KR900006448A - 반도체 칩의 내부 피막용 수지 조성물 - Google Patents

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다미오 기무라
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Abstract

내용 없음

Description

반도체 칩의 내부 피막용 수지 조성물
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명을 구체화하는 내부 피막을 갖는 반도체의 단면도를 나타낸다.

Claims (8)

  1. (A) 비닐 그룹을 함유하며, 25℃에서의 점도가 100 내지 800cp이며, 일반식(1)을 갖는 폴리실록산 100중량부, (B) 25℃에서의 점도가 2 내지 500cp이며, 일반식(2)를 갖는 폴리실록산 1 내지 35중량부, (C) 분자당 실리콘 원자와 결합된 하나 이상의 수소 원자 및 일반식(3)을 갖는 하나 이상의 그룹을 함유하는 변성된 오가노폴리실록산 0.1 내지 20중량% (상기 기술한 (A)+(B)의 총량 당), 및 (D) 부가 반응을 위한 백금 촉매를 함유하는 반도체의 내부 피막(inner coat)용 수지 조성물.
    상기식에서, V는 비닐 그룹을 나타내고, Me는 메틸 그룹을 나타내며, Ph는 페닐 그룹을 나타내고, R은 메틸 그룹 또는 페닐 그룹을 나타내며, k 및 l은 모두 0.01≤1/(k+1)≤0.2의 범위내에서 변화할 수 있는 자연수를 나타내고, m 및 n은 모두 0.05≤n(m+n)≤0.3의 범위내에서 변화할 수 있는 자연수를 나타내며, R1은 저급 알킬 그룹 또는 R2(OCH2CH2)P-의 그룹을 나타내고, R2은 메틸 그룹 또는 에틸 그룹을 나타내며, p는 3이하의 양수를 나타낸다.
  2. 제1항에 있어서, 폴리실록산 (A)의 25℃에서의 점도가 200 내지 500cp이고, 폴리실록산(B)의 25℃에서의 점도가 5 내지 150cp인 반도체의 내부 피막용 수지 조성물.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 폴리실록산(A)가 0.03 내지 0.15의 1(k+1) 값을 갖는 반도체의 내부 피막용 수지 조성물.
  4. 제1항 내지 3항중 어느 한항에 있어서, 폴리실록산(B)가 0.1 내지 0.2의 n/(m+n) 값을 갖는 반도체의 내부 피막용 수지 조성물.
  5. 제1항 내지 4항중 어느 한항에 있어서, 폴리실록산(A) 100중량부 당 폴리실록산(B) 5 내지 25중량부를 함유하는 반도체의 내부 피막용 수지 조성물.
  6. 제1항 내지 5항중 어느 한항에 있어서, 일반식중 R로 표현되는 페닐 그룹을 함유하는 폴리실록산(A)를 함유하는 반도체의 내부 피막용 수지 조성물.
  7. 제1항 내지 6항중 어느 한항에 있어서,(A)+(B)의 총량 당 변성된 오가노폴리실록산(C) 1 내지 10중량%를 함유하는 반도체의 내부 피막용 수지 조성물.
  8. (A) 비닐 그룹을 함유하며, 25℃에서의 점도가 200 내지 500cp이며, 일반식(1)을 갖는 폴리실록산 100중량부, (B) 25℃에서의 점도가 5 내지 150cp이고, 일반식(2)를 갖는 폴리실록산 5 내지 25중량부, (C) 분자당 실리콘 원자와 결합된 하나 이상의 수소 원자 및 일반식(3)을 갖는 하나 이상의 그룹을 함유하는 변성된 오가노폴리실록산 0.1 내지 20중량% (폴리실록산(A)+폴리실록산(B)의 총량 당), 및 (D) 부가 반응을 위한 백금 촉매를 함유하는 반도체의 내부 피막용 수지 조성물.
    상기식에서, V는 비닐 그룹을 나타내고, Me는 메틸 그룹을 나타내며, Ph는 페닐 그룹을 나타내고, k 및 l은 모두 0.03≤1(k+1)≤0.15의 범위내에서 변화할 수 있는 자연수를 나타내고, m 및 n은 모두 0.1≤n(m+n)≤0.2의 범위내에서 변화할 수 있는 자연수를 나타내며, R1은 저급 알킬 그룹 또는 R2(OCH2CH2)P-의 그룹을 나타내고, R2은 메틸 그룹 또는 에틸 그룹을 나타내며, p는 3이하의 양수를 나타낸다.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019890015120A 1988-10-19 1989-10-19 반도체 칩의 내부 피막용 수지 조성물 KR930012218B1 (ko)

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KR930012218B1 KR930012218B1 (ko) 1993-12-24

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