KR890001434B1 - 촬상관용 타켓의 제조방법 - Google Patents

Abstract

내용 없음.

Description

촬상관용 타켓의 제조방법

제1도는 본 발명의 실시예에 따른 촬상관용, 타켓의 구조 및 조성을 나타내는 개략도.

제2도는 본 발명의 광전변환 장치를 이용한 촬상관의 신호 전류 및 암전류 특성도.

제3도는 본 발명의 광전변환 장치를 이용한 촬상관의 광전변환 특성도.

제4도는 진폭 변조도 특성을 나타내는 도면이다.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

1 : 투명전극 2 : 치밀막

3 : 다공막 4 : 미립막

본 발명은 개량된 촬상관용 타켓(TARGET)의 제조방법에 관한 것이다.

축적 모우드에 사용되는 광전변환 장치의 대표적인 예는 촬상관인데, 이것은 면판이라고 불리우는 투명선기판 위에 투명도전막 및 광도전체층을 형성하고 있는 타켓(TARGET)과 이것을 봉해 주는 외위기로 구성되어 있다.

면판을 통해 광도전체 층에 영상이 비추어 지면 그 명암에 따른 광전변환이 일어나 전하 패턴이 형성된다. 이 전하 패턴은 전자 비임에 의해 시계열적으로 전기 신호로 바뀌어져 비디오 신호로 나타낸다.

Sb₂S₃를 사용한 광도전막은 광전변환 특성이 낮고 잔상이 길며 특히 암전류가 큰 흠을 가지고 있다.

본 발명의 목적은 광전변환 특성이 양호하며 특히 암전류가 작은 광전변환 장치를 제공하는데 있다. 통상 Sb₂S₃를 사용한 광도전막은 치밀한 다공층으로 되어 있으며 분광감도를 좋게 하기 위한 경우는 치밀막-다공막-치말막의 3층 구조로 되어 있다.

특히 치밀막은 감도고 좋은 반면 암전류가 많이 흐르고 잔상이 긴 것등의 결점이 있다. 이를 보상해 주기위해 다공막을 형성시키는데 다공막은 치밀막에 비해 비유전율이 작고 비저항이 큰 특징을 갖고 있으나 치밀막에 비해 감도가 1/10가량 낮은 것이 가장 큰 단점이다. 치밀막과 다공막을 사용한 광도전막은 적색감도 특성이 낮아 칼라 비디오 신호를 얻고자 할 경우 문제가 된다. 이를 보상하기 위해서는 다공막 위에 다시 치밀막을 형성시키게 된다.

이러한 구조의 광도전막은 감도가 낮고 잔상이 길며 특히 암전류가 큰 단점이 발생하게 된다.

본 발명에서는 감도의 특성이 양호하며 암전류가 작은 막을 만들기 위해 치밀막과 다공막에 Se를 첨가하는데 Se과 Sb₂S₃의 혼합비는 가능한 Se이 많은 쪽이 좋다. 미립막은 순수한 Sb₂S₃로 제조하되 막의 두께가 얇을수록 광전변환 특성이 좋은 결과를 얻을 수 있다.

이하 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.

제1도는 본 발명의 실시예로서 촬상관용 타켓의 구조도로, 예를 들면 2/3인치 직경의 유리 면판 위에 화학기체성장(CVD)법으로 퇴적시켜서 형성된 100-200nm두께산화주석(SnO₂)으로 이루어진 투명전극(1)이 형성되어 있다.

또한 일반적으로 투면전극으로는 반투명 금속, 산화인듐과 산화주석 등이 사용된다. 상기 투명도전막(1) 위에 Sb₂S₃와 Se의 치밀막(2)을 진공증착 시킨다. 초기 진공도는 8×10^-5-1×10^-6Torr, 기판온도 30-70℃, 증착율 1-300nm/sec로 하고 Se와 Sb₂S₃의 혼합 비율은 중량으로 1 : 10-1/100이 되게 한다. 이어서 상기 치밀막(2)위에 불활성 가스 분위기 중에서 Se와 Sb₂S₃로 된 다공막(3)을 형성한다. 사용된 불활성 가스에 의한 진공도는 1.5×10^-2-1.5×10^-1Torr의 비교적 큰 진공도의 분위기로 유지하고 이 분위기 중에서 증착원을 가열해서 증착시킨다. Se과 Sb₂S₃의 혼합 비율은 중량으로 1 : 1/2-1/10이다.

다공막(3) 제작을 위한 증착율은 1-100nm/sec로 한다. 다공막(3)을 형성시킨 뒤 진공도를 8×10^-5-1×10^-6Torr로 높여 Sb₂S₃의 미립막(4)을 형성시킨다. 이때 사용된 시료는 Sb₂S₃만으로 한다.

제2도는 본 발명의 실시예에 따른 광전변환 장치를 이용한 촬상관의 신호 전류 및 암전류 특성도인데, 신호 전류는 면조도 10lux하에서 타켓의 전압을 변화시켜 가면서 측정한 값이고, 암전류는 광도전막에 빛의 주입을 차단시키고 타켓 전압을 변화시켜 가면서 측정한 값이다.

제3도는 본 발명의 실시예에 따른 광전변환 장치를 이용한 촬성관의 광전변환 특성도로서, 암전류 20nA가 흐르도록 타켓 전압을 설정한 후 광도전전막에 조사되는 빛의 조도를 바꾸어 가면서 측정된 신호 전류를 Log-Log 그래프에 기록된 것이다.

이 그래프의 기울기가 광전변환 특성치 γ값으로 된다. 일반적으로 비디콘(VIDICON)은 0.7정도이나 본 발명은 0.8로 비디콘 보다 나은 결과를 보이고 있다.

제4도는 진폭변조도를 도시하는 그래프인데, 진폭변조도는 해상도본수(TV Line)증가에 따라 신호전류가 감소되는 값을 수치화한 것으로, 해상도 본수가 15TV 라인인 경우 신호 전류치를 100%로 보고 400TV 라인의 신호 전류치를 15TV라인의 경우와 비교한 값으로 나타낸다.

본 발명의 경우는 25%이고 일반 비디콘은 20%이다. 이 값이 클수록 해상도 특성이 양호함을 의미한다.

이상과 같은 점에서, 본 발명에 의한 촬상관용 타켓과 일반적인 사용 비디콘의 촬상관 타켓의 특성을 비교한 결과가 다음의 표에 나타나 있다.

특성 비교표

이상에서 보는 바와 같이, 본 실시예에 따른 타켓을 이용한 촬상관은 암전류가 극히 작고 광전변화 특성이 양호하며 해상도 특성이 좋은 결과를 보여준다.

Claims (3)

1. 투과성 기판과 이 기판위에 형성된 투면전극과 이 전극상에 Sb₂S₂의 치밀막, 다공막, 미립막을 차례로 적층하여 형성한 촬상관용 타켓에 있어서, 상기한 Sb₂S₃의 치밀막과 다공막에 Se를 Se : S₃의 조성비가 중량으로 각기 1 : 1/10-1/100과 1 : 1/2 : 1/10이 되도록 첨가하고 진공 증착하여 형성된 것임을 특징으로 하는 촬상관용 타켓의 제조방법.
2. 제1항에 있어서, 치밀막의 진공증착은 8×10^-5-1×10^-6Torr의 압력과 1-300nm/sec의 증착율의 조건하에 수행된 것임을 특징으로 하는 촬상관용 타켓의 제조방법.
3. 제1항에 있어서, 다공막의 진공증착은 1.5×10^-2-1.5×10^-1Torr의 불활성 가스분압과 1-100nm/sec의 증착율의 조건하에 수행된 것임을 특징으로 하는 촬상관용 타켓의 제조방법.

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