KR890005995A - 바이폴라-상보형 금속 산화물 반도체 인버터 - Google Patents

바이폴라-상보형 금속 산화물 반도체 인버터 Download PDF

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KR890005995A
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야마모드 다꾸마
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Abstract

내용 없음

Description

바이폴라-상보형 금속 산화물 반도체 인버터
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 바람직한 실시예를 구성하는 회로도.
제4도는 제3도의 Bi-COMS인버터 동작을 설명하기 위한 신호 파형도.
제5도는 제3도의 실시예를 변화시킨 회로도.

Claims (6)

  1. 바이폴라-상보형 금속 산화물 반도체(Bi-CMOS)에 있어서, P-채널과 n-채널 MOS 트랜지스터들로 구성되고, 그 MOS 트랜지스터들의 게이트들에 입력 전압(Vin)이 인가되는 상보형 금속 산화물 반도체(CMOS)인버터와, 그 베이스가 CMOS인버터의 출력단자에 접속되고, 그 에미터가 n-채널 MOS트랜지스터의 소오스에 접속되고, 그 에미터에 Bi-CMOS인버터의 출력전압(Vout)이 얻어지는 바일폴라 트랜지스터와, 입력전압이 “로우”레벨에서 “하이”레벨로 변환될 때, CMOS인버터의 출력단자와 바이폴라 트랜지스터의 에미터에서의 전하들이 방전되는 경로를 형성하기 위한 수단과로 이루어진 바이폴라-상보형 금속 산화물 반도체.
  2. 제1항에 있어서, P-채널 MOS트랜지스터의 드레인과 바이폴라 트랜지스터의 콜렉터가 양전원에 접속되고, 두번째 N-채널 MOS트랜지스터로 구성되는 수단에 있어서, 두번째 n-채널 MOS트랜지스터의 베이스가 CMOS인버터의 P-채널과 n-채널 MOS트랜지스터들의 게이트들에 접속되고, 두번째 n-채널 MOS트랜지스터의 드레인 바이폴라 트랜지스터의 에미터에 접속되고, 두번째 n-채널 MOS트랜지스터의 소오스가 음전원에 접속되는 Bi-CMOS인버터.
  3. 제1항에 있어서, P-채널 MOS트랜지스터의 드레인과 바이폴라 트랜지스터의 콜렉터가 양전원에 접속되고, 두번째 바이폴라 트랜지스터로 구성되는 수단에 있어서, 두번째 바이폴라 트랜지스터의 베이스가 CMOS인버터의 P-채널과 n-채널 트랜스터들의 게이트들에 접속되고, 두번째 바이폴라 트랜지스터의 콜렉터가 바이폴라 트랜지스터의 에미터에 접속되고, 두번째 바이폴라 트랜지스터의 에미터가 음전원에 접속되는 Bi-CMOS인버터.
  4. 제1항에 있어서, 바이폴라 트랜지스터의 에미터의 전압을 소정의 전압으로 상승시키기 위한 풀-업(pull-up) 수단을 더 포함하는 Bi-CMOS인버터.
  5. 제4항에 있어서, 풀-업 수단이 풀-업 MOS트랜지스터로 구성되고, 풀-업 MOS트랜지스터의 게이트가 CMOS인버터의 P-채널과 N-채널 MOS트랜지스터의 게이트들에 접속되고, 풀-업 MOS트랜지스터의 드레인이 바이폴라 트랜지스터의 에미터와 CMOS인버터의 P-채널 트랜지스터의 소오스에 접속되고, 풀-업 MOS트랜지스터의 소오스가 양전원에 접속되는 Bi-CMOS인버터.
  6. 제1항에 있어서, 그 드레인이 바이폴라 트랜지스터의 베이스에 접속되고, 그 게이트가 CMOS인버터의 P-채널과 n-채널 MOS트랜지스터의 게이트들에 접속되고, 그 소오스가 음전원에 접속되는 두번째 n-채널 MOS트랜지스터를 더 포함하는 Bi-CMOS인버터.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019880011394A 1987-09-11 1988-09-03 바이폴라-상보형 금속산화물 반도체 인버터 KR910006513B1 (ko)

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