.
  18. 제17항에 있어서, 상기 절연 금속기판은 태양전지용으로 사용됨을 특징으로 하는 절연 금속기판의 연속적인 웨브를 연속적으로 제조하기 위한 장치.
  19. 제17항에 있어서, 상기 절연 금속기판은 인쇄회로기판이나 기판용으로 사용됨을 특징으로 하는 절연 금속기판의 연속적인 웨브를 연속적으로 제조하기 위한 장치.
  20. 제17항에 있어서, 가스를 방출하거나 압력을 조절하기 위한 플라즈마 체임버와 공급 체임버 사이에 제공된 제1중간 체임버와, 가스를 방출하거나 압력을 조절하기 위한 권취 체임버와 하지 전극을 형성하기 위한 체임버 사이에 제공된 제2중간 체임버로 구성됨을 특징으로 하는 절연 금속기판의 연속적인 웨브를 연속적으로 제조하기 위한 장치.
  21. 제17항에 있어서, 상기 제1중간 체임버는 마스크를 공급하고 그 마스크와 절연 금속기판과의 상대위치를 정하는 수단을 가지며, 상기 제2중간 체임버는 마스크를 권취하기 위한 수단을 가져 패턴화된 하지 전극은 하지 전극을 형성하기 위한 체임버에서 마스크를 통해 형성됨을 특징으로 하는 절연 금속기판의 연속적인 웨브를 연속적으로 제조하기 위한 장치.
  22. 제17항에 있어서, 상기 공급 체임버는 보호시이트로써 보호되는 금속기판표면의 연속적인 웨브를 수용하고 공급하기 전에 보호시이트를 제거하는 수단을 가지며, 상기 권취 체임버는 하지 전극의 표면을 보호하기 위하여 절연 금속기판에 보호시이트를 공급하는 수단을 가짐을 특징으로 하는 절연 금속기판의 연속적인 웨브를 연속적으로 제조하기 위한 장치.
  23. 제17항에 있어서, 하지 전극을 형성하기 위한 체임버와 권취 체임버 사이에 제공된 에칭 체임버를 구비하여, 하지 전극이 소정의 패턴으로 에칭됨을 특징으로 하는 절연 금속기판의 연속적인 웨브를 연속적으로 제조하기 위한 장치.
  24. 절연 금속기판의 연속적인 웨브를 제조하기 위한 장치에 있어서, 금속기판의 연속적인 웨브를 수용하고 상기 기판을 공급하기 위한 공급 체임버와, 상기 공급 체임버로부터 공급된 금속기판상에 플라즈마 CVD법이나 스퍼터링법에 의해서 절연층을 증착시키는 플라즈마 체임버와, 스퍼터링법이나 증착법에 의해 금속기판상에 증착된 절연층상에 하지 전극을 형성시키는 체임버와, 상기 하지 전극이 형성된 연속적인 절연 금속기판을 소정의 크기로 절단하는 절단 체임버로 구성되며, 상기 체임버들은 상술한 순서대로 배열됨을 특징으로 하는 절연 금속기판의 연속적인 웨브를 연속적으로 제조하기 위한 장치.
  25. 제24항에 있어서, 상기 절연 금속기판은 태양전지용으로 사용됨을 특징으로 하는 절연 금속기판의 연속적인 웨브를 연속적으로 제조하기 위한 장치.
  26. 제24항에 있어서, 상기 절연 금속기판은 인쇄회로기판이나 또는 IC기판용으로 사용됨을 특징으로 하는 절연 금속기판의 연속적인 웨브를 연속적으로 제조하기 위한 장치.
  27. 전기절연층은 플라즈마 CVD법이나 또는 스퍼터링법에 의해 기판상에 증착되며 원자를 기준으로 10% 이상의 탄소성분을 가지는 비-단결정성 기판을 구비함을 특징으로 하는 전기절연층.
  28. 제27항에 있어서, 상기층의 탄소성분은 원자를 기준으로 30% 이상임을 특징으로 하는 전기절연층.
  29. 제27항에 있어서, 상기층은 50V/㎛ 이상의 유전성 항복 전압을 가짐을 특징으로 하는 전기절연층.
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