KR900006537Y1 - 메모리 집적 소자의 오동작 방지회로 - Google Patents
메모리 집적 소자의 오동작 방지회로 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음.
Description
본 고안의 회로도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 정전압부 2 : 배전압 정류부
D2, D3: 다이오드 IC : 메모리 집적소자
C1-C3: 콘덴서 ZD : 제너다이오드
BD : 브릿지 다이오드
본 고안은 메모리 집적 소자의 오동작 방지 회로에 관한 것이다.
리모콘 텔레비젼에 있어서 주전원 인가시 대기 상태에 있는 스탠바이 전원(VSS)은 교류 전원이 정류되어 메모리 집적소자에 인가되고, 텔레비젼 수상기의 동작시 교류 전원이 공급된 후 플라이백 트랜스의 2차측에서 발생되는 음(-)펄스를 정류하여 데이타 로우딩 전원(VGG)으로 공급함으로써 리모콘에 의한 원격 제어를 행하도록 하고 있다.
그리고 스탠바이 전원(VSS)이 +5V전압으로 인가될 때에 데이타 로우딩 전압(VGG)이 70%이상 인가되어야만 메모리 집적 소자가 데이타를 판별하도록 되어 있기 때문에 종래의 회로에서 스탠바이 전원 인가 초기시에 바로 리모콘을 작동 시키는 경우 정상적인 데이타 로우딩 전압이 인가되지 못하기 때문에 오동작을 행하게 되는 원인이 되는 것이었다.
본 고안은 이와 같은 점을 감안하여 스탠바이 전원(VSS)과 같이 데이타 로우딩 전압(VGG)이 인가되게 함으로써 메모리 집적 소자가 오동작을 행하는 것을 방지할 수 있는 회로를 제공하고자 하는 것으로 트랜스 2차측에 정류회로 및 정전압부를 통하여 스탠바이 전원이 공급되게 구성한 회로에 있어서 브릿지 다이오드의 전단과 메모리 집적 소자 사이에 배전압 정류부를 구성시켜 데이타 로우딩 전원이 공급되게 구성시킨 것이다.
이를 첨부 도면에 의하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
교류전원(AC)이 인가되는 트랜스(T)의 2차측에 브릿지 다이오드(BD)및 콘덴서(C1)를 통하여 정전압부(1)와 연결되어 메모리 집적소자(IC)에 스탠바이 전원(VSS)이 공급되게 구성시키고 트랜스 2차측과 브릿지 다이오드(BD)사이에 콘덴서(C2)및 다이오드(D2)(D3)를 통하여 콘덴서(C3)와 제너다이오드(ZD)가 병렬로 연결되게 배전압 정류부(2)를 구성시킨후 메모리 집적소자(IC)에 데이타 로우딩 전압(VGG)이 공급되게 구성시킨 것이다.
미설명 부호 R1는 전류 제한용 저항이다.
이와같이 구성된 본 고안에서 스탠바이 전원(VSS)은 교류전원(AC)이 인가되는 트랜스(T1)의 2차측에서 브릿지 다이오드(BD)에 의하여 정류된 후 평활용 콘덴서(C1)에서 리플이 제거된 직류 전원이 정전압부(1)에 공급되므로 일정한 +5V의 스탠바이 전원(VSS)이 메모리 집적소자(IC)에 공급되게 된다.
이와 동시에 트랜스(T1)의 2차측 전원이 배전압 정류부(2)의 콘덴서(C2)에 충전된 전압이 다이오드(D2)를 통하여 양전원은 제거되고 다이오드(D3)를 통하여 정류된 음전원(-)이 콘덴서(C3)에 충전된 후 전류제한용 저항(R1) 및 제너다이오드(ZD)를 통하여 일정한 정전원(-)만 데이타 로우딩 전압(VGG)으로 공급되는 것으로 스탠바이 전원(VSS)및 데이타 로우딩 전압(VGG)이 교류전원(AC)인가시 같이 상승되므로 전원 인가후 원격제어시 메모리 집적소자(IC)가 오동작을 행하는 것을 방지할 수가 있는 것시다.
이상에서와 같이 본 고안은 교류전원(AC)인가시 스탠바이 전원(VSS)이 정류회로 및 정전압부를 통하여 메모리 집적소자(IC)에 인가될때에 트랜스 2차측의 배전압 정류부(2)에서 음전원(-)을 정류하여 메모리 집적소자에 데이타 로우딩 전압(VGG)을 같이 공급할 수가 있어 전원 인가후 초기시에 원격 제어시 생기는 오동작을 방지할 수 있는 효과가 있는 것이다.
Claims (1)
- 트랜스(T)의 2차측 정루회로 및 정전압부(1)를 통하여 스탠바이 전원(VSS)이 공급되게 구성한 회로에 있어서, 브릿지 다이오드(BD)전단과 메모리 집적소자(IC)사이에 콘덴서(C2)및 다이오드(D2)(D3)를 통하여 콘덴서(C3)와 제너다이오드(ZD)가 병렬로 연결되게 배전압 정류부(2)를 구성시킨 메모리 집적 소자의 오동작 방지회로.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR2019860020523U KR900006537Y1 (ko) | 1986-12-19 | 1986-12-19 | 메모리 집적 소자의 오동작 방지회로 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR2019860020523U KR900006537Y1 (ko) | 1986-12-19 | 1986-12-19 | 메모리 집적 소자의 오동작 방지회로 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR880013526U KR880013526U (ko) | 1988-08-30 |
KR900006537Y1 true KR900006537Y1 (ko) | 1990-07-26 |
Family
ID=19258090
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR2019860020523U KR900006537Y1 (ko) | 1986-12-19 | 1986-12-19 | 메모리 집적 소자의 오동작 방지회로 |
Country Status (1)
Country | Link |
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KR (1) | KR900006537Y1 (ko) |
-
1986
- 1986-12-19 KR KR2019860020523U patent/KR900006537Y1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR880013526U (ko) | 1988-08-30 |
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