KR890001434B1 - 촬상관용 타켓의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
내용 없음.
Description
제1도는 본 발명의 실시예에 따른 촬상관용, 타켓의 구조 및 조성을 나타내는 개략도.
제2도는 본 발명의 광전변환 장치를 이용한 촬상관의 신호 전류 및 암전류 특성도.
제3도는 본 발명의 광전변환 장치를 이용한 촬상관의 광전변환 특성도.
제4도는 진폭 변조도 특성을 나타내는 도면이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 투명전극 2 : 치밀막
3 : 다공막 4 : 미립막
본 발명은 개량된 촬상관용 타켓(TARGET)의 제조방법에 관한 것이다.
축적 모우드에 사용되는 광전변환 장치의 대표적인 예는 촬상관인데, 이것은 면판이라고 불리우는 투명선기판 위에 투명도전막 및 광도전체층을 형성하고 있는 타켓(TARGET)과 이것을 봉해 주는 외위기로 구성되어 있다.
면판을 통해 광도전체 층에 영상이 비추어 지면 그 명암에 따른 광전변환이 일어나 전하 패턴이 형성된다. 이 전하 패턴은 전자 비임에 의해 시계열적으로 전기 신호로 바뀌어져 비디오 신호로 나타낸다.
Sb2S3를 사용한 광도전막은 광전변환 특성이 낮고 잔상이 길며 특히 암전류가 큰 흠을 가지고 있다.
본 발명의 목적은 광전변환 특성이 양호하며 특히 암전류가 작은 광전변환 장치를 제공하는데 있다. 통상 Sb2S3를 사용한 광도전막은 치밀한 다공층으로 되어 있으며 분광감도를 좋게 하기 위한 경우는 치밀막-다공막-치말막의 3층 구조로 되어 있다.
특히 치밀막은 감도고 좋은 반면 암전류가 많이 흐르고 잔상이 긴 것등의 결점이 있다. 이를 보상해 주기위해 다공막을 형성시키는데 다공막은 치밀막에 비해 비유전율이 작고 비저항이 큰 특징을 갖고 있으나 치밀막에 비해 감도가 1/10가량 낮은 것이 가장 큰 단점이다. 치밀막과 다공막을 사용한 광도전막은 적색감도 특성이 낮아 칼라 비디오 신호를 얻고자 할 경우 문제가 된다. 이를 보상하기 위해서는 다공막 위에 다시 치밀막을 형성시키게 된다.
이러한 구조의 광도전막은 감도가 낮고 잔상이 길며 특히 암전류가 큰 단점이 발생하게 된다.
본 발명에서는 감도의 특성이 양호하며 암전류가 작은 막을 만들기 위해 치밀막과 다공막에 Se를 첨가하는데 Se과 Sb2S3의 혼합비는 가능한 Se이 많은 쪽이 좋다. 미립막은 순수한 Sb2S3로 제조하되 막의 두께가 얇을수록 광전변환 특성이 좋은 결과를 얻을 수 있다.
이하 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.
제1도는 본 발명의 실시예로서 촬상관용 타켓의 구조도로, 예를 들면 2/3인치 직경의 유리 면판 위에 화학기체성장(CVD)법으로 퇴적시켜서 형성된 100-200nm두께산화주석(SnO2)으로 이루어진 투명전극(1)이 형성되어 있다.
또한 일반적으로 투면전극으로는 반투명 금속, 산화인듐과 산화주석 등이 사용된다. 상기 투명도전막(1) 위에 Sb2S3와 Se의 치밀막(2)을 진공증착 시킨다. 초기 진공도는 8×10-5-1×10-6Torr, 기판온도 30-70℃, 증착율 1-300nm/sec로 하고 Se와 Sb2S3의 혼합 비율은 중량으로 1 : 10-1/100이 되게 한다. 이어서 상기 치밀막(2)위에 불활성 가스 분위기 중에서 Se와 Sb2S3로 된 다공막(3)을 형성한다. 사용된 불활성 가스에 의한 진공도는 1.5×10-2-1.5×10-1Torr의 비교적 큰 진공도의 분위기로 유지하고 이 분위기 중에서 증착원을 가열해서 증착시킨다. Se과 Sb2S3의 혼합 비율은 중량으로 1 : 1/2-1/10이다.
다공막(3) 제작을 위한 증착율은 1-100nm/sec로 한다. 다공막(3)을 형성시킨 뒤 진공도를 8×10-5-1×10-6Torr로 높여 Sb2S3의 미립막(4)을 형성시킨다. 이때 사용된 시료는 Sb2S3만으로 한다.
제2도는 본 발명의 실시예에 따른 광전변환 장치를 이용한 촬상관의 신호 전류 및 암전류 특성도인데, 신호 전류는 면조도 10lux하에서 타켓의 전압을 변화시켜 가면서 측정한 값이고, 암전류는 광도전막에 빛의 주입을 차단시키고 타켓 전압을 변화시켜 가면서 측정한 값이다.
제3도는 본 발명의 실시예에 따른 광전변환 장치를 이용한 촬성관의 광전변환 특성도로서, 암전류 20nA가 흐르도록 타켓 전압을 설정한 후 광도전전막에 조사되는 빛의 조도를 바꾸어 가면서 측정된 신호 전류를 Log-Log 그래프에 기록된 것이다.
이 그래프의 기울기가 광전변환 특성치 γ값으로 된다. 일반적으로 비디콘(VIDICON)은 0.7정도이나 본 발명은 0.8로 비디콘 보다 나은 결과를 보이고 있다.
제4도는 진폭변조도를 도시하는 그래프인데, 진폭변조도는 해상도본수(TV Line)증가에 따라 신호전류가 감소되는 값을 수치화한 것으로, 해상도 본수가 15TV 라인인 경우 신호 전류치를 100%로 보고 400TV 라인의 신호 전류치를 15TV라인의 경우와 비교한 값으로 나타낸다.
본 발명의 경우는 25%이고 일반 비디콘은 20%이다. 이 값이 클수록 해상도 특성이 양호함을 의미한다.
이상과 같은 점에서, 본 발명에 의한 촬상관용 타켓과 일반적인 사용 비디콘의 촬상관 타켓의 특성을 비교한 결과가 다음의 표에 나타나 있다.
특성 비교표
이상에서 보는 바와 같이, 본 실시예에 따른 타켓을 이용한 촬상관은 암전류가 극히 작고 광전변화 특성이 양호하며 해상도 특성이 좋은 결과를 보여준다.
Claims (3)
- 투과성 기판과 이 기판위에 형성된 투면전극과 이 전극상에 Sb2S2의 치밀막, 다공막, 미립막을 차례로 적층하여 형성한 촬상관용 타켓에 있어서, 상기한 Sb2S3의 치밀막과 다공막에 Se를 Se : S3의 조성비가 중량으로 각기 1 : 1/10-1/100과 1 : 1/2 : 1/10이 되도록 첨가하고 진공 증착하여 형성된 것임을 특징으로 하는 촬상관용 타켓의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 치밀막의 진공증착은 8×10-5-1×10-6Torr의 압력과 1-300nm/sec의 증착율의 조건하에 수행된 것임을 특징으로 하는 촬상관용 타켓의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 다공막의 진공증착은 1.5×10-2-1.5×10-1Torr의 불활성 가스분압과 1-100nm/sec의 증착율의 조건하에 수행된 것임을 특징으로 하는 촬상관용 타켓의 제조방법.
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KR1019860006321A KR890001434B1 (ko) | 1986-07-31 | 1986-07-31 | 촬상관용 타켓의 제조방법 |
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KR880002235A KR880002235A (ko) | 1988-04-29 |
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KR1019860006321A KR890001434B1 (ko) | 1986-07-31 | 1986-07-31 | 촬상관용 타켓의 제조방법 |
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KR (1) | KR890001434B1 (ko) |
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1986
- 1986-07-31 KR KR1019860006321A patent/KR890001434B1/ko not_active IP Right Cessation
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KR880002235A (ko) | 1988-04-29 |
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