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금속산화 반도체 소자의 격리산화막 형성방법Method of forming isolation oxide of metal oxide semiconductor device
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음Since this is an open matter, no full text was included.
제 2 도는 본 발명의 공정도.2 is a process diagram of the present invention.
Claims (1)
금속 산화 반도체 소자의 격리 산화막 형성 방법에 있어서, 반도체 기판에 웰을 만들고 그위에 베이스 산화막, Si3N4층 및 광저항층을 형성한 다음 에칭에 의하여 격리영역과 액티브 영역을 정의하는 단계와, LOCOS법에 의하여 1차 격리산화막(3')을 형성하는 단계와, 상기 1차 격리 산화막(3')을 제거하고 채널정지 주입을 행하는 단계와, 격리영역에 LOCOS법에 의하여 2차 격리 산화막(3")을 형성하는 단계와, Si3N4층 및 베이스 산화막을 제거하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 금속산화 반도체 소자의 격리 산화막 형성방법.A method of forming an isolation oxide film for a metal oxide semiconductor device, comprising: forming a well in a semiconductor substrate, forming a base oxide film, a Si 3 N 4 layer, and a photoresist layer thereon, and defining an isolation region and an active region by etching; Forming a primary isolation oxide film 3 'by the LOCOS method, removing the primary isolation oxide film 3' and performing channel stop injection, and a secondary isolation oxide film by LOCOS method in the isolation region. 3 "), and removing the Si 3 N 4 layer and the base oxide film.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: The disclosure is based on the initial application.
KR1019880014061A1988-10-281988-10-28
Method of forming isolation oxide of metal oxide semiconductor device
KR900007078A
(en)