KR900007608B1

KR900007608B1 - Image sensor

Info

Publication number: KR900007608B1
Application number: KR1019860011376A
Authority: KR
Inventors: 고우헤이 스즈키; 도시오 나가이; 구니아키 안보; 오사무 시마다
Original assignee: 가부시키가이샤 도시바; 와타리 스기이치로
Priority date: 1985-12-27
Filing date: 1986-12-27
Publication date: 1990-10-17
Also published as: KR870006669A

Abstract

The contact type solid-state amorphous linear image sensor has planar comb-shaped electrodes. Photoelectric converting elements are linearly aligned on a stripe-shaped amorphous silicon layer formed on an insulative substrate. The elements serve as photoconductive cells and are divided into M cell groups. Each cell unit includes N comb- shaped individual cell electrodes and a multi-tooth comb-shaped common electrode, which are spacially meshed or overlapped with each other. A drive voltage detector is connected through a matrix circuit confinguration to the cell electrodes, which are arranged such that two-side-ended cell electrodes surround in each cell unit the both side-ended teeth of the corresp. common electrode.

Description

이미지센서Image sensor

제1도는 본 발명의 제1실시예에 따른 밀착형 이미지센서와 그 주변회로의 배치관계를 나타낸 평면도.1 is a plan view showing an arrangement relationship between a close-type image sensor and a peripheral circuit according to a first embodiment of the present invention.

제2도는제1도에 도시된 밀착형 이미지센서의 부분확대 평면도.2 is a partially enlarged plan view of the close-up image sensor shown in FIG.

제3도는 제2도의 Ⅲ-Ⅲ선 단면도.3 is a cross-sectional view taken along line III-III of FIG.

제4a도-제4g도는 제1도에 도시된 이미지센서 시스템의 주요부분에서 발생되는 신호의 파형도.4A-4G are waveform diagrams of signals generated in the major portion of the image sensor system shown in FIG.

제5도는 본 발명의 제 2실시예에 따른 밀착형 이미지센서와 그 주변회로의 배치관계를 나타낸 평면도이다.5 is a plan view showing an arrangement relationship between a close type image sensor and a peripheral circuit according to a second exemplary embodiment of the present invention.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings

10 : 절연판 12 : 비결정 반도체층(비결정 실리콘층)10: insulating plate 12: amorphous semiconductor layer (amorphous silicon layer)

14, 16 : 빗살형 전극 18 : 스트라이프형 절연층14, 16: comb-shaped electrode 18: stripe insulating layer

20 : 매트릭스회로 22 : 접속구(contact hole)20 matrix circuit 22 contact hole

24, 40 : 구동전압발생회로 26 : 화상신호검출신호24, 40: drive voltage generation circuit 26: image signal detection signal

28 : 전치증폭기 30 : 신호선28: preamplifier 30: signal line

32 : 출력단32: output stage

본 발명은 고체 이미지센서에 관한 것으로, 특히 매트릭스 구동방식에 따라 절환 구동되는 비결정형 반도체 광전변환소자로 된 셀 어레이를 구비하고 있는 밀착형 이미지센서에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a solid state image sensor, and more particularly, to a close type image sensor having a cell array of an amorphous semiconductor photoelectric conversion element which is switched and driven according to a matrix driving method.

팩시밀리나 광학코드판독기(OCR) 및 복사기같은 화상 독출장치에는 해당장치의 크기를 작게 할 수 있다는 이유로 비결정형 반도체 이미지센서가 많이 사용되고 있는데, 그중 특히 독출될 문서의 폭과 실질적으로 같은 길이로 된 일차원의 밀착형 고체이미지센서(contact-type solid-state linear image sensor)가 주목되고 있다.Image readers such as facsimile machines, optical code readers (OCRs), and copiers use a number of amorphous semiconductor image sensors because they can be made smaller, especially one-dimensional with a length substantially equal to the width of the document to be read. The contact-type solid-state linear image sensor of the spotlight is attracting attention.

이러한 이미지센서는 원고의 화상이 도달하기 전에 설치되는 렌즈시스템을 채택하고 있으므로 이해 재생되는 화상의 질을 떨어뜨릴 수 있는 종래의 여러 화상장치보다 많은 잇점을 제공하면서 해당 화상독출장치의 크기를 축소시키는데 크게 기여하고 있다.Since the image sensor adopts a lens system that is installed before the image of the document arrives, it reduces the size of the image reading device while providing many advantages over the conventional image devices that may degrade the quality of the reproduced image. It contributes greatly.

상기한 특징이 있는 밀착형 비결정반도체 이미지센서는 통상 매트릭스형상의 결선회로에 접속되어서 매트릭스 구동방식에 따라 절환 구동된다. 이 경우, 화소로 동작하도록 일차원적으로 배열된 광전변환소자들은 화소군(晝素群)이나 셀 유니트로 분할되어 있으며, 각각의 빗살형 플레이너전극(독자적인 셀전극으로 동작함)은 교차된 열 행신호선으로 이루어진 매트릭스 결선회로를 통해 화상신호검출기에 연결되어 있다. 또한, 각 화소군에는 공통전극으로 동작하는 제2빗살형 플레이너 전극이 설치되는데, 이들은 구동전압 발생기에 연결되어 있다. 따라서 광전변환소자들이 각 화소군별로 하나의 유니트로서 연속적으로 선택되므로 화상신호 검출기에서는 시간적으로 연속되는 영상신호를 얻을 수 있게되어 있다.A close contact type amorphous semiconductor image sensor having the above-mentioned characteristics is usually connected to a matrix-shaped wiring circuit and switched in accordance with the matrix driving method. In this case, the photoelectric conversion elements arranged one-dimensionally to operate as pixels are divided into pixel groups or cell units, and each comb-shaped planar electrode (operating as an independent cell electrode) is crossed rows. It is connected to an image signal detector through a matrix connection circuit consisting of row signal lines. In addition, each pixel group is provided with a second comb-type planar electrode operating as a common electrode, which is connected to a driving voltage generator. Therefore, since the photoelectric conversion elements are continuously selected as one unit for each pixel group, the image signal detector can obtain a video signal that is continuous in time.

위에서 설명한 구조로 된 종래의 이미지센서에 따르면, 플레이너 전극간이나 매트릭스회로의 열 행 신호선간에서 발생되는 표유용량 및 누설저항으로 인해 이웃하는 신호선으로 화소신호전류가 새어나가는 것을 방지할 수 없는 바, 다른 화소신호가 공급될 이웃 신호선에 화소신호전류가 새어나가게 되면 이러한 누설전류는 선택된 광전변환소자에서 독출되는 화상신호에 대해 잡음전류로 작용하게 된다.According to the conventional image sensor having the above-described structure, due to the stray capacitance and leakage resistance generated between the planar electrodes or between the column row signal lines of the matrix circuit, it is impossible to prevent the pixel signal current from leaking to neighboring signal lines. When the pixel signal current leaks to the neighboring signal line to which another pixel signal is supplied, the leakage current acts as a noise current to the image signal read out from the selected photoelectric conversion element.

그 결과 화상신호의 신호대 잡음비(S/N비)가 저하되므로, 재생되어지는 영상신호의 화질이 떨어질 뿐 아니라 화상독출속도도 저하되게 되며, 이런 점은 화상독출장치의 고성능화 및 소형화에 저해요소로 남게된다.As a result, the signal-to-noise ratio (S / N ratio) of the image signal is lowered, so that not only the image quality of the reproduced video signal is lowered but also the image reading speed is lowered. Will remain.

본 발명은 상기한 점을 감안해서 발명된 것으로, 원고에서 고품질의 화상신호를 고속으로 독출해 낼 수 있는 고체 이미지센서를 제공하고자 함에 그 목적이 있다.The present invention has been made in view of the above, and an object thereof is to provide a solid state image sensor capable of reading out a high quality image signal from a document at high speed.

상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명은 광검지셀로 동작하는 다수의 광전변환소자를 구비하여 구성되며, 이 광전변환소자는 다수의 셀군(cell group)으로 분할되도록 기관상에 일차원적으로 배열된다.The present invention for achieving the above object is provided with a plurality of photoelectric conversion elements that operate as a photodetector cell, the photoelectric conversion elements are arranged one-dimensionally on the engine to be divided into a plurality of cell groups (cell group) .

상기 광전변환소자는 기판상에 형성되는 비결정형 반도체층과, 이 비결정형 반도체층상에 형성되어 각각의 광검지셀을 한정하는 제1빗살형 전극 및, 공통전극으로 동작하게끔 대응되는 셀군에 포함되며 상기 제1빗살형 전극과 공간적으로 그물망을 형성하도록 상기 비결정형 반도체층상에 형성되는 제2빗살형 전극을 구비하여 이루어져 있다.The photoelectric conversion element is included in an amorphous semiconductor layer formed on a substrate, a first comb-shaped electrode formed on the amorphous semiconductor layer to define each photodetector cell, and a cell group corresponding to operate as a common electrode. And a second comb-shaped electrode formed on the amorphous semiconductor layer so as to form a mesh with the first comb-type electrode.

한편, 화상신호독출장치는 광감지셀에 접속되어 있으면서 시간적으로 연속되는 화상신호를 만들어 내게끔 상기 광전변환소자들 중에서 셀 유니트를 연속적으로 선택하는데, 이런 화상신호 독출장치는 광전변환소자에 전기적인 구동전압을 인가하기 위한 구동전압 발생회로와, 전기적인 영상신호를 만들어내기 위해 상기 광전변환소자로부터 연속적으로 공급되는 화상신호를 검출해 내는 화상신호검출회로를 포함하고 있다. 여기서 상기 구동전압 발생회로는 서로 맞물려 있는 제1, 제2빗살형 전극중 한 전극에 접속되어 있고, 화상신호 검출신호는 다른 전극에 접속되어 있다. 이러한 구조에서 구동전압 발생회로는 직접 접하는 빗살부를 구비한 빗살형 전극에 접속되어 있으므로 누설전류가 최소화될 수 있다.On the other hand, the image signal reading device continuously selects a cell unit among the photoelectric conversion elements to generate a continuous image signal in time while being connected to the optical sensing cell. The image signal reading device is electrically connected to the photoelectric conversion element. A driving voltage generating circuit for applying a driving voltage and an image signal detecting circuit for detecting an image signal continuously supplied from the photoelectric conversion element to produce an electric image signal. Here, the drive voltage generation circuit is connected to one of the first and second comb-shaped electrodes which are engaged with each other, and the image signal detection signal is connected to the other electrode. In this structure, the driving voltage generation circuit is connected to the comb-shaped electrode having the comb portion directly contacting, so that the leakage current can be minimized.

이하, 예시도면에 의거 본 발명을 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

제1도에는 본 발명의 제1실시예에 따른 일차원 밀착형 이미지센서와 그 주변회로의 배치관계를 나타낸 평면도가 도시되어 있는바, 여기에서 상기 밀착형 이미지센서는 다수의 광전변환소자로 된 화소 어레이(晝素 array)로 이루어져 있고, 각 광전변환소자는 광전도셀(화소)로서 동작하도록 절연기판(10)상에 일차원적으로 배열되어 있다.1 is a plan view showing an arrangement relationship between a one-dimensional contact type image sensor and a peripheral circuit according to a first embodiment of the present invention, wherein the contact type image sensor includes a plurality of pixels including photoelectric conversion elements. Each photoelectric conversion element is arranged one-dimensionally on the insulating substrate 10 so as to operate as a photoconductive cell (pixel).

여기에서 기판(10)의 제1표면영역에는 이미지센서에 있어 전기변환층으로 동작하는 스트라이프형상의 비결정반도체층(12; 비결정실리콘층)이 형성되어 있고, 이 비결정실리콘층(12)상에는 각각 N개의 셀(D1, D2,···, Dn)로 구성되어 M개의 셀군(cell group 또는 cell unit)으로 분할되는 방식으로 광전도셀들이 형성되어 있다. 여기에서 예컨대 M은 54, N은 32(총합 1728셀)로 설정되는데, 이는 A4규격의 원고에 대해 8화소/mm의 해상도를 얻기 위해서이다.In the first surface region of the substrate 10, a stripe-shaped amorphous semiconductor layer 12 (amorphous silicon layer), which acts as an electrical conversion layer in the image sensor, is formed, and on each of the amorphous silicon layer 12, N is formed. The photoconductive cells are formed in such a manner that the cells are composed of the D cells D1, D2, Dn, and are divided into M cell groups or cell units. Here, for example, M is set to 54 and N is set to 32 (total 1728 cells) in order to obtain a resolution of 8 pixels / mm for an A4 standard document.

상기한 비결정 실리콘층(12)상에는 플레이너형 금속셀 전극(14-1,14-2,···,16-1,16-2,···)이 또한 형성되어 있는 바, 구체적으로는 3개의 빗살부와 줄기부(stem portion ; LCi)를 구비하여서 된 MXN개의 빗살형 전극(14-1,14-2,···)이 셀[D1, D2,···, D(MXN)]을 규정하게끔 비결정실리콘층(12)상에 선형적으로 위치하고 있으며, 이들 전극(14-1,14-2,···)은 독립적인 셀전극으로서 동작하게 된다.On the amorphous silicon layer 12, planar metal cell electrodes 14-1, 14-2, ..., 16-1, 16-2, ... are also formed, specifically, 3 MXN comb-shaped electrodes 14-1, 14-2, each having a comb portion and a stem portion LCi are cells [D1, D2, ..., D (MXN)] Located linearly on the amorphous silicon layer 12 so as to define these electrodes, these electrodes 14-1, 14-2, ... act as independent cell electrodes.

한편, 다수의 빗살부를 구비하고 있는 M개의 빗살형 전극(16-1, 16-2,···)은 상기 N개의 빗살형전극(14-1,14-2,···)과 공간적으로 그물망을 형성하도록(즉, 교호되도록) 비결정 반도체층(12)상에 설치되는데, 이들은 각 셀 유니트(Ui ; i=1,2,···,m)내에 포함되게 된다. 이러한 구조의 빗살형 전극(16-1, 16-2,···)은 각 셀 유니트(Ui)내에 포함되는 N개의 셀(D1, D2,···,Dn)에 대해 공통으로 동작하게 된다. 이상과 같은 플레이너인 전극패턴은 종전의 사진평판기술에 따라 용이하게 제조될 수 있다.On the other hand, the M comb-shaped electrodes 16-1, 16-2, ..., having a plurality of comb-shaped portions, are spatially spaced from the N comb-shaped electrodes 14-1, 14-2, ... It is provided on the amorphous semiconductor layer 12 so as to form a mesh (ie, alternately), which are included in each cell unit (Ui; i = 1, 2, ..., m). The comb-shaped electrodes 16-1, 16-2, ... of this structure operate in common for the N cells D1, D2, ..., Dn included in each cell unit Ui. . The planar electrode pattern as described above can be easily manufactured according to the conventional photo-plate technology.

상기한 구조에서 각 셀 유니트(Ui,U2,···,Um)에 설치되는 빗살형 전극(14-1,14-2,···)에 연장된 구조의 줄기부(LCi ; i=1,2,...,n)는 그 순서별로 길이가 같게 되어있는 바, 이는 MXN개의 매트릭스회로 체제에 적합하게 되어있다.In the above structure, the stem portion LCi having a structure extending to the comb-shaped electrodes 14-1, 14-2, ... installed in each of the cell units Ui, U2, ..., Um; , 2, ..., n) are equal in length in that order, which is suitable for the MXN matrix circuit system.

한편, 기판(10)의 제2표면에는 스트라이프형 필연층(18)이 설치되어 있다. 또한, 기판(10)과 절연층(18)간에는 N개의 병렬신호선(LR1,···, LRn)이 설치되는데, 이들은 매트릭스회로(20)에서 행 신호선(row signal line)으로 동작하게 된다. 그리고 상기 행신호선(LR1,···, LRn)과 전기적으로 교차되는 식으로 각 셀 전극(14-1,14-2,···)의 줄기부(LC1, LC2,···, LCn) 가 스트라이프형 전극(18) 상에 설치되어 있다.On the other hand, a stripe inevitable layer 18 is provided on the second surface of the substrate 10. In addition, N parallel signal lines (LR1, ..., LRn) are provided between the substrate 10 and the insulating layer 18, and these are operated as row signal lines in the matrix circuit 20. And the stem portions LC1, LC2, ..., LCn of the cell electrodes 14-1, 14-2, ... in such a manner that they electrically cross the row signal lines LR1, ..., LRn. Is provided on the stripe electrode 18.

이상의 구조로 된 매트릭스회로(20)에서 각기 다른 셀 유니트(U1,U2,···,Um)내에 포함된 빗살형 셀 전극(14-1,14-2,···)의 MXN개 줄기부(LCi)는 절연층(18)내에 형성된 접속구(22)를 통해 대응되는 행 신호선(LRi)에 전기적으로 접속된다. 여기에서 각 셀 전극(14-1, 14-2,···)의 줄기부(LC1,LC2,···,LCn)는 매트릭스회로(20)에서 열신호선(columm signal line) 으로 동작한다.In the matrix circuit 20 having the above structure, the MXN stem portions of the comb-shaped cell electrodes 14-1, 14-2, ... included in the different cell units U1, U2, ..., Um. The LCi is electrically connected to the corresponding row signal line LRi through a connector 22 formed in the insulating layer 18. Here, the stem portions LC1, LC2, ..., LCn of each of the cell electrodes 14-1, 14-2, ... operate as column signal lines in the matrix circuit 20. As shown in FIG.

한편, 구동전압 발생회로(24)는 각 셀 전극(14-1,14-2,···)에 연결되는 행 신호선(LR1,···,LRn)에 접속되어 있는데, 이 회로(24)는 셀 유니트(Ui ; i=1,2,···,m)내에 포함된 각 셀 전극(14-1, 14-2,···)을 연속적으로 구동시키기 위해 필요한 전기적인 구동전압신호를 발생시키는 것이다. 그리고 제1도에서 참조부호26으로 표시되어 있는 화상신호 검출신호는 빗살형 공통전극(16-1,···,16-m)의 각각에 직접 접속되어 있으며, 이는 셀로부터 독출된 화상신호를 증폭하는 전치증폭기(28)를 포함하고 있다. 상기 전치증폭기(28)는 M개의 아날로그스위치(S1,S2,···,Sm)를 통해 각 셀 유니트(U1,U2,···,Um)의 공통전극(16-1,16-2,···,16-m)에 접속되어 있는데, 여기에서 아날로그스위치(S1,S2,···,Sm)는 그 제1단자가 전치증폭기(28)의 신호선(30)에 접속되며 그 제2단자는 공통전극(16-1,···,16-m)에는 물론 저항(R1,R2,···,Rm)을 통해 접지측에 연결되어 있다. 상기 저항(R1, R2,··, Rm)은 비전도 아날로그스위치에 접속된 비선택 공통전극의 전기적 포텐셜을 고정시키기 위한 풀-다운 저항으로 동작한다. 한편, 전치증폭기(28)의 일단에는 부하저항(RL)이 설치되어 있고, 그 타단은 출력단(32)으로 되어 있다.On the other hand, the drive voltage generation circuit 24 is connected to the row signal lines LR1, ..., LRn connected to the respective cell electrodes 14-1, 14-2, ..., and this circuit 24 Is an electrical driving voltage signal necessary for continuously driving each of the cell electrodes 14-1, 14-2, ... contained in the cell unit Ui (i = 1, 2, ..., m). To generate. The image signal detection signal, denoted by reference numeral 26 in FIG. 1, is directly connected to each of the comb-shaped common electrodes 16-1, ..., 16-m. A preamplifier 28 for amplifying is included. The preamplifier 28 is connected to the common electrodes 16-1, 16-2, of each cell unit U1, U2, ..., Um through M analog switches S1, S2, ..., Sm. 16-m), wherein analog switches S1, S2, Sm have a first terminal connected to a signal line 30 of the preamplifier 28 The terminal is connected to the ground side through the resistors R1, R2, ..., Rm as well as the common electrodes 16-1, ..., 16-m. The resistors R1, R2, ..., Rm act as pull-down resistors for fixing the electrical potential of the unselected common electrode connected to the nonconductive analog switch. On the other hand, one end of the preamplifier 28 is provided with a load resistor RL, and the other end thereof is the output end 32.

이상과 같은 구조에서, 구동전압 발생회로(24)에 접속된 빗살형 셀 전극은 대응되는 빗살형 공통전극과 공간적으로 그물망을 형성한다는 것에 주의해 보자. 예컨대 서로 인접하는 두개의 셀 유니트(U1,U2)에 각각 속해 있는 각 빗살형 전극(14-n,14-1')은 서로 인접해 있으면서, 또한 서로 직접 마주보는 측단부(側端部)의 빗살(14a,14b)을 갖추고 있다. 다시말하여 셀 전극은 대응되는 공통전극을 둘러싸게끔 배치되어있다. 이러한 플레이너형 전극패턴에 있어서 두개의 인접 빗살(14a,14b)은 공통전극(16-1,16-2)의 측단빗살간에 설치되어 있으므로 인접하는 공통전극간에 생길 수 있는 누설전류를 방지하게 된다.Note that in the above structure, the comb-shaped cell electrode connected to the driving voltage generation circuit 24 forms a mesh with the corresponding comb-shaped common electrode spatially. For example, the comb-shaped electrodes 14-n and 14-1 ′ respectively belonging to the two cell units U1 and U2 adjacent to each other are adjacent to each other and have a side end portion directly facing each other. The comb teeth 14a and 14b are provided. In other words, the cell electrode is arranged to surround the corresponding common electrode. In the planar electrode pattern, two adjacent comb teeth 14a and 14b are disposed between the side comb teeth of the common electrodes 16-1 and 16-2, thereby preventing leakage currents between adjacent common electrodes.

제2도는 상기한 구조중 빗살형 전극부의 부분확대 평면도로서, 각기 다른 셀 유니트(U1,U2)중 인접 셀 전극(14-n, 14-1')에 각각 포함되어 서로 직접 마주보고 있는 측단빗살(14a,14b)은 제1공통전극(16-1)과 제2공통전극(16-2)의 각 측단빗살(16a)과 빗살(16b)간에 설치되어 있다. 따라서 구동전압 발생회로(24)에 접속된 빗살(14a,14b)간에는 공통전극(16-1,16-2)의 빗살이 위치하지 않게 되는바, 즉 다시 말하여 화상신호검출기(26)에 접속된 각 공통전극(16-1,16-2)의 종단 빗살은 셀 전극(14-n,14-1')의 빗살에 의해 둘러싸여 설치된다.FIG. 2 is a partially enlarged plan view of the comb-shaped electrode part of the structure described above, which is included in adjacent cell electrodes 14-n and 14-1 'of different cell units U1 and U2, respectively, and directly facing each other. 14a and 14b are provided between the side comb 16a and the comb 16b of the first common electrode 16-1 and the second common electrode 16-2. Therefore, the comb teeth of the common electrodes 16-1 and 16-2 are not positioned between the comb teeth 14a and 14b connected to the driving voltage generating circuit 24. In other words, the comb teeth are connected to the image signal detector 26. The terminal comb teeth of the common electrodes 16-1 and 16-2 are surrounded by the comb teeth of the cell electrodes 14-n and 14-1 '.

상기한 빗살(14a,14b,16a,16b)의 플레이너형 배치상태는 다음의 조건을 만족시키는 것이 바람직하다. 즉, Lc/Wc＞＞Le/We(여기에서 Lc는 이웃하는 공통전극간의 수평거리, Wc는 셀 빗살(14a나 14b)의 상단과 공통전극(16-1이나 16-2)의 상단간 수직거리, Le는 셀 전극과 공통전극간에 정해지는 공간의 폭, We는 셀 전극의 3개 빗살과 이에 대응되는 공통전극의 빗살간 내부통로의 전체길이를 나타낸다.)를 만족시키는 것이 바람직하다.The planar arrangement of the comb teeth 14a, 14b, 16a, and 16b described above preferably satisfies the following conditions. That is, Lc / Wc > Le / We (where Lc is the horizontal distance between neighboring common electrodes, Wc is vertical between the top of the cell comb 14a or 14b and the top of the common electrode 16-1 or 16-2). The distance, Le, is the width of the space defined between the cell electrode and the common electrode, and We represents the total length of the internal passage between the three comb teeth of the cell electrode and the corresponding comb teeth of the common electrode.

제3도는 제2도의 III-1II선 단면도로서, 스트라이프형 비결정 반도체층(12)과 행 신호선(LR1,···,LRn)은 절연기판(10)상에 형성되고 스트라이프형 절연층(18)은 상기 행 신호선(LRi)을 덮개끔 절연기판(10)상에 연장되어 있으면서 접속구(22)를 통해 행 신호선(LRi)에 접속되는 줄기부가 이어져 있다.FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line III-1II of FIG. 2, wherein the stripe amorphous semiconductor layer 12 and the row signal lines LR1 ... LRn are formed on the insulating substrate 10 and the stripe insulating layer 18 The stem portion is connected to the row signal line LRi through the connector 22 while extending the row signal line LRi on the insulating substrate 10.

이하, 밀착형 이미지센서의 동작모우드에 관해 상술하면 다음과 같다.Hereinafter, the operation mode of the close-type image sensor will be described in detail.

본 발명이 팩시밀리에 적용된 경우, 이미지센서는 원고의 각 행에 나타나는 화상을 연속적으로 감지하기 위해 원고에 대해 열방향으로 움직이게 된다. 이러한 동작기간중 각 셀 유니트(Ui ; i=1,2,···,m)의 광전도 셀들은 구동전압 발생회로(24)로부터 구동펄스전압을 인가받게 되고, 이런 광전도 셀에 의해 화상신호가 독출될 때 제4 a도-제4c도에 도시된 것처럼 1행 독출기간인 T동안 아날로그스위치(S1,S2,···,Sm)가 연속적으로 도통상태가 된다. 여기에서 상기 1행독출기간(T)은 제1도에 도시된 MXN개의 셀(광전도 셀의 어레이)에 대해 신호독출동작을 완료하기까지 필요한 기간을 나타낸다. 한편, 예컨대 하나의 셀 유니트(U1)를 선택하기 위해 일정한 시간동안 스위치(S1)가 도통상태로 될 때 나머지 스위치(S2,···,Sm)들은 비도통상태로 되므로 다른 셀 유니트(U2,···,Um)들은 선택되지 않는다. 이런식으로 아날로그스위치(S1-Sm)의 연속적인 스위치동작에 의해 셀 유니트들이 연속적으로 선택된다.When the present invention is applied to a facsimile, the image sensor is moved in the column direction with respect to the original to continuously detect the image appearing in each row of the original. During the operation period, the photoconductive cells of each cell unit Ui (i = 1, 2, ..., m) receive a driving pulse voltage from the driving voltage generation circuit 24, and the image is imaged by the photoconductive cell. When the signal is read out, the analog switches S1, S2, ..., Sm are continuously in a conducting state during T, which is a row read period, as shown in Figs. 4A to 4C. Here, the one-row readout period T represents a period required to complete the signal readout operation for the MXN cells (array of photoconductive cells) shown in FIG. On the other hand, for example, when the switch S1 is in the conductive state for a predetermined time to select one cell unit U1, the other switches S2, ..., Sm become non-conductive, so that the other cell unit U2, Um) are not selected. In this way, the cell units are continuously selected by the continuous switch operation of the analog switches S1-Sm.

예컨대 스의치(S1)가 전도상태로 되어 공통전극(16-1)을 전치증폭기(28)측으로 연결시키는 동안 구동전압 발생회로(24)로부터 연속적으로 공급되는 구동펄스(P1,P2,...,Pn)는 매트릭스회로(20)를 통해 N개의 각 셀 전극(14-1,14-2,···,14-n)에 공급된다(제4d도-제4f도). 이때의 구동펄스는 스위치(S1)의 ON기간에 동기되어 공급된다.For example, the drive pulses P1, P2, ... which are continuously supplied from the drive voltage generation circuit 24 while the squelch S1 is in a conductive state and the common electrode 16-1 is connected to the preamplifier 28 side. And Pn are supplied to each of the N cell electrodes 14-1, 14-2, ..., 14-n through the matrix circuit 20 (Figs. 4D to 4F). The driving pulse at this time is supplied in synchronization with the ON period of the switch S1.

따라서 선택되어진 셀 유니트(U1)의 광전도 셀(D1, D2,···,Dn)은 연속적인 구동펄스(P1,···,Pn)의 인가에 따라 화소전류신호를 발생시키게 되고, 이 화소전류신호는 연속적으로 공통 신호선(30)과 부하저항(RL)에 공급된다. 전치증폭기(28)는 상기 부하저항(RL)에 나타나는 전압변화를 검출해서 증폭하여 셀 유니트로부터 한 컬럼의 화상출력을 표시하는 화상신호를 직렬로 만들어 낸다.Accordingly, the photoconductive cells D1, D2, ..., Dn of the selected cell unit U1 generate a pixel current signal in response to the application of the continuous driving pulses P1, ..., Pn. The pixel current signal is continuously supplied to the common signal line 30 and the load resistor RL. The preamplifier 28 detects and amplifies the voltage change appearing in the load resistor RL to produce an image signal in series indicating the image output of one column from the cell unit.

이상과 같은 신호독출동작은 동일한 방법으로 각 셀 유니트(U2,···,Um)마다 되풀이 되어, 입력된 원고의 전체 1행에 관한 화상신호(VOUT)를 출력단(32)에서 얻게 되며, 그 파형은 제4g도와 같다. 이후에는 다음 행에 대한 화상독출동작이 동일하게 실시된다.The signal reading operation as described above is repeated for each cell unit (U2, ..., Um) in the same manner to obtain the image signal VOUT for the entire one row of the input document from the output terminal 32. The waveform is shown in FIG. 4G. Thereafter, the image reading operation for the next row is performed in the same manner.

상술한 일차원 밀착형 이미지센서에 있어서, 매트릭스회로(20)를 통해 구동전압 발생회로(24)에 접속된 빗살형 전극(즉, 상기 실시예의 셀 전극(14))은 다음의 방식대로 설치된다.In the one-dimensional close-type image sensor described above, the comb-tooth type electrode (that is, the cell electrode 14 of the above embodiment) connected to the drive voltage generation circuit 24 through the matrix circuit 20 is provided in the following manner.

각 셀 유니트에 있어서 빗살형 전극은 대응되는 전극(즉, 상기 실시예의 공통전극 (16))의 양 측단에 위치하는 빗살을 둘러싸게 되는 바, 즉 공통전극(16)의 양 측단의 두 빗살이 셀 전극(14)의 측단빗살로 둘러싸이게 된다.In each cell unit, the comb-shaped electrode surrounds combs positioned at both side ends of the corresponding electrode (ie, the common electrode 16 of the above embodiment), that is, two comb teeth at both side ends of the common electrode 16. The cell electrodes 14 are surrounded by side combs.

이러한 배치에 기인하여 각 셀 전극의 빗살(14a,14b와 같은)은 인접하는 유니트의 각 공통전극의 양 측단빗살(16a,16b)의 사이에 설치되게 된다. 따라서 인접하는 셀 유니트의 각 공통전극의 측단빗살이 서로 근접하게 되는 것이 방지되고, 이런 공통전극의 양 측단사이에 설치되는 셀 전극의 빗살은 인접하는 셀 유니트에 대해 차폐전극(shielding electrode)으로 동작하게 되므로 두 셀유니트간의 표유용량과 누설저항이 최소화될 수 있다.Due to this arrangement, the comb teeth (such as 14a and 14b) of each cell electrode are provided between both side comb teeth 16a and 16b of each common electrode of the adjacent unit. Therefore, the side comb teeth of each common electrode of adjacent cell units are prevented from coming close to each other, and the comb teeth of the cell electrodes provided between both side ends of the common electrode operate as shielding electrodes for the adjacent cell units. Therefore, the stray capacitance and leakage resistance between the two cell units can be minimized.

따라서 누설전류를 효과적으로 방지할 수 있게 된다. 이로써 화상신호 연속돌출기간동안 선택된 셀 유니트로부터 화소전류가 연속적으로 독출될떼, 이들 전류신호가 가까이 인접하는 비선택 셀 유니트의 공통전극으로 누설되는 것이 방지된다. 따라서 독출되는 화상신호의 신호대잡음비(S/N비)를 현저하게 향상시킬 수 있으며, 신호가 독출되는 속도도 높힐 수가 있다.Therefore, leakage current can be effectively prevented. This prevents leakage of these current signals to the common electrodes of adjacent non-selected cell units while the pixel currents are continuously read out from the selected cell unit during the image signal continuous projection period. Therefore, the signal-to-noise ratio (S / N ratio) of the image signal to be read out can be remarkably improved, and the speed at which the signal is read out can also be increased.

본 발명자는 제1도-제3도에 도시된 구조의 이미지센서를 제작하여 각 부분별 표유용량을 측정해 보았는데, 그 결과 공통전극(16)의 표유용량은 2-3pF로 상당히 낮았고, 행 및 열 신호선(즉, 매트릭스회로)의 표유용량은 40-100pF로 높은 범위에 있음을 확인할 수 있었다. 이는 1화소당 신호를 독출함에 있어서의 시정수가 부하저항(RL)이 일정한 경우 1/13-1/50 정도로 작다는 것을 뜻한다. 따라서 전술했던 것처럼 독출속도가 빨라지게 됨을 알 수 있었다.The inventors fabricated an image sensor having the structure shown in FIGS. 1 to 3 to measure the stray capacitance of each part. As a result, the stray capacitance of the common electrode 16 was considerably low, 2-3 pF. The stray capacitance of the column signal line (ie, matrix circuit) was found to be in the high range of 40-100 pF. This means that the time constant in reading a signal per pixel is as small as 1 / 13-1 / 50 when the load resistance RL is constant. Therefore, as mentioned above, it was found that the reading speed was increased.

상기한 것처럼 빗살형 전극과 그 주변회로가 배치된 경우에는 광전도셀의 광전도물질로 비결정 실리콘을 사용하여 이미지센서의 생산비를 향상시킬 수 있다. 왜냐하면 각 셀 전극(14)은 매트릭스 결선회로(20)를 통해 구동전압 발생회로(24)에 연결되므로 독출신호가 매트릭스 결선회로(20)에 전혀 흘러들지 않기 때문이다. 일반적으로 비결정 실리콘 이미지센서의 광전변환소자 저항치는 광선이 비추는 조건에서 50메가Ω 을 초과하고 암흑상태에서는 1기가 Ω을 초과한다. 따라서 셀 유니트의 공통전극으로 구동 펄스전압이 직접 인가되고 독출신호 전류가 매트릭스 결선부를 통해 화상신호검출기로 흐르는 종래의 이미지센서에서는 광전변환소자의 저항이 취하는 더 큰 저항치에 따라 매트릭스 결선회로는 인접층간의 큰 누설저항을 갖게 된다. 이에 따라 종래의 기술로 이미지센서를 제작하면 생산율이 저하된다. 그러나 본 발명에 따르면 상술한 것 처럼 독출신호전류가 매트릭스 결선회로(20)로 흐르지 않으므로 누설저항이 10킬로Ω대로 떨어질 수 있다. 게다가 단일층 패턴으로 이루어져 셀로부터 독출신호전류를 공급받는 공통 신호선(30)은 충분히 큰 저항치로 되어 있으므로 비선택 셀로부터 누설되는 전류의 양은 매우 적다.As described above, when the comb electrode and the peripheral circuit are disposed, the production cost of the image sensor may be improved by using amorphous silicon as the photoconductive material of the photoconductive cell. This is because each cell electrode 14 is connected to the driving voltage generation circuit 24 through the matrix connection circuit 20 so that no read signal flows into the matrix connection circuit 20 at all. In general, the resistance of the photoelectric conversion element of the amorphous silicon image sensor exceeds 50 megohms in the light shining condition, 1 gigaohms in the dark state. Therefore, in the conventional image sensor in which the driving pulse voltage is directly applied to the common electrode of the cell unit and the read signal current flows through the matrix connection part to the image signal detector, the matrix connection circuit is adjacent to the larger resistance value of the resistance of the photoelectric conversion element. It has a large leakage resistance between layers. Accordingly, if the image sensor is manufactured by the conventional technology, the production rate is lowered. However, according to the present invention, since the readout signal current does not flow to the matrix connection circuit 20 as described above, the leakage resistance may drop to 10 kiloΩ. In addition, since the common signal line 30, which is composed of a single layer pattern and receives the read signal current from the cell, has a sufficiently large resistance value, the amount of current leaking from the unselected cell is very small.

따라서 재생되는 화상의 신호대 잡음비를 더욱 향상시킬 수 있다.Therefore, the signal-to-noise ratio of the reproduced image can be further improved.

제5도는 본 발명의 제2실시예에 따른 밀착형 이미지센서의 배치관계를 나타낸 평면도로서, 제1도-제3도에 도시된 부분과 동일한 곳에는 같은 부호를 기재하였다. 이런 제2실시예의 이미지센서는 구동전압 발생회로(40)가 셀 전극(4)이 아닌 공통전극(42)으로서 동작하는 빗살형 전극에 연결되 있다는 점에서 이전의 제1실시예와 다른 바, 여기에서 상기 공통전극(42)은 그 측단 빗살(42a,42b 또는 42c,42d)이 셀 전극(14-1,14-n 또는 14-1',14-n')을 둘러싸도록 비결정 반도체층(12)상에 형성되어 있다.FIG. 5 is a plan view showing an arrangement relationship of the close-type image sensor according to the second embodiment of the present invention, and the same reference numerals are used for the same parts as those shown in FIGS. The image sensor of the second embodiment is different from the first embodiment in that the driving voltage generating circuit 40 is connected to the comb-shaped electrode operating as the common electrode 42 instead of the cell electrode 4. The common electrode 42 may include an amorphous semiconductor layer so that the side comb teeth 42a, 42b or 42c, 42d surround the cell electrodes 14-1, 14-n or 14-1 ', 14-n'. 12) is formed on.

또한 이 비결정 반도체층(12)상에는 다수의 셀 유니트가 설치되는데, 각 셀 유니트(Ui ; i=1,2,···,m)는 3개의 빗살을 갖추고 있으면서 셀 전극으로 동작하는 N개의 빗살 플레이너전극(14-l,14-2,···,14-n)과 공통전극(42-i ; i=1,2,···, m)을 포함하고 있으므로 MXN개의 광전도 셀의 어레이가 구성되고 있다. 한편 상기 각 셀 전극(14-1,14-2,···,14-n)의 줄기부는 제1실시예와 마찬가지로 매트릭스회로(20)의 행 신호선(LR1, LR2, …, LRn)에 접속되어 있다. 여기에서 행 신호선(LRi ; i=1,2,···,n)은 도시되지 않은 부하저항과 전치증폭기를 갖춘 화상신호 검출회로(26)에 직접 접속되어 있는 바, 이러한 구성관계에서 어느 한 전극군의 측단 빗살은 대응되는 다른 전극군의 측단 빗살을 감싸면서 구동전압 발생회로(40)에 접속된다는 점에 주목해야 된다.In addition, a plurality of cell units are provided on the amorphous semiconductor layer 12. Each cell unit (Ui; i = 1, 2, ..., m) has three comb teeth and N comb teeth acting as cell electrodes. Planar electrodes 14-l, 14-2, 14-n and common electrodes 42-i (i = 1, 2, ..., m). The array is constructed. On the other hand, the stem portion of each of the cell electrodes 14-1, 14-2, ..., 14-n is connected to the row signal lines LR1, LR2, ..., LRn of the matrix circuit 20 similarly to the first embodiment. It is. Here, the row signal line LRi (i = 1, 2, ..., n) is directly connected to an image signal detection circuit 26 having a load resistor and a preamplifier, which are not shown. It should be noted that the side comb teeth of the electrode group are connected to the driving voltage generation circuit 40 while wrapping the side comb teeth of the corresponding other electrode groups.

이상과 같은 제2실시예에 있어서 광전도 셀 어레이로부터 화소신호전류를 독출해 낼 경우, 구동전압 발생회로(40)는 구동펄스전압을 발생시켜서 연속적으로 공통전극(42-i; i=2,···,m)에 인가한다. 예컨대 제1셀 유니트(U1) 선택되면 화소신호전류는 셀 전극(14-1,14-2,…,14-n)으로부터 독출되어서 매트릭스회로(20)를 통해 화상신호 검출회로(26)로 공급된다. 따라서 1컬럼분의 화상신호(Vout)가 출력단(32)에서 얻어진다. 이때 선택되지 않은 이웃 셀 유니트(U2)로부터의 신호전류가 선택된 상기 셀 유니트(U1)로 누설되는 것이 방지되는 바, 이는 셀 전극(14-1,14-n)의 양 측단 빗살이 공통전극(42-1)의 양측단 빗살(42a,42b)에 의해 둘러싸여서 인접하는 셀 유니트(U1,U2)에 속하는 셀 전극(14-n,14-1')이 상기 공통전극의 빗살(42b,42c)에 의해 전기적으로 차폐되기 때문이다.In the second embodiment as described above, when the pixel signal current is read out from the photoconductive cell array, the driving voltage generation circuit 40 generates a driving pulse voltage to continuously generate the common electrodes 42-i (i = 2, Apply to m). For example, when the first cell unit U1 is selected, the pixel signal current is read from the cell electrodes 14-1, 14-2,..., 14-n and supplied to the image signal detection circuit 26 through the matrix circuit 20. do. Thus, one column of image signal Vout is obtained at the output terminal 32. At this time, the signal current from the unselected neighboring cell unit U2 is prevented from leaking to the selected cell unit U1, which means that the comb teeth of both side ends of the cell electrodes 14-1 and 14-n are connected to the common electrode. The cell electrodes 14-n, 14-1 'belonging to the adjacent cell units U1, U2 surrounded by the comb teeth 42a, 42b on both sides of 42-1 are comb teeth 42b, 42c of the common electrode. This is because it is electrically shielded by).

이상에서와 같이 제2실시예도 제1실시예처럼 누설전류를 효과적으로 제거할 수 있으므로 재생되는 화상신호의 질을 향상시킬 수 있다.As described above, the second embodiment can also effectively remove the leakage current as in the first embodiment, so that the quality of the reproduced image signal can be improved.

본 발명에 관해서는 전술한 제1,제2실시예를 예로 들어 설명했지만, 본 발명은 상기 실시예에만 한정되지 않고, 그 기술적 요지를 벗어나지 않는 범위에서 여러가지로 구현될 수 있다. 예컨대, 제1도에서 아날로그 스위치(Si ; i=1, 2, …, m)와 이에 대응되는 공통전극(16-i ; i=1,2,···,m)의 접속부분은 풀-다운저항(Ri ; i=1, 2, …, m)을 통해 접지되어 있는데, 이러한 구조에서는 어떤 아날로그 스위치가 비전도상태일 때 대응되는 공통전극(비선택 공통전극)이 저항을 통해 접지되게 된다. 그러나 이러한 구조는 다음과 같이 변현될 수 있는바, 즉 신호독출기간동안 비선택 공통전극이 직접 접지되도록 변형될 수 있다.The present invention has been described with reference to the above-described first and second embodiments, but the present invention is not limited to the above embodiments and can be implemented in various ways without departing from the technical gist of the present invention. For example, in FIG. 1, the connection portion of the analog switch Si (i = 1, 2, ..., m) and the corresponding common electrode 16-i (i = 1, 2, ..., m) is full- Grounded via a down resistor (Ri; i = 1, 2,…, m), in which the corresponding common electrode (unselected common electrode) is grounded through the resistor when an analog switch is in a non-conductive state. . However, this structure can be modified as follows, i.e., it can be modified so that the unselected common electrode is directly grounded during the signal reading period.

이런 경우에는 풀다운저항없이, 제1접점이 공통신호선(30)에 접속되고 제2접점이 접지점에 접속되는 구조의 2접점스위치가 상기한 아날로그스위치 대신 사용되게 된다.In this case, a two-contact switch having a structure in which the first contact point is connected to the common signal line 30 and the second contact point is connected to the ground point without a pull-down resistor is used instead of the analog switch.

한편, 상기 실시예에서는 광전변환소자가 광전도용 소자만으로 구성되어 있지만, 본 발명의 이미지센서는 이에 한정되지 않고 광전도용 소자와 절연용 다이오드가 직렬로 연결된 구조의 셀 어레이가 될 수도 있고, 또한 포트다이오드(광기전소자)와 절연용 다이오드가 직렬로 연결된 광전변환소자의 어레이가 될 수도 있다.On the other hand, in the above embodiment, the photoelectric conversion element is composed of only the photoconductive element, but the image sensor of the present invention is not limited thereto, and may be a cell array having a structure in which the photoconductive element and the insulating diode are connected in series, and also the port. The diode (photovoltaic element) and the insulation diode may be an array of photoelectric conversion elements connected in series.

더우기, 기판은 그 반대편에서 신호를 독출할 수 있도록 투명하게 형성될 수도 있다. 요약하자면, 본 발명은 이미지센서가 매트릭스 구동형인 모든 경우에 적용될 수 있다. 한편, 상기 실시예에서 행 및 열 신호선은 각기 다른 층으로 구성되어 있지만, 이들 신호선의 교차부분만이 겹쳐지도록 구성될 수도 있다.Moreover, the substrate may be formed transparent so that the signal can be read from the opposite side. In summary, the present invention can be applied to all cases where the image sensor is matrix driven. On the other hand, in the above embodiment, the row and column signal lines are composed of different layers, but only the intersections of these signal lines may be overlapped.

이상에서 설명한 본 발명에 따르면, 인접 셀 유니트간의 누설전류를 최소화할 수 있으므로 원고에서 고품질의 화상신호를 고속으로 독출해 내는 효과를 거둘 수 있다.According to the present invention described above, since the leakage current between adjacent cell units can be minimized, it is possible to achieve the effect of reading out a high quality image signal from a document at high speed.

Claims

다수의 셀 유니트(U1,U2,…,Um)로 분할되도록 기판(10)상에 설치되어서 광감지 셀(D)로 동작하는 광전변환소자와 이 광전변환소자에 연결되어서 시간적으로 연속적인 화상신호를 만들어 내게끔 상기 셀 유니트(U1,U2,···,Um)를 연속적으로 선택되는 신호독출수단을 구비하고 있는 이미지센서에 있어서, 상기 광전변환소자는 기판(10)상에 형성되는 비결정 반도체층(12)과, 상기 광검지 셀을 규정하도록 비결정 반도체층(12)상에 형성되는 제1빗살형 전극(14) 및, 비결정 반도체층(12)상에 형성되는 제2빗살형전극(16,42)을 포함하여 구성되는 것이고, 상기 제2빗살형전극(16,42)은 셀 유니트에 있는 제1빗살형전극(14)과 함께 공간적으로 그물망을 형성하도록 겹쳐지게 설치되어 공통전극으로 동작하며, 상기 신호독출수단은 각 셀 유니트(U1,U2,···,Um)에 있는 제1빗살형 전극군의 측단 빗살을 둘러싸는 제2빗살형 전극군에 연결되어서 상기 광전변환소자에 구동전압을 공급하는 구동전압 발생수단(24,40)과, 상기 제2빗살형 전극군에 연결되어서 광전변환소자로부터 연속적으로 공급되는 신호를 받아 화상신호를 만들어 내는 화상신호 검출수단(26)으로 구성된 것을 특징으로 하는 이미지센서. ,A photoelectric conversion element installed on the substrate 10 to be divided into a plurality of cell units U1, U2, ..., Um and operating as a photosensitive cell D, and a time-continuous image signal connected to the photoelectric conversion element An image sensor comprising a signal reading means for successively selecting the cell units U1, U2, ..., Um so as to form a film, wherein the photoelectric conversion element is an amorphous semiconductor formed on a substrate 10. A layer 12, a first comb electrode 14 formed on the amorphous semiconductor layer 12 to define the photodetector cell, and a second comb electrode 16 formed on the amorphous semiconductor layer 12 And the second comb-shaped electrodes 16 and 42 are installed to overlap with the first comb-shaped electrode 14 in the cell unit to form a mesh in a spatial manner to operate as a common electrode. The signal reading means is a first comb-type in each cell unit (U1, U2, ..., Um) Drive voltage generating means (24,40) connected to the second comb-type electrode group surrounding the side comb teeth of the electrode group to supply a drive voltage to the photoelectric conversion element, and connected to the second comb-type electrode group to photoelectric conversion And an image signal detecting means (26) for receiving a signal continuously supplied from the element to produce an image signal. ,

제1항에 있어서, 구동전압 발생수단(24,40)에 연결되는 제1빗살형 전극군은 인접하는 2개의 셀 유니트에 각각 속하면서 서로 이웃하고 있는 2개의 빗살형 전극을 포함하고 있고, 상기 2개의 빗살형 전극은 측단부에서 서로 인접하는 빗살부(14a, 14b ; 42b, 42c)를 각각 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 이미지센서.The first comb-shaped electrode group connected to the driving voltage generating means (24, 40) includes two comb-shaped electrodes, each belonging to two adjacent cell units and neighboring each other. And two comb-shaped electrodes each comprising comb-tooth portions (14a, 14b; 42b, 42c) adjacent to each other at side ends.

제2항에 있어서, 기판(10)상에 형성되는 제1신호선(LR1, LR2, …, LRn)과, 매트릭스회로(20)를 구성하도록 상기 제1신호선(R1, LR2, …, LRn)상에 교차되어 형성되는 제2신호선(LC1, LC2, ···, LCm)이 추가되어 있는 것을 특징으로 하는 이미지센서.3. The first signal lines LR1, LR2, ..., LRn formed on the substrate 10 and the first signal lines R1, LR2, ..., LRn formed on the substrate 10 to form a matrix circuit 20. And second signal lines (LC1, LC2, ..., LCm) formed to cross each other.

제3항에 있어서, 각 셀 유니트에 있는 제1빗살형 전극(14)에는 대응되는 제2빗살형 전극의 측단 빗살부를 둘러싸는 2개의 빗살형 전극(14-1,14-n)이 포함되어 있는 것을 특징으로 하는 이미지센서.4. The first comb-shaped electrode 14 in each cell unit includes two comb-shaped electrodes 14-1, 14-n surrounding the side comb portion of the corresponding second comb-shaped electrode. There is an image sensor.

제4항에 있어서, 구동전압 발생수단(24)은 매트릭스회로(20)를 통해서 제1빗살형 전극(14)에 연결되고, 신호검출수단(26)은 제2빗살형 전극(16)에 연결되는 것을 특징으로 하는 이미지센서.The driving voltage generating means (24) is connected to the first comb-shaped electrode (14) through the matrix circuit (20), and the signal detecting means (26) is connected to the second comb-type electrode (16). Image sensor, characterized in that.

제3항에 있어서, 각 셀 유니트에 있는 제2빗살형 전극(42)은 각 셀 유니트의 측단부에 위치하는 2개의 제1전극(14-,14-n)의 빗살부를 둘러싸는 다수의 빗살을 갖추고 있는 빗살형 전극(42-1)을 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서.4. The second comb-shaped electrode 42 in each cell unit comprises a plurality of comb teeth surrounding the comb portions of the two first electrodes 14-, 14-n located at the side ends of each cell unit. Image sensor, characterized in that it comprises a comb-shaped electrode (42-1) having.

제6항에 있어서, 구동전압 발생수단(40)은 제2빗살형 전극(42)에 연결되고, 신호검출수단(26)은 매트릭스회로(20)를 통해 제1빗살형 전극(14)에 연결되는 것을 특징으로 하는 이미지센서.The driving voltage generating means (40) is connected to the second comb-shaped electrode (42), and the signal detecting means (26) is connected to the first comb-type electrode (14) through the matrix circuit (20). Image sensor, characterized in that.

제3항, 5항 또는 제7항중 어느 한 항에 있어서, 기판(10)이 절연기판으로 된 것을 특징으로 하는 이미지센서.8. An image sensor according to any one of claims 3, 5 or 7, wherein the substrate (10) is an insulating substrate.